JPS62112336A

JPS62112336A - 電子デバイスの試験方法および試験装置

Info

Publication number: JPS62112336A
Application number: JP60252015A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yoshizawa; 吉沢　正浩; Akira Kikuchi; 章菊池; Yasushi Wada; 康和田
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1985-11-12
Filing date: 1985-11-12
Publication date: 1987-05-23
Anticipated expiration: 2009-06-22
Also published as: JPH0648704B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ＶＬＳＩ等の電子デバイスを、荷電ビームを
用いて検査する電子デバイスの試験方法および試験装置
に関するものである。

〔従来の技術〕

ＶＬＳＴ等の微細な電子デバイスの製造工程では、レジ
ス１へ、配線幅などの寸法管理とともに、レジストの残
り、配線形成時などのエツチングの残り等のバタン形成
における欠陥の検出が重要であり、従来は走査電子顕微
鏡あるいは測長装置を用いて観察を行っていた。ｈ記の
ような走査電子顕微鏡を用いてバタン寸法を測定する装
置としては、例えば特公昭５９−７６１号に示された装
置がある。上記装置は、試料の走査線あるいは二次信号
波形に重ねて２つの可動位置マーカを表示させ、マーカ
信号の発生間隔からマーカ間の距離を算出するものであ
る。上記方式では、まず二次元走査による走査像を見な
がら測定音が測定したい位置にくるようにマーカの位置
を調節したのち、上記マーカ間隔と倍率とから距離を算
出する構成になっている。従来の走査電子顕微鏡では、
偏向器に加える走査信号と同期してブラウン管に走査信
号を加えて、二次電子信号の変化を表示することにより
二次電子像を得ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術では、バタン検査を行い設計バタンと異な
る欠陥があることが判明しても、二次電子信号量の大小
とバタンの凹凸は必ずしも一致しないので、その欠陥が
レジスト残り、エツチング残りであるのか、あるいは薄
膜が残っていて一部分だけがエツチングされているのか
等の区別をすることか難しい。これらは、膜厚、エツチ
ング時間等のプロセスデータがら類推して経験的に判断
を下していた。このため欠陥の原因解析やその対処に手
間がかかるという欠点があった。

また、あるバタンを観察する場合、観察バタンの形状が
あらかじめ判っているときには、に記形状から、どちら
がラインでどちらがスペースかを識別することが可能で
ある。しかし従来方法では。

現在観察している位置が設計バタンのどの場所に相当す
るのか判らない場合や、ラインとスペースの間隔がほぼ
等しい場合には、区別することができない、上記場合に
は、測定している加速電圧での二次電子信号量の大小だ
けでラインがスペースかを判断しなければならない。し
かし−に記二次電子信号量の大小は、照射時間等によっ
て変る場合や、材質による差がほとんどない場合もある
。このような時に、従来法では区別できないという欠点
があった。

［問題点を解決するための手段〕本発明は、従来欠陥検査に使われていた寸法測定装置、
走査電子顕微鏡すなわち電子ビームを走査させて照射す
る手段と、二次電子を検出する手段と、二次電子信号量
の走査信号に対する変化を検出する手段をもち、二次電
子信号像を表示する構成に加えて、電子ビームが照射さ
れたときに基板のチャージアップを抑制する電圧を印加
する手段と、上記抑制電圧の変化に対する二次電子信号
量の変化を検出する手段とを設け、電子デバイスの製造
途中でレジスＩ−や薄膜のエツチング残り等のバタンの
欠陥およびその原因を、検査することができる電子デバ
イスの試験方法および試験装置を得るようにしたもので
ある。

〔作用〕

上記構成による電子デバイス試験装置において、基板の
チャージアップを抑制し、荷電ビームを基板上で走査し
て二次電子検出を行い、場所による二次電子信号量の変
化を参照バタンデータと比較することにより、上記バタ
ンの欠陥個所を検出し、ついで上記欠陥個所の二次電子
信号量の基板電圧依存性を測定し、上記依存性をデータ
ベースに貯えられている二次電子信号量の基板電圧依存
性と比較し、上記欠陥個所の材料を特定する。上記試験
方法は、抑制電圧例えば基板電圧に対する二次電子信号
量が材料により特有の特性を持っていることを利用した
ものであるが、従来、上記特性を電子デバイスの検査に
用いるという考えはなかったものである。

〔実施例〕

つぎしこ本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図は本発明による電子デバイスの試験装置における
一実施例を示す構成図、第２図は上記試験装置の他の実
施例を示す構成図、第３図は基板電圧の効果を示し、（
ａ）は基板電圧Ｏｖ、（ｂ）は基板電圧９■の場合をそ
れぞれ示す図、第４図はチャージアップ防止に最適な基
板電圧を求めるフローチャーＩ−を示す図、第５図はバ
タン検出の工程を示す図で、（ａ）はバタン形状、（ｂ
）は二次電子（ａ分量の変化、（ｃ）は材質による基板
電圧依存性をそれぞれ示す図、第６図は二次′重子信号
量の基板電圧依存性の一例を示す図で、加速電圧を（ａ
）は０．７ｋＶ、　（ｂ）は０．８ｋＶ、　（ｃ）は０
．９ｋＶ、（ｄ）はｉｋＶとした場合をそれぞれ示す図
、第７図は二次電子信号量の基板電圧依存性の変化を示
す図で、（ａ）は５ｉｎ２上の孤立Ｍパタン、（ｂ）は
Ｓｉｏ２の抜きバタンかある場合をそれぞれ示す図、第
８図は規格化した二次電子信号量の基板電圧依存性を示
す図、第９図はウェハ上方に電極を設置して電極に逆バ
イアス電圧を印加する場合を示す構成図で、（ａ）は電
子光学鏡筒の下に電極を設けた場合、（ｂ）は電極の一
部がメツシュ状に形成されている場合をそれぞれ示す図
である。

第１図において、図示していない電子銃から発生した電
子ビーム１は、偏向電極２および対物レンズ３を経てス
テージ５上に装填された電子デバイスの基板４を照射す
る。６は上記基板４に電圧（基板電圧）を印加するため
の基板電圧電源である。上記基板電圧電源６は基板４の
チャージアップを抑制するために使われる。電子ビーム
１を照射することにより、上記基板４から発生した二次
を子を二次ｍ−Ｐ検出器７で検出し、増＠器８に入力す
る。電子ビーム１の照射は偏向電極２に加える電圧を変
化することによって基板４上を走査する。第１図には１
紹の偏向電極２しか図示していないが、Ｘ、Ｙの２方向
に偏向するために実際には２組の偏向Ｗ１極を用いる。

本実施例は基板電圧に対する二次電子信号量の変化をブ
ラウン管９に表示する装置構成例を示している。電子ビ
ーム］の走査信号は走査信号発生器１０で発生し、偏向
アンプ１１および倍率設定回路】２を介して偏向電極２
に加える。これと同時に、走査信号をドライブアンプ１
３を介してブラウン管９に入力している。ブラウン管９
のＸ軸入力は上記走査信号か、基板電圧かをスイッチで
切換えるようにしである。上記ブラウン管９はＸ−Ｙレ
コーダであってもよく、Ｘ軸に走査信号か基板電圧、Ｙ
軸に二次電子信号量（増幅器８の出力）を入力している
。

第２図は本発明による電子ビーム試験装置の他の実施例
図であり、制御計算機１４により基板電圧等を制御して
欠陥検査を行う装置構成例である。

二次電子検出器７の出力信号は増幅器８およびＡＤコン
バータ１５を介して制御計算機１４に入力している。ま
た制御計算機１４からＤＡコンバータ１６により基板電
圧を供給する構成になっている。また偏向電極２に加え
る偏向電圧はＤＡコンバータ１７および電源増幅器１８
を用いて設定するゆ１９は表示ｉ！置であり、走査信号
に対する二次電子信号量の変化、あるいは基板電圧に対
する二次電子信号量の変化を表示する。２０はデータベ
ースであり、種々の材質およびその組合わせ、加速電圧
１面積比に対して、二次電子信号量の加速電圧依存性が
メモリしである。上記データベース２０と実測のデータ
とを、後述するように比較して検査を行う。

またデータベース２０として、あらかじめ二次電子信号
量の基板電圧依存性を測定しておく場合、種種の材質お
よびその組合わせ、面積比、加速電圧をパラメータとし
ておくことが望ましい。

本発明の試験方法は概略つぎのような工程で行う。

（１）基板のチャージアップを制御する。

（２）電子ビームを基板上で走査させ、二次電子を検出
する。

（３）場所による二次電子信号量の変化と、該信号量の
変化に対応するデータと比較して欠陥個所を検出する３
さらに必要があれば以下の試験を行う。

（４）欠陥個所の二次電子信号量の基板電圧依存性と同
じ条件について、あらかじめデータベースにだくわえら
れている二次電子信号量の基板電圧依存性を比較する。

（５）欠陥個所の材料を特定する。

上記の基本工程に対して、二次電子信号量に代えて後述
するところの、基板電圧がＯｖの時のＳｉｎ、の二次電
子信号量を基準にして規格化した二次電子信号量比を用
いてもよい、上記の各工程について、さらに詳しく説明する。

試験を行うに際しては、まず最初に、基板をチャージア
ップが殆どない状態に設定しなければならない。チャー
ジアップを制御するにはつぎのようにする。一般に二次
電子放出比δは表面電位の関数になっており、表面電位
が高いと表面からの離脱確率が小さくなりδが小さくな
る。したがって基板電圧が高いとδは減少する。電子ビ
ーム１の照射により放出された二次電子あるいは反射電
子は１周囲の電界により二次電子検出器７に到達しない
で基板４の方へ戻ってしまうために、二次電子信号量が
小さくなる。この場合、基板４に捕えられる電子の量は
１表面型位が高い場所はど多くなる。このため表面電位
が高い場所はど電子が多く捕えられて表面電位がより多
く減少するとともに、基板４に捕えられる全電子の量が
多くなり、基板４面内の表面電位を均一化する効果が大
きくなる。したがって基板４の表面電位を全体的にあげ
ると、表面電位が均一化（チャージアップ抑制、コント
ラスト減少）する。また表面電位が高いと二次電子信号
量は二次電子が基板４に捕えられる分だけ減少するので
、相対的に反射電子の割合が増加する。このためチャー
ジアップ等の電位の影響が少ない像が得られる効果もあ
る。第３図は基板電圧の効果を示す図で、二次電子信号
波形の基板電圧による変化を示し上いる。ビーム電流２
．ｔ＆板雷電圧変化させて同一個所を測定し、５００人
のＳｉＯ２上の４庇パタンを２ｋＶで測定した例で、　
（ａ）が基板電圧Ｏｖ、（ｂ）が基板電圧９ｖの場合を
示している。第３３図（ａ）ではチャーシアツブが生じ
ているために、ビーム電流が小さい場合にも二次電子信
号量が場所によって変化し、一定になっていない。これ
に対しくｂ）ではビーム電流が大きい場合にもＡＭ、Ｓ
ｉｎ、部分の二次電子信号量がほぼ一定になっている。

また二次電子信号波形も台形になっており、バタン寸法
の測定の際に測定が容易になる。半導体、金属の基板表
面に絶縁膜がない場合には、基板４を装填するステージ
５に基板電圧を加えれば５表面型位がそのまま変化する
。また表面が絶縁膜で覆われている基板でも、基板電圧
を加えることで１表面型位を変化させることができる。

すなわち、ビームの照射により表面電位が変化すると、
絶縁膜内に電界を生じ、基板電圧が変ると容量結合によ
り絶縁膜内の電界を介して表面電位が変化する。このた
め表面が絶縁膜で覆われている基板に対しても、基板電
圧の変化によりチャージアップを抑制することができる
。

チャージアップを防止するのに最適な基板電圧を求める
フローチャートを第４図に示す。まず加速電圧を設定し
たのち、ステージ５を移動して位置調整を行う。その後
、ビームをオンし、二次電子信号波形（二次電子信号量
の走査信号に対する変化）を測定する。上記二次電子信
号波形から、配線部分と下地部分（ライン部分とスペー
ス部分）のエツジを検出する。ついでそれぞれのライン
、スペース部分の二次電子信号波形を、最小２乗法で二
次曲線または直線で近似する。すなわち、まず二次曲線
として５＝ａｘ”＋ｂｘ＋ｃと近似し、この時のａの絶
対値があらかじめ設定しておいたある値ａ。よりも小さ
ければ、直線Ｓ　＝　ｐ　ｘ　＋　ｑで近似する。上記
ａ０の値はラインやスペースの幅によって変る値である
。上記計算をライン、スペースのそれぞれ、あるいはチ
ャージアップが生じやすいことがあらかじめ判っている
材質の部分について行う。ここで直線で近似でき、かつ
その傾きｐが小さければチャージアップが生じていない
ことになる（チャージアップがなければｐ−０となる）
、この場合には、その時のＰまたは、−１をメモリする
。ｑ、ｂ、ｅは、チャージアップが生じているかどうか
をみる目的には必要ないが、二次電子イホ分量の材質に
よるコントラストの違いを検出し、コントラストを調整
する場合に用いることができる。上記繰返しを行い、ｌ
ａｌ、ｌｂｌの最小となるＶ［１を求めれば、その値が
最適値であるから上記最適値を基板電圧に設定する。

つぎに第５図（ａ）に示すようにバタンを検査する場合
を例にとって、上記の工程を説明する。

第５図（ａ）に示すバタンに、矢印の方向で電子ビーム
を照射するにの時得られる二次電子信号量の場所による
変化を第５図（ｂ）に示す。二次電子信号量の基板電圧
依存性は材質によって異なり、例えば第５図（ｃ）に示
す特性になる６基板電圧が上記の値に設定された場合（
例えばＶ＝Ｋ）には、ＡρとＳｉＯ２とでは放出される
二次ｆｉ−１′−信号量がそれぞれＳＡＱ、とＳ　５ｉ
Ｏｚのように異なる。したかって第５図（ａ）のように
本来Ａｆｌのパタン１００の他に、エツチング残りの小
さなＭＩＯＩがあると、その場所で二次電子信号量が変
化して第５図（ｂ）のような特性になる。

一方、パタンデータおよび材質、第５図（ｃ）に示す特
性から計算されて計算機にたくわλられている参照デー
タは、第５図（ｂ）の点線で示す特性を持っている。従
って第５図（ｂ）の実線と点線の特性を比較することに
より、第５図（ａ）のＡ＋１１０１が当初のパタンデー
タにはない欠陥であることが判定できる。さらに、上記
欠陥部分の二次電子信号量の大きさから、欠陥部分の材
料を特定することができる。

欠陥部分の材料の特定が第５図（ｂ）の点線の値だけで
は十分でない場合には、上記部分の二次電子信号量の基
板電圧依存性を利用することにより、より精度よく特定
することができる。

つぎに材料による特性の違いの具体例を第６図に示す。

第６図は二次電子信号量の基板電圧依存性の一例を示し
た図であり、厚さ３００人のＳ　ｊ、　Ｏｚ上のＡＺレ
ジス１ヘパタンｋ　ｉｔＭ定している。・印の実線がＳ
ｉＯ□、ム印の破線が上記１ノジストを表オ）している
。加速電圧は、（ａ）が０．７ｋＬ　　（ｂ　）が０．
８ｋＶ、　　（Ｃ”）が０．９ｋＶ、　（（１）が］−
ｋＶテ、同一パタンを同一倍率で測定している。なおこ
こでは、レジストの領域は全体のほぼ５５％である。ま
ｒ、加速電圧が０．７にνの場合には、二次′重子信号
量は５ｉｎ２の方がレジストよりも大きく、基板電圧を
増すとＳ　ｉｏ２、レジストともに二次型ｒ信号猷は減
少するが、大小関係は逆転していない。また加速電圧が
１ｋＶの場合には、ニー次電イ信号量はＳ　ｉ　Ｏｚの
方がレジストよりも小さいが、やはり基板電圧の増加に
対して二次電子信号量の大小の逆転は生じていない。」
；記の場合に対して、加速電圧が０６８ｋＶおよび０．
９ｋＶの場合には、基板電圧がＯＶのときレジス１−の
方が二次電子信号・量Ｓが大きく、基板電圧の増加にと
もなって二次電子信号量は減少してくる。これに対して
Ｓ　ｉ　Ｏ、の二次電子信号量も基板電圧の増加にとも
なって減少Ｌ・ているが、その変化は小さい。このため
、二次電子信号量の大小関係が基板電圧６ｖ付近で逆転
している。このことは、Ｓｉｎ、とレジストとでは、基
板電圧の効果の受けやすさが異なることによると考えら
れる。このように二次電子信号量の基板電圧依存性は、
材質の違いを反映しており、前記したように材質の違い
を検出するのに用いることができる。

また、材料を特定する際には以下のようにしてもよい。

上記二次電子信号量の大きさが反転する基板電圧の大き
さは、照射時間に依存し、照射時間とともに増加して徐
々に飽和する傾向にある。

これはレジスト部分の二次電子信号量の増加が、ＳｉＯ
□部分よりも大きいためである。したがって。

二次電子信号量の時間変化、あるいは二次電子信号量が
反転する基板′電圧の時間変化を測定し、上記変化を従
来データと比較することにより材質の違いを検出するこ
とができる。上記測定に用いる装置構成は第２図に示し
たものでよく、ビーム照射後に、−次電子信号量の値を
計算機に逐次読み込んでいけばよい。

つぎに２Ｌ記した材料による特性の違いを利用した一実
施例を記す。パタンを観察し、どちらがラインかスペー
スかを区別するには、本発明に記載した試験方法、すな
わち二次電子信号量のｔル板電圧に対する変化の割合（
その基板電圧依存性）を、データベースにあるデータと
比較する方法を用いればよい。例えば、Ｓｉｏ２上のＬ
／レジスト場合を例にとると、ラインかスペースかの区
別、すなわち５ｉｎ２かレジストかの区別がつかない場
合に、二次電子信号量の基板電圧依存性をＭｌ’ｌ定す
る。第５図から明らかなように、二次電子信号量の変化
はＳｉＯ□よりもレジストの方が大きいので、二次電子
信号量の基板電圧に対する変化の割合が大きい方がレジ
ストであることが判る。加速電圧は、あらかじめ材（ば
か判っていｈ　ｌ；ｊ’　ＩＱ定しやすい加速電圧を用
いればよく、Ｓｉｏ２上のレジストの場合には０．８な
いし０．９ｋＶ付近の加速電圧ならば二次４工子信号量
の逆転がおこるので測定しやすい。しかし、必ずしも二
次電子信号量の逆転がおこる加速電圧である必要はない
（逆転がおこらない場合は、変化の割合が大きい加速電
圧を選ぶ）。

また、電子デバイスのバタンの欠陥検査等を上記のよう
に行っている際には、バタンの面積比にも注意しなくて
はならない。つまり、二次電子信号量の基板電圧依存性
は、材質、加速電圧等が同じでもその面積比によって変
ってくる。第７図は５ｉｎ２上のＭで、同一バタンを白
黒反転した場合、すなわち孤立バタンか抜きバタンかの
違いによって、二次電子信号量の基板電圧依存性が変化
することを示した図である。（ａ）はＳｉＯ□上に孤立
の晟パタンかある場合、（ｂ）は５ｕｎ２の抜きバタン
かある場合であり、斜線で示した部分がＡＥＩになって
いる。測定の加速電圧は２ｋＶであり、・印の実線が５
ｉｎ２．ム印の破線がＵを表わしている。

（ａ）の方が（ｂ）に比べて基板電圧が低い領域におい
て二次電子信号量を急激に変化している。

（ｂ）の方が二次電子信号量の変化が全体的にゆるやか
である。これは以下のように解釈できる。

ここでは薄いＳｉｏ、上にＡＱが形成されており、基板
電圧の効果はＳｕｎ、の部分に生じやすい。上記Ｓｕｎ
、部分の面積は、（ａ）の場合にはおよそ９４％、（ｂ
）の場合にはおよそ８％である。このため、基板電圧を
同じたけ変化させても、（ａ　）の方が表面電位の変化
する部分が多くなる。したがって（ａ）では基板電圧に
対して二次電子信号量が変化しやすい。一方（１〕）で
は、基板電圧を変化させた効果が表面にあられれにくい
ので、基板電圧を変化させても二次電子信号量の変化は
少ない。なお、ここでは二次電子信号量の基板電圧依存
性を測定する際に、基板電圧を変化させて二次電子信号
波形を測定し、上記波形からそれぞれの二次電子信号量
を検出している。し２かし、各基板電圧に対して二次電
子信号波形を測定しなくても、ライン、スペースそれぞ
れの部分を点照射しながら基板電圧を変化させてもよい
。

上記実施例中の二次電子信号量は、規格化されたものを
用いているが、必ず規格化しなくてもよい。しかし、本
実施例の規格化の理由と方法とをつぎに記す。二次電子
信号量はビーム電流に伴って変化するので、二次電子信
号量に基板電圧依存性を表わす場合、ビーム電流がパラ
メータになる。

したがってビーム電流によらない二次電子信号量−基板
電圧特性を利用することが検査上望ましい。

ある材質の、ある基板電圧の時の値で、二次電子信号量
を規格化すると、二次電子信号量の基板電圧依存性はビ
ーム電流にほとんどよらない曲線になるので、これを欠
陥原因検査に用いるのがよい。

規格化の仕方は、二次電子信号波形（二次電子信号量の
走査信号に対する変化）を測定し、基板の中にある配線
に着目して基板電圧を変化させ、その部分における二次
電子信号量の基板電圧依存性を測定し、基板電圧が０■
の時のＳｉＯ□の二次電子信号量を基準に規格化する。

第６図、第８図の二次電子信号量も上記のように規格化
している。

第８図は規格化した二次電子信号量の基板電圧依存性を
示した図である。ビーム電流は大きい方から、実線、破
線、一点鎖線の３水準の場合をそれぞれ示している。上
記第８図から規格化した場合には、ビーム電流による差
は殆どないことが判る。

上記実施例は、ウェハ周辺の電界を変えることによって
ウェハに捕えられる二次電子信号量を変化させるために
、ステージもしくは基板に電圧を印加している。しかし
、ステージもしくは基板をグランドレベルに接地し、ウ
ェハの上方に電極を設置して該電極に逆のバイアス電圧
を印加してもよい。第９図はその例を示した図であり、
第２図と同じ番号のものは同じものを示している。（ａ
）は電子光学鏡筒の下に、絶縁物２１を介して電極２２
を設置し、該電極２２にバイアス電圧を加える構成であ
る。（ｂ）は電極２２の一部、すなわち電極２２の二次
電子検出器７の方向がメツシュ状に形成されている。上
記電極２２にＤＡコンバータ１６によって、計算機１４
から電圧を供給する。また二次電子信号量はＡＤコンバ
ータ１５により計算機１４に読み込む装置構成である。

なお、ウェハ４の直上にメツシュ電極を設けて電極電位
を変化させること、あるいは、ステージ５もしくは基板
４はグランドレベルに接地し、電子ビームの鏡筒の電位
を、−１０〜ＩＯＶ程度浮かせることによっても、同じ
効果が得られることはもちろんである。

上記実施例は電子ビームの走査について記したが、イオ
ンビーム等を含めた荷電ビームについても同様のことが
いえる。

〔発明の効果〕

上記のように本発明による電子デバイスの試験方法およ
び試験装置は、荷電ビームを照射する手段と、二次電子
検出器とを有する電子デバイスの試験方法および試験装
置において、被測定デバイスを装填する試料台またはデ
バイスの基板自体に電圧（基板電圧）を加え、上記基板
電圧の変化に対する二次電子信号量の変化を測定し、試
料材質。

面積比、加速電圧をパラメータとする二次電子信号量の
基板電圧依存性のデータベースとを比較することによっ
て、電子デバイスの製造途中で、レジストや薄膜のエツ
チング残り等のバタの欠陥およびその原因を検出し、必
要があれば上記欠陥付近の材料を決定することが可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電子デバイスの試験装置における
一実施例を示す構成図、第２図は上記試験装置の他の実
施例を示す構成図、第３図は基板電圧の効果を示し、（
ａ）は基板電圧ｏ■、（１））は基板電圧９■の場合を
それぞれ示す図、第４図はチャージアップ防止にＲ適な
基板電圧を求めるフローチャートを示す図、第５図はバ
タン検出の工程を示す図で、（ａ）はバタン形状、（ｂ
）は二次電子信号量の変化、（ｃ）は材質による基板電
圧依存性をそれぞれ示す図、第６図は二次電子信号量の
基板電圧依存性の一例を示す図で、加速電圧を（ａ）は
０．７ｋＶ、　　（ｂ　）は０，８ｋＶ、　（ｅ）は０
．９ｋＶ、（ｄ）は１にνとした場合をそれぞれ示す図
、第７図は二次電子信号量の基板電圧依存性の変化を示
す図で、（ａ）は５ｊＯ２上の孤立ＡＱバタン、（ｂ）
はＳｉｏ２の抜きバタンかある場合をそれぞれ示す図、
第８図は規格化した二次電子信号量の基板電圧依存性を
示す図、第９図は基板上方に電極を設置して電極に逆バ
イアス電圧を印加する場合を示す構成図で、（ａ）は電
子光学鏡筒の下に電極を設けた場合、（ｂ）は電極の一
部がメツシュ状に形成されている場合をそれぞれ示す図
である。１・・荷電ビーム　　　　４・・・基板５・・・ステー
ジ　　　　　６・・・基板電圧電源７・・・二次電子検
出器　　９・・・ブラウン管１４・・・制御計算機　　
　　１５・・・ＡＤコンバータ１６・・・ＤＡコンバー
タ　　１９・・・表示装置２０・・・データベース　　
　２２・・・電極特許出願人　日本電信電話株式会社代理人弁理士　　中　村　純之助ヤ　１　図矛２　図Ａ２２：１リタ牙３図（Ｑ）（ｂ）ム矛４図才５国蟇桟ｉ■Ｖ）一１ｌ＝６図（ａ）　　　　　　　　　　（Ｃ）（ｂ）　　　　　　　　　（ｄ）茎籾電７Ｅ　（Ｖ）基縁電圧　ＣＶ）１Ｐ８西

Claims

【特許請求の範囲】

（１）荷電ビームを照射する手段と、二次電子検出器と
を有する電子デバイスの試験方法において、被測定デバ
イスを装填するステージまたはデバイスの基板自体に電
圧（基板電圧）を加え、上記基板電圧の変化に対する二
次電子信号量の変化を測定し、試料材質、面積比、加速
電圧をパラメータとする二次電子信号量の基板電圧依存
性のデータベースと比較することを特徴とする電子デバ
イスの試験方法。
（２）荷電ビームを照射する手段と、二次電子検出器と
を有する電子デバイスの試験装置において、被測定デバ
イスを装填するステージまたはデバイスの基板自体に電
圧を加える電源と、上記ステージまたはデバイスの基板
に加える電圧（基板電圧）の変化に対する二次電子信号
量の変化を測定する装置とを有することを特徴とする電
子デバイスの試験装置。
（３）上記ステージまたはデバイスの基板自体に電圧を
加える電源は、上記ステージもしくは基板をグランドレ
ベルに接地し、上記基板の上方に設けた電極に逆バイア
スを印加する電源であることを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載した電子デバイスの試験装置。