JPS62109385A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS62109385A
JPS62109385A JP24952285A JP24952285A JPS62109385A JP S62109385 A JPS62109385 A JP S62109385A JP 24952285 A JP24952285 A JP 24952285A JP 24952285 A JP24952285 A JP 24952285A JP S62109385 A JPS62109385 A JP S62109385A
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JP
Japan
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block
semiconductor laser
package
holding member
thermal conductivity
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JP24952285A
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English (en)
Inventor
Tomiji Shiga
志賀 富治
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザ装置に関し、特に光通信システム
の光源にイ1用な電子冷Jul素子を内蔵した半導体レ
ーザ装置に関する。
従来技術 一般に、半導体レーザは閾値デバイスであるため、温度
上背にともなって光出力の低下や劣化が加速される。又
、周囲温度の変化は光通信システムにおいても有害な雑
音源の原因となり、例えばモードホッピングや中心波長
の温度シフト等があげられる。
このため、温度変化に影響されずに安定動作が可能な半
導体レーザ装置が要求されており、従来小形な温度調節
器を使用して半導体レーザ素子の温度を一定に保つ方法
が提案されている。
−例として、青木氏他の発表による「電子冷却素子内蔵
形単−モード光ファイバレーザダイオードモジュールの
信頼度試験」 (昭和59年度電子通信学会、光・電波
部門全国大会No、333)があり、第4図にその基本
構造を示す。図に示す如く、半導体レーザ索子1と、レ
ーリ“出力モニタ素子2と、光ファイバ10への第1の
光フアイバ結合レンズ8と、温度計測用サーミスタ3と
をブロック4に装着し、このブロック4を電子冷L1素
子5を介して気密パッケージ7の側板6に固着するよう
になっている。
又、光ファイバ10を内包する端末部材11と第2の光
フアイバ結合レンズ9とは気密パッケージ7内に気密に
固着されている。尚、図において12はリード線、13
〜16は固着剤を夫々示している。
光ファイバ10が単一モードファイバの場合、半導体レ
ーザ素子1と、第1の光フアイバ結合レンズ8と、第2
の光フアイバ結合レンズ9と、光ファイバ10との組立
精度は各々数μmオーダーが要求されるとともに、組立
機もその精度を維持しなければならない。
しかしながら、第4図に示した従来例の構造は上記要求
に対しては適切とはいえず、次の欠点を有している。第
1に、電子冷却素子5を介してブロック4を固定するこ
とから片端支持であり、大きな振動や衝撃に対して不安
定である。
第2に、電子冷却素子5としてベルチェ素子を使用して
いるが、ベルチェ素子からなる電子冷却素子5の耐熱温
度は高々120°C程度と低い。
即ち、これは使用する固着剤13及び16の固着温度を
120°C以下としなければならないことを意味してお
り、固着剤自身の耐熱温度によって半導体レーザ装置の
使用温度が制約されることになる。
第3に固着剤として、レンズに曇り等を与える有害なガ
スの発生を防止する必要性から、無機質なものが望まし
い。例えば、120°C以下の低融点ハンダが適してい
る。しかし、この場合でも可能な使用温度範囲を広くし
て安定に半導体レーザ装置を動作させるためには、融点
を120’Cに穫力近づけたハンダ材料とする必要があ
る。その一方で、溶融温度のコントロールが非常に困難
になるという問題があった。
発明の目的 本発明の目的は、機械的に安定しかつ組立ても容易な半
導体レーザv装置を提供することである。
本発明の他の目的は、電子冷却素子の耐熱温度に制限を
受けることなく高い融点の接着剤にて強固に固着可能な
半導体レーザ装置を提供することである。
発明の構成 本発明によれば、半導体レーザ素子と、この半導体レー
ザ素子を固着搭載した搭載用ブロックと、この搭載用ブ
ロックを気密パッケージ内に固定すべく前記ブロックの
1つの面と前記パッケージの1壁面との間に設けられた
電子冷却素子とを含む半導体レーザ装置であって、前記
ブロックの他の面と前記パッケージの弛壁面との間に熱
伝導率の低いブロック保持用部材を設け、このブロック
保持用部材により前記ブロックとパッケージ間を密着固
定してなることを特徴とする半導体レーザ装置が得られ
る。
実施例 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例の横断面図であり、第2図は
その部分斜視図であり、第4図と同舌部分は同一符号に
より示す。半導体レーザ素子1とレーザ光モニタ素子1
9と光ファイバ10への光フアイバ結合レンズ8と温度
計測用サーミスタ3は、従来例同様ブロック4の所定の
位置に配置されて装着されている。ベルチェ素子からな
る電子冷却素子5はブロック4の側面部20と気密パッ
ケージ7の壁面部22との間に配置されお互いに密着固
定されている。又、ブロック4の底面部21と気密パッ
ケージ7の底面部23との間には、低熱伝導性で剛体か
らなるブロック保持用部材17が配置され、両者間がこ
のブロック保持部材17によってハンダ合金等により堅
牢に固着されている。
このブロック保持部材17はブロック24を保持すると
ともに、電子冷fil素子5の冷IJ1効果を高める必
要性から熱伝導率が小さくかつパッケージとの接触面を
極力小さくしたものであり、本実施例では、例えば熱伝
導率5.5W−m−1・K −1のソーダガラス等の円
柱状部材の両端面に金属皮膜を蒸着したものを複数配置
し、ブロック4の底面部21とパッケージ7の底面部3
0との各接合面に融点120’C以上のハンダ合金から
なる固着剤18.24で夫々固定しである。
リード12は半導体レーザ素子1等から電極を取り出す
ためのものである。
このような構造とすることにより、−40”0〜65°
Cの温度範囲で光軸ずれはほとんど発生せず、通常の室
温状態の光出力を保証できることがわかった。使用した
半導体レーザ素子1は、発S波長1fi 1 、3 μ
m、 Ti流流値値20mA(at25°V)であり、
光ファイバ10は単一モードファイバを使用し、光フア
イバ結合レンズ8に集束性ロッドレンズを使用した。又
、電子冷却素子5の動作電圧は1.4V (0,6A/
65°C)である。
尚、ブロック保持部材17の材質にセラミック(熱伝導
率30W−m−1・K−1以下)を使用した場合も同等
の特性を得ることができる。
半導体レーザ素子1等を装着したブロック4の側面部2
2に電子冷却素子5を配置し、かつブロック4の底面部
21にブロック保持部材17を取付けて気密パッケージ
7に密着固定したことにより、ブロック4が気密パッケ
ージ7に対して入方向から保持され、撮動・衝撃に対し
安定した構造となる。
又、気密パッケージ7への取付けを電子冷却素子5とブ
ロック保持部材17とで分離したことから、電子冷却素
子5を取付ける前にブロック4を気密パッケージ7に組
込むことができる。即ち、電子冷却素子5の耐熱温度に
制限を受けることなく、より高い融点のハンダ合金等を
使用でき、半導体レーザ装置としての使用温度を高める
ことができる。又、ハンダ合金の融着温度のコントロー
ル精度が緩和されることにもなる。
又、電子冷却素子5の高さ寸法により、結合レンズ8と
光ファイバ10との焦点距離が定まり、ブロック保持部
材17の高さ寸法により光軸と直交方向の位置決めを容
易にすることができることから、気密パッケージ7への
組込み作業性の向上が期待できる。
ブロック保持部材17を熱伝導率の小さな材料とし、ブ
ロック4又は気密パッケージ7との接触面積を小さくし
ていることから、ブロック4と気密パッケージ7との直
接の熱伝導を小さくでき、従来例に比して冷却効果を損
うことはない。
又、本実施例に示すブロック保持部材17を円柱状とし
たが、第3図に示す如くブロック保持部材25の形状を
板状とした形状の変形も可能であり、またその材質をテ
フロンやポリマー等の高分子材料やセラミックやアモル
ファス(非結晶質)、更にはインバー等に置き換えるこ
とも可能である。
発明の効果 付ける様な構造としたので、機械的にも安定どなり、組
立て精度も向上するという効果がある。また、ブロック
の電子冷却素子を取付ける面とは異なる他の取付は面を
先にパッケージに取付は得るので、融点の高い接着剤を
用いることができ、半導体レーザとしての使用温度を高
めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の横断面図、第2図は第1図の
部分斜視図、第3図は本発明の変形例の1部の斜視図、
第4図は従来例の構造を示す横断面図である。 主要部分の符号の説明 1・・・・・・半導体レーザ素子 4・・・・・・ブロック 5・・・・・・電子冷却素子 7・・・・・・気密パッケージ 10・・・・・・光ファイバ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子を固着搭載
    した搭載用ブロックと、この搭載用ブロックを気密パッ
    ケージ内に固定すべく前記ブロックの1つの面と前記パ
    ッケージの1壁面との間に設けられた電子冷却素子とを
    含む半導体レーザ装置であって、前記ブロックの他の面
    と前記パッケージの他壁面との間に熱伝導率の低いブロ
    ック保持用部材を設け、このブロック保持用部材により
    前記ブロックとパッケージ間を密着固定してなることを
    特徴とする半導体レーザ装置。
JP24952285A 1985-11-07 1985-11-07 半導体レ−ザ装置 Pending JPS62109385A (ja)

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