JPH0323979B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0323979B2 JPH0323979B2 JP54017937A JP1793779A JPH0323979B2 JP H0323979 B2 JPH0323979 B2 JP H0323979B2 JP 54017937 A JP54017937 A JP 54017937A JP 1793779 A JP1793779 A JP 1793779A JP H0323979 B2 JPH0323979 B2 JP H0323979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intensity
- light
- signal
- pockels cell
- energy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 230000008859 change Effects 0.000 description 22
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 20
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 18
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- -1 tellurium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- Indexing, Searching, Synchronizing, And The Amount Of Synchronization Travel Of Record Carriers (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ビデオ信号等の情報信号を記録媒
体上に光学的に記録する装置に関する。
体上に光学的に記録する装置に関する。
本出願人は、先に、特開昭50−2415号公報にお
いて、ビデオ信号を周波数変調して光学的に記録
する新規な装置を提案している。
いて、ビデオ信号を周波数変調して光学的に記録
する新規な装置を提案している。
この装置は、被記録信号たるビデオ信号を周波
数変調する周波数変調手段と、一定強度のレーザ
ビーム(例えば、直線偏光イオンレーザ)を発生
するレーザ光源と、前記レーザ光源から発せられ
るレーザビームの経路に介挿されるとともに、前
記周波数信号の各瞬時レベルに対応してその光透
過状態が可変となされた光変調器(例えば、ポツ
ケルスセル式光変調器)と、前記光変調器で強度
変調されたレーザビームを所定位置へと導くとと
もに、集束してビームスポツトを形成する光学系
と、前記光学系から得られるビームスポツトが照
射される感光面(例えば、フオトレジスト被膜、
ビスマス被膜等)を有するとともに、一様な回転
運動をするように支持されたデイスク状記録媒体
と、を有するものである。
数変調する周波数変調手段と、一定強度のレーザ
ビーム(例えば、直線偏光イオンレーザ)を発生
するレーザ光源と、前記レーザ光源から発せられ
るレーザビームの経路に介挿されるとともに、前
記周波数信号の各瞬時レベルに対応してその光透
過状態が可変となされた光変調器(例えば、ポツ
ケルスセル式光変調器)と、前記光変調器で強度
変調されたレーザビームを所定位置へと導くとと
もに、集束してビームスポツトを形成する光学系
と、前記光学系から得られるビームスポツトが照
射される感光面(例えば、フオトレジスト被膜、
ビスマス被膜等)を有するとともに、一様な回転
運動をするように支持されたデイスク状記録媒体
と、を有するものである。
かかる装置の構成によれば、周波数変調された
ビデオ信号をデイスク状記録媒体上に高密度に記
録できるものと考えられた。
ビデオ信号をデイスク状記録媒体上に高密度に記
録できるものと考えられた。
しかしながら、このような従来の記録装置にあ
つても、周波数変調ビデオ信号のレベルと光変調
器の光透過度との関係、すなわち光変調器の動作
点の如何によつては、光変調器の出力ビーム中に
第2次高調波歪み成分が生じてしまい、これが原
因で記録品質が低下すると言う問題点があつた。
つても、周波数変調ビデオ信号のレベルと光変調
器の光透過度との関係、すなわち光変調器の動作
点の如何によつては、光変調器の出力ビーム中に
第2次高調波歪み成分が生じてしまい、これが原
因で記録品質が低下すると言う問題点があつた。
上述のように、本出願人は、先に、特開昭50−
2415号公報において、周波数変調されたビデオ信
号をデイスク状記録媒体上に高密度に記録できる
装置を提案しているが、かかる装置にあつても、
周波数変調ビデオ信号のレベルと光変調器の光透
過度との関係、すなわち光変調器の動作点の如何
によつては、光変調器の出力ビーム中に第2次高
調波歪み成分が生じてしまい、これが原因で記録
品質が低下すると言う問題点があつた。
2415号公報において、周波数変調されたビデオ信
号をデイスク状記録媒体上に高密度に記録できる
装置を提案しているが、かかる装置にあつても、
周波数変調ビデオ信号のレベルと光変調器の光透
過度との関係、すなわち光変調器の動作点の如何
によつては、光変調器の出力ビーム中に第2次高
調波歪み成分が生じてしまい、これが原因で記録
品質が低下すると言う問題点があつた。
この発明は、このような問題点に鑑みなされた
ものであり、その目的とするところは、高忠実度
を以てビデオ信号等の情報信号を光学的に記録す
ることができるようにしたビデオ信号の記録装置
を提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、高忠実度
を以てビデオ信号等の情報信号を光学的に記録す
ることができるようにしたビデオ信号の記録装置
を提供することにある。
この発明は、上記の目的を達成するために、第
1のレベルと第2のレベルとの間において交互に
レベルが変化する形態の情報信号を入力するため
の情報入力手段と、変調対象たる一定強度のレー
ザビームを発生するレーザ光源と、前記レーザ光
源から発せられる一定強度のレーザビームを前記
情報信号で強度変調するとともに、入力バイアス
調整が可能になされた光変調器と、前記光変調器
で強度変調されたレーザビーム中に含まれる第2
高調波歪み成分を検出するとともに、これが最小
となるように前記光変調器のバイアスを調整する
オートバイアス手段と、前記光変調器で強度変調
されたレーザビームを所定位置へと導くととも
に、集束してビームスポツトを形成する光学系
と、前記光学系から得られるビームスポツトが照
射される感光面を有するとともに、一様な運動を
するように支持された記録媒体と、を具備するこ
とを特徴とするものである。
1のレベルと第2のレベルとの間において交互に
レベルが変化する形態の情報信号を入力するため
の情報入力手段と、変調対象たる一定強度のレー
ザビームを発生するレーザ光源と、前記レーザ光
源から発せられる一定強度のレーザビームを前記
情報信号で強度変調するとともに、入力バイアス
調整が可能になされた光変調器と、前記光変調器
で強度変調されたレーザビーム中に含まれる第2
高調波歪み成分を検出するとともに、これが最小
となるように前記光変調器のバイアスを調整する
オートバイアス手段と、前記光変調器で強度変調
されたレーザビームを所定位置へと導くととも
に、集束してビームスポツトを形成する光学系
と、前記光学系から得られるビームスポツトが照
射される感光面を有するとともに、一様な運動を
するように支持された記録媒体と、を具備するこ
とを特徴とするものである。
このような構成によれば、光変調器で強度変調
されたレーザビーム中に含まれる第2高調波歪み
成分を検出するとともに、これが最小となるよう
に光変調器のバイアスが調整されるため、光変調
器に於ける動作点はその中間光透過状態に一致す
ることとなり、歪みの少ない電気・光変調が行わ
れ、その結果、忠実度の高い情報記録が行われ
る。
されたレーザビーム中に含まれる第2高調波歪み
成分を検出するとともに、これが最小となるよう
に光変調器のバイアスが調整されるため、光変調
器に於ける動作点はその中間光透過状態に一致す
ることとなり、歪みの少ない電気・光変調が行わ
れ、その結果、忠実度の高い情報記録が行われ
る。
以下、本発明の好適な一実施例を添付図面を参
照しつつ詳細に説明する。
照しつつ詳細に説明する。
図面全体にわたり、同じ素子には同じ参照数字
を用いている。記録並びに貯蔵という言葉は書込
みという言葉と互換性を持つて使う。再生という
言葉は読取という言葉と互換性を持つて使う。
を用いている。記録並びに貯蔵という言葉は書込
みという言葉と互換性を持つて使う。再生という
言葉は読取という言葉と互換性を持つて使う。
情報貯蔵部材10に周波数変調信号の形をした
ビデオ情報を貯蔵する装置が、第1図に示されて
いる。情報信号源回路12を使つて、記録しよう
とする情報信号を用意する。線14に現われるこ
の情報信号が周波数変調信号であり、その情報内
容は、記録しようとする情報を表わす時間的な周
波数変化を持つ搬送波周波数の形をしている。第
5図に周波数変調信号の典型的な一例を示す。情
報信号源回路12はビデオ信号回路16を持つて
いて、線18に情報信号を発生する。この情報信
号の情報内容は、時間的に或る形式で変化する電
圧である。第4図に時間的に変化する電圧信号の
典型的な一例を示す。周波数変調信号20がビデ
オ信号回路16に応答して、時間的に変化する電
圧信号を、第5図に示す線14の周波数変調信号
に変換する。
ビデオ情報を貯蔵する装置が、第1図に示されて
いる。情報信号源回路12を使つて、記録しよう
とする情報信号を用意する。線14に現われるこ
の情報信号が周波数変調信号であり、その情報内
容は、記録しようとする情報を表わす時間的な周
波数変化を持つ搬送波周波数の形をしている。第
5図に周波数変調信号の典型的な一例を示す。情
報信号源回路12はビデオ信号回路16を持つて
いて、線18に情報信号を発生する。この情報信
号の情報内容は、時間的に或る形式で変化する電
圧である。第4図に時間的に変化する電圧信号の
典型的な一例を示す。周波数変調信号20がビデ
オ信号回路16に応答して、時間的に変化する電
圧信号を、第5図に示す線14の周波数変調信号
に変換する。
情報貯蔵部材10がターンテーブル21に装着
される。第2図に標識が形成されていない部材1
0が示されており、これは第1の面24及び第1
の面24を覆う光応答性被覆26を持つ基板22
を含む。運動制御集成体28が、光源30によつ
て発生された書込みビーム29′に対して、貯蔵
部材10に一様な運動を加える。運動制御集成体
28は第9図に示されており、後で詳しく説明す
る。運動制御集成体28が、情報貯蔵部材10に
一様な回転運動を伝える回転駆動回路32と、こ
の回転駆動回路32と同期していて、集束された
光ビーム29′を被覆26の半径方向に動かす並
進駆動回路34とを含む。運動制御集成体28
は、回転駆動回路32によつて部材10に加えら
れる回転運動と並進駆動回路34によつて光ビー
ム29に加えられる並進運動との間に一定の関係
を保つ電気的な同期集成体36をも含む。
される。第2図に標識が形成されていない部材1
0が示されており、これは第1の面24及び第1
の面24を覆う光応答性被覆26を持つ基板22
を含む。運動制御集成体28が、光源30によつ
て発生された書込みビーム29′に対して、貯蔵
部材10に一様な運動を加える。運動制御集成体
28は第9図に示されており、後で詳しく説明す
る。運動制御集成体28が、情報貯蔵部材10に
一様な回転運動を伝える回転駆動回路32と、こ
の回転駆動回路32と同期していて、集束された
光ビーム29′を被覆26の半径方向に動かす並
進駆動回路34とを含む。運動制御集成体28
は、回転駆動回路32によつて部材10に加えら
れる回転運動と並進駆動回路34によつて光ビー
ム29に加えられる並進運動との間に一定の関係
を保つ電気的な同期集成体36をも含む。
光源30が光ビーム29を発生する。この光ビ
ームは、被覆26の運動中、被覆が移動する情報
貯蔵部材10の上にある間、被覆26と相互作用
し又はそれを変更するのに十分な強度を持つてい
る。更に、光ビーム29′の強度は、記録しよう
とする情報を表わす永久的な標識を被覆26内に
作るのに十分である。適当な光源30は、偏光し
た単色光のコリメートされた書込みビームを発生
する書込みレーザで構成される。
ームは、被覆26の運動中、被覆が移動する情報
貯蔵部材10の上にある間、被覆26と相互作用
し又はそれを変更するのに十分な強度を持つてい
る。更に、光ビーム29′の強度は、記録しよう
とする情報を表わす永久的な標識を被覆26内に
作るのに十分である。適当な光源30は、偏光し
た単色光のコリメートされた書込みビームを発生
する書込みレーザで構成される。
第2図には、第1の形式の適当なビデオ・デイ
スク部材10が断面図で示されている。適当な基
板22は硝子で作られ、滑らかで平坦な平面状の
第1の面24を有する。光応答性被覆26が面2
4の上に形成される。
スク部材10が断面図で示されている。適当な基
板22は硝子で作られ、滑らかで平坦な平面状の
第1の面24を有する。光応答性被覆26が面2
4の上に形成される。
一実施例では、被覆26は薄い透明なメタライ
ズ層であり、書込みレーザ30からの書込み光ビ
ーム29が入射したことに応答して、局部的な加
熱が起こる様な適当な物理的な性質を有する。動
作の際、この加熱によつて、被覆26が局部的に
溶融し、それに伴つて、溶融材料が溶融区域の周
縁に向つて引込む。このため、冷却した時、薄い
金属被覆26には、第3図及び第8図の37に示
す様な永久的な開口が残る。開口37は、情報を
表わすために用いられる標識の1つの形式であ
る。この実施例では、相次ぐ位置にある開口37
が、変化のなかつた被覆26の部分38によつて
隔てられている。部分38は情報を表わすために
用いられる2番目の種類の標識である。標識3
7,38が周波数変調信号を表わす様子につい
て、更に詳しいことは、第5図乃至第8図につい
て説明する。
ズ層であり、書込みレーザ30からの書込み光ビ
ーム29が入射したことに応答して、局部的な加
熱が起こる様な適当な物理的な性質を有する。動
作の際、この加熱によつて、被覆26が局部的に
溶融し、それに伴つて、溶融材料が溶融区域の周
縁に向つて引込む。このため、冷却した時、薄い
金属被覆26には、第3図及び第8図の37に示
す様な永久的な開口が残る。開口37は、情報を
表わすために用いられる標識の1つの形式であ
る。この実施例では、相次ぐ位置にある開口37
が、変化のなかつた被覆26の部分38によつて
隔てられている。部分38は情報を表わすために
用いられる2番目の種類の標識である。標識3
7,38が周波数変調信号を表わす様子につい
て、更に詳しいことは、第5図乃至第8図につい
て説明する。
可動光学集成体40及びビーム方向ぎめ光学集
成体41が一緒になつて、光源30から出る光ビ
ーム29に対する光路を定める。光学集成体が読
取ビーム29を貯蔵部材10が担持する被覆26
上のスポツト42に結ぶ。光路が数字29,2
9′で表わした線によつて示されている。
成体41が一緒になつて、光源30から出る光ビ
ーム29に対する光路を定める。光学集成体が読
取ビーム29を貯蔵部材10が担持する被覆26
上のスポツト42に結ぶ。光路が数字29,2
9′で表わした線によつて示されている。
光強度変調集成体44が光源30と被覆26と
の間の光路29内に配置される。最も広義にみた
動作様式では、光強度変調集成体は、貯蔵しよう
とする情報で光ビーム29の強度変調をする。光
強度変調集成体44は、第5図に示す増幅された
周波数変調信号の制御の下に動作する。この周波
数変調信号が、周波数変調信号の各サイクルの
間、集成体44をその高い方の光透過状態及び低
い方の光透過状態の間で変化させる。透過状態の
間のこの急速な変化により、貯蔵しようとする周
波数変調信号で光ビーム29が変調される。
の間の光路29内に配置される。最も広義にみた
動作様式では、光強度変調集成体は、貯蔵しよう
とする情報で光ビーム29の強度変調をする。光
強度変調集成体44は、第5図に示す増幅された
周波数変調信号の制御の下に動作する。この周波
数変調信号が、周波数変調信号の各サイクルの
間、集成体44をその高い方の光透過状態及び低
い方の光透過状態の間で変化させる。透過状態の
間のこの急速な変化により、貯蔵しようとする周
波数変調信号で光ビーム29が変調される。
光ビーム29は、光強度変調集成体44を通過
する時に変調される。その後、変調された光ビー
ム(これを数字29′で表わす)が、光学集成体
40,41により、被覆26上に像を結ぶ。変調
された光ビーム29′が被覆26に入射すると、
貯蔵しようとする周波数変調信号を表わす標識が
被覆26内に形成される。
する時に変調される。その後、変調された光ビー
ム(これを数字29′で表わす)が、光学集成体
40,41により、被覆26上に像を結ぶ。変調
された光ビーム29′が被覆26に入射すると、
貯蔵しようとする周波数変調信号を表わす標識が
被覆26内に形成される。
光強度変調集成体44は電気的に制御可能な集
成体46を含む。集成体46は、周波数変調器2
0に応答して、光ビーム29′の強度を、集束さ
れたビーム29′が情報貯蔵部材10が担持する
被覆26を変更する様な予定の強度より上に変え
る。更に、電気的に制御可能な集成体46は、周
波数変調器20に応答して、光ビームの強度を、
集束されたビーム29′が被覆26を変更し得な
い予定の強度より下に変える。被覆26内に形成
された変化が、貯蔵しようとする周波数変調信号
を表わす。フオトレジスト層が情報貯蔵部材10
の被覆26を形成する時、上に述べた変化は、
夫々標識37,38について述べたのと同様な寸
法の露出した並びに露出しないフオトレジスト部
材の形をとる。
成体46を含む。集成体46は、周波数変調器2
0に応答して、光ビーム29′の強度を、集束さ
れたビーム29′が情報貯蔵部材10が担持する
被覆26を変更する様な予定の強度より上に変え
る。更に、電気的に制御可能な集成体46は、周
波数変調器20に応答して、光ビームの強度を、
集束されたビーム29′が被覆26を変更し得な
い予定の強度より下に変える。被覆26内に形成
された変化が、貯蔵しようとする周波数変調信号
を表わす。フオトレジスト層が情報貯蔵部材10
の被覆26を形成する時、上に述べた変化は、
夫々標識37,38について述べたのと同様な寸
法の露出した並びに露出しないフオトレジスト部
材の形をとる。
情報貯蔵部材10が担持する被覆26が金属被
覆である時、電気的に制御可能な集成体46が、
書込みビーム29′の強度を、集束されたビーム
29′が金属被覆を蒸発させずに溶融させる様な
第1の予定の強度より上に変えると共に、書込み
ビームの強度を、集束されたビーム29′が金属
面を溶融させない様な予定の強度より下に変え
る。
覆である時、電気的に制御可能な集成体46が、
書込みビーム29′の強度を、集束されたビーム
29′が金属被覆を蒸発させずに溶融させる様な
第1の予定の強度より上に変えると共に、書込み
ビームの強度を、集束されたビーム29′が金属
面を溶融させない様な予定の強度より下に変え
る。
光強度変調集成体44は帰還信号を発生する安
定化回路48を含む。この帰還信号は、電気的に
制御可能な集成体46の動作レベルの温度を安定
にして、予定の高い方の光強度及び予定の低い方
の光強度レベルの間で動作させるために使われ
る。光強度変調集成体44が、電気的に制御可能
な集成体46から出てくる光ビームの少くとも一
部分(29″で示す)を感知して、ビーム29′の
平均強度を表わす電気帰還信号を発生する光感知
回路を含む。帰還信号が線50a,50bを介し
て電気的に制御可能な集成体46に送られ、その
動作レベルを安定化させる。
定化回路48を含む。この帰還信号は、電気的に
制御可能な集成体46の動作レベルの温度を安定
にして、予定の高い方の光強度及び予定の低い方
の光強度レベルの間で動作させるために使われ
る。光強度変調集成体44が、電気的に制御可能
な集成体46から出てくる光ビームの少くとも一
部分(29″で示す)を感知して、ビーム29′の
平均強度を表わす電気帰還信号を発生する光感知
回路を含む。帰還信号が線50a,50bを介し
て電気的に制御可能な集成体46に送られ、その
動作レベルを安定化させる。
光感知手段が、変調されたビーム29′の平均
強度を表わす電気帰還信号を発生する。こうして
光強度変調集成体44は、略一定の平均エネル
ギ・レベルで光ビームを出す様に安定化される。
安定化回路48は、光ビーム29′の平均エネル
ギ・レベルを予定の値に選択的に調節して、金属
被覆26又はフオトレジスト被覆26又は被覆2
6として使われるその他の任意の材料に好ましい
デユーテイ・サイクルを達成するレベル調節手段
を含む。
強度を表わす電気帰還信号を発生する。こうして
光強度変調集成体44は、略一定の平均エネル
ギ・レベルで光ビームを出す様に安定化される。
安定化回路48は、光ビーム29′の平均エネル
ギ・レベルを予定の値に選択的に調節して、金属
被覆26又はフオトレジスト被覆26又は被覆2
6として使われるその他の任意の材料に好ましい
デユーテイ・サイクルを達成するレベル調節手段
を含む。
可動光学集成体40が対物レンズ52と、被覆
26の上方にレンズ52を支持するための流体力
学的な空気支承部54とを含む。レーザ源30に
よつて発生されたレーザ・ビーム29′は、略平
行な光線で形成されている。レンズ66がない場
合、略平行な光線は発散する自然の傾向が殆んど
ない。対物レンズ52は、光ビーム29′の直径
より直径の大きい入口開口56を有する。光ビー
ム29′の途中に配置された平面状の凸の発散レ
ンズ66を用いて、略平行な光ビーム29′を、
少くとも対物レンズ52の入口開口56に溢れる
様に拡げる。
26の上方にレンズ52を支持するための流体力
学的な空気支承部54とを含む。レーザ源30に
よつて発生されたレーザ・ビーム29′は、略平
行な光線で形成されている。レンズ66がない場
合、略平行な光線は発散する自然の傾向が殆んど
ない。対物レンズ52は、光ビーム29′の直径
より直径の大きい入口開口56を有する。光ビー
ム29′の途中に配置された平面状の凸の発散レ
ンズ66を用いて、略平行な光ビーム29′を、
少くとも対物レンズ52の入口開口56に溢れる
様に拡げる。
更にビーム方向ぎめ光学集成体41が、光ビー
ム29′及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡
部材58,60,62,64を含む。鏡60は可
動鏡として示されており、好ましい渦巻形トラツ
クの代りに、厳密に円形のトラツクを作るために
用いられる。渦巻形トラツクには固定鏡しか必要
としない。
ム29′及び29″を希望する様に曲げる多数の鏡
部材58,60,62,64を含む。鏡60は可
動鏡として示されており、好ましい渦巻形トラツ
クの代りに、厳密に円形のトラツクを作るために
用いられる。渦巻形トラツクには固定鏡しか必要
としない。
前に述べた様に、光源30が偏光レーザ・ビー
ム29を発生する。電気的に制御可能な集成体4
6が、周波数変調信号の制御の下に、このレー
ザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。適当な
電気的に制御可能な集成体は、ポツケルス・セル
68、直線偏光子70及びポツケルス・セル駆動
器72を含む。ポツケルス・セル駆動器72は実
質的に線形増幅器であり、線14の周波数変調信
号に応答する。ポツケルス・セル駆動器72の出
力がポツケルス・セル68に駆動信号を送り、レ
ーザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。直線
偏光子70は、レーザ源30から出てくるレー
ザ・ビーム29の初めの偏光平面に対して予定の
関係を持つ向きになつている。
ム29を発生する。電気的に制御可能な集成体4
6が、周波数変調信号の制御の下に、このレー
ザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。適当な
電気的に制御可能な集成体は、ポツケルス・セル
68、直線偏光子70及びポツケルス・セル駆動
器72を含む。ポツケルス・セル駆動器72は実
質的に線形増幅器であり、線14の周波数変調信
号に応答する。ポツケルス・セル駆動器72の出
力がポツケルス・セル68に駆動信号を送り、レ
ーザ・ビーム29の偏光平面を回転させる。直線
偏光子70は、レーザ源30から出てくるレー
ザ・ビーム29の初めの偏光平面に対して予定の
関係を持つ向きになつている。
第7図にみられる様に、直線偏光子70の最大
光透過軸線は源30から出てくる光の偏光角に対
して直角である。この構成のため、偏光子70か
ら出てくる光は最小限になり、ポツケルス・セル
68によつて書込みビーム29に加えられる回転
は0゜である。ポツケルス・セル68によつて書込
みビーム29に90゜の回転が加えられて、偏光子
70から最大の光が出てくる。今述べた様に直線
偏光子を配置することは選択事項である。偏光子
70の最大光透過軸線をレーザ源30から出てく
る光の偏光角と整合させることにより、最大及び
最小状態は、0゜及び90゜の回転を受けた時、今述
べたのと反対になる。しかし、書込み装置は略同
じ様に動作する。直線偏光子70が、自然の偏光
角から回転したビーム29の強度を減衰させる様
に作用する。周波数変調信号に対応する変調され
たレーザ・ビーム29′を形成するのは、直線偏
光子70によるこの減衰作用である。直線偏光子
70として使うには、グラン・プリズムが適して
いる。
光透過軸線は源30から出てくる光の偏光角に対
して直角である。この構成のため、偏光子70か
ら出てくる光は最小限になり、ポツケルス・セル
68によつて書込みビーム29に加えられる回転
は0゜である。ポツケルス・セル68によつて書込
みビーム29に90゜の回転が加えられて、偏光子
70から最大の光が出てくる。今述べた様に直線
偏光子を配置することは選択事項である。偏光子
70の最大光透過軸線をレーザ源30から出てく
る光の偏光角と整合させることにより、最大及び
最小状態は、0゜及び90゜の回転を受けた時、今述
べたのと反対になる。しかし、書込み装置は略同
じ様に動作する。直線偏光子70が、自然の偏光
角から回転したビーム29の強度を減衰させる様
に作用する。周波数変調信号に対応する変調され
たレーザ・ビーム29′を形成するのは、直線偏
光子70によるこの減衰作用である。直線偏光子
70として使うには、グラン・プリズムが適して
いる。
ポツケルス・セル駆動器72がポツケルス・セ
ル68に交流結合される。安定化帰還回路48が
ポツケルス・セル68に直流結合される。
ル68に交流結合される。安定化帰還回路48が
ポツケルス・セル68に直流結合される。
第4図乃至第7図について包括的に説明する
と、これらの図には第1図に示した実施例の中に
現れる電気信号及び光信号の選択的な波形が示さ
れている。ビデオ信号源回路16によつて発生さ
れるビデオ信号が第4図に示されている。これら
のビデオ信号を発生する典型的な装置はテレビジ
ヨン・カメラ、又はテレビジヨン・カメラによつ
て発生され且つ前に記録された信号を再生するビ
デオ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこ
の様なビデオ信号の別の源である。第4図に示す
情報信号は典型的にはピーク間が1ボルトの信号
であつて、その情報内容は、線73で表わされる
様な時間的に或る形成で変化する電圧である。典
型的なビデオ信号の最大瞬時変化率は4.5メガサ
イクルの帯域幅によつて制限される。このビデオ
信号はテレビジヨン・モニタに直接的に表示し得
る種類のものである。
と、これらの図には第1図に示した実施例の中に
現れる電気信号及び光信号の選択的な波形が示さ
れている。ビデオ信号源回路16によつて発生さ
れるビデオ信号が第4図に示されている。これら
のビデオ信号を発生する典型的な装置はテレビジ
ヨン・カメラ、又はテレビジヨン・カメラによつ
て発生され且つ前に記録された信号を再生するビ
デオ・テープ・レコーダである。飛点走査器がこ
の様なビデオ信号の別の源である。第4図に示す
情報信号は典型的にはピーク間が1ボルトの信号
であつて、その情報内容は、線73で表わされる
様な時間的に或る形成で変化する電圧である。典
型的なビデオ信号の最大瞬時変化率は4.5メガサ
イクルの帯域幅によつて制限される。このビデオ
信号はテレビジヨン・モニタに直接的に表示し得
る種類のものである。
第4図に示すビデオ信号が第1図に示す周波数
変調器20に印加される。変調器20が第5図に
示す周波数変調波形74を発生する。第5図に示
す波形の情報内容は第4図に示す波形の情報内容
と同じであるが、形が異なる。第5図に示す情報
信号は周波数変調信号であつて、その情報内容は
中心周波数の前後に時間的な周波数変化を持つ搬
送波周波数の形をしている。
変調器20に印加される。変調器20が第5図に
示す周波数変調波形74を発生する。第5図に示
す波形の情報内容は第4図に示す波形の情報内容
と同じであるが、形が異なる。第5図に示す情報
信号は周波数変調信号であつて、その情報内容は
中心周波数の前後に時間的な周波数変化を持つ搬
送波周波数の形をしている。
図をみれば、第4図に示すビデオ波形73の下
側振幅領域75が、第5図に示す周波数変調信号
74の低周波数部分に対応することが判る。周波
数変調信号74の低周波数部分の1サイクルを括
弧76で全体的に示してある。ビデオ波形73の
高振幅領域77は周波数変調信号74の高周波数
部分に対応する。周波数変調信号74の高周波数
部分の完全な1サイクルを括弧78で示してあ
る。ビデオ波形73の中間振幅領域79は周波数
変調信号74の中間周波数部分に対応する。中間
振幅領域79を表わす周波数変調信号の高周波数
部分の1サイクルを括弧79aで示してある。
側振幅領域75が、第5図に示す周波数変調信号
74の低周波数部分に対応することが判る。周波
数変調信号74の低周波数部分の1サイクルを括
弧76で全体的に示してある。ビデオ波形73の
高振幅領域77は周波数変調信号74の高周波数
部分に対応する。周波数変調信号74の高周波数
部分の完全な1サイクルを括弧78で示してあ
る。ビデオ波形73の中間振幅領域79は周波数
変調信号74の中間周波数部分に対応する。中間
振幅領域79を表わす周波数変調信号の高周波数
部分の1サイクルを括弧79aで示してある。
第4図及び第5図をみれば、第1図に示す周波
数変調器20が第4図に示した時間的に変化する
電圧信号を第5図に示す周波数変調信号に変換す
ることが判る。
数変調器20が第4図に示した時間的に変化する
電圧信号を第5図に示す周波数変調信号に変換す
ることが判る。
第6図は書込みレーザ30によつて発生された
書込みビーム29の強度を示す。書込みビーム2
9の強度が線80で示した一定のレベルにあるこ
とが示されている。初期の設定手順の後、この強
度は不変である。
書込みビーム29の強度を示す。書込みビーム2
9の強度が線80で示した一定のレベルにあるこ
とが示されている。初期の設定手順の後、この強
度は不変である。
第7図は書込みビーム29′が光強度変調集成
体44を通過した後の強度を示す。強度変調され
た書込みビームが、光強度変調集成体44の高い
方の光透過状態を表わす複数個の上側ピーク92
と、光強度変調集成体44の低い光透過状態を表
わす複数個の谷94とを持つことが判る。レーザ
30の最大強度を表わす線80を波形29′に重
畳して、集成体44で光の強度に若干の損失が起
こることを示している。この損失を線96で示し
てあるが、これはレーザ30によつて発生された
光ビーム29′の強度と、集成体44によつて変
調された光ビームの最大強度92との間の差を表
わす。
体44を通過した後の強度を示す。強度変調され
た書込みビームが、光強度変調集成体44の高い
方の光透過状態を表わす複数個の上側ピーク92
と、光強度変調集成体44の低い光透過状態を表
わす複数個の谷94とを持つことが判る。レーザ
30の最大強度を表わす線80を波形29′に重
畳して、集成体44で光の強度に若干の損失が起
こることを示している。この損失を線96で示し
てあるが、これはレーザ30によつて発生された
光ビーム29′の強度と、集成体44によつて変
調された光ビームの最大強度92との間の差を表
わす。
強度変調された書込みビーム29′を形成する
ための書込みビーム29の強度変調は、第6図及
び第7図をみれば最もよく理解される。第6図
は、線80で表わす一定の強度を持つ変調されて
いないビーム29を示す。第7図は92の所に最
大強度レベルを持ち、94の所に示す様な最小の
強度レベルを持つ変調されたビーム29′を示し
ている。
ための書込みビーム29の強度変調は、第6図及
び第7図をみれば最もよく理解される。第6図
は、線80で表わす一定の強度を持つ変調されて
いないビーム29を示す。第7図は92の所に最
大強度レベルを持ち、94の所に示す様な最小の
強度レベルを持つ変調されたビーム29′を示し
ている。
書込みビーム29の強度変調は、線98,10
0,102について示したポツケルス・セル68
の回転効果と較べられる。線98と線29′との
交わりは、ポツケルス・セル68がその中を通過
する光の偏光角に何ら回転を加えない時の、直線
偏光子70から出てくるビーム29′の強度を示
す。線100と線29′との交わりは、ポツケル
ス・セル68がその中を通過する光の偏光角に
45゜の回転を加える時の、直線偏光子70から出
てくるビーム29′の強度を示す。線102と線
29′との交わりは、ポツケルス・セル68がそ
の中を通過する光の偏光角に90゜の回転を加える
時の、直線偏光子70から出てくる読取ビーム2
9′の強度を示す。
0,102について示したポツケルス・セル68
の回転効果と較べられる。線98と線29′との
交わりは、ポツケルス・セル68がその中を通過
する光の偏光角に何ら回転を加えない時の、直線
偏光子70から出てくるビーム29′の強度を示
す。線100と線29′との交わりは、ポツケル
ス・セル68がその中を通過する光の偏光角に
45゜の回転を加える時の、直線偏光子70から出
てくるビーム29′の強度を示す。線102と線
29′との交わりは、ポツケルス・セル68がそ
の中を通過する光の偏光角に90゜の回転を加える
時の、直線偏光子70から出てくる読取ビーム2
9′の強度を示す。
第7図に示した強度変調されたビーム29′に
よる、第3図及び第8図の37に示す様な開口の
形成は、第7図及び第8図を比較すれば一番判り
やすい。
よる、第3図及び第8図の37に示す様な開口の
形成は、第7図及び第8図を比較すれば一番判り
やすい。
線100は集成体44の高い方の光透過状態を
表わす強度92と集成体44の低い方の透過状態
を表わす強度94との間の中点にひかれている。
線100は、ポツケルス・セル68がその中を通
過する書込みビーム29の回転角を45゜の角度だ
け回転させる時に、集成体44によつて発生され
る強度を表わす。更に、線100は、光応答性被
覆26に標識を形成するのに必要な変調ビーム2
9′の閾値強度を表わす。書込みビーム29の偏
光角が45゜の角度だけ回転すると、この閾値に達
する。
表わす強度92と集成体44の低い方の透過状態
を表わす強度94との間の中点にひかれている。
線100は、ポツケルス・セル68がその中を通
過する書込みビーム29の回転角を45゜の角度だ
け回転させる時に、集成体44によつて発生され
る強度を表わす。更に、線100は、光応答性被
覆26に標識を形成するのに必要な変調ビーム2
9′の閾値強度を表わす。書込みビーム29の偏
光角が45゜の角度だけ回転すると、この閾値に達
する。
第7図と第8図を比較することにより、ポツケ
ルス・セル28がその中を通過する書込みビーム
29の偏光角を45゜乃至90゜並びに逆に45゜まで回転
させる間、開口37が形成されることが判る。ポ
ツケルス・セル68がその中を通過する書込みビ
ーム29の偏光角を45゜から0゜へ、そして再び45゜
までの間で回転させる時は、開口が形成されな
い。
ルス・セル28がその中を通過する書込みビーム
29の偏光角を45゜乃至90゜並びに逆に45゜まで回転
させる間、開口37が形成されることが判る。ポ
ツケルス・セル68がその中を通過する書込みビ
ーム29の偏光角を45゜から0゜へ、そして再び45゜
までの間で回転させる時は、開口が形成されな
い。
第3図には、第8図に半径方向の断面図で示し
たビデオ・デイスク部材の平面図が示されてい
る。第3図をみると、ビデオ・デイスク部材10
上に線状の一連の光反射領域及び光散乱領域3
8,37が形成される様子が判る。デイスク部材
10は1800rpmの好ましい回転速度で回転し、標
識37,38が第8図に示す様に、光応答性被覆
26内に形成される。第1図に示した運動制御集
成体28が、開口37を円形のトラツク状に形成
する。数字104は内側トラツクの一部分を表わ
し、数字105は外側トラツクの一部分を表わ
す。破線106はトラツク105の中心線を示
し、破線107はトラツク104の中心線を示
す。線108の長さは、隣り合つたトラツク10
5,104の中心線106,107の間の距離を
表わす。隣り合つたトラツクの中心線の間の典型
的な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線
109の長さによつて表わされる。開口の典型的
な幅は1ミクロンである。隣り合つた開口の間の
距離は線110の長さによつて表わされる。隣り
合つたトラツクの間の距離はトラツク間領域と呼
ばれ、典型的には長さが1ミクロンである。開口
の長さが線112によつて表わされ、典型的には
1.0乃至1.5ミクロンである。これら全ての寸法は
書込み装置のいろいろな変数に関係する。例え
ば、これらの寸法は周波数変調器20によつて発
生される周波数範囲、書込み光学装置41,42
によつて形成されるスポツト42の寸法、及びデ
イスク10に選んだ回転速度に関する。
たビデオ・デイスク部材の平面図が示されてい
る。第3図をみると、ビデオ・デイスク部材10
上に線状の一連の光反射領域及び光散乱領域3
8,37が形成される様子が判る。デイスク部材
10は1800rpmの好ましい回転速度で回転し、標
識37,38が第8図に示す様に、光応答性被覆
26内に形成される。第1図に示した運動制御集
成体28が、開口37を円形のトラツク状に形成
する。数字104は内側トラツクの一部分を表わ
し、数字105は外側トラツクの一部分を表わ
す。破線106はトラツク105の中心線を示
し、破線107はトラツク104の中心線を示
す。線108の長さは、隣り合つたトラツク10
5,104の中心線106,107の間の距離を
表わす。隣り合つたトラツクの中心線の間の典型
的な距離は2ミクロンである。開口37の幅は線
109の長さによつて表わされる。開口の典型的
な幅は1ミクロンである。隣り合つた開口の間の
距離は線110の長さによつて表わされる。隣り
合つたトラツクの間の距離はトラツク間領域と呼
ばれ、典型的には長さが1ミクロンである。開口
の長さが線112によつて表わされ、典型的には
1.0乃至1.5ミクロンである。これら全ての寸法は
書込み装置のいろいろな変数に関係する。例え
ば、これらの寸法は周波数変調器20によつて発
生される周波数範囲、書込み光学装置41,42
によつて形成されるスポツト42の寸法、及びデ
イスク10に選んだ回転速度に関する。
第9図には第1図に示した運動制御集成体28
が更に詳しくブロツク図で示されている。回転駆
動回路32がスピンドル・サーボ回路130及び
スピンドル軸132を含む。スピンドル軸132
はターンテーブル21に一体に結合されている。
スピンドル軸132が印刷配線形モータ134に
よつて駆動される。印刷配線形モータ134によ
つて加えられる回転運動がスピンドル・サーボ回
路130によつて制御される。回路130は、タ
ーンテーブル21の回転速度を、同期集成体36
の一部分を形成する色副搬送波水晶発振器136
によつて発生される信号に対して、位相固定す
る。更に、同期集成体36が第1の割算回路13
8及び第2の割算回路140を有する。第1の割
算回路138は発振回路136で発生された色副
搬送波周波数を回転基準周波数まで分周する。ス
ピンドル軸132がタコメータ143を持つてい
て、これが軸132とターンテーブル21の組合
せの正確な回転速度を表わす周波数信号を発生す
る。タコメータ信号が線142に出る。第1の割
算回路138からの回転基準信号が線144に出
る。線142のタコメータ信号がスピンドル・サ
ーボ回路130に印加され、線144の回転基準
信号もスピンドル・サーボ回路130に印加され
る。スピンドル・サーボ回路130が2つの入力
信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が
回転基準信号の位相より進んでいる時、回転速度
が高すぎるので、スピンドル・サーボ回路130
で発生された信号が線146を介してモータ13
4に印加され、回転速度を減速し、タコメータ信
号を回転基準信号の位相と合う様にする。スピン
ドル・サーボ回路130に於ける比較により、タ
コメータ信号の位相が回転基準信号の位相より遅
れている時、回転速度が遅すぎるのであり、スピ
ンドル・サーボ回路130で発生された信号が線
148を介してモータ134に印加され、回転速
度を高め、タコメータ信号の位相を回転基準信号
の位相と合う様にする。
が更に詳しくブロツク図で示されている。回転駆
動回路32がスピンドル・サーボ回路130及び
スピンドル軸132を含む。スピンドル軸132
はターンテーブル21に一体に結合されている。
スピンドル軸132が印刷配線形モータ134に
よつて駆動される。印刷配線形モータ134によ
つて加えられる回転運動がスピンドル・サーボ回
路130によつて制御される。回路130は、タ
ーンテーブル21の回転速度を、同期集成体36
の一部分を形成する色副搬送波水晶発振器136
によつて発生される信号に対して、位相固定す
る。更に、同期集成体36が第1の割算回路13
8及び第2の割算回路140を有する。第1の割
算回路138は発振回路136で発生された色副
搬送波周波数を回転基準周波数まで分周する。ス
ピンドル軸132がタコメータ143を持つてい
て、これが軸132とターンテーブル21の組合
せの正確な回転速度を表わす周波数信号を発生す
る。タコメータ信号が線142に出る。第1の割
算回路138からの回転基準信号が線144に出
る。線142のタコメータ信号がスピンドル・サ
ーボ回路130に印加され、線144の回転基準
信号もスピンドル・サーボ回路130に印加され
る。スピンドル・サーボ回路130が2つの入力
信号の位相を比較する。タコメータ信号の位相が
回転基準信号の位相より進んでいる時、回転速度
が高すぎるので、スピンドル・サーボ回路130
で発生された信号が線146を介してモータ13
4に印加され、回転速度を減速し、タコメータ信
号を回転基準信号の位相と合う様にする。スピン
ドル・サーボ回路130に於ける比較により、タ
コメータ信号の位相が回転基準信号の位相より遅
れている時、回転速度が遅すぎるのであり、スピ
ンドル・サーボ回路130で発生された信号が線
148を介してモータ134に印加され、回転速
度を高め、タコメータ信号の位相を回転基準信号
の位相と合う様にする。
第2の割算回路140が発振器136によつて
発生された色副搬送波周波数を、部材10の完全
な1回転毎に、並進駆動回路34を一定の距離だ
け前進させるための並進基準信号まで分周する。
好ましい実施例では、並進駆動回路34が部材1
0の1回転毎に前進する距離は2ミクロンであ
る。
発生された色副搬送波周波数を、部材10の完全
な1回転毎に、並進駆動回路34を一定の距離だ
け前進させるための並進基準信号まで分周する。
好ましい実施例では、並進駆動回路34が部材1
0の1回転毎に前進する距離は2ミクロンであ
る。
色副搬送波水晶発振器136が、関連した2つ
の割算回路138,140と共に電気同期回路と
して作用し、回転駆動集成体32によつて行われ
るデイスクの回転運動と、並進駆動集成体34に
よつて行われる書込みビーム29及び被覆26の
間の並進運動との間に一定の関係を維持する。
の割算回路138,140と共に電気同期回路と
して作用し、回転駆動集成体32によつて行われ
るデイスクの回転運動と、並進駆動集成体34に
よつて行われる書込みビーム29及び被覆26の
間の並進運動との間に一定の関係を維持する。
第1図に示す可動光学集成体が台142に装着
される。この可動台は並進駆動集成体34によつ
て半径方向に駆動される。この集成体が台142
をスピンドル軸132の1回転毎に2.0ミクロン
前進させる。この並進方向は回転するデイスク1
0に対して半径方向である。スピンドル軸132
の1回転当りのこの半径方向の前進を記録のピツ
チと呼ぶ。完成された記録のピツチの一様性は、
台142に装着された光学集成体の定常的な前進
に依存するから、並進駆動集成体34による親ね
じ143をラツプ仕上げし、並進駆動ナツト14
4に予備荷重を加えることに注意が払われる。こ
のナツトが親ねじ143に係合し、ナツト144
と台142との間の接続部を、棒146で表わす
様に、できるだけ堅固にする。
される。この可動台は並進駆動集成体34によつ
て半径方向に駆動される。この集成体が台142
をスピンドル軸132の1回転毎に2.0ミクロン
前進させる。この並進方向は回転するデイスク1
0に対して半径方向である。スピンドル軸132
の1回転当りのこの半径方向の前進を記録のピツ
チと呼ぶ。完成された記録のピツチの一様性は、
台142に装着された光学集成体の定常的な前進
に依存するから、並進駆動集成体34による親ね
じ143をラツプ仕上げし、並進駆動ナツト14
4に予備荷重を加えることに注意が払われる。こ
のナツトが親ねじ143に係合し、ナツト144
と台142との間の接続部を、棒146で表わす
様に、できるだけ堅固にする。
第1図の装置を使うのに適したポツケルス・セ
ル安定化回路48を概念的に説明すると、公知の
様に、ポツケルス・セル68は加えられた書込み
光ビーム29の偏光平面を、第7図に示した印加
電圧の関数として回転させる。
ル安定化回路48を概念的に説明すると、公知の
様に、ポツケルス・セル68は加えられた書込み
光ビーム29の偏光平面を、第7図に示した印加
電圧の関数として回転させる。
個々のポツケルス・セル68に応じて、100ボ
ルト程度の電圧変化により、セルがその中を通過
する光の偏光平面を90゜いつぱいに回転させる。
ポツケルス・セル駆動器は情報信号源12からの
出力をピーク間100ボルトの出力に増幅する様に
作用する。これによつて、ポツケルス・セル68
に対する適正な入力駆動信号が得られる。ポツケ
ルス・セル駆動器72が第5図に示す形の波形を
発生する。そのピーク間電圧は100ボルトである。
ルト程度の電圧変化により、セルがその中を通過
する光の偏光平面を90゜いつぱいに回転させる。
ポツケルス・セル駆動器は情報信号源12からの
出力をピーク間100ボルトの出力に増幅する様に
作用する。これによつて、ポツケルス・セル68
に対する適正な入力駆動信号が得られる。ポツケ
ルス・セル駆動器72が第5図に示す形の波形を
発生する。そのピーク間電圧は100ボルトである。
ポツケルス・セルは、変調された光ビーム強度
が電気駆動信号を最も忠実に再現する様に、平均
45゜の回転で動作させるべきである。ポツケル
ス・セルをこの平均動作点に保つため、ポツケル
ス・セルにバイアス電圧を加えなければならな
い。実際には、45゜の回転の動作点に対応するバ
イアス電圧は連続的に変化する。この連続的に変
化するバイアス電圧がサーボ帰還ループを使うこ
とによつて発生される。
が電気駆動信号を最も忠実に再現する様に、平均
45゜の回転で動作させるべきである。ポツケル
ス・セルをこの平均動作点に保つため、ポツケル
ス・セルにバイアス電圧を加えなければならな
い。実際には、45゜の回転の動作点に対応するバ
イアス電圧は連続的に変化する。この連続的に変
化するバイアス電圧がサーボ帰還ループを使うこ
とによつて発生される。
第7図及び第8図に例示した開口形成過程につ
いて再び説明すると、光スポツト内のエネルギが
金属被膜の組成並びに厚さ、及び基板の特性に特
有な閾値を超える時、薄い金属被覆26の溶融が
起こる。スポツトのエネルギは光強度変調集成体
44によつて変調されている。オン・オフの変化
を短く抑えて、溶融閾値に変動があつても、孔の
末端の位置が正確になる様にする。金属被覆の厚
さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使うこ
とにより、溶融閾値の変動が起こり得る。
いて再び説明すると、光スポツト内のエネルギが
金属被膜の組成並びに厚さ、及び基板の特性に特
有な閾値を超える時、薄い金属被覆26の溶融が
起こる。スポツトのエネルギは光強度変調集成体
44によつて変調されている。オン・オフの変化
を短く抑えて、溶融閾値に変動があつても、孔の
末端の位置が正確になる様にする。金属被覆の厚
さの変動や、情報貯蔵層として違う材料を使うこ
とにより、溶融閾値の変動が起こり得る。
200乃至300オングストロームの厚さを持つ薄い
金属被覆26内に開口を形成するのに必要なスポ
ツトの平均エネルギは、200ミリワツト程度であ
る。FM搬送波周波数が約8MHzであるから、毎
秒8×106個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、
1つの孔当たりのエネルギは2.5×10-9ジユール
である。
金属被覆26内に開口を形成するのに必要なスポ
ツトの平均エネルギは、200ミリワツト程度であ
る。FM搬送波周波数が約8MHzであるから、毎
秒8×106個の可変の長さを持つ孔が切込まれ、
1つの孔当たりのエネルギは2.5×10-9ジユール
である。
ビデオ・デイスク部材10のこの第1の実施例
では、硝子基板の一部分が各々の開口で露出す
る。硝子基板の露出した部分は、入射する読取ビ
ームに対して、非鏡面形光反射領域となる。相次
ぐ位置にある開口の間に残つている金属被覆の部
分は、入射する読取ビームに対して光反射の強い
領域となる。
では、硝子基板の一部分が各々の開口で露出す
る。硝子基板の露出した部分は、入射する読取ビ
ームに対して、非鏡面形光反射領域となる。相次
ぐ位置にある開口の間に残つている金属被覆の部
分は、入射する読取ビームに対して光反射の強い
領域となる。
フオトレジスト被覆を使つて第1及び第2の標
識を形成する時、書込みビーム29′の強度は、
偏光平面の45゜の回転によつて、フオトレジスト
被覆の運動中、それが移動する情報貯蔵部材10
上にある間に、被覆26を露出させ並びに/又は
このフオトレジスト被覆と相互作用するための閾
値強度を持つ光ビーム29′を発生する様に調節
される。ポツケルス・セル68及びグラン・プリ
ズム70の組合せは光強度変調部材となり、設定
された45゜の状態から、0゜に近い動作状態に関連
する低い光透過状態、並びに90゜に近い動作状態
に関連する高い光透過状態まで動作する。書込み
光ビーム29′の強度が最初に調節されたレベル、
又は予定の開始時強度より高くなり、高い方の光
透過状態に向つて増加する時、入射する書込み光
ビーム29′はそれによつて照射されるフオトレ
ジストを露出する。この露出は、書込みビームの
強度が最大光透過状態に達し、且つ書込みレーザ
30から出る光の偏光平面に対する45゜の回転に
関連した最初の予定の強度の向つて下がり始めた
後も、継続する。回転が45゜の値より下ると、グ
ラン・プリズム70から出てくる書込みビーム2
9′の強度は閾値強度より低くなり、この時集束
された書込みビームはそれによつて照射されたフ
オトレジストを露出しなくなる。この様に照射さ
れたフオトレジストを露出しなくなるのは、書込
みビームの強度が最小光透過状態に達し且つ書込
みレーザ30から出る光の偏光平面の45゜の回転
に伴う最初に定めた強度に向つて再び増加し始め
る後まで継続する。
識を形成する時、書込みビーム29′の強度は、
偏光平面の45゜の回転によつて、フオトレジスト
被覆の運動中、それが移動する情報貯蔵部材10
上にある間に、被覆26を露出させ並びに/又は
このフオトレジスト被覆と相互作用するための閾
値強度を持つ光ビーム29′を発生する様に調節
される。ポツケルス・セル68及びグラン・プリ
ズム70の組合せは光強度変調部材となり、設定
された45゜の状態から、0゜に近い動作状態に関連
する低い光透過状態、並びに90゜に近い動作状態
に関連する高い光透過状態まで動作する。書込み
光ビーム29′の強度が最初に調節されたレベル、
又は予定の開始時強度より高くなり、高い方の光
透過状態に向つて増加する時、入射する書込み光
ビーム29′はそれによつて照射されるフオトレ
ジストを露出する。この露出は、書込みビームの
強度が最大光透過状態に達し、且つ書込みレーザ
30から出る光の偏光平面に対する45゜の回転に
関連した最初の予定の強度の向つて下がり始めた
後も、継続する。回転が45゜の値より下ると、グ
ラン・プリズム70から出てくる書込みビーム2
9′の強度は閾値強度より低くなり、この時集束
された書込みビームはそれによつて照射されたフ
オトレジストを露出しなくなる。この様に照射さ
れたフオトレジストを露出しなくなるのは、書込
みビームの強度が最小光透過状態に達し且つ書込
みレーザ30から出る光の偏光平面の45゜の回転
に伴う最初に定めた強度に向つて再び増加し始め
る後まで継続する。
ポツケルス・セル駆動器72は典型的には高利
得の高圧増幅器であり、100ボルトの電圧の振れ
を持つ出力信号を発生する。この信号はポツケル
ス・セル68の駆動条件に合せるためである。典
型的には、ポツケルス・セル駆動器72の出力の
電圧中央値は、レーザ30から得られる全部の光
の内の大体半分が直線偏光子70から出てくる様
に、ポツケルス・セル68を45゜駆動するのに十
分な制御電圧である。駆動器72の出力信号が電
圧中央値より正になると、レーザからの一層多く
の光が通過する。駆動器72の出力信号が負にな
ると、レーザからの光が少くなる。
得の高圧増幅器であり、100ボルトの電圧の振れ
を持つ出力信号を発生する。この信号はポツケル
ス・セル68の駆動条件に合せるためである。典
型的には、ポツケルス・セル駆動器72の出力の
電圧中央値は、レーザ30から得られる全部の光
の内の大体半分が直線偏光子70から出てくる様
に、ポツケルス・セル68を45゜駆動するのに十
分な制御電圧である。駆動器72の出力信号が電
圧中央値より正になると、レーザからの一層多く
の光が通過する。駆動器72の出力信号が負にな
ると、レーザからの光が少くなる。
金属被覆26を使う第1の実施例では、レーザ
30からの出力は、駆動器72からの出力がゼロ
であつて、ポツケルス・セルの動作点が45゜であ
る時、デイスク10上にある金属層の被覆26を
溶融し始める様な強度が発生する様に調節され
る。このため、駆動器72からの出力が正に向う
と、溶融が続けられる。駆動器72からの出力が
負に向うと、溶融が止まる。
30からの出力は、駆動器72からの出力がゼロ
であつて、ポツケルス・セルの動作点が45゜であ
る時、デイスク10上にある金属層の被覆26を
溶融し始める様な強度が発生する様に調節され
る。このため、駆動器72からの出力が正に向う
と、溶融が続けられる。駆動器72からの出力が
負に向うと、溶融が止まる。
フオトレジスト被覆26を使う第2の実施例で
は、レーザ30からの出力は、駆動器72からの
出力が電圧中央値を発生している時、フオトレジ
スト被覆26を照射すると共に露出させる様な強
度を発生する様に調節される。このため、駆動器
72からの出力が正に向うと、書込みビームによ
つて照射されたフオトレジストの露出が続く。駆
動器72からの出力が負に向うと、照射は続く
が、書込みビームのエネルギは照射された領域を
露出させるには不十分である。この明細書では、
露出という言葉は、露出されたフオトレジストに
伴う物理的な現象を表わす意味で使われている。
露出されたフオトレジストは現像することがで
き、現像したフオトレジストは標準的な方法によ
つて除去される。フオトレジストを露出するのに
不十分な強度の光によつて照射されたフオトレジ
ストは、現像して除去することができない。
は、レーザ30からの出力は、駆動器72からの
出力が電圧中央値を発生している時、フオトレジ
スト被覆26を照射すると共に露出させる様な強
度を発生する様に調節される。このため、駆動器
72からの出力が正に向うと、書込みビームによ
つて照射されたフオトレジストの露出が続く。駆
動器72からの出力が負に向うと、照射は続く
が、書込みビームのエネルギは照射された領域を
露出させるには不十分である。この明細書では、
露出という言葉は、露出されたフオトレジストに
伴う物理的な現象を表わす意味で使われている。
露出されたフオトレジストは現像することがで
き、現像したフオトレジストは標準的な方法によ
つて除去される。フオトレジストを露出するのに
不十分な強度の光によつて照射されたフオトレジ
ストは、現像して除去することができない。
改良された形のマスター作成装置の詳しい動作
様式を説明する前に、以下の説明で特別の意味を
持つ幾つかの用語を説明しておくのがよいと思わ
れる。書込みレーザ源によつて発生されるレーザ
強度とは、ビデオ・デイスクの情報担持部分と相
互作用して、搬送波周波数並びに搬送波周波数か
らの時間的な周波数変化を表わす標識を形成する
ために使われる、マスター・ビデオ・デイスクに
入射する時の強度を言う。
様式を説明する前に、以下の説明で特別の意味を
持つ幾つかの用語を説明しておくのがよいと思わ
れる。書込みレーザ源によつて発生されるレーザ
強度とは、ビデオ・デイスクの情報担持部分と相
互作用して、搬送波周波数並びに搬送波周波数か
らの時間的な周波数変化を表わす標識を形成する
ために使われる、マスター・ビデオ・デイスクに
入射する時の強度を言う。
ビデオ・デイスクの情報担持層の入射点でレー
ザ・ビームに要求される閾値エネルギ・レベル
は、情報担持層を作る材料によつて異なる。ビス
マスの様な金属並びにフオトレジストの様な感光
材料について述べた前述の2つの例では、標識を
形成するために要求される閾値エネルギ・レベル
はかなり異なり、閾値エネルギという言葉を説明
するよい例になる。勿論、各々の例で、他の材料
の値エネルギも異なる。
ザ・ビームに要求される閾値エネルギ・レベル
は、情報担持層を作る材料によつて異なる。ビス
マスの様な金属並びにフオトレジストの様な感光
材料について述べた前述の2つの例では、標識を
形成するために要求される閾値エネルギ・レベル
はかなり異なり、閾値エネルギという言葉を説明
するよい例になる。勿論、各々の例で、他の材料
の値エネルギも異なる。
ビスマスで被覆されたビデオ・デイスク・マス
ターに形成される標識は、光反射性並びに光非反
射性を持つ交互の領域である。光非反射性の区域
は、ビスマスが溶融した後、冷却する前にビスマ
スが引込んで、その下にある硝子基板の一部分を
露出することによつて生ずる。金属層に入射する
光は反射が強いが、硝子基板の露出部分に入射す
る光は吸収され、そのために光非反射性になる。
ターに形成される標識は、光反射性並びに光非反
射性を持つ交互の領域である。光非反射性の区域
は、ビスマスが溶融した後、冷却する前にビスマ
スが引込んで、その下にある硝子基板の一部分を
露出することによつて生ずる。金属層に入射する
光は反射が強いが、硝子基板の露出部分に入射す
る光は吸収され、そのために光非反射性になる。
閾値エネルギは、光強度が増大するレーザ・ビ
ームが存在する時に、金属層を溶融させ且つ引込
めさせるのにレーザ・ビームに要求されるエネル
ギである。閾値エネルギ・レベルは、金属層が溶
融しなくなり、入射光が入射する領域から引込む
時の、減少しつつある光強を持つ信号の強度とも
言える。更に特定して言えば、入射光ビームのエ
ネルギが記録材料の閾値エネルギ条件を超える
時、記録材料の中に孔が形成される。入射光ビー
ムの光エネルギ強度が記録材料の閾値エネルギ・
レベルより低いと、記録媒質には孔が形成されな
い。入射光ビームによつて孔が形成されること並
びに孔が形成されないことが、ビスマスで被覆さ
れたマスターに入射する光ビームが、ビスマス層
と相互作用して、記録面に標識を形成する主な態
様である。標識は、搬送波周波数を中心として時
間的な周波数変化を持つ搬送波周波数を表わす。
ームが存在する時に、金属層を溶融させ且つ引込
めさせるのにレーザ・ビームに要求されるエネル
ギである。閾値エネルギ・レベルは、金属層が溶
融しなくなり、入射光が入射する領域から引込む
時の、減少しつつある光強を持つ信号の強度とも
言える。更に特定して言えば、入射光ビームのエ
ネルギが記録材料の閾値エネルギ条件を超える
時、記録材料の中に孔が形成される。入射光ビー
ムの光エネルギ強度が記録材料の閾値エネルギ・
レベルより低いと、記録媒質には孔が形成されな
い。入射光ビームによつて孔が形成されること並
びに孔が形成されないことが、ビスマスで被覆さ
れたマスターに入射する光ビームが、ビスマス層
と相互作用して、記録面に標識を形成する主な態
様である。標識は、搬送波周波数を中心として時
間的な周波数変化を持つ搬送波周波数を表わす。
フオトレジストの薄い層がその上に形成された
ビデオ・デイスク・マスターは、それ自身の閾値
エネルギ・レベルを持つている。光ビームがフオ
トレジスト層を露出するメカニズムは、光子理論
に従い、フオトレジストの一部分を露出するに
は、入射光ビーム中に十分な数の光子を必要とす
る。正に向う変調された光ビームがこの閾値エネ
ルギ・レベルより多い光子を持つている時、その
区域のフオトレジストが露出され、そのため、そ
の後で現像すると、露出したフオトレジストが除
去される。光強度が減少しつゝある変調された光
ビーム中の光子レベルがフオトレジストの普通の
閾値エネルギ・レベルより下ると、フオトレジス
トは、その後で現像しても、この閾値エネルギ・
レベルより低い光子を持つ入射光ビームによつて
照射されたフオトレジストを除去することができ
ない位に、露出されなくなる。
ビデオ・デイスク・マスターは、それ自身の閾値
エネルギ・レベルを持つている。光ビームがフオ
トレジスト層を露出するメカニズムは、光子理論
に従い、フオトレジストの一部分を露出するに
は、入射光ビーム中に十分な数の光子を必要とす
る。正に向う変調された光ビームがこの閾値エネ
ルギ・レベルより多い光子を持つている時、その
区域のフオトレジストが露出され、そのため、そ
の後で現像すると、露出したフオトレジストが除
去される。光強度が減少しつゝある変調された光
ビーム中の光子レベルがフオトレジストの普通の
閾値エネルギ・レベルより下ると、フオトレジス
トは、その後で現像しても、この閾値エネルギ・
レベルより低い光子を持つ入射光ビームによつて
照射されたフオトレジストを除去することができ
ない位に、露出されなくなる。
変調されたレーザ源からの入射光ビームが情報
担持層と相互作用して、この入射光ビームによつ
て照射されたフオトレジスト層を完全に露出して
又は露出不足にする。これが、搬送波周波数を中
心として時間的に変化する周波数変化を持つ搬送
波周波数としての標識を形成するための、入射光
ビーム中の光子と情報担持部材との間の相互作用
である。搬送波周波数並びに時間的な周波数変化
を貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはつきり
とする。この現像工程により、十分に露出された
フオトレジスト材料の部分が実効的に除去され、
ビデオ・デイスク部材には露出不足の部分が残
る。
担持層と相互作用して、この入射光ビームによつ
て照射されたフオトレジスト層を完全に露出して
又は露出不足にする。これが、搬送波周波数を中
心として時間的に変化する周波数変化を持つ搬送
波周波数としての標識を形成するための、入射光
ビーム中の光子と情報担持部材との間の相互作用
である。搬送波周波数並びに時間的な周波数変化
を貯蔵した標識は、現像工程の後に更にはつきり
とする。この現像工程により、十分に露出された
フオトレジスト材料の部分が実効的に除去され、
ビデオ・デイスク部材には露出不足の部分が残
る。
第19図には、ポツケルス・セル68の動作バ
イアスを1/2エネルギの点に維持するために、こ
の発明の好ましい実施例で使われるポツケルス・
セル・バイアス・サーボ装置すなわち、安定化回
路48がブロツク図で示されている。ポツケル
ス・セルの直流バイアスは、最初に定常状態に調
節され、ポツケルス・セルとグラン・プリズムと
の組合せの1/2エネルギの点が、ポツケルス・セ
ル68の回転が45゜になる点と一致する様にする。
この直流バイアス点を固定バイアス点と呼ぶ。
FM変調器36に対する入力ビデオ信号が何ら第
2高調波歪みを含んでいない装置では、今説明し
た手順で選ばれる直流バイアス点で満足に動作す
る。しかし、FM変調器に対するビデオ情報入力
信号が第2高調波歪みを含んでいる場合、こうい
う歪みが変調された光ビーム29′の中に現われ
る。FM変調器からの出力がポツケルス・セル駆
動器72に印加され、ポツケルス・セルを0゜から
90゜までの回転変化にわたつて駆動するのに必要
な電圧を発生する。レーザ29からの変調されて
いない光ビームがポツケルス・セル68に印加さ
れることは前に説明した通りである。
イアスを1/2エネルギの点に維持するために、こ
の発明の好ましい実施例で使われるポツケルス・
セル・バイアス・サーボ装置すなわち、安定化回
路48がブロツク図で示されている。ポツケル
ス・セルの直流バイアスは、最初に定常状態に調
節され、ポツケルス・セルとグラン・プリズムと
の組合せの1/2エネルギの点が、ポツケルス・セ
ル68の回転が45゜になる点と一致する様にする。
この直流バイアス点を固定バイアス点と呼ぶ。
FM変調器36に対する入力ビデオ信号が何ら第
2高調波歪みを含んでいない装置では、今説明し
た手順で選ばれる直流バイアス点で満足に動作す
る。しかし、FM変調器に対するビデオ情報入力
信号が第2高調波歪みを含んでいる場合、こうい
う歪みが変調された光ビーム29′の中に現われ
る。FM変調器からの出力がポツケルス・セル駆
動器72に印加され、ポツケルス・セルを0゜から
90゜までの回転変化にわたつて駆動するのに必要
な電圧を発生する。レーザ29からの変調されて
いない光ビームがポツケルス・セル68に印加さ
れることは前に説明した通りである。
ポツケルス・セル・バイアス・サーボの目的
は、フオトダイオード260によつて検出される
出力光信号に、できるだけ第2高調波分がない様
に、ポツケルス・セル68をバイアスすることで
ある。
は、フオトダイオード260によつて検出される
出力光信号に、できるだけ第2高調波分がない様
に、ポツケルス・セル68をバイアスすることで
ある。
第2高調波歪みは複数個の原因のために変動さ
れた光ビーム29′に入り込む。第1の原因は、
ポツケルス・セル68並びにグラン・プリズム7
0の両方の伝達関数が非直線であることである。
線18の入力ビデオ信号が第2高調波歪みを持つ
ている時、これによつて光ビーム29′中の全体
の第2高調波歪みは更に増加する。
れた光ビーム29′に入り込む。第1の原因は、
ポツケルス・セル68並びにグラン・プリズム7
0の両方の伝達関数が非直線であることである。
線18の入力ビデオ信号が第2高調波歪みを持つ
ている時、これによつて光ビーム29′中の全体
の第2高調波歪みは更に増加する。
ポツケルス・セル・バイアス・サーボはポツケ
ルス・セル68に印加される直流バイアスを調節
する様に作用する。この直流バイアスがポツケル
ス・セルを1/2エネルギの点にバイアスして、出
力光ビームの第2高調波分を最小限に抑える。
ルス・セル68に印加される直流バイアスを調節
する様に作用する。この直流バイアスがポツケル
ス・セルを1/2エネルギの点にバイアスして、出
力光ビームの第2高調波分を最小限に抑える。
1/2エネルギの点からの直流バイアス・レベ
ルの変更は、次の様な一連の工程によつて行なわ
れる。ポツケルス・セル68からの変調された光
ビーム28′をフオトダイオード260に印加す
る。フオトダイオード260を標準的な動作様式
で動作し、搬送波周波数を中心とした周波数変化
を持つ搬送波周波数の形をした信号を発生する。
この周波数変調された波形は、デイスク面に入射
する変調された光ビーム29′の信号成分を正確
に反映する位に、フオトダイオード261に入射
する光の十分直線的な表示である。更に詳しく言
うと、フオトダイオード260からの出力信号
は、変調された光ビーム29′中に存在する歪み
を持つている。フオトダイオード260からの出
力を線262を介して第2高調波検出器261に
印加する。これはバイアス制御回路264の一部
分を形成する。第2高調波検出器の出力が高圧増
幅器266に送られ、これが線268に直流バイ
アス信号を発生する。線268が加算回路270
に接続され、その2番目の入力信号はポツケル
ス・セル駆動器72の出力である。線268の直
流バイアス信号をポツケルス・セル駆動器72か
らの出力と加算し、ポツケルス・セル68に印加
して、ポツケルス・セル68の直流バイアスを変
える。
ルの変更は、次の様な一連の工程によつて行なわ
れる。ポツケルス・セル68からの変調された光
ビーム28′をフオトダイオード260に印加す
る。フオトダイオード260を標準的な動作様式
で動作し、搬送波周波数を中心とした周波数変化
を持つ搬送波周波数の形をした信号を発生する。
この周波数変調された波形は、デイスク面に入射
する変調された光ビーム29′の信号成分を正確
に反映する位に、フオトダイオード261に入射
する光の十分直線的な表示である。更に詳しく言
うと、フオトダイオード260からの出力信号
は、変調された光ビーム29′中に存在する歪み
を持つている。フオトダイオード260からの出
力を線262を介して第2高調波検出器261に
印加する。これはバイアス制御回路264の一部
分を形成する。第2高調波検出器の出力が高圧増
幅器266に送られ、これが線268に直流バイ
アス信号を発生する。線268が加算回路270
に接続され、その2番目の入力信号はポツケル
ス・セル駆動器72の出力である。線268の直
流バイアス信号をポツケルス・セル駆動器72か
らの出力と加算し、ポツケルス・セル68に印加
して、ポツケルス・セル68の直流バイアスを変
える。
第2高調波検出器261の動作について説明す
る、この装置は、出力光ビームの第2高調波と基
本波との比に対して大体直線的な電圧を発生す
る。更に、この出力信号は第2高調波の位相特性
を反映し、第2高調波が基本波と同相であれば、
第2高調波検出器の出力は第1の電圧レベル、即
ち、正のレベルである。第2高調波の位相が基本
波と反対であれば、第2高調波検出器の出力は第
2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベルにある。
第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266で増
幅する。この増幅器が0乃至300ボルトの範囲の
直流バイアスを発生する。この直流バイアスを、
ポツケルス・セル駆動器72で増幅されたFM変
調器20からの信号と加算し、ポツケルス・セル
68に印加する。
る、この装置は、出力光ビームの第2高調波と基
本波との比に対して大体直線的な電圧を発生す
る。更に、この出力信号は第2高調波の位相特性
を反映し、第2高調波が基本波と同相であれば、
第2高調波検出器の出力は第1の電圧レベル、即
ち、正のレベルである。第2高調波の位相が基本
波と反対であれば、第2高調波検出器の出力は第
2の電圧レベル、即ち、負の電圧レベルにある。
第2高調波検出器の出力を高圧増幅器266で増
幅する。この増幅器が0乃至300ボルトの範囲の
直流バイアスを発生する。この直流バイアスを、
ポツケルス・セル駆動器72で増幅されたFM変
調器20からの信号と加算し、ポツケルス・セル
68に印加する。
第2高調波検出器は、第20図に示す制限器2
72及び差動増幅器274を含む。フオトダイオ
ード260の出力信号262を線276,278
を介して制限器272に交流結合する。制限器2
72は、第1の出力枝路280を介して差動増幅
器に印加される第1の出力信号を有する。制限器
272の第2の出力が、第2の出力枝路282を
介して差動増幅器の第2の入力に印加される。制
限器272の出力信号は互いに相手の理論的な補
数である。更に具体的に言うと、一方の出力が比
較的高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較
的低の電圧レベルにある。枝路280,282の
2つの出力信号が差動増幅器274に送られる。
この差動増幅器の出力は、入力信号線276,2
78にある第2高調波成分を反映する。
72及び差動増幅器274を含む。フオトダイオ
ード260の出力信号262を線276,278
を介して制限器272に交流結合する。制限器2
72は、第1の出力枝路280を介して差動増幅
器に印加される第1の出力信号を有する。制限器
272の第2の出力が、第2の出力枝路282を
介して差動増幅器の第2の入力に印加される。制
限器272の出力信号は互いに相手の理論的な補
数である。更に具体的に言うと、一方の出力が比
較的高の電圧レベルにある時、他方の出力は比較
的低の電圧レベルにある。枝路280,282の
2つの出力信号が差動増幅器274に送られる。
この差動増幅器の出力は、入力信号線276,2
78にある第2高調波成分を反映する。
標準的な動作様式では、フオトダイオード26
0からの入力信号に実質的に第2高調波歪みがな
い時、差動増幅器274の端子284の出力信号
は正確に50%のデユーテイ・サイクルを持つ矩形
波であり、電圧レベルは一定の基準レベルの上下
の2つの予定の電圧レベルの間である。50%のデ
ユーテイ・サイクルは、高の電圧の半サイクルの
幅が次に続く低の電圧の半サイクルと等しいこと
を意味する。この状態では、2つの半サイクルの
実効的な直流レベルが相殺する。従つて、差動増
幅器274の出力は平均するとゼロである。
0からの入力信号に実質的に第2高調波歪みがな
い時、差動増幅器274の端子284の出力信号
は正確に50%のデユーテイ・サイクルを持つ矩形
波であり、電圧レベルは一定の基準レベルの上下
の2つの予定の電圧レベルの間である。50%のデ
ユーテイ・サイクルは、高の電圧の半サイクルの
幅が次に続く低の電圧の半サイクルと等しいこと
を意味する。この状態では、2つの半サイクルの
実効的な直流レベルが相殺する。従つて、差動増
幅器274の出力は平均するとゼロである。
フオトダイオード260の出力中にある程度の
第2高調波歪みが存在する時、高調波歪みによつ
て平均値は移動し、対称的な場合から非対称の場
合になる。この場合、差動増幅器の出力は50−50
のデユーテイサイクルを持つ矩形波以外のものに
なる。従つて、差動増幅器が入つてくる信号の実
効的な直流レベルの変化を検出し、入力信号の非
対称性に応じて、平均してゼロより高い又は低い
出力を発生する。従つて、差動増幅器の出力が高
圧増幅器に印加されると、これが差動増幅器27
4の出力を直流平滑し、その結果でてくる正又は
負の直流レベルを増幅する。この結果が、ポツケ
ルス・セルの動作点を、高調波歪みがゼロになる
1/2エネルギの点に戻すために、ポツケルス・セ
ルに印加すべきバイアス信号の所要の変化であ
る。
第2高調波歪みが存在する時、高調波歪みによつ
て平均値は移動し、対称的な場合から非対称の場
合になる。この場合、差動増幅器の出力は50−50
のデユーテイサイクルを持つ矩形波以外のものに
なる。従つて、差動増幅器が入つてくる信号の実
効的な直流レベルの変化を検出し、入力信号の非
対称性に応じて、平均してゼロより高い又は低い
出力を発生する。従つて、差動増幅器の出力が高
圧増幅器に印加されると、これが差動増幅器27
4の出力を直流平滑し、その結果でてくる正又は
負の直流レベルを増幅する。この結果が、ポツケ
ルス・セルの動作点を、高調波歪みがゼロになる
1/2エネルギの点に戻すために、ポツケルス・セ
ルに印加すべきバイアス信号の所要の変化であ
る。
ポツケルス・セル・バイアス・サーボの標準的
な動作様式をまとめて言えば、変調された光ビー
ム中に存在する歪みを表わす光信号を発生する。
この光ビーム中に存在する第2高調波歪みの大き
さを検出して、この歪みを表わす信号を発生する
手段を設ける。第2高調波歪みの大きさを表わす
信号は、第2高調波歪みが基本周波数と同相であ
るか或いは位相がずれているかをも表わす。第2
高調波歪みの大きさ並びに基本周波数に対する第
2高調波歪みの位相を表わす出力信号が、ポツケ
ルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な動
作点にもつてくるために、このセルに印加する必
要があるバイアス信号を発生する手段に印加され
る。バイアス信号の変化を周波数変調された入力
ビデオ信号と加算する加算回路を設ける。この加
算電圧がポツケルス・セル68に対する入力とし
て印加される。
な動作様式をまとめて言えば、変調された光ビー
ム中に存在する歪みを表わす光信号を発生する。
この光ビーム中に存在する第2高調波歪みの大き
さを検出して、この歪みを表わす信号を発生する
手段を設ける。第2高調波歪みの大きさを表わす
信号は、第2高調波歪みが基本周波数と同相であ
るか或いは位相がずれているかをも表わす。第2
高調波歪みの大きさ並びに基本周波数に対する第
2高調波歪みの位相を表わす出力信号が、ポツケ
ルス・セルを、第2高調波歪みがなくなる様な動
作点にもつてくるために、このセルに印加する必
要があるバイアス信号を発生する手段に印加され
る。バイアス信号の変化を周波数変調された入力
ビデオ信号と加算する加算回路を設ける。この加
算電圧がポツケルス・セル68に対する入力とし
て印加される。
第10図は、書込み光ビーム29の改良された
形の光変調を例示する一連の波形を示す。第10
図の欄Aは、ビデオ・テープ・レコーダ又はテレ
ビジヨン・カメラからビデオ信号として典型的に
供給される理想的な又は簡単にしたビデオ波形を
示す。この波形は第4図に示すものと略同じであ
り、FM変調器20に印加されるビデオ信号を表
わす。2つの出力信号が欄B及びCに示されてい
る。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも
同じ周波数情報を持つている。欄Bの波形は第5
図に示した波形を再掲したものであり、便宜的に
含めた。欄Bの波形は、マルチバイブレータ形
FM変調器20によつて普通発生される出力を示
す。欄Cに示す波形は、三角形の出力波形を持つ
FM変調器20によつて発生される出力を示す。
両方の波形は同じ周波数情報を持つている。三角
形の波形は、ポツケルス・セルに印加する一定の
強度の光ビームを光変調するために、ポツケル
ス・セル68を駆動するのに使う時、一層よい結
果が得られる。
形の光変調を例示する一連の波形を示す。第10
図の欄Aは、ビデオ・テープ・レコーダ又はテレ
ビジヨン・カメラからビデオ信号として典型的に
供給される理想的な又は簡単にしたビデオ波形を
示す。この波形は第4図に示すものと略同じであ
り、FM変調器20に印加されるビデオ信号を表
わす。2つの出力信号が欄B及びCに示されてい
る。夫々はFM変調した出力信号であり、何れも
同じ周波数情報を持つている。欄Bの波形は第5
図に示した波形を再掲したものであり、便宜的に
含めた。欄Bの波形は、マルチバイブレータ形
FM変調器20によつて普通発生される出力を示
す。欄Cに示す波形は、三角形の出力波形を持つ
FM変調器20によつて発生される出力を示す。
両方の波形は同じ周波数情報を持つている。三角
形の波形は、ポツケルス・セルに印加する一定の
強度の光ビームを光変調するために、ポツケル
ス・セル68を駆動するのに使う時、一層よい結
果が得られる。
各々の波形B及びCに含まれる周波数は、常に
同一であつて、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを
表わす。この図をみれば、数字75で全体的に示
したビデオ波形の下側振幅領域が低い搬送波周波
数に対応し、ビデオ波形の高い方の振幅領域77
が欄B及びCに示した高い方の周波数に対応する
ことが判る。テレビジヨン業界では、テレビジヨ
ン・カメラによつて発生されるビデオ信号とし
て、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電圧信
号を使うのが普通である。この信号特性は、テレ
ビジヨン・モニタ166を駆動するのに必要なも
のと同じである。ポツケルス・セル68を駆動す
るために三角形の波形を使う利点は、ポツケル
ス・セルの伝達特性を変調信号の選ばれた波形と
あわせて、ポツケルス・セル及びグラン・プリズ
ム78を通過する光ビームを正弦状に変調するこ
とである。欄Cの三角形の波形は時間に対して直
線的な電圧変化である。この三角形の駆動波形の
時間に対して直線的な電圧変化に、正弦状の電圧
変化対ポツケルス・セル68の光伝達関数を乗じ
ると、グラン・プリズムからの正弦状に変化する
光強度を持つ出力になる。
同一であつて、欄Aのビデオ波形の電圧レベルを
表わす。この図をみれば、数字75で全体的に示
したビデオ波形の下側振幅領域が低い搬送波周波
数に対応し、ビデオ波形の高い方の振幅領域77
が欄B及びCに示した高い方の周波数に対応する
ことが判る。テレビジヨン業界では、テレビジヨ
ン・カメラによつて発生されるビデオ信号とし
て、ピーク間が1ボルトの電圧変化を持つ電圧信
号を使うのが普通である。この信号特性は、テレ
ビジヨン・モニタ166を駆動するのに必要なも
のと同じである。ポツケルス・セル68を駆動す
るために三角形の波形を使う利点は、ポツケル
ス・セルの伝達特性を変調信号の選ばれた波形と
あわせて、ポツケルス・セル及びグラン・プリズ
ム78を通過する光ビームを正弦状に変調するこ
とである。欄Cの三角形の波形は時間に対して直
線的な電圧変化である。この三角形の駆動波形の
時間に対して直線的な電圧変化に、正弦状の電圧
変化対ポツケルス・セル68の光伝達関数を乗じ
ると、グラン・プリズムからの正弦状に変化する
光強度を持つ出力になる。
欄Dに示す波形は、ポツケルス・セルが欄Cに
示す三角形の波形によつて駆動された時の、グラ
ン・プリズムからの光強度出力に対応する正弦状
の波形を示す。
示す三角形の波形によつて駆動された時の、グラ
ン・プリズムからの光強度出力に対応する正弦状
の波形を示す。
特に欄Dに示す波形の一番低い点285及び一
番高い点286からみて、この夫々から正確に等
距離にある点を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の
高いマスター作成動作には、この1/2エネルギの
点の利用の仕方を理解することが必要である。
番高い点286からみて、この夫々から正確に等
距離にある点を1/2エネルギの点と呼ぶ。品質の
高いマスター作成動作には、この1/2エネルギの
点の利用の仕方を理解することが必要である。
三角形の波形のピーク間電圧が欄Cの線287
に示した第1の最大電圧レベルV2、及び線28
8の第2の最小電圧レベルV1によつて表わされ
ている。点287,288の間の電圧の差が、ポ
ツケルス・セル68の駆動電圧である。この電圧
の差は、ポツケルス・セル68がそれを通過する
光の偏光を90゜回転するのに必要な電圧に等しく
なる様に調節される。ポツケルス・セルのバイア
スは、電圧レベルV1及びV2常にポツケルス・セ
ル68を通過する光ビームの0゜及び90゜の回転に
対応する様に保つ。光ビームの45゜の回転は、三
角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポツケルス・セル68に対して常に同
じである。しかし、温度に対する不安定性のた
め、この中間電圧は0ボルトに対してドリフトす
ることがあり、そのために1/2エネルギの電圧の
点もドリフトする。中間電圧の正しいバイアス作
用は、後で第14図、第15図及び第16図につ
いて詳しく説明する。
に示した第1の最大電圧レベルV2、及び線28
8の第2の最小電圧レベルV1によつて表わされ
ている。点287,288の間の電圧の差が、ポ
ツケルス・セル68の駆動電圧である。この電圧
の差は、ポツケルス・セル68がそれを通過する
光の偏光を90゜回転するのに必要な電圧に等しく
なる様に調節される。ポツケルス・セルのバイア
スは、電圧レベルV1及びV2常にポツケルス・セ
ル68を通過する光ビームの0゜及び90゜の回転に
対応する様に保つ。光ビームの45゜の回転は、三
角形の波形の2つの極限の中間である。この中間
の電圧は、ポツケルス・セル68に対して常に同
じである。しかし、温度に対する不安定性のた
め、この中間電圧は0ボルトに対してドリフトす
ることがあり、そのために1/2エネルギの電圧の
点もドリフトする。中間電圧の正しいバイアス作
用は、後で第14図、第15図及び第16図につ
いて詳しく説明する。
第10図の欄Cの波形は、FM変調器20によ
つて発生される三角形の波形を示しているが、こ
れはポツケルス・セル駆動器72によつて発生さ
れる信号の波形をも表わしている。FM変調器の
出力は典型的には小さな電圧範囲、典型的には10
ボルト未満であるが、ポツケルス・セル駆動器7
2の出力は、ポツケルス・セル68をゼロ回転状
態から90゜の回転状態まで駆動するために、ポツ
ケルス・セルに対して適当な駆動電圧を供給する
ため、100ボルトの振れがある。電圧レベルV1,
V2及びこれらの電圧を表わす線288,287
について説明するため、第10図の欄Cを参照す
る。ポツケルス・セル駆動器68からの出力は、
波形の振幅は違うが、同じ形だからである。これ
は便宜上であつて、振幅だけが違う略同一の波形
を除くためである。
つて発生される三角形の波形を示しているが、こ
れはポツケルス・セル駆動器72によつて発生さ
れる信号の波形をも表わしている。FM変調器の
出力は典型的には小さな電圧範囲、典型的には10
ボルト未満であるが、ポツケルス・セル駆動器7
2の出力は、ポツケルス・セル68をゼロ回転状
態から90゜の回転状態まで駆動するために、ポツ
ケルス・セルに対して適当な駆動電圧を供給する
ため、100ボルトの振れがある。電圧レベルV1,
V2及びこれらの電圧を表わす線288,287
について説明するため、第10図の欄Cを参照す
る。ポツケルス・セル駆動器68からの出力は、
波形の振幅は違うが、同じ形だからである。これ
は便宜上であつて、振幅だけが違う略同一の波形
を除くためである。
第11図には、これまで説明したこの発明のマ
スター作成方法に従つて成形されたビデオ・デイ
スクの簡略断面図が示されている。基板部材30
0が平面状の上面302を有する。情報担持層3
04が基板300の上面302の上に形成されて
いる。情報担持層304は基板300の面300
に全体にわたつて一様な厚さである。情報層30
4自体は平面状の上面306を有する。
スター作成方法に従つて成形されたビデオ・デイ
スクの簡略断面図が示されている。基板部材30
0が平面状の上面302を有する。情報担持層3
04が基板300の上面302の上に形成されて
いる。情報担持層304は基板300の面300
に全体にわたつて一様な厚さである。情報層30
4自体は平面状の上面306を有する。
第11図を第10図の欄Cの下に並べてある
が、この図には、ポツケルス・セル68に対する
駆動波形としての三角形の出力波形を発生する電
圧制御発振器をFM変調器20に用いた改良され
た実施例で、ポツケルス・セルとグラン・プリズ
ムの組合せを通過する光ビームの強度が示されて
いる。前に述べた様に、情報担持層の閾値エネル
ギ・レベルは、入射する光ビームに応答して、情
報担持層内に標識を形成するのに必要なエネルギ
と定義する。金属面の場合、温度閾値は、金属層
を溶融させ、金属層を加熱された入射領域から引
込めさせるのに必要なエネルギである。フオトレ
ジスト層では、閾値エネルギは、フオトレジスト
の情報担持層を完全に露出するのに十分な光子を
供給するのに必要なエネルギ・レベルである。金
属層の場合、加熱された金属が入射区域から引込
んで、その下にある基板300を露出する。フオ
トレジスト材料の場合、光子のエネルギは、第1
6図に示す様に、基板320の上面322まで、
フオトレジスト層324の厚さ全体を完全に露出
するのに十分である。
が、この図には、ポツケルス・セル68に対する
駆動波形としての三角形の出力波形を発生する電
圧制御発振器をFM変調器20に用いた改良され
た実施例で、ポツケルス・セルとグラン・プリズ
ムの組合せを通過する光ビームの強度が示されて
いる。前に述べた様に、情報担持層の閾値エネル
ギ・レベルは、入射する光ビームに応答して、情
報担持層内に標識を形成するのに必要なエネルギ
と定義する。金属面の場合、温度閾値は、金属層
を溶融させ、金属層を加熱された入射領域から引
込めさせるのに必要なエネルギである。フオトレ
ジスト層では、閾値エネルギは、フオトレジスト
の情報担持層を完全に露出するのに十分な光子を
供給するのに必要なエネルギ・レベルである。金
属層の場合、加熱された金属が入射区域から引込
んで、その下にある基板300を露出する。フオ
トレジスト材料の場合、光子のエネルギは、第1
6図に示す様に、基板320の上面322まで、
フオトレジスト層324の厚さ全体を完全に露出
するのに十分である。
ポツケルス・セルとグラン・プリズムの組合せ
の1/2エネルギの点を、一定強度のビームの透過
量が最大になる第1の動作点と、一定強度のビー
ムのグラン・プリズム70の透過量が最小になる
第2の動作点との間の真中の点に決めることを前
に説明した。1/2エネルギの点は、ポツケルス・
セルを通過する光が、透過エネルギがゼロである
点から45゜回転した点である。
の1/2エネルギの点を、一定強度のビームの透過
量が最大になる第1の動作点と、一定強度のビー
ムのグラン・プリズム70の透過量が最小になる
第2の動作点との間の真中の点に決めることを前
に説明した。1/2エネルギの点は、ポツケルス・
セルを通過する光が、透過エネルギがゼロである
点から45゜回転した点である。
動作の際、レーザの出力エネルギは、ポツケル
ス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネ
ルギの点が、部材304の様な、使われる情報担
持部材の閾値エネルギ・レベルに等しい十分なエ
ネルギを供給する様に調節される。ポツケルス・
セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネルギ
の点をこの様に調整したことにより、記録される
ビデオ周波数信号の記録忠実度は最高になり、ビ
デオ・デイスク記録部材から再生される信号の混
変調歪みは最小になる。
ス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネ
ルギの点が、部材304の様な、使われる情報担
持部材の閾値エネルギ・レベルに等しい十分なエ
ネルギを供給する様に調節される。ポツケルス・
セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エネルギ
の点をこの様に調整したことにより、記録される
ビデオ周波数信号の記録忠実度は最高になり、ビ
デオ・デイスク記録部材から再生される信号の混
変調歪みは最小になる。
この様にエネルギ・レベルを合わせることが、
第10図の欄D及び第11図に示されており、第
10図の欄Dに示した線290で表わす1/2エネ
ルギの点と、第11図の開口310とによつて示
されている。開口310の長さは、変調された光
ビームの透過強度が第10図の欄Dに示した1/2
エネルギの点を表わす線290を超える時間に対
応する。
第10図の欄D及び第11図に示されており、第
10図の欄Dに示した線290で表わす1/2エネ
ルギの点と、第11図の開口310とによつて示
されている。開口310の長さは、変調された光
ビームの透過強度が第10図の欄Dに示した1/2
エネルギの点を表わす線290を超える時間に対
応する。
この実施例では、1/2エネルギの点を表わす線
290は、第10図の欄Cに示した三角形の波形
のゼロ交差をも表わす。ゼロ交差点が第10図B
図及び第10C図の線291,292によつても
示されている。1/2エネルギの点を調整すること
の重要性を第16図及び第17図について詳しく
説明する。
290は、第10図の欄Cに示した三角形の波形
のゼロ交差をも表わす。ゼロ交差点が第10図B
図及び第10C図の線291,292によつても
示されている。1/2エネルギの点を調整すること
の重要性を第16図及び第17図について詳しく
説明する。
第12図は上面322を持つ基板320を含む
情報貯蔵部材を示す。一様な厚さのフオトレジス
トの薄い層324が基板320の平面状の上面3
22の上に形成される。薄いフオトレジスト層3
24が平面状の上面326を有する。金属ビスマ
ス層304が光応答性の層である様に、フオトレ
ジスト層324も光応答性の層である。薄い不透
明なメタライズ被覆304もフオトレジスト層3
24も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有する
様に作用する。金属層304の場合、メタライズ
層に開口310が形成され、情報貯蔵部材の中に
相次いで光反射領域及び光非反射領域を形成す
る。
情報貯蔵部材を示す。一様な厚さのフオトレジス
トの薄い層324が基板320の平面状の上面3
22の上に形成される。薄いフオトレジスト層3
24が平面状の上面326を有する。金属ビスマ
ス層304が光応答性の層である様に、フオトレ
ジスト層324も光応答性の層である。薄い不透
明なメタライズ被覆304もフオトレジスト層3
24も、ビデオ入力信号を表わす標識を保有する
様に作用する。金属層304の場合、メタライズ
層に開口310が形成され、情報貯蔵部材の中に
相次いで光反射領域及び光非反射領域を形成す
る。
第13図は、フオトレジストで被覆された情報
貯蔵部材を示す。領域303が、第11図に示す
構造で領域310が形成されたのと略同様にして
形成される。第11図に示す様に開口310が形
成される代りに、開口310に対応して露出領域
330が形成される。第12図では、露出したフ
オトレジスト材料は、フオトレジスト情報担持層
324内でこれらの領域内に斜線を施すことによ
つて表されている。露出したフオトレジスト材料
をこの後で現像すると、露出したフオトレジスト
材料が除去され、第11図に示した開口310に
相当する開口が残る。
貯蔵部材を示す。領域303が、第11図に示す
構造で領域310が形成されたのと略同様にして
形成される。第11図に示す様に開口310が形
成される代りに、開口310に対応して露出領域
330が形成される。第12図では、露出したフ
オトレジスト材料は、フオトレジスト情報担持層
324内でこれらの領域内に斜線を施すことによ
つて表されている。露出したフオトレジスト材料
をこの後で現像すると、露出したフオトレジスト
材料が除去され、第11図に示した開口310に
相当する開口が残る。
動作の際、フオトレジストで被覆された基板か
ら成るビデオ・デイスク部材を使う時、書込みレ
ーザの出力エネルギは、グラン・プリズムの1/2
エネルギの点でポツケルス・セルとグラン・プリ
ズムの組合せを通過する変調されたレーザ・ビー
ムのエネルギが、入射する光ビームによつて照射
されたフオトレジストを完全に露出するのに必要
な光子閾値エネルギに等しくなる様に調節する。
ビスマスで被覆されたマスタ・ビデオ・デイスク
方式の場合と同じく、これによつて記録の忠実度
は最高になり、記録されていたビデオ信号を再生
する際、混変調歪みは最小になる。
ら成るビデオ・デイスク部材を使う時、書込みレ
ーザの出力エネルギは、グラン・プリズムの1/2
エネルギの点でポツケルス・セルとグラン・プリ
ズムの組合せを通過する変調されたレーザ・ビー
ムのエネルギが、入射する光ビームによつて照射
されたフオトレジストを完全に露出するのに必要
な光子閾値エネルギに等しくなる様に調節する。
ビスマスで被覆されたマスタ・ビデオ・デイスク
方式の場合と同じく、これによつて記録の忠実度
は最高になり、記録されていたビデオ信号を再生
する際、混変調歪みは最小になる。
第11図及び第12図で、第10図の欄Dに示
す波形の内、線290より上側にある部分によつ
て表される様に、1/2エネルギの点より高い所で、
グラン・プリズムを通過すると光ビームの部分
は、第11図に示すビスマスで被覆したビデオ・
デイスクの場合は感光面304、第12図に示す
フオトレジストで被覆されたビデオ・デイスクの
場合はフオトレジスト被覆324の特性に非可逆
的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデ
オ・デイスク部材300の場合、この非可逆変化
は、不透明なメタライズ被覆304中に相次いで
形成された開口310の形をとる。フオトレジス
トで被覆された基板320の場合、フオトレジス
ト層324の特性の非可逆的な変化は、相次いで
完全に露出された領域322として起る。
す波形の内、線290より上側にある部分によつ
て表される様に、1/2エネルギの点より高い所で、
グラン・プリズムを通過すると光ビームの部分
は、第11図に示すビスマスで被覆したビデオ・
デイスクの場合は感光面304、第12図に示す
フオトレジストで被覆されたビデオ・デイスクの
場合はフオトレジスト被覆324の特性に非可逆
的な変化を生ずる。ビスマスで被覆されたビデ
オ・デイスク部材300の場合、この非可逆変化
は、不透明なメタライズ被覆304中に相次いで
形成された開口310の形をとる。フオトレジス
トで被覆された基板320の場合、フオトレジス
ト層324の特性の非可逆的な変化は、相次いで
完全に露出された領域322として起る。
ビスマスを好ましい金属層として挙げたが、テ
ルル、インコネル及びニツケルの様な他の金属を
使うことができる。
ルル、インコネル及びニツケルの様な他の金属を
使うことができる。
第14図には、ポツケルス・セルに対する駆動
入力の直線的な電圧変化に対して、ポツケルス・
セル68を通過する光の回転角度が正弦状に変化
することを表わす。ポツケルス・セルとグラン・
プリズムの組合せの伝達特性が示されている。
90゜の回転が点340に示されており、これはグ
ラン・プリズム70の最大光透過状態に等しい。
0゜の回転が点342に示されており、これはグラ
ン・プリズム70のゼロ又は最小光透過状態に等
しい。光の透過がゼロになる点342は、第10
図の欄Cに示した線288で表わす電圧レベル
V1に対応する。90゜の回転を表わす点は、第10
図の欄Cに示した線287で表わす電圧レベル
V2に対応する。これらの2つの電圧の間の中点
(線292で表わす)がZ方向のV2−V1に等し
く、ポツケルス・セルを通過する光ビームの45゜
の回転に対応する。
入力の直線的な電圧変化に対して、ポツケルス・
セル68を通過する光の回転角度が正弦状に変化
することを表わす。ポツケルス・セルとグラン・
プリズムの組合せの伝達特性が示されている。
90゜の回転が点340に示されており、これはグ
ラン・プリズム70の最大光透過状態に等しい。
0゜の回転が点342に示されており、これはグラ
ン・プリズム70のゼロ又は最小光透過状態に等
しい。光の透過がゼロになる点342は、第10
図の欄Cに示した線288で表わす電圧レベル
V1に対応する。90゜の回転を表わす点は、第10
図の欄Cに示した線287で表わす電圧レベル
V2に対応する。これらの2つの電圧の間の中点
(線292で表わす)がZ方向のV2−V1に等し
く、ポツケルス・セルを通過する光ビームの45゜
の回転に対応する。
周知の様に、ポツケルス・セルを通るエネルギ
は実質的に不変である。ポツケルス・セルで変化
する唯一の特性は、通過する光の回転角度であ
る。普通、ポツケルス・セル68及びグラン・プ
リズム70を一緒に使つて、光の変調を行なう。
このため、ポツケルス・セル及びグラン・プリズ
ム70の主軸を整合させ、90゜偏光した光ビーム
がグラン・プリズムを実質的に減衰せずに通過す
る様にする。この様に高度に偏光した同じ光をポ
ツケルス・セル68で90゜回転させて、0゜の回転
に戻すと、光ビームはグラン・プリズム70を通
過しない。実際には、全部が透過する状態並びに
全く透過しない状態には、高い動作周波数では到
達しない。第14図に示す波形は、周波数変調さ
れたビデオ情報の2サイクルに対応する様に回転
を行なつたポツケルス・セル68の伝達特性を示
す。これは、伝達特性が伝達関数曲線の0゜乃至
90゜の部分にわたつて連続的に動作することを示
している。
は実質的に不変である。ポツケルス・セルで変化
する唯一の特性は、通過する光の回転角度であ
る。普通、ポツケルス・セル68及びグラン・プ
リズム70を一緒に使つて、光の変調を行なう。
このため、ポツケルス・セル及びグラン・プリズ
ム70の主軸を整合させ、90゜偏光した光ビーム
がグラン・プリズムを実質的に減衰せずに通過す
る様にする。この様に高度に偏光した同じ光をポ
ツケルス・セル68で90゜回転させて、0゜の回転
に戻すと、光ビームはグラン・プリズム70を通
過しない。実際には、全部が透過する状態並びに
全く透過しない状態には、高い動作周波数では到
達しない。第14図に示す波形は、周波数変調さ
れたビデオ情報の2サイクルに対応する様に回転
を行なつたポツケルス・セル68の伝達特性を示
す。これは、伝達特性が伝達関数曲線の0゜乃至
90゜の部分にわたつて連続的に動作することを示
している。
第15図にはグラン・プリズム70の伝達特性
が示されている。点350でグラン・プリズム7
0は透過量が最大になり、入つてくる光ビームは
90゜回転している。点352では、グラン・プリ
ズム70の光の透過が最小又はゼロになり、この
時入つてくる光ビームの回転はゼロである。グラ
ン・プリズム70に入る光の回転が45゜の場合、
点354に示す様に、入射光ビームの強度の半分
がグラン・プリズム70を通過する。勿論、45゜
の回転の時にグラン・プリズム70を通過する光
のエネルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節
することによつて調節し得る。この実施例では、
光源は書込みレーザ30である。
が示されている。点350でグラン・プリズム7
0は透過量が最大になり、入つてくる光ビームは
90゜回転している。点352では、グラン・プリ
ズム70の光の透過が最小又はゼロになり、この
時入つてくる光ビームの回転はゼロである。グラ
ン・プリズム70に入る光の回転が45゜の場合、
点354に示す様に、入射光ビームの強度の半分
がグラン・プリズム70を通過する。勿論、45゜
の回転の時にグラン・プリズム70を通過する光
のエネルギの絶対値は、光源の光出力強度を調節
することによつて調節し得る。この実施例では、
光源は書込みレーザ30である。
好ましい実施例では、書込みレーザ30のエネ
ルギ出力は、1/2エネルギの点でグラン・プリズ
ムを通過する光の強度が、記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに一致する様に調節する。ビスマス層
を溶融させるには、フオトレジスト層を完全に露
出するよりも一層多くのエネルギを必要とするの
で、ビスマスのマスター・デイスクの書込みに使
われる書込みビームの強度の絶対値は、フオトレ
ジストで覆われたマスター・ビデオ・デイスクと
の相互作用のために使われる書込みレーザの強度
より大きい。
ルギ出力は、1/2エネルギの点でグラン・プリズ
ムを通過する光の強度が、記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに一致する様に調節する。ビスマス層
を溶融させるには、フオトレジスト層を完全に露
出するよりも一層多くのエネルギを必要とするの
で、ビスマスのマスター・デイスクの書込みに使
われる書込みビームの強度の絶対値は、フオトレ
ジストで覆われたマスター・ビデオ・デイスクと
の相互作用のために使われる書込みレーザの強度
より大きい。
第16図及び第17図には、書込みレーザ30
によつてマスター・ビデオ・デイスクに切込まれ
る孔の長さと、相次いで形成される孔の間の切込
まれていないランド区域の長さとの間の関係を説
明するのに役立つ一連の波形が包括的に示されて
いる。この関係は、切断用尖頭エネルギの値、切
断用平均エネルギ及び金属層に於けるスポツトの
焦点によつて形成される関係であるが、これらを
包括して1つの言葉で言つたものがデユーテイ・
サイクルであり、この言葉はこれらの3つの特性
全部を表わしている。
によつてマスター・ビデオ・デイスクに切込まれ
る孔の長さと、相次いで形成される孔の間の切込
まれていないランド区域の長さとの間の関係を説
明するのに役立つ一連の波形が包括的に示されて
いる。この関係は、切断用尖頭エネルギの値、切
断用平均エネルギ及び金属層に於けるスポツトの
焦点によつて形成される関係であるが、これらを
包括して1つの言葉で言つたものがデユーテイ・
サイクルであり、この言葉はこれらの3つの特性
全部を表わしている。
前に述べた様に、ビデオ・デイスク基板上の情
報担持層と相互作用するのに必要なエネルギは、
マスタ・ビデオ・デイスク部材上に配置するため
に選んだ材料に非可逆的な変化を起こすのに必要
なエネルギである。ビスマスで被覆されたマスタ
ーの場合、必要なエネルギは、エネルギがビスマ
ス層の閾値エネルギ・レベルより高い場所で、ビ
スマス被覆層の一部分を選択的に除去するのに必
要なエネルギである。光スポツト中に含まれるこ
のエネルギが、ビスマス層に正しく集束されない
と、このエネルギを所期の目的に使うことができ
ず、所期の作用をせずに散逸される。焦点の外れ
たスポツトだけによつて切断作用が行なわれる
と、マスター作成過程に歪みが入り込む。
報担持層と相互作用するのに必要なエネルギは、
マスタ・ビデオ・デイスク部材上に配置するため
に選んだ材料に非可逆的な変化を起こすのに必要
なエネルギである。ビスマスで被覆されたマスタ
ーの場合、必要なエネルギは、エネルギがビスマ
ス層の閾値エネルギ・レベルより高い場所で、ビ
スマス被覆層の一部分を選択的に除去するのに必
要なエネルギである。光スポツト中に含まれるこ
のエネルギが、ビスマス層に正しく集束されない
と、このエネルギを所期の目的に使うことができ
ず、所期の作用をせずに散逸される。焦点の外れ
たスポツトだけによつて切断作用が行なわれる
と、マスター作成過程に歪みが入り込む。
切断用尖頭エネルギが記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルを大きく超える場合、材料が破壊的に
除去され、この破壊的な除去のために表面に歪み
ができる。切断用平均エネルギは、高い方の第1
の切断用エネルギと低い方の第2の切断用エネル
ギとの中点のエネルギである。前に説明した様
に、切断用平均エネルギは記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに等しくなる様に定めることが好まし
い。この意味で、切断用平均エネルギより高い強
度の光ビームが情報担持層と相互作用して、記録
しようとする信号の標識を形成する。切断用平均
エネルギより低い強度の光ビームは、孔を形成す
るのに必要な点まで、ビスマスで被覆されたマス
ターを加熱することができないか、或はフオトレ
ジストで被覆されたマスターの一部分を完全の露
出することができない。
ギ・レベルを大きく超える場合、材料が破壊的に
除去され、この破壊的な除去のために表面に歪み
ができる。切断用平均エネルギは、高い方の第1
の切断用エネルギと低い方の第2の切断用エネル
ギとの中点のエネルギである。前に説明した様
に、切断用平均エネルギは記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルに等しくなる様に定めることが好まし
い。この意味で、切断用平均エネルギより高い強
度の光ビームが情報担持層と相互作用して、記録
しようとする信号の標識を形成する。切断用平均
エネルギより低い強度の光ビームは、孔を形成す
るのに必要な点まで、ビスマスで被覆されたマス
ターを加熱することができないか、或はフオトレ
ジストで被覆されたマスターの一部分を完全の露
出することができない。
第10図の欄B及びCについて簡単に説明する
と、第10図の欄Bに示した線291及び欄Cに
示した線292と一致する様に、切断用平均エネ
ルギを調節すると、その時のデユーテイ・サイク
ルは、孔の長さがその後の位置にあるランド区域
の長さに等しくなる。これが50%又は50−50のデ
ユーテイ・サイクルと言われる。50−50のデユー
テイ・サイクルは記録手順に於ける好ましいデユ
ーテイ・サイクルであるが、60−40乃至40−60の
範囲内でも、商業的に許容し得る再生信号が得ら
れる。つまり、孔又はその中間のランド部材の一
方が一層大きくなり、他方が一層小さくなつても
よい。
と、第10図の欄Bに示した線291及び欄Cに
示した線292と一致する様に、切断用平均エネ
ルギを調節すると、その時のデユーテイ・サイク
ルは、孔の長さがその後の位置にあるランド区域
の長さに等しくなる。これが50%又は50−50のデ
ユーテイ・サイクルと言われる。50−50のデユー
テイ・サイクルは記録手順に於ける好ましいデユ
ーテイ・サイクルであるが、60−40乃至40−60の
範囲内でも、商業的に許容し得る再生信号が得ら
れる。つまり、孔又はその中間のランド部材の一
方が一層大きくなり、他方が一層小さくなつても
よい。
第16図で、線360で表わす波形は、ポツケ
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過し
た2サイクルの光強度を表し、第10図の欄Dに
特に示したものである。記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルは線362で表わしてある。記録媒質
の閾値エネルギ・レベルは、書込みレーザ30の
強度の絶対値を調節することにより、ポツケル
ス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過する
光強度の1/2エネルギの点に等しくする。
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過し
た2サイクルの光強度を表し、第10図の欄Dに
特に示したものである。記録媒質の閾値エネル
ギ・レベルは線362で表わしてある。記録媒質
の閾値エネルギ・レベルは、書込みレーザ30の
強度の絶対値を調節することにより、ポツケル
ス・セルとグラン・プリズムの組合せを透過する
光強度の1/2エネルギの点に等しくする。
閾値レベルを1/2エネルギの点に正しく調節す
ると、マスター・ビデオ・デイスクの情報表面層
には、点364から始まつて、強度が点366に
下るまでの時間の間引続いて、標識が形成され
る。破線364′,366′を図の欄Aまで引いた
のは、光の強度が点364を通り越して370の
所で最大値まで上昇し、次に点366まで下る期
間の間に形成された食部368によつて表わされ
る標識を示すためである。点366より低い光の
強度が、372で最小値まで下り、引続いて37
4の所にある新しい最大値に向つて上昇する。強
度の低いレベル372と強度の高いレベル374
との間の或る点で、光の強度が376の所で、記
録媒質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる。点
376から始まつて、光ビームのエネルギが、第
16図の欄Aに示す食部(eclipse)378によ
つて表わされる標識を形成し始める。破線37
6′は、光の強度が閾値レベル362を超えた点
で、標識378の形成が開始されることを示す。
標識378は、光の強度が374の所で最大値に
達し、375の所で新しい最小値まで下り始める
間、引続いて形成される。しかし、線360と3
62に示した閾値エネルギ・レベルとの交点で、
光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くなり、
最早標識は形成されない。好ましい実施例では、
線384によつて表わす標識の長さが、線388
の長さによつて表わされるランド領域386の長
さに等しい。従つて、ポツケルス・セルとグラ
ン・プリズムの組合せからの1/2エネルギの点の
光強度の出力を記録面の閾値エネルギ・レベルに
合せると、デユーテイ・サイクルが50−50にな
り、標識368の長さが次に続くランド領域38
6の長さに等しくなる。線306上に示した点3
64,366,376,382は、初めの周波数
変調されたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従つ
て、標識368,386が周波数変調されたビデ
オ信号を表わすことが理解されよう。好ましい実
施例に於けるこの表わし方は、50−50のデユーテ
イ・サイクルであり、ポツケルス・セルとグラ
ン・プリズムとの組合せから出てくるビームの1/
2エネルギ・レベルを記録媒質の閾値エネルギ・
レベルに等しく調節することによつて達成され
る。
ると、マスター・ビデオ・デイスクの情報表面層
には、点364から始まつて、強度が点366に
下るまでの時間の間引続いて、標識が形成され
る。破線364′,366′を図の欄Aまで引いた
のは、光の強度が点364を通り越して370の
所で最大値まで上昇し、次に点366まで下る期
間の間に形成された食部368によつて表わされ
る標識を示すためである。点366より低い光の
強度が、372で最小値まで下り、引続いて37
4の所にある新しい最大値に向つて上昇する。強
度の低いレベル372と強度の高いレベル374
との間の或る点で、光の強度が376の所で、記
録媒質の閾値エネルギ・レベルに等しくなる。点
376から始まつて、光ビームのエネルギが、第
16図の欄Aに示す食部(eclipse)378によ
つて表わされる標識を形成し始める。破線37
6′は、光の強度が閾値レベル362を超えた点
で、標識378の形成が開始されることを示す。
標識378は、光の強度が374の所で最大値に
達し、375の所で新しい最小値まで下り始める
間、引続いて形成される。しかし、線360と3
62に示した閾値エネルギ・レベルとの交点で、
光の強度は閾値エネルギ・レベルより低くなり、
最早標識は形成されない。好ましい実施例では、
線384によつて表わす標識の長さが、線388
の長さによつて表わされるランド領域386の長
さに等しい。従つて、ポツケルス・セルとグラ
ン・プリズムの組合せからの1/2エネルギの点の
光強度の出力を記録面の閾値エネルギ・レベルに
合せると、デユーテイ・サイクルが50−50にな
り、標識368の長さが次に続くランド領域38
6の長さに等しくなる。線306上に示した点3
64,366,376,382は、初めの周波数
変調されたビデオ信号のゼロ交差を表わす。従つ
て、標識368,386が周波数変調されたビデ
オ信号を表わすことが理解されよう。好ましい実
施例に於けるこの表わし方は、50−50のデユーテ
イ・サイクルであり、ポツケルス・セルとグラ
ン・プリズムとの組合せから出てくるビームの1/
2エネルギ・レベルを記録媒質の閾値エネルギ・
レベルに等しく調節することによつて達成され
る。
線360で示す可変の光強度を含めて、第16
図に示した波形は、マスター・ビデオ・デイスク
部材に使う記録媒質に無関係に、50−50のデユー
テイ・サイクルを達成する好ましい動作様式を表
わす。種々の点に於ける強度の絶対値は、変調さ
れた光ビームが記録面と相互作用するのに必要な
強度の絶対値に従つて変化するが、相対的な波形
並びにそれらの相対的な位置は変わらない。更に
詳しく言えば、ビスマスに対する閾値エネルギ・
レベルの強度の絶対値は、フオトレジストに対す
る閾値エネルギ・レベルの強度の絶対値とは異な
るが、強度を表わす線360に対する関係は同じ
である。
図に示した波形は、マスター・ビデオ・デイスク
部材に使う記録媒質に無関係に、50−50のデユー
テイ・サイクルを達成する好ましい動作様式を表
わす。種々の点に於ける強度の絶対値は、変調さ
れた光ビームが記録面と相互作用するのに必要な
強度の絶対値に従つて変化するが、相対的な波形
並びにそれらの相対的な位置は変わらない。更に
詳しく言えば、ビスマスに対する閾値エネルギ・
レベルの強度の絶対値は、フオトレジストに対す
る閾値エネルギ・レベルの強度の絶対値とは異な
るが、強度を表わす線360に対する関係は同じ
である。
第16図及び第17図の欄Bについて、ポツケ
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エ
ネルギの点の出力を記録媒質の閾値エネルギ・レ
ベルと合せなかつた場合の結果を説明する。第1
6図で第2の破線380は、使われる記録媒質の
実際の閾値エネルギ・レベルと、ポツケルス・セ
ル68とグラン・プリズム70の組合せからの光
強度の出力との間の関係を示す。閾値エネルギ・
レベル線380が多数の場所390,392,3
94,396で強度線360と交差する。線39
0′は交強度線360が閾値エネルギ・レベル3
80と交差したことを表わし、第17図の欄Bに
示す標識398が形成され始めることを知らせ
る。標識398は、光の強度が閾値エネルギ・レ
ベルより高い時間の間、形成される。標識398
の長さが、光の強度が370の所の最大値に達
し、その後線399で示す様に、閾値の点392
まで下るのに要する時間によつて表わされる。ラ
ンド区域400の長さは線402で示す長さであ
る。線402の長さは、光の強度が閾値を表わす
点392から次の閾値を表わす点394まで変る
のに要する時間によつて決定される。この時間の
間、光ビームの強度は、記録媒質と相互作用をし
ない程低い。第2の標識を406に示してあり、
その長さは線360で表わす波形の強度が点39
4で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対
応する。標識406の長さは線408で示してあ
り、これは、光の強度が374の所の最大値まで
上昇し、点396の所の閾値レベルまで下るのに
要する時間によつて決定される。
ルス・セルとグラン・プリズムの組合せの1/2エ
ネルギの点の出力を記録媒質の閾値エネルギ・レ
ベルと合せなかつた場合の結果を説明する。第1
6図で第2の破線380は、使われる記録媒質の
実際の閾値エネルギ・レベルと、ポツケルス・セ
ル68とグラン・プリズム70の組合せからの光
強度の出力との間の関係を示す。閾値エネルギ・
レベル線380が多数の場所390,392,3
94,396で強度線360と交差する。線39
0′は交強度線360が閾値エネルギ・レベル3
80と交差したことを表わし、第17図の欄Bに
示す標識398が形成され始めることを知らせ
る。標識398は、光の強度が閾値エネルギ・レ
ベルより高い時間の間、形成される。標識398
の長さが、光の強度が370の所の最大値に達
し、その後線399で示す様に、閾値の点392
まで下るのに要する時間によつて表わされる。ラ
ンド区域400の長さは線402で示す長さであ
る。線402の長さは、光の強度が閾値を表わす
点392から次の閾値を表わす点394まで変る
のに要する時間によつて決定される。この時間の
間、光ビームの強度は、記録媒質と相互作用をし
ない程低い。第2の標識を406に示してあり、
その長さは線360で表わす波形の強度が点39
4で示した閾値エネルギ・レベルを超える点に対
応する。標識406の長さは線408で示してあ
り、これは、光の強度が374の所の最大値まで
上昇し、点396の所の閾値レベルまで下るのに
要する時間によつて決定される。
標識とその中間のランド区域の初めと終りを示
す種々の線を示してあるが、これらの線には、光
強度線360と閾値エネルギ・レベル線362,
380との対応する交点を表わすために、ダツシ
ユをつけた数字を用いている。
す種々の線を示してあるが、これらの線には、光
強度線360と閾値エネルギ・レベル線362,
380との対応する交点を表わすために、ダツシ
ユをつけた数字を用いている。
相次ぐ位置にある標識398及びランド領域4
00が、記録された周波数変調ビデオ信号の1サ
イクルを表わす。標識398は、線399及び線
402の長さの合計の約65%を表わす。これは65
−35のデユーテイ・サイクルを表わす。利用し得
る空間の65%が標識であり、35%がランド区域で
ある。典型的には、最終的な形式の標識は***部
又は孔の様な光散乱部材であり、ランド区域は高
度に反射性の材料で覆われた平面状の面である。
00が、記録された周波数変調ビデオ信号の1サ
イクルを表わす。標識398は、線399及び線
402の長さの合計の約65%を表わす。これは65
−35のデユーテイ・サイクルを表わす。利用し得
る空間の65%が標識であり、35%がランド区域で
ある。典型的には、最終的な形式の標識は***部
又は孔の様な光散乱部材であり、ランド区域は高
度に反射性の材料で覆われた平面状の面である。
第17図の欄Aに示した相次ぐ位置にある光非
反射部材368及び光反射部材386によつて表
わされる、周波数変調されたビデオ情報は、50−
50の好ましいデユーテイ・サイクルを表わす。フ
オトレジストを使つたマスター作成方法を使う
時、フオトレジスト層の上面の反射率は、書込み
ビームが入射したことによつて、フオトレジスト
と部材の現像された部分並びに現像されなかつた
部分からの反射光ビームの間に違いを検出できる
程、目立つて変化しない。フオトレジストで被覆
されたマスター・ビデオ・デイスクを使う書込み
後の読取手順が出来ないのは、このためである。
反射部材368及び光反射部材386によつて表
わされる、周波数変調されたビデオ情報は、50−
50の好ましいデユーテイ・サイクルを表わす。フ
オトレジストを使つたマスター作成方法を使う
時、フオトレジスト層の上面の反射率は、書込み
ビームが入射したことによつて、フオトレジスト
と部材の現像された部分並びに現像されなかつた
部分からの反射光ビームの間に違いを検出できる
程、目立つて変化しない。フオトレジストで被覆
されたマスター・ビデオ・デイスクを使う書込み
後の読取手順が出来ないのは、このためである。
第17図の欄Cには、欄Aに示した標識368
及びランド区域386の順序によつて表わされる
再生ビデオ信号が示されている。欄Cに示す波形
は、歪みのない正弦波410であり、第16図に
示した線360によつて表わされる光強度波形に
よつて示される、歪みのない同じ周波数変調情報
を持つている。第17図の欄Cに示す正弦波は、
線412によつて表わされる中心線を持つてい
る。この線が、線362が第16図に示した強度
線360と交差するのと同じ交点で、正弦波41
0と交差する。
及びランド区域386の順序によつて表わされる
再生ビデオ信号が示されている。欄Cに示す波形
は、歪みのない正弦波410であり、第16図に
示した線360によつて表わされる光強度波形に
よつて示される、歪みのない同じ周波数変調情報
を持つている。第17図の欄Cに示す正弦波は、
線412によつて表わされる中心線を持つてい
る。この線が、線362が第16図に示した強度
線360と交差するのと同じ交点で、正弦波41
0と交差する。
第17図の欄Dには、不良の第2高調波歪みを
持つ再生された周波数変調ビデオ信号が示されて
いる。欄Dの線414によつて表わされる波形の
基本周波数は、欄Cに示す波形と同じである。し
かし、欄Dに示す情報は不良の第2高調波歪みを
持つている。不良の第2高調波歪みが問題になら
ない様な装置で使つた時、前に説明した50−50の
デユーテイ・サイクルに厳密に従う必要はない。
しかし、ビデオ・デイスクの面から実質的に歪み
のない出力信号を再生する必要がある時、上に述
べた手順に従うことが必要である。
持つ再生された周波数変調ビデオ信号が示されて
いる。欄Dの線414によつて表わされる波形の
基本周波数は、欄Cに示す波形と同じである。し
かし、欄Dに示す情報は不良の第2高調波歪みを
持つている。不良の第2高調波歪みが問題になら
ない様な装置で使つた時、前に説明した50−50の
デユーテイ・サイクルに厳密に従う必要はない。
しかし、ビデオ・デイスクの面から実質的に歪み
のない出力信号を再生する必要がある時、上に述
べた手順に従うことが必要である。
第18図には、好ましい形のマスター作成過程
の間に形成された、相次ぐ位置にある光反射領域
及び光非反射領域に入射する時の、読取ビーム中
の読取スポツトの強度が示されている。好ましい
実施例では、このために金属を使い、好ましい金
属はビスマスである。
の間に形成された、相次ぐ位置にある光反射領域
及び光非反射領域に入射する時の、読取ビーム中
の読取スポツトの強度が示されている。好ましい
実施例では、このために金属を使い、好ましい金
属はビスマスである。
第18図の欄Aは、ビデオ・デイスク・マスタ
ーの表面に形成された複数個の標識を示す。好ま
しい実施例で、ビスマス層420に形成される孔
を422,424,426に示してある。層42
0の内、孔422,424,426を形成するこ
とによつて影響を受けなかつた中間の部分は、ラ
ンド区域と呼ばれ、これを428,430で示し
てある。ランド区域は高度に反射性である。孔4
22,424,426が形成されることにより、
その下にある硝子基板が露出し、これは実質的に
光を吸収し、このため硝子基板は光非反射領域で
ある。波形432は、スポツトが光非反射領域の
上を通る時の読取ビーム中のスポツトの光強度波
形を表わす。これは光非反射領域を通過する時の
スポツトの空間的な関係を示す。第18図の欄B
には、欄Aに示す強度関係を持つスポツトが相次
ぐ位置にある光反射領域及び光非反射領域を通過
する時の、反射光の強度波形を示す波形が線43
4で示されている。線434の実線部分436
は、スポツトが光非反射領域424を通過する時
の反射光の強度波形を示す。反射光の強度は、光
非反射領域424の中心に対応する点438で、
最小値になる。光非反射部分424の中心が線4
40上の点442として示されている。反射光の
強度波形は、相次ぐ位置にある光反射領域42
2,424の間にあるランド区域428の中心点
446に対応して、444で最大値になる。中心
点446が、情報トラツクの中心線を表わす線4
48上に示されている。線434の内の波線部分
は、光が非反射領域422を通過した時の反射光
の強度波形のこれまでの経過を示している。波形
434の破線部分452は、読取スポツトが非反
射領域426を通過する時に予想される反射光ビ
ームの強度を示している。
ーの表面に形成された複数個の標識を示す。好ま
しい実施例で、ビスマス層420に形成される孔
を422,424,426に示してある。層42
0の内、孔422,424,426を形成するこ
とによつて影響を受けなかつた中間の部分は、ラ
ンド区域と呼ばれ、これを428,430で示し
てある。ランド区域は高度に反射性である。孔4
22,424,426が形成されることにより、
その下にある硝子基板が露出し、これは実質的に
光を吸収し、このため硝子基板は光非反射領域で
ある。波形432は、スポツトが光非反射領域の
上を通る時の読取ビーム中のスポツトの光強度波
形を表わす。これは光非反射領域を通過する時の
スポツトの空間的な関係を示す。第18図の欄B
には、欄Aに示す強度関係を持つスポツトが相次
ぐ位置にある光反射領域及び光非反射領域を通過
する時の、反射光の強度波形を示す波形が線43
4で示されている。線434の実線部分436
は、スポツトが光非反射領域424を通過する時
の反射光の強度波形を示す。反射光の強度は、光
非反射領域424の中心に対応する点438で、
最小値になる。光非反射部分424の中心が線4
40上の点442として示されている。反射光の
強度波形は、相次ぐ位置にある光反射領域42
2,424の間にあるランド区域428の中心点
446に対応して、444で最大値になる。中心
点446が、情報トラツクの中心線を表わす線4
48上に示されている。線434の内の波線部分
は、光が非反射領域422を通過した時の反射光
の強度波形のこれまでの経過を示している。波形
434の破線部分452は、読取スポツトが非反
射領域426を通過する時に予想される反射光ビ
ームの強度を示している。
第18図の欄Cには、欄Bに示した光強度信号
を表わす再生された電気信号が示されている。こ
の電気信号を線454で示してあり、第1図に示
す光検出器70で発生される。
を表わす再生された電気信号が示されている。こ
の電気信号を線454で示してあり、第1図に示
す光検出器70で発生される。
適当な高圧増幅器の回路図が第21図に示され
ている。こゝで説明したマスター作成過程で書込
みながら読取ることができるということの特別の
利点は、書込んだばかりの情報を瞬時的に監視
し、反射領域及び非反射領域のデユーテイ・サイ
クルを制御する手段として使うことを含む。再生
された周波数変調ビデオ信号を書込み過程の間に
テレビジヨン・モニターに表示することにより、
デユーテイ・サイクルを監視することができる。
モニタで目につく歪みがあれば、それはデユーテ
イ・サイクルの変化が起つたことを示す。デユー
テイ・サイクルを好ましい50−50の動作点に調節
することにより、書込まれた情報のデユーテイ・
サイクルを調節して歪みを除去する手段が設けら
れる。デユーテイ・サイクルの変化は、平均強度
バイアス・サーボ又は第2高調波バイアス・サー
ボを持つ装置では、ポツケルス・セルとグラン・
プリズムの1/2エネルギの点の出力を記録媒質の
閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に調節する
回路と関連して、レーザ30で発生される光ビー
ムの強度の絶対値を調節することによつて補正す
るのが典型的である。1/2エネルギの点並びに平
均強度という言葉は、FM変調器によつて発生さ
れる三角形の波形を使うことに関連して、この明
細書では互換性をもつて使われている。グラン・
プリズム38から出てくる変調された光ビーム4
0は正弦状である。この場合、1/2エネルギの点
は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波
形の場合がそうである。FM変調器からの周波数
変調出力は、この様な対称的な波形として作用す
ることが判つた。
ている。こゝで説明したマスター作成過程で書込
みながら読取ることができるということの特別の
利点は、書込んだばかりの情報を瞬時的に監視
し、反射領域及び非反射領域のデユーテイ・サイ
クルを制御する手段として使うことを含む。再生
された周波数変調ビデオ信号を書込み過程の間に
テレビジヨン・モニターに表示することにより、
デユーテイ・サイクルを監視することができる。
モニタで目につく歪みがあれば、それはデユーテ
イ・サイクルの変化が起つたことを示す。デユー
テイ・サイクルを好ましい50−50の動作点に調節
することにより、書込まれた情報のデユーテイ・
サイクルを調節して歪みを除去する手段が設けら
れる。デユーテイ・サイクルの変化は、平均強度
バイアス・サーボ又は第2高調波バイアス・サー
ボを持つ装置では、ポツケルス・セルとグラン・
プリズムの1/2エネルギの点の出力を記録媒質の
閾値エネルギ・レベルに等しくなる様に調節する
回路と関連して、レーザ30で発生される光ビー
ムの強度の絶対値を調節することによつて補正す
るのが典型的である。1/2エネルギの点並びに平
均強度という言葉は、FM変調器によつて発生さ
れる三角形の波形を使うことに関連して、この明
細書では互換性をもつて使われている。グラン・
プリズム38から出てくる変調された光ビーム4
0は正弦状である。この場合、1/2エネルギの点
は平均強度に等しく、これはあらゆる対称的な波
形の場合がそうである。FM変調器からの周波数
変調出力は、この様な対称的な波形として作用す
ることが判つた。
以上の説明で明らかなように、この発明によれ
ば、光変調器で強度変調されたレーザビーム中に
含まれる第2高調波歪み成分を検出するととも
に、これが最小となるように光変調器のバイアス
が調整されるため、光変調における動作点はその
中間光透過状態に一致することとなり、歪みの少
ない電気・光変調が行われ、その結果、忠実度の
高い情報記録が行われる。
ば、光変調器で強度変調されたレーザビーム中に
含まれる第2高調波歪み成分を検出するととも
に、これが最小となるように光変調器のバイアス
が調整されるため、光変調における動作点はその
中間光透過状態に一致することとなり、歪みの少
ない電気・光変調が行われ、その結果、忠実度の
高い情報記録が行われる。
第1図は書込み装置のブロツク図、第2図は第
1図に示す書込み装置を使つて書込む前の、ビデ
オ・デイスク部材の断面図、第3図は第1図に示
した書込み装置を使つて書込みを行なつた後の、
ビデオ・デイスク部材の部分平面図、第4図は第
1図の書込み装置に使われるビデオ信号の波形
図、第5図は第1図に示した書込み装置で使われ
る周波数変調信号の波形図、第6図は第1図に示
した書込み装置で使われる書込みレーザの強度を
示すグラフ、第7図は第1図に示した書込み装置
によつて変調書込みビームを変えることを示すグ
ラフ、第8図は第3図に示したデイスクを線8−
8で切つた半径方向断面図、第9図は適当な運動
制御集成体の詳しいブロツク図、第10図はマス
ター作成装置の動作を説明するための波形図、第
11図は1形式のビデオ・デイスクの簡略断面
図、第12図はフオトレジストで被覆された貯蔵
部材を示す図、第13図は第12図のフオトレジ
ストで被覆された貯蔵部材の一部分を示す図、第
14図はポツケルス・セルの伝達特性を示すグラ
フ、第15図はグラン・プリズムの伝達特性を示
すグラフ、第16図は光強度波形図、第17図は
第16図と共に記録のデユーテイ・サイクルを説
明するのに役立つ一連の波形図、第18図はマス
ター作成装置の動作を説明するための波形図、第
19図はポツケルス・セル・バイアス・サーボ装
置のブロツク図、第20図は第19図で使われる
第2高調波検出器の回路図、第21図は第19図
で使われる高圧増幅器の回路図である。 主な符号の説明、10……情報貯蔵部材、12
……情報信号源、24……第1の面、26……被
覆、28……運動制御集成体、30……書込みレ
ーザ、40……可動光学集成体、44……光強度
変調集成体、48……安定化回路。
1図に示す書込み装置を使つて書込む前の、ビデ
オ・デイスク部材の断面図、第3図は第1図に示
した書込み装置を使つて書込みを行なつた後の、
ビデオ・デイスク部材の部分平面図、第4図は第
1図の書込み装置に使われるビデオ信号の波形
図、第5図は第1図に示した書込み装置で使われ
る周波数変調信号の波形図、第6図は第1図に示
した書込み装置で使われる書込みレーザの強度を
示すグラフ、第7図は第1図に示した書込み装置
によつて変調書込みビームを変えることを示すグ
ラフ、第8図は第3図に示したデイスクを線8−
8で切つた半径方向断面図、第9図は適当な運動
制御集成体の詳しいブロツク図、第10図はマス
ター作成装置の動作を説明するための波形図、第
11図は1形式のビデオ・デイスクの簡略断面
図、第12図はフオトレジストで被覆された貯蔵
部材を示す図、第13図は第12図のフオトレジ
ストで被覆された貯蔵部材の一部分を示す図、第
14図はポツケルス・セルの伝達特性を示すグラ
フ、第15図はグラン・プリズムの伝達特性を示
すグラフ、第16図は光強度波形図、第17図は
第16図と共に記録のデユーテイ・サイクルを説
明するのに役立つ一連の波形図、第18図はマス
ター作成装置の動作を説明するための波形図、第
19図はポツケルス・セル・バイアス・サーボ装
置のブロツク図、第20図は第19図で使われる
第2高調波検出器の回路図、第21図は第19図
で使われる高圧増幅器の回路図である。 主な符号の説明、10……情報貯蔵部材、12
……情報信号源、24……第1の面、26……被
覆、28……運動制御集成体、30……書込みレ
ーザ、40……可動光学集成体、44……光強度
変調集成体、48……安定化回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1のレベルと第2のレベルとの間において
交互にレベルが変化する形態の情報信号を入力す
るための情報入力手段と、 変調対象たる一定強度のレーザビームを発生す
るレーザ光源と、 前記レーザ光源から発せられる一定強度のレー
ザビームを前記情報信号で強度変調するととも
に、入力バイアス調整が可能になされた光変調器
と、 前記光変調器で強度変調されたレーザビーム中
に含まれる第2高調波歪み成分を検出するととも
に、これが最小となるように前記光変調器のバイ
アスを調整するオートバイアス手段と、 前記光変調器で強度変調されたレーザビームを
所定位置へと導くとともに、集束してビームスポ
ツトを形成する光学系と、 前記光学系から得られるビームスポツトが照射
される感光面を有するとともに、一様な運動をす
るように支持された記録媒体と、 を具備することを特徴とする装置。 2 前記光変調器はポツケルスセルと直線偏光子
との組合せからなることを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の装置。 3 前記記録媒体の感光面はフオトレジスト若し
くは光応答性金属被膜であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US89077178A | 1978-03-27 | 1978-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54128704A JPS54128704A (en) | 1979-10-05 |
JPH0323979B2 true JPH0323979B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=25397126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1793779A Granted JPS54128704A (en) | 1978-03-27 | 1979-02-20 | Device for storing video information |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS54128704A (ja) |
DE (1) | DE2911740A1 (ja) |
DK (1) | DK69079A (ja) |
NL (1) | NL7901228A (ja) |
NO (1) | NO151517C (ja) |
SE (1) | SE7901439L (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5668935A (en) * | 1979-10-22 | 1981-06-09 | Discovision Ass | Device for recording dataasignal on movable optical recording medium |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS502415A (ja) * | 1973-02-20 | 1975-01-11 | ||
JPS539101A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Recording device |
-
1979
- 1979-02-16 NL NL7901228A patent/NL7901228A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-02-16 DK DK69079A patent/DK69079A/da unknown
- 1979-02-19 SE SE7901439A patent/SE7901439L/xx unknown
- 1979-02-19 NO NO790542A patent/NO151517C/no unknown
- 1979-02-20 JP JP1793779A patent/JPS54128704A/ja active Granted
- 1979-03-26 DE DE19792911740 patent/DE2911740A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS502415A (ja) * | 1973-02-20 | 1975-01-11 | ||
JPS539101A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Recording device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NO151517C (no) | 1985-04-24 |
NO151517B (no) | 1985-01-07 |
DE2911740C2 (ja) | 1988-02-11 |
SE7901439L (sv) | 1979-09-28 |
NO790542L (no) | 1979-09-28 |
NL7901228A (nl) | 1979-10-01 |
JPS54128704A (en) | 1979-10-05 |
DK69079A (da) | 1979-09-28 |
DE2911740A1 (de) | 1979-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0346893B2 (ja) | ||
US4456914A (en) | Method and apparatus for storing information on a storage medium | |
US4611318A (en) | Method and apparatus for monitoring the storage of information on a storage medium | |
US4583210A (en) | Method and apparatus for storing and retrieving information | |
JPS6338771B2 (ja) | ||
EP0044122A2 (en) | Method and apparatus for writing a signal information track on a disc | |
US7502297B2 (en) | Hologram recording apparatus, hologram reproducing apparatus, hologram recording method, and hologram reproducing method | |
JPH0427610B2 (ja) | ||
JPH0323979B2 (ja) | ||
GB1565829A (en) | Record medium and method and apparatus for recording information from said record medium | |
US4700335A (en) | Method and apparatus for recording a continuous spiral information track with different track pitches | |
GB2033132A (en) | Recording and playback | |
JPS63317936A (ja) | 光学的波長多重記録再生装置 | |
KR830001678Y1 (ko) | 비데오 디스크 | |
JPH0447535A (ja) | 光学的記録方法 | |
JPH06243510A (ja) | 光ディスク及び光ディスク原盤製造装置 | |
US4863228A (en) | Apparatus and a method of deflecting laser convergent light | |
JP2769710B2 (ja) | 光ディスク記録方法 | |
JP4018481B2 (ja) | 光ディスク原盤露光方法および原盤露光装置 | |
KR800000203B1 (ko) | 광학적 기록방법 | |
CA1153468A (en) | Mastering machine | |
CA1066414A (en) | Apparatus and method for storing information on a videodisc | |
JPS60115030A (ja) | 情報記録装置 | |
JPS62243139A (ja) | 光記録装置 | |
JPS5853410B2 (ja) | 記録方法 |