JPH03120884A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH03120884A JPH03120884A JP25785389A JP25785389A JPH03120884A JP H03120884 A JPH03120884 A JP H03120884A JP 25785389 A JP25785389 A JP 25785389A JP 25785389 A JP25785389 A JP 25785389A JP H03120884 A JPH03120884 A JP H03120884A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は光通信システム用光送受器に好適な半導体レー
ザモジュールに係り、特に光結合効率を安定に保つこと
ができる半導体レーザモジュールに関する。
ザモジュールに係り、特に光結合効率を安定に保つこと
ができる半導体レーザモジュールに関する。
［従来の技術］
従来技術による半導体レーザモジュールは、特開昭６４
−１０６８６号公報に記載されている様に、電流印加に
よりレーザ光を発生する半導体レーザ及び球レンズを銅
タングステム等から成るステムにハンダ付けにより接着
固定し、該半導体レーザから発するレーザ光を球面レン
ズを介して光ファイバに結合された集束レンズに出射す
る様に構成されている。
−１０６８６号公報に記載されている様に、電流印加に
よりレーザ光を発生する半導体レーザ及び球レンズを銅
タングステム等から成るステムにハンダ付けにより接着
固定し、該半導体レーザから発するレーザ光を球面レン
ズを介して光ファイバに結合された集束レンズに出射す
る様に構成されている。
また一般に、前記球面レンズと銅タングステン合金性の
ステムとの熱膨張係数とはほぼ同じであるが、これらと
ハンダとでは１０４倍の差がある。
ステムとの熱膨張係数とはほぼ同じであるが、これらと
ハンダとでは１０４倍の差がある。
［発明が解決しようとする課題］
前述の従来技術による半導体レーザモジュールは、球面
レンズと銅タングステン合金性のステムとこれらを固定
するハンダとの熱膨張係数差が大きいため、繰返しの温
度変化が加わった場合、繰返し熱応力が発生し、ハンダ
付は部に強度劣化及び微少位置ズレが発生し、光結合率
の変動を招くと言う不具合があった。
レンズと銅タングステン合金性のステムとこれらを固定
するハンダとの熱膨張係数差が大きいため、繰返しの温
度変化が加わった場合、繰返し熱応力が発生し、ハンダ
付は部に強度劣化及び微少位置ズレが発生し、光結合率
の変動を招くと言う不具合があった。
本発明の目的は前記従来技術による不具合を除去するこ
とであり、光結合効率を安定に保つことができる半導体
レーザモジュールを提供することである。
とであり、光結合効率を安定に保つことができる半導体
レーザモジュールを提供することである。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために本発明は、レーザ光を照射す
る半導体レーザ及び該半導体レーザからのレーザ光を集
光して外部に出力する集光手段とを備える半導体レーザ
モジュールにおいて、前記半導体レーザ及び集光手段と
を保持する保持部材と該保持部材と集光手段を接着する
接着手段の熱膨張係数差を１×１０−’以下に形成した
ことを第１の特徴とする。
る半導体レーザ及び該半導体レーザからのレーザ光を集
光して外部に出力する集光手段とを備える半導体レーザ
モジュールにおいて、前記半導体レーザ及び集光手段と
を保持する保持部材と該保持部材と集光手段を接着する
接着手段の熱膨張係数差を１×１０−’以下に形成した
ことを第１の特徴とする。
また本発明は、半導体レーザ搭載するステムと、該半導
体レーザからのレーザ光を集光する球レンズと、該球レ
ンズをステム上に搭載する平板と、該平板と球レンズと
を接着固定する接着固定手段とを備える半導体レーザモ
ジュールにおいて、前記ステムと球レンズと平板と接着
固定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１０−’以下に形
成したことを第２の特徴とする。
体レーザからのレーザ光を集光する球レンズと、該球レ
ンズをステム上に搭載する平板と、該平板と球レンズと
を接着固定する接着固定手段とを備える半導体レーザモ
ジュールにおいて、前記ステムと球レンズと平板と接着
固定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１０−’以下に形
成したことを第２の特徴とする。
更に本発明は、半導体レーザからのレーザ光を集光して
出力する先球光ファイバー及び該半導体レーザを搭載し
且つ先球光ファイバーを接着固定手段により接着固定す
るステムとを備える半導体レーザモジュールにおいて、
前記ステムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨
張係数差をほぼ１×１０−’以下に形成したことを第３
の特徴とする。
出力する先球光ファイバー及び該半導体レーザを搭載し
且つ先球光ファイバーを接着固定手段により接着固定す
るステムとを備える半導体レーザモジュールにおいて、
前記ステムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨
張係数差をほぼ１×１０−’以下に形成したことを第３
の特徴とする。
本発明は、前記第２又は第３の特徴の半導体レーザモジ
ュールにおいて、前記ステムが銅タングステン合金によ
り形成され、前記平板がセラミック又は銅タングステン
合金により形成され、接着固定手段が低融点ガラスによ
り形成されていることを第４の特徴とする。
ュールにおいて、前記ステムが銅タングステン合金によ
り形成され、前記平板がセラミック又は銅タングステン
合金により形成され、接着固定手段が低融点ガラスによ
り形成されていることを第４の特徴とする。
［作用］
前記第１の特徴である半導体レーザモジュールは、保持
部材と集光手段と接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ
１×１０−’以下に形成したことにより、光結合路を構
成する各部品の熱膨張係数差に起因する熱応力の発生を
減少して光結合効率を安定に保つことができる。
部材と集光手段と接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ
１×１０−’以下に形成したことにより、光結合路を構
成する各部品の熱膨張係数差に起因する熱応力の発生を
減少して光結合効率を安定に保つことができる。
第２の特徴である半導体レーザモジュールは、ステムと
球レンズと平板と接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ
１×１０−’以下に形成したことにより、光結合路を構
成する球レンズ、ステム、平板乃至接着固定手段の熱膨
張係数差による熱応力の発生を減少して光結合効率を安
定に保つことができる。
球レンズと平板と接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ
１×１０−’以下に形成したことにより、光結合路を構
成する球レンズ、ステム、平板乃至接着固定手段の熱膨
張係数差による熱応力の発生を減少して光結合効率を安
定に保つことができる。
前記第３の特徴である半導体レーザモジュールは、前記
ステムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨張係
数差をほぼ１×１０−’以下に形成したことにより、ス
テム及び該ステムに先球光ファイバを接着固定する接着
固定手段との熱応力発生を減少して光結合効率を安定に
保つことができる。
ステムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨張係
数差をほぼ１×１０−’以下に形成したことにより、ス
テム及び該ステムに先球光ファイバを接着固定する接着
固定手段との熱応力発生を減少して光結合効率を安定に
保つことができる。
第４の特徴である半導体レーザモジュールは、前記第２
又は第３の特徴の半導体レーザモジュールにおいて前記
ステムを銅タングステン合金、前記平板をセラミック又
は銅タングステン合金、接着固定手段を低融点ガラスに
より形成することにより、熱膨張係数差の極めて少ない
光結合路を構成し、熱応力の発生を減少して光結合効率
を安定に保つことができる。
又は第３の特徴の半導体レーザモジュールにおいて前記
ステムを銅タングステン合金、前記平板をセラミック又
は銅タングステン合金、接着固定手段を低融点ガラスに
より形成することにより、熱膨張係数差の極めて少ない
光結合路を構成し、熱応力の発生を減少して光結合効率
を安定に保つことができる。
［実施例コ
以下、本発明による半導体レーザモジュールの一実施例
を図面を用いて詳細に説明する。
を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本実施例による半導体レーザモジュールの構成
を示す図であり、このモジュールは大別して、レーザ光
を照射する半導体レーザ１を一端に搭載し他端に該レー
ザ１を冷却する熱電子冷却素子９に接続するステム８と
、前記半導体レーザ１からの出射光を集光する集束性ロ
ッドレンズ１２等を搭載する保持部品１４及び１５と、
これらステム８及び保持部品１４．１５を密閉的に覆う
パッケージ１１とから構成される。
を示す図であり、このモジュールは大別して、レーザ光
を照射する半導体レーザ１を一端に搭載し他端に該レー
ザ１を冷却する熱電子冷却素子９に接続するステム８と
、前記半導体レーザ１からの出射光を集光する集束性ロ
ッドレンズ１２等を搭載する保持部品１４及び１５と、
これらステム８及び保持部品１４．１５を密閉的に覆う
パッケージ１１とから構成される。
前記ステム８は保持部材に相当する銅タングステン合金
性であって、高熱伝導率をもっＳｉＣから成るサブマウ
ント２に搭載されて電流印加にょリレーザ光を出射する
半導体レーザ１と、該レーザ１からのレーザ光を集中す
るための球レンズ５と、該レンズ５を低融点ガラス７に
よって接着固定する銅タングステン合金（またはセラミ
ック）性の平板６と、レーザ光出射をモニタするための
モニタ用フォトダイオード３と、ステム８の温度を検出
する温度検出素子４とを一方に搭載し、他方に熱電子冷
却素子９の冷却側を接続している。
性であって、高熱伝導率をもっＳｉＣから成るサブマウ
ント２に搭載されて電流印加にょリレーザ光を出射する
半導体レーザ１と、該レーザ１からのレーザ光を集中す
るための球レンズ５と、該レンズ５を低融点ガラス７に
よって接着固定する銅タングステン合金（またはセラミ
ック）性の平板６と、レーザ光出射をモニタするための
モニタ用フォトダイオード３と、ステム８の温度を検出
する温度検出素子４とを一方に搭載し、他方に熱電子冷
却素子９の冷却側を接続している。
またこの熱電子冷却素子９は放熱側に外部のヒートシン
ク（図示せず）に取り付けるためのフランジ１０が取り
付けられている。
ク（図示せず）に取り付けるためのフランジ１０が取り
付けられている。
前記球レンズ５を接着固定する低融点ガラス７の熱膨張
係数は７．０ＸＩＯ−’１０Ｃであり、平板６の熱膨張
係数は銅タングステン合金の場合、６．５Ｘ１０−’／
″Ｃ，セラミックの場合、６．７ｘｌ（ｒ’／’ Ｃで
ある。また球レンズ５の熱膨張係数は材質がＢＫ−７の
場合、 ８．７Ｘ１０−’１０Ｃ、材質がＴａＦ−３の場合、７
，９Ｘ１０〜６１０Ｃである。
係数は７．０ＸＩＯ−’１０Ｃであり、平板６の熱膨張
係数は銅タングステン合金の場合、６．５Ｘ１０−’／
″Ｃ，セラミックの場合、６．７ｘｌ（ｒ’／’ Ｃで
ある。また球レンズ５の熱膨張係数は材質がＢＫ−７の
場合、 ８．７Ｘ１０−’１０Ｃ、材質がＴａＦ−３の場合、７
，９Ｘ１０〜６１０Ｃである。
また前記保持部品１４及び１５は球レンズ５からのレー
ザ光を集束する様に外周面にメタライズされた集束性ロ
ッドレンズ１２を保持し、ウッドレンズ１２からのレー
ザ光をフェルール１５を介して入力する光ファイバ１３
とを同軸上に保持する様にパッケージ１１にレーザ溶接
又はロウ付けされている。
ザ光を集束する様に外周面にメタライズされた集束性ロ
ッドレンズ１２を保持し、ウッドレンズ１２からのレー
ザ光をフェルール１５を介して入力する光ファイバ１３
とを同軸上に保持する様にパッケージ１１にレーザ溶接
又はロウ付けされている。
前記光結合された光学部品の位置関係は第２図に示す如
くステム８上に配置された半導体レーザ１及び球レンズ
５．集束性ロッドレンズ１２．光ファイバ１３が一直線
上に光結合されるものであり、これら光学部品の結合路
上の位置ズレ量による結合損失劣化量は各部品によって
異なる。
くステム８上に配置された半導体レーザ１及び球レンズ
５．集束性ロッドレンズ１２．光ファイバ１３が一直線
上に光結合されるものであり、これら光学部品の結合路
上の位置ズレ量による結合損失劣化量は各部品によって
異なる。
この位置ズレ量と結合損失劣化量の関係は第３図に示す
如く、半導体レーザ１に対する球レンズ５の僅かな位置
ズレによって劣化量か急速に増大する特性Ａ、該時特性
に次いで劣化量の大きい半導体レーザ１に対する集束性
ロッドレンズ１２との位置ズレによる特性Ｂ、該時特性
に次かで劣化量の大きい半導体レーザ１に対する光ファ
イバ１３との位置ズレによる特性Ｃ，ステム８に搭載さ
れ一体となった半導体レーザ１と球レンズ５の集束性ロ
ッドレンズ１２に対する位置ズレの許容幅が大きい特性
りとなる。
如く、半導体レーザ１に対する球レンズ５の僅かな位置
ズレによって劣化量か急速に増大する特性Ａ、該時特性
に次いで劣化量の大きい半導体レーザ１に対する集束性
ロッドレンズ１２との位置ズレによる特性Ｂ、該時特性
に次かで劣化量の大きい半導体レーザ１に対する光ファ
イバ１３との位置ズレによる特性Ｃ，ステム８に搭載さ
れ一体となった半導体レーザ１と球レンズ５の集束性ロ
ッドレンズ１２に対する位置ズレの許容幅が大きい特性
りとなる。
即ち本半導体レーザモジュールにおける光学部品の結合
路上の位置ズレ量と劣化量との関係は、前記特性Ａで示
す半導体レーザ１に対する球レンズ５、即ちレーザ光の
集光手段との位置ズレが最も結合損失劣化を招くことが
判る。
路上の位置ズレ量と劣化量との関係は、前記特性Ａで示
す半導体レーザ１に対する球レンズ５、即ちレーザ光の
集光手段との位置ズレが最も結合損失劣化を招くことが
判る。
前述の従来技術による半導体レーザモジュールは、球レ
ンズと平板との結合を熱膨張係数が２．６５Ｘ１０−”
／’ Ｃ（ＰｂとＳｎの比が６０対４０のハンダ）乃至
２，８７ｘｌＯ−”／’ Ｃ（ｐｂとＳｎの比が９０対
１０のハンダ）と球レンズ及び平板と大きく異なるハン
ダを使用した場合、この熱膨張係数が約１０’倍の差が
あるため、半導体レーザモジュールの保存温度の上下限
度値である一４００Ｃ〜＋８５°Ｃの温度サイクル試験
を行なった場合、該熱膨張係数差により熱応力がハンダ
結合部に加わり、応力疲労による強度劣化や微少クラッ
クが生じて前記位置ズレによって結合損失が増大してい
た。
ンズと平板との結合を熱膨張係数が２．６５Ｘ１０−”
／’ Ｃ（ＰｂとＳｎの比が６０対４０のハンダ）乃至
２，８７ｘｌＯ−”／’ Ｃ（ｐｂとＳｎの比が９０対
１０のハンダ）と球レンズ及び平板と大きく異なるハン
ダを使用した場合、この熱膨張係数が約１０’倍の差が
あるため、半導体レーザモジュールの保存温度の上下限
度値である一４００Ｃ〜＋８５°Ｃの温度サイクル試験
を行なった場合、該熱膨張係数差により熱応力がハンダ
結合部に加わり、応力疲労による強度劣化や微少クラッ
クが生じて前記位置ズレによって結合損失が増大してい
た。
本実施例による半導体レーザモジュールは、前記球レン
ズ５と平板６との結合を、これらと熱膨張係数がほぼ等
しい低融点ガラス（熱膨張係数が７．９Ｘ１０−’／’
Ｃ乃至８．７ｘｌＯ−６／’ Ｃ）を用いて結合して
いるため、熱膨張係数差が１ ｘ １０−’／’ Ｃ以
下に抑えられて前記熱応力を１／１０−’以下に低減す
ることができる。このため本実施例による半導体レーザ
モジュールは球レンズ５と平板６との位置ズレを低減し
て結合損失劣化量を減少することができる。尚、前記低
融点ガラス７は球レンズ５を平板６に接着固定する接着
固定手段に相当する。
ズ５と平板６との結合を、これらと熱膨張係数がほぼ等
しい低融点ガラス（熱膨張係数が７．９Ｘ１０−’／’
Ｃ乃至８．７ｘｌＯ−６／’ Ｃ）を用いて結合して
いるため、熱膨張係数差が１ ｘ １０−’／’ Ｃ以
下に抑えられて前記熱応力を１／１０−’以下に低減す
ることができる。このため本実施例による半導体レーザ
モジュールは球レンズ５と平板６との位置ズレを低減し
て結合損失劣化量を減少することができる。尚、前記低
融点ガラス７は球レンズ５を平板６に接着固定する接着
固定手段に相当する。
第４図は本発明の他の実施例による半導体レーザモジュ
ールを示す図であり、半導体レーザ１との光結合に先球
光ファイバー１７を適用した例である。この先球光ファ
イバー１７はその球形状の先端が前記実施例の球レンズ
と同様な集光手段に相当する働きをしてレーザ光を内部
に導入するものである。
ールを示す図であり、半導体レーザ１との光結合に先球
光ファイバー１７を適用した例である。この先球光ファ
イバー１７はその球形状の先端が前記実施例の球レンズ
と同様な集光手段に相当する働きをしてレーザ光を内部
に導入するものである。
即ち本実施例による半導体レーザモジュールは第４図に
示す様に大別して、レーザ光を照射する半導体レーザ１
．温度検出素子４及びモニタ用フォトダイオード３を搭
載し且つ、前記先球光ファイバー１７を貫通孔１８内に
成形鉛ガラス粉末７′によって接着固定したステム８′
と、該ステム８゛の後端に接する熱電子冷却素子９の
放熱側を外部のヒートシンク（図示せず）と接続する様
に接着固定すると共に、先球光ファイバー１７を貫通孔
１９に成形鉛ガラス粉末７′によって接着固定するパッ
ケージ１１とから構成される。
示す様に大別して、レーザ光を照射する半導体レーザ１
．温度検出素子４及びモニタ用フォトダイオード３を搭
載し且つ、前記先球光ファイバー１７を貫通孔１８内に
成形鉛ガラス粉末７′によって接着固定したステム８′
と、該ステム８゛の後端に接する熱電子冷却素子９の
放熱側を外部のヒートシンク（図示せず）と接続する様
に接着固定すると共に、先球光ファイバー１７を貫通孔
１９に成形鉛ガラス粉末７′によって接着固定するパッ
ケージ１１とから構成される。
前記ステム８は前記実施例同様に銅タングステン合金性
であって、サブマウント２も高熱伝導率をもつＳｉＣか
ら構成されている。またパッケージ１１は熱膨張係数が
６．２Ｘ１０−’／’ Ｃのコバールにより製造されて
いる。
であって、サブマウント２も高熱伝導率をもつＳｉＣか
ら構成されている。またパッケージ１１は熱膨張係数が
６．２Ｘ１０−’／’ Ｃのコバールにより製造されて
いる。
この半導体レーザモジュールは、先球光ファイバー１７
をパッケージ１１の貫通孔１９及びステム８゛の貫通孔
１８に貫通させて半導体レーザ１との光結合路を確保し
た状態で成形鉛ガラス粉末７′をＹＡＧレーザ光を照射
して溶融することにより、該ファイバー１７の接着固定
及び半導体レーザ１の気密封止が行なわれている。
をパッケージ１１の貫通孔１９及びステム８゛の貫通孔
１８に貫通させて半導体レーザ１との光結合路を確保し
た状態で成形鉛ガラス粉末７′をＹＡＧレーザ光を照射
して溶融することにより、該ファイバー１７の接着固定
及び半導体レーザ１の気密封止が行なわれている。
従って本実施例実施例による半導体レーザモジュールは
、光ファイバ１７．成形鉛ガラス粉末７゜及びステム８
の熱膨張係数差がＩ Ｘ １０−’／’ Ｃ以下に抑え
られるため、該熱膨張係数差による熱応力疲労による強
度劣化や微少クラックを防止して位置ズレによる結合損
失の増大を防止することができる。尚、前記低融点ガラ
ス７′は先球光ファイバー１７をステム８に接着固定す
る接着固定手段に相当するものである。
、光ファイバ１７．成形鉛ガラス粉末７゜及びステム８
の熱膨張係数差がＩ Ｘ １０−’／’ Ｃ以下に抑え
られるため、該熱膨張係数差による熱応力疲労による強
度劣化や微少クラックを防止して位置ズレによる結合損
失の増大を防止することができる。尚、前記低融点ガラ
ス７′は先球光ファイバー１７をステム８に接着固定す
る接着固定手段に相当するものである。
［発明の効果］
以上述べた如く本発明による第１の特徴による半導体レ
ーザモジュールは、保持部材と集光手段と平板と接着固
定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１０′″４以下に形
成したことにより、各構成部品の熱膨張係数差に起因す
る熱応力の発生を減少して光結合効率を安定に保つこと
ができる。
ーザモジュールは、保持部材と集光手段と平板と接着固
定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１０′″４以下に形
成したことにより、各構成部品の熱膨張係数差に起因す
る熱応力の発生を減少して光結合効率を安定に保つこと
ができる。
第２の特徴による半導体レーザモジュールは、ステム、
平板、乃至接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１
０””以下に形成したことにより、光結合路を構成する
球レンズ、ステム、平板乃至接着固定手段の熱膨張係数
差による熱応力の発生を減少して光結合効率を安定に保
つことができる。
平板、乃至接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ１×１
０””以下に形成したことにより、光結合路を構成する
球レンズ、ステム、平板乃至接着固定手段の熱膨張係数
差による熱応力の発生を減少して光結合効率を安定に保
つことができる。
第３の特徴による半導体レーザモジュールは、前記ステ
ムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨張係数差
をほぼ１×１０−’以下に形成したことにより、ステム
及び該ステムに先球光ファイバを接着固定する接着固定
手段との熱応力発生を減少して光結合効率を安定に保つ
ことができる。
ムと先球光ファイバーと接着固定手段との熱膨張係数差
をほぼ１×１０−’以下に形成したことにより、ステム
及び該ステムに先球光ファイバを接着固定する接着固定
手段との熱応力発生を減少して光結合効率を安定に保つ
ことができる。
更に第４の特徴による半導体レーザモジュールは、前記
第２又は第３の特徴の半導体レーザモジュールにおいて
前記ステムを銅タングステン合金。
第２又は第３の特徴の半導体レーザモジュールにおいて
前記ステムを銅タングステン合金。
前記平板をセラミック又は銅タングステン合金。
接着固定手段を低融点ガラスにより形成することにより
、熱膨張係数差の極めて少ない光結合路を構成して熱応
力の発生を減少し、光結合効率を安定に保つことができ
る。
、熱膨張係数差の極めて少ない光結合路を構成して熱応
力の発生を減少し、光結合効率を安定に保つことができ
る。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザモジュー
ルを示す図、第２図は該半導体レーザモジュールの光結
合路の位置関係を示す図、第３図はこの位置関係のズレ
量による結合損失劣化量を説明するための図、第４図は
本発明の他の実施例による半導体レーザモジュールを示
す図である。 １：半導体レーザ、２：サブマウント、３・モニタ用フ
ォトダイオード、 ４：温度検出素子、５：球レンズ、 ６：平板、７：低融点ガラス、８：ステム、９：熱電子
冷却素子、１０：フランジ、１１：パッケージ、１２：
集束性ロッドレンズ、１３：光ファイバ、１４：保持部
品、 １５；フェルール、１６；保持部品、 １７・先球光ファイバ、１８及び１９：貫通孔、２０、
孔、７゛：成形鉛ガラス粉末、 ８゛ステム。
ルを示す図、第２図は該半導体レーザモジュールの光結
合路の位置関係を示す図、第３図はこの位置関係のズレ
量による結合損失劣化量を説明するための図、第４図は
本発明の他の実施例による半導体レーザモジュールを示
す図である。 １：半導体レーザ、２：サブマウント、３・モニタ用フ
ォトダイオード、 ４：温度検出素子、５：球レンズ、 ６：平板、７：低融点ガラス、８：ステム、９：熱電子
冷却素子、１０：フランジ、１１：パッケージ、１２：
集束性ロッドレンズ、１３：光ファイバ、１４：保持部
品、 １５；フェルール、１６；保持部品、 １７・先球光ファイバ、１８及び１９：貫通孔、２０、
孔、７゛：成形鉛ガラス粉末、 ８゛ステム。
Claims (4)
- （１）レーザ光を照射する半導体レーザ及び該半導体レ
ーザからのレーザ光を集光して外部に出力する集光手段
とを備える半導体レーザモジュールにおいて、前記半導
体レーザ及び集光手段とを保持する保持部材と該保持部
材と集光手段を接着する接着手段の熱膨張係数差を１×
１０＾−＾４以下に形成したことを特徴とする半導体レ
ーザモジュール。 - （２）レーザ光を照射する半導体レーザ搭載するステム
と、該半導体レーザからのレーザ光を集光する球レンズ
と、該球レンズをステム上に搭載する平板と、該平板と
球レンズとを接着固定する接着固定手段とを備え、前記
半導体レーザからのレーザ光を球レンズにより集光して
外部に出力する半導体レーザモジュールにおいて、前記
ステムと球レンズと平板と接着固定手段との熱膨張係数
差をほぼ１×１０＾−＾４以下に形成したことを特徴と
する半導体レーザモジュール。 - （３）レーザ光を照射する半導体レーザと、該半導体レ
ーザからのレーザ光を集光して外部に出力する先球光フ
ァイバーと、前記半導体レーザを搭載し且つ先球光ファ
イバーを接着固定手段により接着固定するステムとを備
える半導体レーザモジュールにおいて、前記ステムと先
球光ファイバーと接着固定手段との熱膨張係数差をほぼ
１×１０＾−＾４以下に形成したことを特徴とする半導
体レーザモジュール。 - （４）請求項２又は請求項３記載の半導体レーザモジュ
ールにおいて、前記ステムが銅タングステン合金により
形成され、前記平板がセラミック又は銅タングステン合
金により形成され、接着固定手段が低融点ガラスにより
形成されていることを特徴とする半導体レーザモジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785389A JPH03120884A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785389A JPH03120884A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120884A true JPH03120884A (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=17312073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25785389A Pending JPH03120884A (ja) | 1989-10-04 | 1989-10-04 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03120884A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-10-04 JP JP25785389A patent/JPH03120884A/ja active Pending
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