JPH11295560A - 光通信用モジュール及びその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザ素子の温度をパッケージの外部
から制御できると共に、光通信用モジュールの低価格化
及び小型化を実現できるようにする。 【解決手段】 パッケージ１００の底部にはペルチェ素
子１０１が設けられ、ペルチェ素子１０１の上にはベー
ス１０２が固定されている。ベース１０２の上には半導
体レーザ素子１０３及びモニター用受光素子１０４が固
定されている。ベース１０２の上面には断面Ｖ字状の凹
状溝が光軸方向に延びるように形成され、該凹状溝には
光ファイバ１０５の入射部１０５ａが嵌め込まれてい
る。ベース１０２の上側には、断面台形状の凹状溝を有
するファイバ押さえ部材１０６が固定されており、光フ
ァイバ１０５の入射部１０５ａはベース１０２とファイ
バ押さえ部材１０６とにより狭持されている。ベース１
０２には光軸と垂直な方向に延びる切欠き部１０７が形
成されており、切欠き部１０７の半導体レーザ素子１０
３側の壁面に光ファイバ１０５の左端面が当接してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】光信号を光ファイバで双方向
に伝送する光伝送システムに使用される光通信用モジュ
ール及びその検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、センター局からデータや多チャン
ネルの映像情報等の光信号を加入者である一般家庭又は
その付近（電柱又は数戸の住宅の間）まで光ファイバを
用いて伝送する光加入者システムが提案され、検討され
ている。この光加入者システムに用いられる光通信用モ
ジュールは屋内だけでなく電柱等の屋外でも使用される
と考えられる。従って、屋内と比較して厳しい屋外の温
度条件下でも、光通信用モジュールを安定して動作させ
る必要がある。光通信用モジュールの光出力特性は温度
依存性が大きいので、環境温度に関係なく安定した光出
力特性を得るためには、光通信用モジュールの温度を一
定に保つ必要がある。

【０００３】従って、光加入者システムに用いられる光
通信用モジュールにおいては、レーザ光を出射する半導
体レーザ素子の温度をパッケージの外部から制御できる
ことが好ましい。

【０００４】そこで、光加入者システムに用いられる光
通信用モジュールとして、特開平９−２１９２９号に記
載され、図１１に示す構造のものが提案されている。

【０００５】以下、従来の光通信用モジュールについて
図１１を参照しながら説明する。

【０００６】パッケージ１０の底部にはペルチェ素子１
１が設けられており、該ペルチェ素子１１の上には金属
製のレンズマウント１２が載置されている。レンズマウ
ント１２の上における中央部にはレーザマウント１３が
固定され、該レーザマウント１３は半導体レーザ素子１
４を保持している。レンズマウント１２におけるレーザ
マウント１３の右側には、半導体レーザ素子１４から出
射されるレーザ光を集光する非球面レンズ１５が設けら
れている。

【０００７】パッケージ１０の出射部１０ａには光アイ
ソレータ１６が設けられていると共に、パッケージ１０
の出射部１０ａにおける光アイソレータ１６の内側には
気密用ガラス板１７が固定されている。また、パッケー
ジ１０の出射部１０ａには円筒状のファイバ固定部材１
８が固定され、該ファイバ固定部材１８は光ファイバ１
９の一端に固定されたフェルール２０を保持している。

【０００８】レンズマウント１２の上におけるレーザマ
ウント１３の左側にはモニターマウント２１が固定さ
れ、該モニターマウント２１は、半導体レーザ素子１４
から出射されるレーザ光をモニターするモニター用受光
素子２２を保持している。また、レーザマウント１２の
上におけるモニターマウント２１の左側には、レンズマ
ウント１２の温度を検出する温度検出器２３が設けられ
ている。

【０００９】パッケージ１０は前述した各部材が収納さ
れた状態でキャップ２４によって気密封止される。この
場合、パッケージ１０の内部を長期間に亘って気密状態
に保つためにパッケージ１０とキャップ２４とは溶接さ
れていると共に、気密用ガラス１７の周囲には金属膜が
形成され、該金属膜とパッケージ１０とは半田により固
定されている。また、光アイソレータ１６とパッケージ
１０の出射部１０ａとの間も気密封止されている。

【００１０】前記従来の光通信用モジュールにおいて
は、半導体レーザ素子１４から出射されたレーザ光は非
球面レンズ１５により光ファイバ１９の一端部に結合し
た後、光ファイバ１９を伝搬して該光ファイバ１９の他
端部から出力信号光として出力される。

【００１１】また、半導体レーザ素子１４から出射され
るレーザ光の光出力をモニター用受光素子２２によりモ
ニターすることによって、半導体レーザ素子１４の光出
力が制御されると共に、レンズマウント１２の温度は温
度検出器２３及びペルチェ素子１１によって制御され
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、光加入者システムに用いられる光通信用モジュー
ルにおいては、レーザ光を出射する半導体レーザ素子の
温度をパッケージの外部から制御できることが好ましい
と共に、光加入者システムの普及に伴って、光通信用モ
ジュールの低価格化及び小型化が望まれる。

【００１３】ところが、前記従来の光通信用モジュール
においては、部品点数が多いので、低価格化及び小型化
が制約されるという問題がある。

【００１４】前記に鑑み、本発明は、半導体レーザ素子
の温度をパッケージの外部から制御できると共に、光通
信用モジュールの低価格化及び小型化を実現できるよう
にすることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る光通信用モジュールは、内部が気密に
保持されるパッケージと、パッケージの底部に固定さ
れ、外部から温度制御される冷却手段と、冷却手段の上
に固定されたベースと、ベースの上に固定され、レーザ
光を出射する半導体レーザ素子と、ベースの上に固定さ
れ、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光出力
を検出するモニター用受光素子と、ベースの上に固定さ
れ、一端部に半導体レーザ素子から出射されたレーザ光
が入射され、他端部から出力信号光を出力する光ファイ
バとを備えている。

【００１６】本発明の光通信用モジュールによると、冷
却手段の上に固定されたベースの上に半導体レーザ素子
が直接に固定されているため、半導体レーザ素子に発生
した熱はベースを介して冷却手段に直接に伝わると共に
ベースと半導体レーザ素子との間に半導体レーザ素子を
保持するレーザマウントが不要になる。また、半導体レ
ーザ素子から出射されたレーザ光は光ファイバに直接に
入射するため、半導体レーザ素子から出射されたレーザ
光を集光する集光レンズが不要になる。

【００１７】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバの他端部から入力された後、光フ
ァイバ内を伝搬する入力信号光を上方へ導く光分岐器
と、ベースの上に固定され、光分岐器により上方へ導か
れた入力信号光を受ける受信用受光素子とをさらに備え
ていることが好ましい。

【００１８】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバ内を伝搬する入力信号光が半導体
レーザ素子に進入することを阻止するインライン型の光
アイソレータをさらに備えていることが好ましい。

【００１９】本発明の光通信用モジュールは、ベースに
設けられ、光ファイバの半導体レーザ素子に対する位置
を規制する光ファイバ位置決め手段をさらに備えている
ことが好ましい。

【００２０】この場合、光ファイバ位置決め手段は、ベ
ースに光軸方向へ延びるように形成され、光ファイバが
嵌合されることにより光ファイバの光軸と垂直な方向の
位置を規制する凹状溝と、ベースに光軸と垂直な方向へ
延びるように形成され、半導体レーザ素子側の壁面に光
ファイバの一端部が当接することにより光ファイバの光
軸方向の位置を規制する切り込み溝とを有していること
が好ましい。

【００２１】本発明の光通信用モジュールは、冷却手段
に設けられ、ベースの冷却手段に対する位置を規制する
ベース位置決め手段をさらに備えていることが好まし
い。

【００２２】この場合、ベース位置決め手段は、冷却手
段の上面に形成され、ベースが嵌合可能な形状を有する
凹部であることが好ましい。

【００２３】また、この場合、ベース位置決め手段は、
冷却手段の上面に形成されたアライメントマークである
ことが好ましい。

【００２４】本発明の光通信用モジュールにおいて、冷
却手段はペルチェ素子であることが好ましい。

【００２５】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子は、分布帰還型のレーザ素子、ポンプレ
ーザ、狭放射角レーザ素子又はスポットサイズ変換レー
ザ素子であることが好ましい。

【００２６】本発明の光通信用レーザ素子において、光
ファイバは、半導体レーザ素子のスポット径とほぼ等し
いコア径を有する単一モードの光ファイバであることが
好ましい。

【００２７】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子はベースに、鉛を有しない鉛フリー半田
によって固定されていることが好ましい。

【００２８】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースは冷却手段に、鉛を有しない熱伝導性ペーストによ
って固定されていることが好ましい。

【００２９】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースの下面には金属蒸着層が形成されていることが好ま
しい。

【００３０】本発明の光通信用モジュールは、ベースの
上面に形成されており、ベースの上面に形成され半導体
レーザ素子の下部電極と直接に接続された第１の外部電
極と電気的に接続されている第１の検査用電極と、ベー
スの上面に形成されており、ベースの上面に形成され半
導体レーザ素子の上部電極とボンディングワイヤにより
接続された第２の外部電極と電気的に接続されている第
２の検査用電極と、ベースの上面に形成されており、ベ
ースの上面に形成されモニター用受光素子の下部電極と
直接に接続された第３の外部電極と電気的に接続されて
いる第３の検査用電極と、ベースの上面に形成されてお
り、ベースの上面に形成されモニター用受光素子の上部
電極とボンディングワイヤにより接続された第４の外部
電極と電気的に接続されている第４の検査用電極とをさ
らに備えていることが好ましい。

【００３１】本発明に係る光通信用モジュールの検査方
法は、ベースの上に固定され、レーザ光を出射する半導
体レーザ素子と、ベースの上に固定され、半導体レーザ
素子から出射されたレーザ光の光出力を検出するモニタ
ー用受光素子と、ベースの上に固定され、一端部に半導
体レーザ素子から出射されたレーザ光が入射され、他端
部から出力信号光を出力する光ファイバと、ベースの上
面に形成され、半導体レーザ素子の下部電極と電気的に
接続された第１の検査用電極と、ベースの上に形成さ
れ、半導体レーザ素子の上部電極と電気的に接続された
第２の検査用電極と、ベースの上面に形成され、モニタ
ー用受光素子の下部電極と電気的に接続された第３の検
査用電極と、モニター用受光素子の上部電極と電気的に
接続された第４の検査用電極とを有する光通信用モジュ
ールの検査方法であって、第１の検査用電極に第１のプ
ローブ針を接触させると共に第２の検査用電極に第２の
プローブ針を接触させ、第１のプローブ針と第２のプロ
ーブ針との間に検査用電流を印加する電流印加工程と、
第３の検査用電極に第３のプローブ針を接触させると共
に第４の検査用電極に第４のプローブ針を接触させ、第
３のプローブ針と第４のプローブ針との間に流れる電流
を検出する電流検出工程と、電流検出工程において検出
された電流に基づき、半導体レーザ素子の電気特性を検
査する検査工程とを備えている。

【００３２】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
よると、第１のプローブ針と第２のプローブ針との間に
検査用電流を印加することにより、第１の検査用電極と
第２の検査用電極との間ひいては半導体レーザ素子の下
部電極と上部電極との間に検査用電流を印加することが
できると共に、第３のプローブ端子と第４のプローブ端
子との間の電流を検出することにより、第３の検査用電
極と第４の検査用電極との間に流れる電流ひいてはモニ
ター用受光素子の下部電極と上部電極との間に流れる電
流を検出することができる。

【００３３】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
おいて、第１の検査用電極は、ベースの上に形成され半
導体レーザ素子の下部電極と直接に接続された第１の外
部電極と電気的に接続されており、第２の検査用電極
は、ベースの上に形成され半導体レーザ素子の上部電極
とボンディングワイヤにより接続された第２の外部電極
と電気的に接続されており、第３の検査用電極は、ベー
スの上に形成されモニター用受光素子の下部電極と直接
に接続された第３の外部電極と電気的に接続されてお
り、第４の検査用電極は、ベースの上に形成されモニタ
ー用受光素子の上部電極とボンディングワイヤにより接
続された第４の外部電極と電気的に接続されていること
が好ましい。

【００３４】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係る光通信用モジュールについて図
１〜図４を参照しながら説明する。図１は光通信用モジ
ュールの側方断面図、図２はキャップを取り除いた状態
の光通信用モジュールの平面図、図３は図１におけるII
I−III 線の断面図、図４は図１におけるVI−VI線の断
面図である。

【００３５】パッケージ１００の底部には冷却手段とし
てのペルチェ素子１０１が設けられており、該ペルチェ
素子１０１の上には方形板状のベース１０２が固定され
ている。ベース１０２をペルチェ素子１０１に固定する
方法としては、半田付け又は樹脂等の接着剤が挙げられ
が、鉛が含まれていない鉛フリー半田又は鉛フリーペー
ストを用いると、人体に対する悪影響を防止できる。

【００３６】また、ベース１０２をペルチェ素子１０１
に熱伝導性ペーストによって固定したり、ベース１０２
の下面に金属蒸着層を形成したりすると、ベース１０２
とペルチェ素子１０１との間の熱伝導性を向上させるこ
とができる。

【００３７】ベース１０２の上における図１及び図２の
左側には、例えば波長１．３μｍ帯のレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子１０３と、該半導体レーザ素子１０
３から出射されるレーザ光の強度をモニターするフォト
ダイオードからなるモニター用受光素子１０４とが画像
認識により高精度に搭載されている。

【００３８】ベース１０２の上面における半導体レーザ
素子１０３が搭載されている部分よりも右側には、図４
に示すように、断面Ｖ字状の凹状溝が光軸方向に延びる
ように形成されており、該凹状溝には単一モードの光フ
ァイバ１０５の入射部１０５ａが嵌め込まれている。

【００３９】ベース１０２の中央部の上側には、断面台
形状の凹状溝を有するファイバ押さえ部材１０６が固定
されており、光ファイバ１０５の入射部１０５ａは、ベ
ース１０２の凹状溝の両壁面とファイバ押さえ部材１０
６の底面との３点によって狭持されている。

【００４０】ベース１０２における半導体レーザ素子１
０３が搭載されている部分の右側には、光軸と垂直な方
向に延びる切欠き部１０７が形成されている。切欠き部
１０７の半導体レーザ素子１０３側の壁面に光ファイバ
１０５の左端面（入射端面）が当接しており、これによ
って、半導体レーザ素子１０３と光ファイバ１０５の左
端面（入射端面）との距離が規制されている。

【００４１】光ファイバ１０５の入射部１０５ａが３点
によって狭持されていること及び光ファイバ１０５の入
射端面が切欠き部１０７の壁面に当接していることによ
って、パッシブアライメント方式でサブミクロンオーダ
ーの光軸調整が可能になっている。

【００４２】ベース１０２の上面における切欠き部１０
７よりも左側には、半導体レーザ素子１０３に電流を印
加したり又はモニター用受光素子１０４に生じる電流を
検出したりするための外部電極１０８が設けられてお
り、該外部電極１０８は外部リード１０９とボンディン
グワイヤ１１０によって電気的に接続されている。ま
た、ペルチェ素子１０１と外部リード１０９ともボンデ
ィングワイヤ１１０によって電気的に接続されている。

【００４３】パッケージ１００における右側の壁部には
光ファイバ１０５を保持するための筒状部１１１がパッ
ケージ１００と一体に設けられており、該筒状部１１１
に挿通されている光ファイバ１０５のジャケット部１０
５ｂは筒状部１１１に固定用樹脂１１２によって固定さ
れている。尚、パッケージ１００の内部の気密性を向上
させるためには、光ファイバ１０５のジャケット１０５
ｂの表面に金属層（図示は省略している。）を形成し、
該金属層と筒状部１１１とを半田によって固定すること
が好ましい。

【００４４】モジュール１００の内部に前述した各部材
を搭載した後、モジュール１００の上部開口部はキャッ
プ１１３によって気密封止されている。キャップ１１３
をモジュール１００に固定する手段としては、溶接、半
田付け又は樹脂等の接着剤が挙げられ、溶接、半田付け
及び接着剤の順に、気密性は劣るがコスト的には有利に
なる。この場合、鉛が含まれていない鉛フリー半田又は
鉛フリーペーストを用いると、人体に対する悪影響を防
止できる。

【００４５】ところで、ベース１０２の上に半導体レー
ザ素子１０３、モニター用受光素子１０４及び光ファイ
バ１０５を高精度に実装するために、ベース１０２の上
には画像認識用のアライメントマーク（図示は省略して
いる。）及び断面Ｖ字状の凹状溝を高精度に加工する必
要がある。また、半導体レーザ素子１０３から発生する
熱をベース１０２を介してペルチェ素子１０１に効率良
く放散させる必要がある。

【００４６】従って、ベース１０２を構成する材料とし
ては、加工が容易で且つ熱伝導率の良いシリコンの単結
晶が好ましい。シリコンの単結晶は、フォトリソグラフ
ィー、異方性エッチング及び金属蒸着等の半導体プロセ
スを駆使して非常に高精度な形状に加工することができ
る。また、シリコンの単結晶は熱伝導性が良いため、半
導体レーザ素子１０３のヒートシンクとしても十分な役
割を果たすことができる。

【００４７】半導体レーザ素子１０３としては、レーザ
光を光ファイバ１０５の入射端面に高い結合効率で結合
するために、狭放射角レーザ素子のようにスポットサイ
ズが大きいものが好ましい。

【００４８】通常のスポットサイズを持つ半導体レーザ
素子１０３を用いる場合には、半導体レーザ素子１０３
のスポットサイズと同程度のコア径を持つ光ファイバ１
０５を使用して、レーザ光を光ファイバ１０５の入射部
１０５ａに直接に結合させることにより、高い結合効率
を得ることができる。例えば、光ファイバ１０５のコア
部の径と半導体レーザ素子１０３のスポットサイズとの
差を約３．０μｍ以下にすると、８０％程度の結合効率
が得られる。

【００４９】また、半導体レーザ素子１０３としては、
光通信用モジュールが波長多重システムの光信号出力源
として用いられ単一波長で発振する必要がある場合に
は、狭放射角機能を有するＤＦＢ（分布帰還型）レーザ
素子が好ましく、光通信用モジュールがファイバアンプ
等のように非常に高い出力が求められる場合には、長い
共振器長を有するポンプレーザ素子が好ましい。

【００５０】モニター用受光素子１０４としては、導波
路型又はエッチング面取ミラー型等の端面入射型のフォ
トダイオードを用いることが好ましい。

【００５１】（第１の実施形態の第１変形例）ところ
で、パッケージ１００の内部の気密性を向上させるため
には、筒状部１１１と光ファイバ１０５のジャケット１
０５ｂとの隙間は小さい方が好ましく、該隙間を小さく
するためには、ベース１０２を高精度でペルチェ素子１
０１に実装する必要がある。

【００５２】そこで、第１の変形例においては、図５に
示すように、ペルチェ素子１０１の上部にベース１０２
が嵌合可能な大きさの位置決め用凹部１２０が設けられ
ていると共に、位置決め用凹部１２０の底面に画像認識
用のアライメントマーク１２１が形成されている。

【００５３】尚、図示は省略したが、パッケージ１００
の底部にペルチェ素子１０１が嵌合可能な大きさの位置
決め用凹部を設けたり、画像認識用のアライメントマー
クを設けたりしてもよい。

【００５４】このようにすると、ベース１０２のパッケ
ージ１００に対する位置精度が向上するため、パッケー
ジ１００の筒状部１１１と光ファイバ１０５のジャケッ
ト１０５ｂとの隙間を小さくして、パッケージ１００の
内部の気密性を向上させることができる。

【００５５】（第１の実施形態の第２変形例）ところ
で、第１の実施形態に係る光通信用モジュールにおいて
は、光ファイバ１０５のピッグテールがパッケージ１０
０から突出している。このため、光ファイバ１０５のピ
ッグテールがパッケージ１００から突出した状態で、光
ファイバ１０５の入射部１０５ａをベース１０２に固定
する作業が必要になるので、生産性が損なわれたり、ま
た、光通信用モジュールの占有面積が大きくなって量産
性が損なわれる等の問題がある。

【００５６】そこで、第２変形例においては、図６に示
すように、ジャケット１０５ｂを有しない第１の光ファ
イバ１０５Ａ（光通信用モジュールを構成する光ファイ
バ）におけるパッケージ１００の筒状部１１１に挿入さ
れる部分に第１のフェルール１３１を固定すると共に、
ジャケット１０５ｂを有する第２の光ファイバ１０５Ｂ
（光伝送路を構成する光ファイバ）におけるジャケット
１０５ｂが取り除かれた先端部に第２のフェルール１３
２を固定し、第１のフェルール１３１と第２のフェルー
ル１３２とを割スリーブ１３３によって固定している。
また、第２の光ファイバ１０５Ｂと第２のフェルール１
３２とは筒状の連結部材１３４によって一体化されてい
る。

【００５７】このようにすると、第１の光ファイバ１０
５Ａの入射部１０５ａをベース１０２に固定する際に
は、第１の光ファイバ１０５Ａと第２の光ファイバ１０
５Ｂとを分離しておくことができるため、生産性が向上
すると共に、光通信用モジュールの占有面積が小さくな
るので量産性も向上する。

【００５８】また、第１の光ファイバ１０５Ａに固定さ
れた第１のフェルール１３１と第２の光ファイバ１０５
Ｂに固定された第２のフェルール１３２とは割スリーブ
１３３によって一体化されているため、０．３ｄＢ以下
の低い損失で第１の光ファイバ１０５Ａと第２の光ファ
イバ１０５Ｂとを接続することができる。

【００５９】従って、第２変形例によると、光通信用モ
ジュールの生産ラインの省スペース化が可能になると共
に、光通信用モジュールのハンドリングが容易になるた
め生産ラインの自動化率を向上させることができる。

【００６０】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る光通信用モジュールについて図７を参照
しながら説明する。図７は光通信用モジュールの側方断
面図であるが、図７においては、パッケージ及びキャッ
プは図示を省略している。

【００６１】第２の実施形態に係る光通信用モジュール
は、信号光を出力する光送信機能と信号光が入力される
光受信機能とを併せ持つ複合機能型の光通信用モジュー
ルである。

【００６２】第２の実施形態においても、第１の実施形
態と同様、ペルチェ素子２０１の上には方形板状の送信
用ベース２０２が設けられており、該送信用ベース２０
２の上には半導体レーザ素子２０３及びモニター用受光
素子２０４が高精度に搭載されている。また、送信用ベ
ース２０２の上面には断面Ｖ字状の凹状溝が光軸方向に
延びるように形成されており、該凹状溝には単一モード
の光ファイバ２０５が嵌め込まれている。送信用ベース
２０２の中央部の上側には、断面台形状の凹状溝を有す
るファイバ押さえ部材２０６が固定されており、光ファ
イバ２０５は送信用ベース２０２の凹状溝の両壁面とフ
ァイバ押さえ部材２０６の底面との３点によって狭持さ
れている。さらに、送信用ベース２０２における半導体
レーザ素子２０３が搭載されている部分の右側には、光
軸と垂直な方向に延びる切欠き部２０７が形成されてお
り、該切欠き部２０７の半導体レーザ素子２０３側の壁
面に光ファイバ２０５の左端面（入射端面）が当接して
いる。

【００６３】第２の実施形態の特徴として、ペルチェ素
子２０１の上には受信用ベース２１０が搭載されてお
り、該受信用ベース２１０の中央部には光ファイバ２０
５に対して所定角度を持つように光分岐器２１１が挿入
されている。光分岐器２１１は、半導体レーザ素子２０
３から出射された後、光ファイバ２０５のコア部を左方
から右方に伝搬する出力信号光を通過させる一方、光フ
ァイバ２０５の右端部から入射された後、光ファイバ２
０５のコア部を右方から左方に伝搬する入力信号光を上
方に導く。受信用ベース２１０の上面における光分岐器
２１１の上側には、光分岐器２１１によって上方へ導か
れた入力信号光を受光する受信用受光素子２１２が設け
られている。

【００６４】また、受信用ベース２０２における右側部
分にはインライン型の小型アイソレータ２１３が挿入さ
れており、光ファイバ２０５を伝搬する入力信号光が半
導体レーザ素子２０３に進入することが防止されてい
る。光ファイバ２０５の伝送経路にインライン型の小型
アイソレータ２１３を挿入することは、半導体レーザ素
子２０３として、外部から入射する光の影響を受けやす
いＤＦＢレーザ素子を用いる場合に特に有効である。

【００６５】第２の実施形態においては、入力信号光の
波長、出力信号光の波長及び光分岐器２１１の種類を選
択することによって、各種の用途に対応できる光通信用
モジュールを実現することができる。以下、光通信用モ
ジュールの用途、入力信号光及び出力信号光の波長並び
に光分岐器２１１の種類について説明する。

【００６６】(1) 波長１．３μｍ帯の信号光を送信する
送信機機能と、波長１．５５μｍ帯の信号光を受信する
受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、
半導体レーザ素子２０３の発振波長を１．３μｍ帯と
し、受信用受光素子２１２の受信波長を１．５５μｍ帯
とし、光分岐器２１２としては１．３μｍ帯の光を通過
させる一方、１．５５μｍ帯の光を反射させるＷＤＭ型
フィルター（多重伝送型フィルター）を用い、小型アイ
ソレータ２１３としては半導体レーザ素子２０３から出
射される光が外部に出射されるような透過方向を有して
おればよい。また、受信用受光素子２１２としては、
１．５５μｍ帯の光を感じないパスバンド型であること
が好ましい。

【００６７】(2) 波長１．５５μｍ帯の信号光を送信す
る送信機機能と、波長１．３μｍ帯の信号光を受信する
受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、
半導体レーザ素子２０３の発振波長を１．５５μｍ帯と
し、受信用受光素子２１２の受信波長を１．３μｍ帯と
し、光分岐器２１２としては１．５５μｍ帯の光を通過
させる一方、１．３μｍ帯の光を反射させるＷＤＭ型フ
ィルターを用い、小型アイソレータ２１３としては半導
体レーザ素子２０３から出射される光が外部に出射され
るような透過方向を有しておればよい。

【００６８】(3) 波長１．３μｍ帯の信号光を送信する
送信機機能と、波長１．３μｍ帯の信号光を受信する受
信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合には、半
導体レーザ素子２０３の発振波長を１．３μｍ帯とし、
受信用受光素子２１２の受信波長も１．３μｍ帯とし、
光分岐器２１２としては１．３μｍ帯の光を所定割合だ
け通過させ且つ所定割合だけ反射するハーフミラーを用
い、小型アイソレータ２１３としては半導体レーザ素子
２０３から出射される光が外部に出射されるような透過
方向を有しておればよい。

【００６９】(4) 波長１．５５μｍ帯の信号光を送信す
る送信機機能と、波長１．５５μｍ帯の信号光を受信す
る受信機能とを併せ持つ光通信用モジュールの場合に
は、半導体レーザ素子２０３の発振波長を１．５５μｍ
帯とし、受信用受光素子２１２の受信波長も１．５５μ
ｍ帯とし、光分岐器２１２としては１．５５μｍ帯の光
を所定割合だけ通過させ且つ所定割合だけ反射するハー
フミラーを用い、小型アイソレータ２１３としては半導
体レーザ素子２０３から出射される光が外部に出射され
るような透過方向を有しておればよい。

【００７０】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る光通信用モジュールの検査方法について
図８〜図１０を参照しながら説明する。図８は光通信用
モジュールの部分平面図、図９は検査方法を示す部分拡
大斜視図、図１０は検査方法を示す全体斜視図である。

【００７１】まず、第３の実施形態に係る検査方法が適
用される光通信用モジュールの平面構造について説明す
る。

【００７２】第３の実施形態においても、第１の実施形
態と同様、図示を省略したペルチェ素子の上に設けられ
た方形板状のベース３０２の上には半導体レーザ素子３
０３及びモニター用受光素子３０４が高精度に搭載され
ている。また、ベース３０２の上面には断面Ｖ字状の凹
状溝３０５が光軸方向に延びるように形成されており、
該凹状溝３０５には図示しない単一モードの光ファイバ
が嵌め込まれる。ベース３０２における半導体レーザ素
子３０３が搭載されている部分の右側には、光軸と垂直
な方向に延びる切欠き部３０７が形成されており、該切
欠き部３０７の半導体レーザ素子３０３側の壁面には図
示しない単一モードの光ファイバの左端面が当接する。

【００７３】ベース３０２の上面における切欠き部３０
７よりも左側には、半導体レーザ素子３０３の下部電極
に直接に接続された第１の外部電極３０８Ａ、半導体レ
ーザ素子３０３の上部電極に第１のボンディングワイヤ
３０９により接続された第２の外部電極３０８Ｂ、モニ
ター用受光素子３０４の下部電極に直接に接続された第
３の外部電極３０８Ｃ及びモニター用受光素子３０４の
上部電極に第１のボンディングワイヤ３０９により接続
された第４の外部電極３０８Ｄがそれぞれ設けられてい
る。

【００７４】第３の実施形態の特徴として、ベース３０
２の上面における切欠き部３０７よりも右側には、第１
の外部電極３０８Ａと第２のボンディングワイヤ３１１
により接続された第１の検査用電極３１０Ａ及び第２の
外部電極３０８Ｂと第２のボンディングワイヤ３１１に
より接続された第２の検査用電極３１０Ｂがそれぞれ設
けられ、ベース３０２の上面における第３の外部電極３
０８Ｃの外側には該第３の外部電極３０８Ｃと第２のボ
ンディングワイヤ３１１により接続された第３の検査用
電極３１０Ｃが設けられ、ベース３０２の上面における
第４の外部電極３０８Ｄの外側には該第４の外部電極３
０８Ｄと第２のボンディングワイヤ３１１により接続さ
れた第４の検査用電極３１０Ｄが設けられている。

【００７５】以下、第３の実施形態に係る光通信用モジ
ュールの検査方法について図９及び図１０を参照しなが
ら説明する。

【００７６】図９及び図１０に示すように、検査用基板
３２０にはベース３０２が挿入可能な大きさの位置決め
用凹部３２１が形成されており、該位置決め用凹部３２
１にはベース３０２が配置されている。尚、図１０にお
いては位置決め用凹部３２１は一次元的に形成されてい
るが、位置決め用凹部３２１は二次元的に形成されてい
てもよい。

【００７７】図示を省略した検査装置（スクリーニング
装置）の所定の位置に検査用基板３２０をセットした
後、スクリーニング用のフォトディテクタ３２２を該フ
ォトディテクタ３２２の受光部３２２ａが半導体レーザ
素子３０３の光軸と一致するように接近させる。次に、
半導体レーザ素子３０３に検査用電流を印加する駆動用
回路に接続された第１のプローブ針３２３Ａ及び第２の
プローブ針３２３Ｂを第１の検査用電極３１０Ａ及び第
２の検査用電極３１０Ｂにそれぞれ接触させると共に、
モニター用受光素子３０４から出力されるモニター電流
を検出する検査用回路に接続された第３のプローブ針３
２３Ｃ及び第４のプローブ針３２３Ｄを第３の検査用電
極３１０Ｃ及び第４の検査用電極３１０Ｄにそれぞれ接
触させる。次に、第１のプローブ針３２３Ａ及び第２の
プローブ針３２３Ｂから半導体レーザ素子３０３の下部
電極及び上部電極の間に検査用電流を印加した状態で、
第３のプローブ針３２３Ｃと第４のプローブ針３２４Ｄ
との間に流れる電流を検出し、検出された電流に基づい
て半導体レーザ素子３０３の電気的特性を検査する。こ
のようにすると、光通信用モジュールの構造の複雑化を
招くことなく、半導体レーザ素子３０３の電気的特性を
検査することができる。

【００７８】尚、第３の実施形態においては、半導体レ
ーザ素子３０３から出射されるレーザ光の出力をモニタ
ー用受光素子３０４により検出したが、半導体レーザ素
子３０３から出射されるレーザ光の出力をモニター用受
光素子３０４及びフォトディテクタ３２２により検出し
てもよい。このようにすると、半導体レーザ素子３０３
及びモニター用受光素子３０４の電気的特性を同時に検
査することができる。

【００７９】

【発明の効果】本発明の光通信用モジュールによると、
半導体レーザ素子に発生した熱はベースを介して冷却手
段に直接に伝わるので、放熱性が向上すると共に半導体
レーザ素子の温度を冷却手段によって直接に制御するこ
とができる。また、ベースと半導体レーザ素子との間に
半導体レーザ素子を保持するレーザマウントが不要にな
ると共に半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集
光する集光レンズが不要になるため、光通信用モジュー
ルの低価格化及び小型化を図ることができる。

【００８０】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバの他端部から入力された後、光フ
ァイバ内を伝搬する入力信号光を上方へ導く光分岐器
と、ベースの上に固定され、光分岐器により上方へ導か
れた入力信号光を受ける受信用受光素子とを備えている
と、光分岐器により上方へ導かれた入力信号光を受信用
受光素子により受信できるので、双方向伝送システムに
用いられる光通信用モジュールの小型化を図ることがで
きる。

【００８１】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバ内を伝搬する入力信号光が半導体
レーザ素子に進入することを阻止するインライン型の光
アイソレータを備えていると、光ファイバの他端部から
入力された入力信号光は半導体レーザ素子に進入しな
い。従って、半導体レーザ素子として、外部から入射す
る光の影響を受けやすいＤＦＢレーザ素子を用いること
が可能になる。

【００８２】本発明の光通信用モジュールが、ベースに
設けられ、光ファイバの半導体レーザ素子に対する位置
を規制する光ファイバ位置決め手段を備えていると、光
ファイバの半導体レーザ素子に対する位置を光軸調整を
行なうことなく機械的な精度のみで規制できるので、パ
ッシブアライメント方式により光ファイバを実装するこ
とができる。

【００８３】この場合、光ファイバ位置決め手段が、ベ
ースに光軸方向へ延びるように形成され、光ファイバが
嵌合されることにより光ファイバの光軸と垂直な方向の
位置を規制する凹状溝と、ベースに光軸と垂直な方向へ
延びるように形成され、半導体レーザ素子側の壁面に光
ファイバの一端部が当接することにより光ファイバの光
軸方向の位置を規制する切り込み溝とを有していると、
半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光軸と光フ
ァイバのコア部の中心軸とを一致させることが容易にな
ると共に半導体レーザ素子と光ファイバの一端部との距
離を規制することができるので、パッシブアライメント
方式により実装された光ファイバの一端部における結合
効率を一層向上させることができる。

【００８４】本発明の光通信用モジュールが、冷却手段
に設けられ、ベースの冷却手段に対する位置を規制する
ベース位置決め手段を備えていると、ベースの冷却手段
に対する位置を正確に規制することができる。

【００８５】ベース位置決め手段が、冷却手段の上面に
形成され、ベースが嵌合可能な形状を有する凹部である
と、ベースの冷却手段に対する位置を簡易且つ正確に規
制することができる。

【００８６】また、ベース位置決め手段が、冷却手段の
上面に形成されたアライメントマークであると、画像認
識によってベースの冷却手段に対する位置を一層に規制
することができる。

【００８７】本発明の光通信用モジュールにおいて、冷
却手段がペルチェ素子であると、ベースの温度ひいては
半導体レーザ素子の温度を外部から容易且つ正確に制御
することができる。

【００８８】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子が分布帰還型のレーザ素子であると、出
力信号光の波長及び出力を広い温度範囲において安定さ
せるさせることができ、半導体レーザ素子がポンプレー
ザであると、出力信号光の出力を増大することができ、
半導体レーザ素子が狭放射角レーザ素子又はスポットサ
イズ変換レーザ素子であると、半導体レーザ素子から出
射されるレーザ光を高い結合効率で光ファイバの一端部
に結合させることができる。

【００８９】本発明の光通信用レーザ素子において、光
ファイバが、半導体レーザ素子のスポット径とほぼ等し
いコア径を有する単一モードの光ファイバであると、半
導体レーザ素子から出射されるレーザ光を高い結合効率
で光ファイバの一端部に結合させることができる。

【００９０】本発明の光通信用モジュールにおいて、半
導体レーザ素子がベースに鉛フリー半田によって固定さ
れていると、製造工程における人体への悪影響を防止す
ることができる。

【００９１】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースは冷却手段に熱伝導性ペーストによって固定されて
いると、半導体レーザ素子に発生する熱をベースを介し
て冷却手段に効率良く放散することができる。

【００９２】本発明の光通信用モジュールにおいて、ベ
ースの下面に金属蒸着層が形成されていると、ベースと
冷却手段との間の熱交換効率が向上するので、半導体レ
ーザ素子に発生する熱をベースを介して冷却手段に効率
良く放散することができる。本発明の光通信用モジュー
ルが第１、第２、第３及び第４の検査用電極を備えてい
ると、第１の検査用電極と第２の検査用電極との間に検
査用電流を印加すると共に、第３の検査用電極と第４の
検査用電極との間に流れる電流を検出することにより、
半導体レーザ素子の電気特性を容易に検査することがで
きる。この場合、第１〜第４の検査用電極はベースの上
面に形成されているので、光通信用モジュールの小型化
を妨げることなく、半導体レーザ素子の電気特性を検査
することができる。

【００９３】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
よると、第１のプローブ針と第２のプローブ針との間に
検査用電流を印加することにより、半導体レーザ素子の
下部電極と上部電極との間に検査用電流を印加すること
ができると共に、第３のプローブ端子と第４のプローブ
端子との間の電流を検出することにより、モニター用受
光素子の下部電極と上部電極との間に流れる電流を検出
することができるので、半導体レーザ素子の電気的特性
を容易且つ確実に検査することができる。

【００９４】本発明の光通信用モジュールの検査方法に
おいて、第１の検査用電極と第１の外部電極、第２の検
査用電極と第２の外部電極、第３の検査用電極と第３の
外部電極、及び第４の検査用電極と第４の外部電極とが
それぞれ電気的に接続されていると、第１及び第２の検
査用電極と半導体レーザ素子の下部電極及び上部電極と
の電気的接続並びに第３及び第４の検査用電極とモニタ
ー用受光素子の下部電極及び上部電極との電気的接続を
簡易に行なうことができるので、光通信用モジュールの
小型化を妨げることなく、半導体レーザ素子の電気特性
を検査することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す側方断面図である。

【図２】第１の実施形態に係る光通信用モジュールのキ
ャップを取り除いた状態を示す平面図である。

【図３】第１の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す、図１におけるIII −III 線の断面図である。

【図４】第１の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す、図１におけるVI−VI線の断面図である。

【図５】第１の実施形態の第１変形例に係る光通信用モ
ジュールの組立工程を示す斜視図である。

【図６】第１の実施形態の第２変形例に係る光通信用モ
ジュールを示す側方断面図である。

【図７】第２の実施形態に係る光通信用モジュールを示
す側方断面図である。

【図８】第３の実施形態に係る光通信用モジュールの検
査方法を示す部分平面図である。

【図９】第３の実施形態に係る光通信用モジュールの検
査方法を示す部分拡大斜視図である。

【図１０】第３の実施形態に係る光通信用モジュールの
検査方法を示す全体斜視図である。

【図１１】従来の光通信用モジュールを示す側方断面図
である。

【符号の説明】

１００ パッケージ １０１ ペルチェ素子 １０２ ベース １０３ 半導体レーザ素子 １０４ モニター用受光素子 １０５ 光ファイバ １０５Ａ 第１の光ファイバ １０５Ｂ 第２の光ファイバ １０５ａ 入射部 １０５ｂ ジャケット部 １０６ ファイバ押さえ部材 １０７ 切欠き部 １０８ 外部電極 １０９ 外部リード １１０ ボンディングワイヤ １１１ 筒状部 １１２ 固定用樹脂 １１３ キャップ １２０ 位置決め用凹部 １２１ アライメントマーク １３１ 第１のフェルール １３２ 第２のフェルール １３３ 割スリーブ １３４ 連結部材 ２０１ ペルチェ素子 ２０２ 送信用ベース ２０３ 半導体レーザ素子 ２０４ モニター用受光素子 ２０５ 光ファイバ ２０６ ファイバ押さえ部材 ２０７ 切欠き部 ２１０ 受信用ベース ２１１ 光分岐器 ２１２ 受信用受光素子 ２１３ 小型アイソレータ ３０２ ベース ３０３ 半導体レーザ素子 ３０４ モニター用受光素子 ３０５ 凹状溝 ３０７ 切欠き部 ３０８Ａ 第１の外部電極 ３０８Ｂ 第２の外部電極 ３０８Ｃ 第３の外部電極 ３０８Ｄ 第４の外部電極 ３０９ 第１のボンディングワイヤ ３１０Ａ 第１の検査用電極 ３１０Ｂ 第２の検査用電極 ３１０Ｃ 第３の検査用電極 ３１０Ｄ 第４の検査用電極 ３２０ 検査用基板 ３２１ 位置決め用凹部 ３２２ フォトディテクタ ３２２ａ 受光部 ３２３Ａ 第１のプローブ針 ３２３Ｂ 第２のプローブ針 ３２３Ｃ 第３のプローブ針 ３２３Ｄ 第４のプローブ針

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 賢一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部が気密に保持されるパッケージと、 前記パッケージの底部に固定され、外部から温度制御さ
   れる冷却手段と、 前記冷却手段の上に固定されたベースと、 前記ベースの上に固定され、レーザ光を出射する半導体
   レーザ素子と、 前記ベースの上に固定され、前記半導体レーザ素子から
   出射されたレーザ光の光出力を検出するモニター用受光
   素子と、 前記ベースの上に固定され、一端部に前記半導体レーザ
   素子から出射されたレーザ光が入射され、他端部から出
   力信号光を出力する光ファイバとを備えていることを特
   徴とする光通信用モジュール。
2. 【請求項２】 前記ベースに設けられ、前記光ファイバ
   の他端部から入力された後、前記光ファイバ内を伝搬す
   る入力信号光を上方へ導く光分岐器と、 前記ベースの上に固定され、前記光分岐器により上方へ
   導かれた入力信号光を受ける受信用受光素子とをさらに
   備えていることを特徴とする請求項１に記載の光通信用
   モジュール。
3. 【請求項３】 前記ベースに設けられ、前記光ファイバ
   内を伝搬する入力信号光が前記半導体レーザ素子に進入
   することを阻止するインライン型の光アイソレータをさ
   らに備えていることを特徴とする請求項２に記載の光通
   信用モジュール。
4. 【請求項４】 前記ベースに設けられ、前記光ファイバ
   の前記半導体レーザ素子に対する位置を規制する光ファ
   イバ位置決め手段をさらに備えていることを特徴とする
   請求項１に記載の光通信用モジュール。
5. 【請求項５】 前記光ファイバ位置決め手段は、 前記ベースに光軸方向へ延びるように形成され、前記光
   ファイバが嵌合されることにより前記光ファイバの光軸
   と垂直な方向の位置を規制する凹状溝と、 前記ベースに光軸と垂直な方向へ延びるように形成さ
   れ、前記半導体レーザ素子側の壁面に前記光ファイバの
   一端部が当接することにより前記光ファイバの光軸方向
   の位置を規制する切り込み溝とを有している請求項４に
   記載の光通信用モジュール。
6. 【請求項６】 前記冷却手段に設けられ、前記ベースの
   前記冷却手段に対する位置を規制するベース位置決め手
   段をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載
   の光通信用モジュール。
7. 【請求項７】 前記ベース位置決め手段は、前記冷却手
   段の上面に形成され、前記ベースが嵌合可能な形状を有
   する凹部であることをことを特徴とする請求項６に記載
   の光通信用モジュール。
8. 【請求項８】 前記ベース位置決め手段は、前記冷却手
   段の上面に形成されたアライメントマークであることを
   特徴とする請求項６に記載の光通信用モジュール。
9. 【請求項９】 前記冷却手段はペルチェ素子であること
   を特徴とする請求項１に記載の光通信用モジュール。
10. 【請求項１０】 前記半導体レーザ素子は、分布帰還型
    のレーザ素子、ポンプレーザ、狭放射角レーザ素子又は
    スポットサイズ変換レーザ素子であることを特徴とする
    請求項１に記載の光通信用レーザ素子。
11. 【請求項１１】 前記光ファイバは、前記半導体レーザ
    素子のスポット径とほぼ等しいコア径を有する単一モー
    ドの光ファイバであることを特徴とする請求項１に記載
    の光通信用モジュール。
12. 【請求項１２】 前記半導体レーザ素子は前記ベース
    に、鉛を有しない鉛フリー半田によって固定されている
    ことを特徴とする請求項１に記載の光通信用モジュー
    ル。
13. 【請求項１３】 前記ベースは前記冷却手段に、鉛を
    有しない熱伝導性ペーストによって固定されていること
    を特徴とする請求項１に記載の光通信用モジュール。
14. 【請求項１４】 前記ベースの下面には金属蒸着層が形
    成されていることを特徴とする請求項１に記載の光通信
    用モジュール。
15. 【請求項１５】 前記ベースの上面に形成されており、
    前記ベースの上面に形成され前記半導体レーザ素子の下
    部電極と直接に接続された第１の外部電極と電気的に接
    続されている第１の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
    に形成され前記半導体レーザ素子の上部電極とボンディ
    ングワイヤにより接続された第２の外部電極と電気的に
    接続されている第２の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
    に形成され前記モニター用受光素子の下部電極と直接に
    接続された第３の外部電極と電気的に接続されている第
    ３の検査用電極と、 前記ベースの上面に形成されており、前記ベースの上面
    に形成され前記モニター用受光素子の上部電極とボンデ
    ィングワイヤにより接続された第４の外部電極と電気的
    に接続されている第４の検査用電極とをさらに備えてい
    ることを特徴とする請求項１に記載の光通信用モジュー
    ル。
16. 【請求項１６】 ベースの上に固定され、レーザ光を出
    射する半導体レーザ素子と、前記ベースの上に固定さ
    れ、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光
    出力を検出するモニター用受光素子と、前記ベースの上
    に固定され、一端部に前記半導体レーザ素子から出射さ
    れたレーザ光が入射され、他端部から出力信号光を出力
    する光ファイバと、前記ベースの上面に形成され、前記
    半導体レーザ素子の下部電極と電気的に接続された第１
    の検査用電極と、前記ベースの上に形成され、前記半導
    体レーザ素子の上部電極と電気的に接続された第２の検
    査用電極と、前記ベースの上面に形成され、前記モニタ
    ー用受光素子の下部電極と電気的に接続された第３の検
    査用電極と、前記モニター用受光素子の上部電極と電気
    的に接続された第４の検査用電極とを有する光通信用モ
    ジュールの検査方法であって、 前記第１の検査用電極に第１のプローブ針を接触させる
    と共に前記第２の検査用電極に第２のプローブ針を接触
    させ、前記第１のプローブ針と前記第２のプローブ針と
    の間に検査用電流を印加する電流印加工程と、 前記第３の検査用電極に第３のプローブ針を接触させる
    と共に前記第４の検査用電極に第４のプローブ針を接触
    させ、前記第３のプローブ針と前記第４のプローブ針と
    の間に流れる電流を検出する電流検出工程と、 前記電流検出工程において検出された電流に基づき、前
    記半導体レーザ素子の電気特性を検査する検査工程とを
    備えていることを特徴とする光通信用モジュールの検査
    方法。
17. 【請求項１７】 前記第１の検査用電極は、前記ベース
    の上に形成され前記半導体レーザ素子の下部電極と直接
    に接続された第１の外部電極と電気的に接続されてお
    り、前記第２の検査用電極は、前記ベースの上に形成さ
    れ前記半導体レーザ素子の上部電極とボンディングワイ
    ヤにより接続された第２の外部電極と電気的に接続され
    ており、前記第３の検査用電極は、前記ベースの上に形
    成され前記モニター用受光素子の下部電極と直接に接続
    された第３の外部電極と電気的に接続されており、前記
    第４の検査用電極は、前記ベースの上に形成され前記モ
    ニター用受光素子の上部電極とボンディングワイヤによ
    り接続された第４の外部電極と電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求項１６に記載の光通信用モジュー
    ルの検査方法。