JPS62109976A - 立方晶窒化ホウ素被覆部材 - Google Patents
立方晶窒化ホウ素被覆部材Info
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- JPS62109976A JPS62109976A JP25040985A JP25040985A JPS62109976A JP S62109976 A JPS62109976 A JP S62109976A JP 25040985 A JP25040985 A JP 25040985A JP 25040985 A JP25040985 A JP 25040985A JP S62109976 A JPS62109976 A JP S62109976A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、切削工具又は耐摩耗工具などの工具部品及び
半導体基板などの電子機器用部品として利用できるｔ重
病窒化ホウ素被覆部材に関するものである。
半導体基板などの電子機器用部品として利用できるｔ重
病窒化ホウ素被覆部材に関するものである。
（従来の技術）
立方晶窒化ホウ素は、ダイヤモンドに次ぐ高硬度性、高
熱伝導性及び高゛１［気絶縁性を有し、しかもダイヤモ
ンドよりもすぐれた化学的安定性、耐酸化性、耐熱性及
び＃熱的衝撃性を有している。
熱伝導性及び高゛１［気絶縁性を有し、しかもダイヤモ
ンドよりもすぐれた化学的安定性、耐酸化性、耐熱性及
び＃熱的衝撃性を有している。
また、ダイヤモンドは、鉄族金属との親和性が高いのに
対して立方晶窒化ホウ素は、鉄族金属との親和性が低い
ことから、例えば鉄族金属材料を切削又は研削するため
の工具材料として注目されている。このように、立方晶
窒化ホウ素は、すぐれた特性を有しているが、脆性材料
であり、しかも難焼結性材料であることから形状及び用
途に制約を受けている。
対して立方晶窒化ホウ素は、鉄族金属との親和性が低い
ことから、例えば鉄族金属材料を切削又は研削するため
の工具材料として注目されている。このように、立方晶
窒化ホウ素は、すぐれた特性を有しているが、脆性材料
であり、しかも難焼結性材料であることから形状及び用
途に制約を受けている。
そこで、立方晶窒化ホウ素を被覆層として基体の表面に
形成してなる被覆部材によって形状及び用途の制約を解
決しようという試みがなされている。その代表例として
、立方晶窒化ホウ素の被覆層を窒化ケイ素焼結体の基体
の表面に直接形成させてなる被覆部材が特開昭５７−９
５８８１号公報に開示されている。
形成してなる被覆部材によって形状及び用途の制約を解
決しようという試みがなされている。その代表例として
、立方晶窒化ホウ素の被覆層を窒化ケイ素焼結体の基体
の表面に直接形成させてなる被覆部材が特開昭５７−９
５８８１号公報に開示されている。
（発明が解決しようとする問題点）
特開昭５７−９５８８１号公報に開示の被覆部材は、次
のような問題がある。窒化ケイ素焼結体は、焼結を促進
させるために、例えば Ａ１２０３ 、ＭｇＯ、Ｙ２０３ ｆＺど０）、主ト
シテ金属酸化物からなる焼結助剤を含有している。この
ように焼結助剤を含有した窒化ケイ素焼結体の基体の表
面に直接立方晶窒化ホウ素からなる被覆層を形成させて
なる被覆部材は、基体の表面にも焼結助剤が存在し、こ
の焼結助剤が六方晶窒化ホウ素又は非晶質窒化ホウ素な
どの窒化ホウ素の立方晶窒化ホウ素への転換を阻害し、
又、基体と被覆層との付着性を低下させるという問題が
ある。
のような問題がある。窒化ケイ素焼結体は、焼結を促進
させるために、例えば Ａ１２０３ 、ＭｇＯ、Ｙ２０３ ｆＺど０）、主ト
シテ金属酸化物からなる焼結助剤を含有している。この
ように焼結助剤を含有した窒化ケイ素焼結体の基体の表
面に直接立方晶窒化ホウ素からなる被覆層を形成させて
なる被覆部材は、基体の表面にも焼結助剤が存在し、こ
の焼結助剤が六方晶窒化ホウ素又は非晶質窒化ホウ素な
どの窒化ホウ素の立方晶窒化ホウ素への転換を阻害し、
又、基体と被覆層との付着性を低下させるという問題が
ある。
本発明は、と述のような問題点を解決したもので、具体
的には、基体と立方晶窒化ホウ素からなる外層との間に
窒化ホウ素の立方晶窒化ホウ素への転換を促進させる効
果があり、しかも高温での安定性及び外層との付着性に
すぐれた中間層を介在させてなる立方晶窒化ホウ素被覆
部材の提供を目的とするものである。
的には、基体と立方晶窒化ホウ素からなる外層との間に
窒化ホウ素の立方晶窒化ホウ素への転換を促進させる効
果があり、しかも高温での安定性及び外層との付着性に
すぐれた中間層を介在させてなる立方晶窒化ホウ素被覆
部材の提供を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
基体の表面に立方晶窒化ホウ素からなる被覆層が形成さ
れる場合は、２つの形態があり、第１の形態は、立方晶
窒化ホウ素が合成されて、その立方晶窒化ホウ素が被覆
層として基体の表面に付着形成される場合であり、第２
の形態は、非晶質窒化ホウ素又は六方晶窒化ホウ素など
の窒化ホウ素が基体の表面に被覆層として付着形成され
ると同時又は被覆層として形成された後に、窒化ホウ素
が立方晶窒化ホウ素に転換する場合である。この内、第
１の形態に対しては、立方晶窒化ホウ素の付着しやすい
物質が必要であり、第２の形ｆ８に対しては、窒化ホウ
素の立方晶窒化ホウ素への転換にすぐれる物質が必要で
ある０本発明者は、この第１の形態と第２の形態に対し
て必要な物質及び工具部品などのらデ酷な用途に耐える
ことがでｊる物質について検討した所、酸素又は酸素含
有化合物は、第１の形態及び第２の形態に対して最も障
害になること、並びに炭素及び炭素含有化合物も第１の
形態及び第２の形態に対して好ましくないということか
ら、更に検討した結果、ケイ素、ケイ素アルミニウム合
金、ケイ素窒化物又はケイ素アルミニウム窒化物がＪ：
述の第１の形態及び第２の形態などに対して満足させる
ことができるという知見を得るに至り、本発明を完成し
たものである。
れる場合は、２つの形態があり、第１の形態は、立方晶
窒化ホウ素が合成されて、その立方晶窒化ホウ素が被覆
層として基体の表面に付着形成される場合であり、第２
の形態は、非晶質窒化ホウ素又は六方晶窒化ホウ素など
の窒化ホウ素が基体の表面に被覆層として付着形成され
ると同時又は被覆層として形成された後に、窒化ホウ素
が立方晶窒化ホウ素に転換する場合である。この内、第
１の形態に対しては、立方晶窒化ホウ素の付着しやすい
物質が必要であり、第２の形ｆ８に対しては、窒化ホウ
素の立方晶窒化ホウ素への転換にすぐれる物質が必要で
ある０本発明者は、この第１の形態と第２の形態に対し
て必要な物質及び工具部品などのらデ酷な用途に耐える
ことがでｊる物質について検討した所、酸素又は酸素含
有化合物は、第１の形態及び第２の形態に対して最も障
害になること、並びに炭素及び炭素含有化合物も第１の
形態及び第２の形態に対して好ましくないということか
ら、更に検討した結果、ケイ素、ケイ素アルミニウム合
金、ケイ素窒化物又はケイ素アルミニウム窒化物がＪ：
述の第１の形態及び第２の形態などに対して満足させる
ことができるという知見を得るに至り、本発明を完成し
たものである。
すなわち、本発明の立方晶窒化ホウ素被覆部材は、基体
の表面に立方晶窒化ホウ素を主成分とする外層を形成し
てなる被Ｗ１部材において、前記基体と前記外層との間
に１層又は多層で構成される中間層を介在させ、前記外
層に隣接する該中間層がケイ素、ケイ素アルミニウム合
金、ケイ素アルミニウム窒化物又はケイ素窒化物の中の
少なくとも１種からなるケイ素含有物層によって形成さ
れていることを特徴とするものである。
の表面に立方晶窒化ホウ素を主成分とする外層を形成し
てなる被Ｗ１部材において、前記基体と前記外層との間
に１層又は多層で構成される中間層を介在させ、前記外
層に隣接する該中間層がケイ素、ケイ素アルミニウム合
金、ケイ素アルミニウム窒化物又はケイ素窒化物の中の
少なくとも１種からなるケイ素含有物層によって形成さ
れていることを特徴とするものである。
ここで用いる基体は、後述する製造条件に耐えることが
回部な材種ならば特別に制限されるものでなく、例えば
各種の全屈９合金、焼結ハイス。
回部な材種ならば特別に制限されるものでなく、例えば
各種の全屈９合金、焼結ハイス。
超硬合金、サーメット又はセラミックスなどを用途によ
って使い分けることができる。
って使い分けることができる。
立方晶窒化ホウ素を１成分とする外層は、μｍ屯位の薄
膜状の層からａｍ単位の厚膜状の層として形成すること
ができる。この外層の成分は、立方晶窒化ホウ素又は立
方品窄化ホウ素の他にＦｅ。
膜状の層からａｍ単位の厚膜状の層として形成すること
ができる。この外層の成分は、立方晶窒化ホウ素又は立
方品窄化ホウ素の他にＦｅ。
Ｎｉ、Ｃｏ、Ａ文、Ｓｉ及び周期律表４ａ。
５ａ、６ａ族金属もしくはＡｎ 、 Ｓ ｉの窒化物あ
るいは周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、窒化
物、ホウ化物及びこれらの相互固溶体の中の少なくとも
１種の結合相を含有させたものにすることができる。こ
の内、立方晶窒化ホウ素からなる外層の場合は、立方晶
窒化ホウ素が脆性材料であることから０．１ｇｍ以北〜
１５ルｍ以丁の層厚１好ましくは０．５μｍ以１．−ｔ
ｏ鉢ｍ以下の層厚でなる薄膜状にするのがよく、ケ重病
窒化ホウＭの他に結合相を含有した外層の場合は、０．
０５ｍ■以と〜０．８一層以下の層厚でなるＩγ脱膜状
することもできる。
るいは周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、窒化
物、ホウ化物及びこれらの相互固溶体の中の少なくとも
１種の結合相を含有させたものにすることができる。こ
の内、立方晶窒化ホウ素からなる外層の場合は、立方晶
窒化ホウ素が脆性材料であることから０．１ｇｍ以北〜
１５ルｍ以丁の層厚１好ましくは０．５μｍ以１．−ｔ
ｏ鉢ｍ以下の層厚でなる薄膜状にするのがよく、ケ重病
窒化ホウＭの他に結合相を含有した外層の場合は、０．
０５ｍ■以と〜０．８一層以下の層厚でなるＩγ脱膜状
することもできる。
これらの基体と外層との間に介在させる中間層は、使用
する基体の材種又は本発明の被覆部材の用途もしくは形
状によって各種の４１！成にすることができる。
する基体の材種又は本発明の被覆部材の用途もしくは形
状によって各種の４１！成にすることができる。
例えば、第１の構成としては、中間層がケイ素、ケイ素
アルミニウム合金、ケイ未アルミニウム窒化物又はケイ
累窒化物の中の少なくとも１種のケイ素含有物層からな
るものである。この場合は、基体と外層との間にケイ素
含有物層が介在しているもので、ケイ素含有物層との付
着性にすぐれている１５体、例えばＡｆＬＮ系セラミッ
クス。
アルミニウム合金、ケイ未アルミニウム窒化物又はケイ
累窒化物の中の少なくとも１種のケイ素含有物層からな
るものである。この場合は、基体と外層との間にケイ素
含有物層が介在しているもので、ケイ素含有物層との付
着性にすぐれている１５体、例えばＡｆＬＮ系セラミッ
クス。
Ａ！Ｑ２０］系セラミックス、ＳｉＣ系セラミックス又
はサイアロンを含めたＳｉ３Ｎ＋系セラミ。
はサイアロンを含めたＳｉ３Ｎ＋系セラミ。
クスなどの基体に適用すると外層のすぐれた特性を発揮
することができる。
することができる。
第２の構成としては、中間層がケイ素含有物層と酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムの
中の少なくとも１種の第１″ｆＦ：４補助層とからなる
ものである。この場合は、基体と外層との間に第１ｆｉ
着補助層とケイ素含有物層が介在し、基体に第１ｇ着補
助層が隣接し、外層にケイ素含有物層が隣接しているも
ので、第１密着補助層との付着性にすぐれている基体
例えばＺｒ０ｐ系セラミツクス、ＴｉＣ系セラミックス
又は各種のセラミックスからなる基体に適用すると外層
のすぐれた特性を発揮することがで５るものである。
ルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムの
中の少なくとも１種の第１″ｆＦ：４補助層とからなる
ものである。この場合は、基体と外層との間に第１ｆｉ
着補助層とケイ素含有物層が介在し、基体に第１ｇ着補
助層が隣接し、外層にケイ素含有物層が隣接しているも
ので、第１密着補助層との付着性にすぐれている基体
例えばＺｒ０ｐ系セラミツクス、ＴｉＣ系セラミックス
又は各種のセラミックスからなる基体に適用すると外層
のすぐれた特性を発揮することがで５るものである。
第３の構成としては、中間層がケイ素含有物層と第１密
着補助層と周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、
窒化物、酸化物及びこれらの相ｑ固溶体の中の少なくと
も１種の第２ｖ：４補助層とからなるものである。この
場合は、基体と外層との間に：５２密着補助層と第１宅
看補助層とケイ素含有物層が介在し、基体に第２密着補
助層が隣接し、外層にケイ素含有物層が隣接し、第２密
着補助層とケイ、ド含有物層との間に第１密着補助層が
介在しているもので、第２密着補助層との付着性にすぐ
れているノ＾体、例えば各種の金属又はステルス、高速
度鋼などの［具鋼を含めた各種合金、焼結ハイス、８硬
合金、サーメットなどの基体に適用すると外層のすぐれ
た特性を発揮することができるものである。
着補助層と周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属の炭化物、
窒化物、酸化物及びこれらの相ｑ固溶体の中の少なくと
も１種の第２ｖ：４補助層とからなるものである。この
場合は、基体と外層との間に：５２密着補助層と第１宅
看補助層とケイ素含有物層が介在し、基体に第２密着補
助層が隣接し、外層にケイ素含有物層が隣接し、第２密
着補助層とケイ、ド含有物層との間に第１密着補助層が
介在しているもので、第２密着補助層との付着性にすぐ
れているノ＾体、例えば各種の金属又はステルス、高速
度鋼などの［具鋼を含めた各種合金、焼結ハイス、８硬
合金、サーメットなどの基体に適用すると外層のすぐれ
た特性を発揮することができるものである。
その他の中間層の構成としては、例えば＋ｉ？ｉ述した
第３の構成で、更に基体と第２密着補助層との間に金属
又は合金でなる層の介在したもの、又は中間層をケイ素
含有物層と第２密着補助層との組合わせにすることもで
きる。
第３の構成で、更に基体と第２密着補助層との間に金属
又は合金でなる層の介在したもの、又は中間層をケイ素
含有物層と第２密着補助層との組合わせにすることもで
きる。
Ｌ述の如く、中間層は、１層ヌは多層からなる構成にす
ることかで５るが、外層に隣接する中間層は、立方晶窒
化ホウ素との付着性にすぐれるのと、窒化ホウ素のケ重
病窄化ホウ、村への転換作／ＦＪが高いのと、強度及び
化学的安定性にすぐれているということからケイ素含有
物層にすることを特徴とするものである。
ることかで５るが、外層に隣接する中間層は、立方晶窒
化ホウ素との付着性にすぐれるのと、窒化ホウ素のケ重
病窄化ホウ、村への転換作／ＦＪが高いのと、強度及び
化学的安定性にすぐれているということからケイ素含有
物層にすることを特徴とするものである。
これらの中間層を具体的に示すと、ケイ素含有物層とし
ては、例えばＳｉ、５ｉ−Ａ１２合金。
ては、例えばＳｉ、５ｉ−Ａ１２合金。
（Ｓｉ、Ａ党）Ｎ、Ｓｉ：Ｎａ があり、第１′占着補
助層としては１例えばＡ立・０〕、Ａ・・ＱＮ。
助層としては１例えばＡ立・０〕、Ａ・・ＱＮ。
Ａ文（Ｎ 、 Ｏ）があり、第２密着補助層としては、
例えばＴ ｉ Ｃ、Ｚ ｒ Ｃ、Ｈｆ Ｃ、Ｖ Ｃ。
例えばＴ ｉ Ｃ、Ｚ ｒ Ｃ、Ｈｆ Ｃ、Ｖ Ｃ。
ＴａＣ１ＮｂＣ，Ｃｒ３Ｃ７、Ｃｒ７ Ｃ３。
ＭＱ７ Ｃ，ＷＣ，ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＶＮ。
ＴａＮ、ＣｒＮ、Ｔｉｅ、ＴｉＣ２、ＺｒＣ１。
Ｔａ、＋ ０５ 、Ｔｉ （Ｎ、Ｃ）。
（Ｔｉ−Ｔａ）Ｃ，（Ｔｉ拳Ｗ）Ｃ。
Ｔｉ （Ｎ、Ｏ）、Ｔｉ （Ｃ，Ｎ、Ｏ）。
（Ｔｉ・Ｔａ−Ｗ）Ｃ，などを挙げることができる。こ
れらの中間層は、化学Ｈ，を論的化合物のみでなく、非
化学品論的化合物として形成されることもあり、非化学
ｒ１１論的化合物の中でも金属光、Ｅに対して非金Ｊ１
元、ドの比か少なくなった亜化学埴扁重化合物として形
成されていることもある。
れらの中間層は、化学Ｈ，を論的化合物のみでなく、非
化学品論的化合物として形成されることもあり、非化学
ｒ１１論的化合物の中でも金属光、Ｅに対して非金Ｊ１
元、ドの比か少なくなった亜化学埴扁重化合物として形
成されていることもある。
本発明の立方晶窒化ホウ素被覆部材は１次のような方法
によって製造することができる。まず、基体は、板状体
、塊状体、粉末状又は粉末圧粉体状として用いることが
できる。この内、板状体又は塊状体として用いる場合は
、必要に応じて基体の表面を研摩、洗浄及び乾燥などを
行なうと基体と中間層との付着性がすぐれることから好
ましいことである。
によって製造することができる。まず、基体は、板状体
、塊状体、粉末状又は粉末圧粉体状として用いることが
できる。この内、板状体又は塊状体として用いる場合は
、必要に応じて基体の表面を研摩、洗浄及び乾燥などを
行なうと基体と中間層との付着性がすぐれることから好
ましいことである。
、＋１（体の表面に中間層を設ける方法は、ＣＶＤ法、
ＰＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法による方法。
ＰＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法による方法。
金属を７４看した後浸炭や窒化処理して金属化合物の中
間層とする方法、スプレー、刷毛塗りなどで粉末状とし
て設ける方法１ もしくは加圧成形によって粉末圧粉体
として設ける方法がある。また、）、（体と中間層との
付着性を高めるために、基体の表面に金属又は合金から
なる層を設ける必要がある場合には、蒸若、イオンブレ
ーティング又はスバ、ターのようなＰＶＤ法の他にメッ
キによっても形成することができる。
間層とする方法、スプレー、刷毛塗りなどで粉末状とし
て設ける方法１ もしくは加圧成形によって粉末圧粉体
として設ける方法がある。また、）、（体と中間層との
付着性を高めるために、基体の表面に金属又は合金から
なる層を設ける必要がある場合には、蒸若、イオンブレ
ーティング又はスバ、ターのようなＰＶＤ法の他にメッ
キによっても形成することができる。
外層の形成方法は、ＰＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法の他
に粉末状、粉末圧粉体状もしくはＣＶＤ法、ＰＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法などによって窒化ホウ素を中間層の表
面に形成した後、立方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条
件によって処理して立方晶窒化ホウ素を主体とする外層
にすることができる。さらに、本発明の被覆部材の製造
方法について具体的に説明すると、第１の方法は、基体
が、例えば線引量、圧延品、鋳造品、鍛造品又は焼結晶
からなる板状体もしくは塊状体である場合、基体の表面
を研摩、洗浄及び乾燥後、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法又はプラ
ズマＣＶＤ法によって中間層を設ける。次いで、高エネ
ルギーを発生し得るＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法又はレ
ーザ蒸着法などの反応容器内に設置して、中間層の表面
に０．０５用ｍ〜２０ＳＬｍ程度の薄膜状の外層を形成
する方法である。
に粉末状、粉末圧粉体状もしくはＣＶＤ法、ＰＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法などによって窒化ホウ素を中間層の表
面に形成した後、立方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条
件によって処理して立方晶窒化ホウ素を主体とする外層
にすることができる。さらに、本発明の被覆部材の製造
方法について具体的に説明すると、第１の方法は、基体
が、例えば線引量、圧延品、鋳造品、鍛造品又は焼結晶
からなる板状体もしくは塊状体である場合、基体の表面
を研摩、洗浄及び乾燥後、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法又はプラ
ズマＣＶＤ法によって中間層を設ける。次いで、高エネ
ルギーを発生し得るＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法又はレ
ーザ蒸着法などの反応容器内に設置して、中間層の表面
に０．０５用ｍ〜２０ＳＬｍ程度の薄膜状の外層を形成
する方法である。
第２の方法は、第１の方法で用いたと同様の基体の表面
に第１の方法と同様にして中間層を形成した後、中間層
の表面にＣＶＤ法、ＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法又はレ
ーザ薄石法によって外層を形成するための、例えば非晶
質窒化ホウ素又は六万品窒化ホウ素からなる薄膜を形成
し１次いでベルト型又はカートル型などの高圧高ｌ！！
装置に設置して父重病窒化ホウ素の安定な高圧高温条件
下で処理する方法である。
に第１の方法と同様にして中間層を形成した後、中間層
の表面にＣＶＤ法、ＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法又はレ
ーザ薄石法によって外層を形成するための、例えば非晶
質窒化ホウ素又は六万品窒化ホウ素からなる薄膜を形成
し１次いでベルト型又はカートル型などの高圧高ｌ！！
装置に設置して父重病窒化ホウ素の安定な高圧高温条件
下で処理する方法である。
第３のり１法は、第１の方法で用いたと同様の基体の表
面に第１の方法と同様にして中間層を形成した後１例え
ば０．０５＋ｓ＋ｓ〜０．８霧■程度の厚膜状の外層を
形成する目的で、中間層の表面に外層を形成するための
粉末状又は粉末圧粉体状のものを設け、次いで高圧高温
装置に設こして嶽方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条件
ドで処理する方法である。このとき、厚膜状の外層にす
る場合は、窒化ホウＭの他に窒化ホウ素のゲ重病窒化ホ
ウ素への転換のための触媒作用となる、例えば窒化アル
ミニウムなどを含有させておくと 層好ましいことであ
る。
面に第１の方法と同様にして中間層を形成した後１例え
ば０．０５＋ｓ＋ｓ〜０．８霧■程度の厚膜状の外層を
形成する目的で、中間層の表面に外層を形成するための
粉末状又は粉末圧粉体状のものを設け、次いで高圧高温
装置に設こして嶽方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条件
ドで処理する方法である。このとき、厚膜状の外層にす
る場合は、窒化ホウＭの他に窒化ホウ素のゲ重病窒化ホ
ウ素への転換のための触媒作用となる、例えば窒化アル
ミニウムなどを含有させておくと 層好ましいことであ
る。
第４の方法は、第１の方法で用いたと同様の基体の表面
に粉末状、粉末圧粉体状又は板状体でなる中間層を設け
た後、この中間層の表面に外層を形成するための粉末状
又は粉末圧粉体状のものを設け、次いで高圧高温装置に
設置してケ重病窒化ホウ素の安定な１り５圧高温条件Ｆ
で処理する方法である。
に粉末状、粉末圧粉体状又は板状体でなる中間層を設け
た後、この中間層の表面に外層を形成するための粉末状
又は粉末圧粉体状のものを設け、次いで高圧高温装置に
設置してケ重病窒化ホウ素の安定な１り５圧高温条件Ｆ
で処理する方法である。
第５の方法は、基体、中間層及び外層を全て粉末状又は
粉末圧粉体状として設けた後、高圧高温装置に設置して
、立方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条件下で処理する
方法である。
粉末圧粉体状として設けた後、高圧高温装置に設置して
、立方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条件下で処理する
方法である。
このときの立方晶窒化ホウ素の安定な高圧高温条件ｒと
は、圧力４．５ＧＰａ以上、温度７００℃で行なうこと
ができるが、特に圧力６．０ＧＰａ以上、温度１５００
℃以りで行なうのが好ましい。
は、圧力４．５ＧＰａ以上、温度７００℃で行なうこと
ができるが、特に圧力６．０ＧＰａ以上、温度１５００
℃以りで行なうのが好ましい。
（作用）
本発明の立方晶窒化ホウ素被覆部材は、外層に隣接する
中間層がケイ素含有物層であることから立方晶窒化ホウ
素からなる外層と中間層との付着性を高めていると共に
、窒化ホウ素のケ重病窒化ホウ素への転換作用を高める
ことかで５るものである。このために、本発明の被覆部
材は、高エネルギーのＰＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で
もって外層を形成しても立方晶窒化ホウ素の含有量が高
く、緻密で膜状の外層が形成されやすく、又立方晶窒化
ホウ素の安定な高圧高温条件でもって外層を形成しても
立方晶窒化ホウ素の含有量が高く、ｗＩ密な外層になっ
ているものである。この結果、本発明の被覆部材は、立
方晶窒化ホウ素自体の有している高硬度性、高熱伝導性
、高電気絶縁性などの諸特性を充分に発揮することがで
きるものである。
中間層がケイ素含有物層であることから立方晶窒化ホウ
素からなる外層と中間層との付着性を高めていると共に
、窒化ホウ素のケ重病窒化ホウ素への転換作用を高める
ことかで５るものである。このために、本発明の被覆部
材は、高エネルギーのＰＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法で
もって外層を形成しても立方晶窒化ホウ素の含有量が高
く、緻密で膜状の外層が形成されやすく、又立方晶窒化
ホウ素の安定な高圧高温条件でもって外層を形成しても
立方晶窒化ホウ素の含有量が高く、ｗＩ密な外層になっ
ているものである。この結果、本発明の被覆部材は、立
方晶窒化ホウ素自体の有している高硬度性、高熱伝導性
、高電気絶縁性などの諸特性を充分に発揮することがで
きるものである。
（実施例）
実施例Ｉ
Ｓ ｉｚ Ｎａ −８ｗｔ％Ａ１２０ｚ −４ｗｔ％Ｙ
２Ｏ３組成のセラミックス焼結体で作成した形状寸法１
０φＸ３ｍｍの基体の表面をダイヤモンド砥石で研摩後
、蒸留水及びエチルアルコールで洗浄及び乾燥した０次
いで、基体をＣＶＤ装置の容器内に設置し、１０ｖｏ文
％５ｉＣｕａ ＝４０ｖａ１％ＮＨ３−５０ｖｏｕ％Ｈ
２４０ｖｏ１圧カフ０Ｔｏ ｒ ｒ 、温１ｆ！ＬＬ
１００℃、保持時間５０分にて処理してノ、（体の表面
にケイ素窒化物層を形成させた０次に、容器内のカスを
真空排気した後、１Ｏｖｏｕ％ＢＣ１＝ −２５ｖｏ１
％Ｈ７−３５ｖｏｉ％ＮＨ３−３０ｖｏ１％Ａｒ雰囲気
中、圧力５０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間１２
０分の条件で処理してケイ素窒化物層の表ｉＩ′ｉ′ｉ
に窒化ホウ素の層を形成させた。このときの窒化ホウ素
の層は、Ｘ線回折により調べた所、非晶質窒化ホウ素を
１体とするものであった。これを高圧高温装置に設置し
て、圧カフ 、０ＧＰａ 、温度１６００℃の条件で処
理して本発明の被覆部材を得た。
２Ｏ３組成のセラミックス焼結体で作成した形状寸法１
０φＸ３ｍｍの基体の表面をダイヤモンド砥石で研摩後
、蒸留水及びエチルアルコールで洗浄及び乾燥した０次
いで、基体をＣＶＤ装置の容器内に設置し、１０ｖｏ文
％５ｉＣｕａ ＝４０ｖａ１％ＮＨ３−５０ｖｏｕ％Ｈ
２４０ｖｏ１圧カフ０Ｔｏ ｒ ｒ 、温１ｆ！ＬＬ
１００℃、保持時間５０分にて処理してノ、（体の表面
にケイ素窒化物層を形成させた０次に、容器内のカスを
真空排気した後、１Ｏｖｏｕ％ＢＣ１＝ −２５ｖｏ１
％Ｈ７−３５ｖｏｉ％ＮＨ３−３０ｖｏ１％Ａｒ雰囲気
中、圧力５０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間１２
０分の条件で処理してケイ素窒化物層の表ｉＩ′ｉ′ｉ
に窒化ホウ素の層を形成させた。このときの窒化ホウ素
の層は、Ｘ線回折により調べた所、非晶質窒化ホウ素を
１体とするものであった。これを高圧高温装置に設置し
て、圧カフ 、０ＧＰａ 、温度１６００℃の条件で処
理して本発明の被覆部材を得た。
比較用として、Ｌ述した本発明の被覆部材の製造方法か
らケイ素窒化物層の形成丁程を除き１その他の丁程を同
様に行なって比較の被覆部材を得た。
らケイ素窒化物層の形成丁程を除き１その他の丁程を同
様に行なって比較の被覆部材を得た。
こうして得た本発明の被覆部材と比較の被１′ａ部材の
被覆層をＸ線回折及び走査型゛重子顕微鏡にて調べた所
、本発明の被覆部材は、外層が厚ざ３μｍの緻密な立方
晶窒化ホウ素の層で、中間層がノゾさ２ｐｍの５ｉ３Ｎ
ａ層であり、比較の被覆部材は、被覆層が厚さ３ｇｍで
、ケカ晶窒化ホウ素の含有した六力品窒化ホウ、Ｖの層
であった０次に、被覆層と基体との付看性を引掻き硬さ
試験機に相当するスクラッチ試験機によって調へた所、
本発明の被覆部材は、ｌｏｋｇ荷屯を加えたダイヤモン
ド圧Ｔで引掻いても被覆層が剥離しなかったのに対し、
比較の被覆部材は、６ｋｇ荷玉を加えたダイヤモンド圧
子で引掻いたところ被覆層が剥離した。
被覆層をＸ線回折及び走査型゛重子顕微鏡にて調べた所
、本発明の被覆部材は、外層が厚ざ３μｍの緻密な立方
晶窒化ホウ素の層で、中間層がノゾさ２ｐｍの５ｉ３Ｎ
ａ層であり、比較の被覆部材は、被覆層が厚さ３ｇｍで
、ケカ晶窒化ホウ素の含有した六力品窒化ホウ、Ｖの層
であった０次に、被覆層と基体との付看性を引掻き硬さ
試験機に相当するスクラッチ試験機によって調へた所、
本発明の被覆部材は、ｌｏｋｇ荷屯を加えたダイヤモン
ド圧Ｔで引掻いても被覆層が剥離しなかったのに対し、
比較の被覆部材は、６ｋｇ荷玉を加えたダイヤモンド圧
子で引掻いたところ被覆層が剥離した。
実施例２
Ｚｒ０７−３ｗｔ％ＭｇＯ組成のセラミックス焼結体で
作成した形状寸法１０φＸ３ｍｍの基体の表面を実施例
１と同様に処理した後、反応容ム内に設置し、５ｖｏｆ
１％ＡＣ１３−１０ｖｏｕ％Ｃ０−１０ｖａｕ％ＣＯ７
−７５ｖａｆＬ％Ｈ２雰囲気中、圧力３０Ｔｏ ｒ ｒ
、温度１１００℃、保持時間１２０分にて処理して基
体の表面に酸化アルミニウムの層を形成させた。次いで
、容器内のガスを真空真気した後、１０ｖｏ交％ＳｉＣ
文、−５０ｖａｉ％ＮＮ７−４０ｖｏ％Ｈ２雰囲気中、
圧力５０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間３０分に
て処理して酸化アルミニウム層の表面にケイ素窒化物層
を形成させ、 ｉｌｆｌ容度内のカスを真空排気した後
、１０ｖｏｕ％ＢＣ１＋ −’２５ｖｏｕ％Ｈ、・３５
ｖｏ、ｉ％ＮＨ３−３０ｖｏＱ％Ａｒ雰囲気中、圧力５
０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間１２０分の条件
で処理してケイ素窒化物層の表面に窒化ホウ素の層を形
成させた６次に、高圧高温処理に設置して、圧力６．０
ＧＰａ 、温度１６００℃の条件で処理して本発明品の
被覆部材を得た。
作成した形状寸法１０φＸ３ｍｍの基体の表面を実施例
１と同様に処理した後、反応容ム内に設置し、５ｖｏｆ
１％ＡＣ１３−１０ｖｏｕ％Ｃ０−１０ｖａｕ％ＣＯ７
−７５ｖａｆＬ％Ｈ２雰囲気中、圧力３０Ｔｏ ｒ ｒ
、温度１１００℃、保持時間１２０分にて処理して基
体の表面に酸化アルミニウムの層を形成させた。次いで
、容器内のガスを真空真気した後、１０ｖｏ交％ＳｉＣ
文、−５０ｖａｉ％ＮＮ７−４０ｖｏ％Ｈ２雰囲気中、
圧力５０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間３０分に
て処理して酸化アルミニウム層の表面にケイ素窒化物層
を形成させ、 ｉｌｆｌ容度内のカスを真空排気した後
、１０ｖｏｕ％ＢＣ１＋ −’２５ｖｏｕ％Ｈ、・３５
ｖｏ、ｉ％ＮＨ３−３０ｖｏＱ％Ａｒ雰囲気中、圧力５
０Ｔｏｒｒ、温度１２００℃、保持時間１２０分の条件
で処理してケイ素窒化物層の表面に窒化ホウ素の層を形
成させた６次に、高圧高温処理に設置して、圧力６．０
ＧＰａ 、温度１６００℃の条件で処理して本発明品の
被覆部材を得た。
比較用として、丘述した本発明の被覆部材の製造方法か
ら酸化アルミニウム層の形成■程及びケイ、に窒化物層
の形１ｊＣＩ程を除き、）、（体の表面に直接窒化ホウ
、緒の層を形成した後同様に高圧高温処理して比較の被
覆部材を得た。
ら酸化アルミニウム層の形成■程及びケイ、に窒化物層
の形１ｊＣＩ程を除き、）、（体の表面に直接窒化ホウ
、緒の層を形成した後同様に高圧高温処理して比較の被
覆部材を得た。
こうして得た本発明の被覆部材と比較の被覆部材を実施
例１と同様にして調へた所、本発明の被覆部材は、外層
が厚さ３ｐｍの緻密な立方晶窒化ホウ素の層で、中間層
が厚さＩｇｍのＡｕ２０３層と厚さ１牌１のＳｉ：Ｎｎ
層からなり、比較の被覆部材は、被覆層が厚さ３μｍで
、六方晶窒化ホウ素の層であった。
例１と同様にして調へた所、本発明の被覆部材は、外層
が厚さ３ｐｍの緻密な立方晶窒化ホウ素の層で、中間層
が厚さＩｇｍのＡｕ２０３層と厚さ１牌１のＳｉ：Ｎｎ
層からなり、比較の被覆部材は、被覆層が厚さ３μｍで
、六方晶窒化ホウ素の層であった。
実施例３
ＷＣ−５ｗｔ％ＣＯ組成の超硬合金で作成した形状す法
１０Ｘ１０Ｘ５＋ｓｍの基体の表面を実施例１と同様に
処理した後、反応容器内に設置し、８ｖｏＭ％Ｔ ｉ
Ｃｉ４−５ｖｏＪ１％ＣＨａ −８７ｖａ１％Ｈ２雰囲
気中、圧力２０Ｔｏｒｒ、温度１０００℃、保持時間３
０分にて処理してチタン炭化物層を形成させた０次いで
、容器内のガスを真空排気した後、５マ０文％ＡｌＣ１
ｘ −１０ｖｏＪＩＬ％Ｃ０−１０ｖｏｕ％ＣＯ２−７
５ｖｏｆＬ％Ｈ２雰囲気中、圧力３０Ｔｏ ｒ ｒ 、
温度１１００℃、保持時間１２０分にて処理してチタン
炭化物層の表面に酸化アルミニウム層を形成させ、再度
容器内のガスを真空排気した後、１０ｖａｉ％Ｓ ｉ
Ａｌａ −５０ｖｏ１％Ｎ２−４０ｖｏｕ％Ｈ２雰囲気
中、圧力５０Ｔｏ ｒ ｒ 、温度１２００℃、保持時
間３０分にて処理して酸化アルミニウム層の表面にケイ
素窒化物層を形成させた。また、容器内のガスを真空排
気した後、高出力可変高周波熱プラズマ発生装置によっ
て容器内にプラズマを発生させ、 ２０ ｖｏＪ１％Ｂ３ Ｎ３ Ｈ６−４０ｖｏｉ％ＮＨ
：ｌ −４０マ０文％Ｈ２雰囲気中、温度１６００℃で
処理してケイ素窒化物層の表面に窒化ホウ素の層を形成
させて本発明品の被覆部材を得た。
１０Ｘ１０Ｘ５＋ｓｍの基体の表面を実施例１と同様に
処理した後、反応容器内に設置し、８ｖｏＭ％Ｔ ｉ
Ｃｉ４−５ｖｏＪ１％ＣＨａ −８７ｖａ１％Ｈ２雰囲
気中、圧力２０Ｔｏｒｒ、温度１０００℃、保持時間３
０分にて処理してチタン炭化物層を形成させた０次いで
、容器内のガスを真空排気した後、５マ０文％ＡｌＣ１
ｘ −１０ｖｏＪＩＬ％Ｃ０−１０ｖｏｕ％ＣＯ２−７
５ｖｏｆＬ％Ｈ２雰囲気中、圧力３０Ｔｏ ｒ ｒ 、
温度１１００℃、保持時間１２０分にて処理してチタン
炭化物層の表面に酸化アルミニウム層を形成させ、再度
容器内のガスを真空排気した後、１０ｖａｉ％Ｓ ｉ
Ａｌａ −５０ｖｏ１％Ｎ２−４０ｖｏｕ％Ｈ２雰囲気
中、圧力５０Ｔｏ ｒ ｒ 、温度１２００℃、保持時
間３０分にて処理して酸化アルミニウム層の表面にケイ
素窒化物層を形成させた。また、容器内のガスを真空排
気した後、高出力可変高周波熱プラズマ発生装置によっ
て容器内にプラズマを発生させ、 ２０ ｖｏＪ１％Ｂ３ Ｎ３ Ｈ６−４０ｖｏｉ％ＮＨ
：ｌ −４０マ０文％Ｈ２雰囲気中、温度１６００℃で
処理してケイ素窒化物層の表面に窒化ホウ素の層を形成
させて本発明品の被覆部材を得た。
比較用として、上述の窒化ホウ素の層を形成させる方法
によって基体の表面に直接窒化ホウ素の層を形成させて
比較の被覆部材を得た。
によって基体の表面に直接窒化ホウ素の層を形成させて
比較の被覆部材を得た。
こうして得た本発明の被覆部材と比較の被覆部材を実施
例１と同様にして調べた所、本発明の被覆部材は、外層
が厚さ２ｇｍの立方晶窒化ホウ十を主体とする層で、中
間層が厚さＩｇｍのＴｉＣ層と厚さｌＪＬｍのＡ文２０
３層と厚さｌ終ｍの５ｉｘＮｎ層からなり、比較の被覆
部材は、所々被層層が付着している程度であった。
例１と同様にして調べた所、本発明の被覆部材は、外層
が厚さ２ｇｍの立方晶窒化ホウ十を主体とする層で、中
間層が厚さＩｇｍのＴｉＣ層と厚さｌＪＬｍのＡ文２０
３層と厚さｌ終ｍの５ｉｘＮｎ層からなり、比較の被覆
部材は、所々被層層が付着している程度であった。
実施例４
Ｍｏ板からなる基体の表面にイオンプレーテインクによ
ってＳｉ膜を被覆した後、ＣＶＤ装置に５没置して、１
０マ０文％ＢＣ立３−２５マ０立％Ｈ２−３５ｖａｎ％
ＮＨ３−３０ｖａ１％Ａｒ雰囲気中。
ってＳｉ膜を被覆した後、ＣＶＤ装置に５没置して、１
０マ０文％ＢＣ立３−２５マ０立％Ｈ２−３５ｖａｎ％
ＮＨ３−３０ｖａ１％Ａｒ雰囲気中。
圧力５０Ｔｏ ｒ ｒ 、温度１３００℃、保持詩間１
２０分の条件で、Ｓｉ層の表面に窒化ホウ素の層を形成
させた。次に、高圧高温装置に設置して、圧力６ＧＰａ
、温度１２００℃の条件で処理して本発明品の被覆部
材を得た。
２０分の条件で、Ｓｉ層の表面に窒化ホウ素の層を形成
させた。次に、高圧高温装置に設置して、圧力６ＧＰａ
、温度１２００℃の条件で処理して本発明品の被覆部
材を得た。
比較用として、ト述の窒化ホウ素の層を形成させる方法
によってＭｏ板の基体の表面に直接窒化ホウ素の層を形
成させて比較の被覆部材を得た。
によってＭｏ板の基体の表面に直接窒化ホウ素の層を形
成させて比較の被覆部材を得た。
こうして得た本発明の被覆部材と比較の被覆部材の被覆
層を実施例１と同様にして調べた所１本発明の被覆部材
は、外層が厚さ３μｍの立方晶窒化ホウ素の層で、中間
層が厚さ２ルｍのＳｉ層からなり、比較の被覆部材は、
被覆層が六方品窒化ホウ素の層であった。
層を実施例１と同様にして調べた所１本発明の被覆部材
は、外層が厚さ３μｍの立方晶窒化ホウ素の層で、中間
層が厚さ２ルｍのＳｉ層からなり、比較の被覆部材は、
被覆層が六方品窒化ホウ素の層であった。
（発明の効果）
を述の如く１本発明の立方晶窒化ホウ素被覆部材は、基
体と立方晶窒化ホウ素を主成分とする外層との間に中間
層を介在させることによって、被覆層の１耐剥離性が著
しくすぐれると共に緻密でｔ方晶窒化ホウ素からなる外
層が形成されているものである。このために、従来のケ
重病窒化ホウ素焼結体が用いられている切削工具及び耐
摩耗工具から更には形状及び用途的に制約を受けている
ような工具部材にも応用することができる。また、立方
晶窒化ホウ素からなる外層が緻密でバラツキの少ないも
のであることから立方晶窒化ホウ素の特性を利用して゛
ト導体基板をはじめ各種の電ｆ又は電気部品関係に応用
できる産業ｈ４Ｔ用な材料である。
体と立方晶窒化ホウ素を主成分とする外層との間に中間
層を介在させることによって、被覆層の１耐剥離性が著
しくすぐれると共に緻密でｔ方晶窒化ホウ素からなる外
層が形成されているものである。このために、従来のケ
重病窒化ホウ素焼結体が用いられている切削工具及び耐
摩耗工具から更には形状及び用途的に制約を受けている
ような工具部材にも応用することができる。また、立方
晶窒化ホウ素からなる外層が緻密でバラツキの少ないも
のであることから立方晶窒化ホウ素の特性を利用して゛
ト導体基板をはじめ各種の電ｆ又は電気部品関係に応用
できる産業ｈ４Ｔ用な材料である。
Claims (3)
- （１）基体の表面に立方晶窒化ホウ素を主成分とする外
層を形成してなる被覆部材において、前記基体と前記外
層との間に１層又は多層で構成される中間層を介在させ
、前記外層に隣接する該中間層がケイ素、ケイ素アルミ
ニウム合金、ケイ素アルミニウム窒化物又はケイ素窒化
物の中の少なくとも１種からなるケイ素含有物層によっ
て形成されていることを特徴とする立方晶窒化ホウ素被
覆部材。 - （２）上記中間層は、上記外層に隣接するケイ素含有物
層と１層又は多層で構成される密着補助層からなり、前
記ケイ素含有物層に隣接する該密着補助層が酸化アルミ
ニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウムの中の
少なくとも１種からなる第１密着補助層であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の立方晶窒化ホウ素
被覆部材。 - （３）上記中間層において、上記第１密着補助層に隣接
する第２密着補助層が周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属
の炭化物、窒化物、酸化物及びこれらの相互固溶体から
選ばれる１種以上の成分からなることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の立方晶窒化ホウ素被覆部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25040985A JPS62109976A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25040985A JPS62109976A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109976A true JPS62109976A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH0558070B2 JPH0558070B2 (ja) | 1993-08-25 |
Family
ID=17207462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25040985A Granted JPS62109976A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 立方晶窒化ホウ素被覆部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109976A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225562A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素被覆超硬合金 |
| JPH06262405A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-20 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 工具用被覆部品 |
| WO2011083869A1 (ja) * | 2010-01-11 | 2011-07-14 | 国立大学法人九州大学 | 立方晶窒化ホウ素コーティング法およびそれにより得られる材料 |
| JP2012531045A (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ホウ素膜界面技術 |
| JP2016078137A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 新日鐵住金株式会社 | 超硬工具 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25040985A patent/JPS62109976A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225562A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 立方晶窒化ホウ素被覆超硬合金 |
| JPH06262405A (ja) * | 1993-03-05 | 1994-09-20 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 工具用被覆部品 |
| JP2012531045A (ja) * | 2009-06-22 | 2012-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ホウ素膜界面技術 |
| WO2011083869A1 (ja) * | 2010-01-11 | 2011-07-14 | 国立大学法人九州大学 | 立方晶窒化ホウ素コーティング法およびそれにより得られる材料 |
| JP5669107B2 (ja) * | 2010-01-11 | 2015-02-12 | 国立大学法人九州大学 | 立方晶窒化ホウ素コーティング法およびそれにより得られる材料 |
| JP2016078137A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 新日鐵住金株式会社 | 超硬工具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558070B2 (ja) | 1993-08-25 |
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