JPS62109060A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨθ−Ｎｅ　　レーザーあるいは
半導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長
を有する）を使用して像記録を行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後「ａ−８ｉｌと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０口以上の
暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に゛層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとなる。

まだ重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

この点を図面を以って以下に説明する。

第６図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光重０と上部界面６０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面６旧で反射した反射光Ｒ２が示されている。

そこにあって、層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波
長をλとして、ある層の層厚がなだ射光Ｒ１，Ｒ２が２
ｎｄ＝ｍλ　（ｍは整数、反射光は射光は弱め合う）の
条件のどちらに合うかによって、ある層の吸収光量およ
び透過光量に変化が生じる。即ち、光受容部材が第７図
に示すような、２若しくはそれ以上の層（多層）構成の
ものであるものにおいては、それらの各層について第６
図に示すような干渉効果が起って、第７図に示すような
状態となり、その結果、それぞれの干渉が相乗的に作用
し合って干渉縞模様を呈するところとなり、それがその
ま＼転写部材に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対
応した干渉縞が転写、定着される可視画像に現出して不
良画像をもたらしてしまうといった問題がある。

この問題を解消する策として、（ａ）支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±１００００又の凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参
照）、（ｅ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマ
イト処理したり、サンドブラストにより砂目状の微細凹
凸を設けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層を設
ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）
等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定大の
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（１））の方法については、黒色アルマイト処理では、
完全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存
してしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は
、ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生
じ、形成される光受容層の層品質が著しく低下すること
、樹脂層がａ−８１層形成の際のプラズマによってダメ
ージを受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表
面状態の悪化によるその後のａ−８ｉ層の形成に悪影響
を与えること等の問題点を有する。

（Ｃ）の方法については、第８図に示す様に、例えば入
射光重ｏは、−光受容層８０２の表面でその一部が反射
されて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容層８０２の内
部に進入して透過光量ｌとなる。透過光量ｌは、支持体
８０１の表面に於いて、その一部は、光散乱されて拡散
光Ｋｌ、に２、Ｒ３・・・となり、残りが正反射されて
反射光Ｒ２となり、その一部が出射光Ｒ３となって外部
に出ては行くが、出射光Ｒ３は、反射光Ｒ１と干渉する
成分であっていずれにしろ残留するため依然として干渉
縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体８旧の表
面の拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところ
でかえって光受容層内で光が拡散してハレーションを生
じてしまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、第９図に示す
ように、支持体９０１表面を不規則的て荒しても、第１
層９０２での表面での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ
１、支持体９０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して
、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる
。従って、多層構成の光受容部材においては、支持体９
０１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止
することは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、単に支持体表面を規則的に荒した場合、第１０図に
示すように、通常、支持体１０旧の表面の凹凸形状１０
（１３に沿って、光受容層１００２が堆積するため、支
持体１００１の凹凸の傾斜面と光受容層１００２の凹凸
の傾斜面とが１０（１３’、１００４’で示すように平
行になる。

しだがって、その部分では入射光は、２ｎｄ１−ｍλま
たは２ｎ（ｌｌ−（ｍ＋　−）λの関係が成立ち、夫々
明部まだは暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄｌ、ｄ２、ｄ３、ｄ４の夫々の一層があるた
め明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体１００１表面を規則的に荒しただけでは
、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第８図に図示の一層構成の光
受容部材のところで説明した支持体表面での正反射光と
、光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界
面での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受
容部材の干渉縞模様発現度合よシ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−１ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部材
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子またはスズ原子の少なくともいずれか一方と
、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種とを含有する非晶質材料で構成された感光
層を少なくとも有する多層構成の光受容層を有する光受
容部材であって、前記支持体の表面が、主ピークに副ピ
ークが重畳して複数の微小な凹凸形状を成している断面
形状のものであり、且つ、該支持体表面上の前記光受容
層が、ショートレンジ内に少くとも一対の非平行な界面
を有し、該非平行な界面が層厚方向と垂直な面内の少く
とも一方向に多数配列しているものであることを骨子と
する光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、得た知
見は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材に
おいて、該光受容部材に要求される解像度よりも微小な
凹凸形状を支持体表面に形成するとともに、該凹凸形状
の１周期内の微小部分（以下、「ショートレンジ」と称
す。）内に、少くとも一対の非平行な界面を有するよう
にし、該非平行な界面を層厚方向と垂直な面内の少なく
とも一方向に多数配列せしめた場合、画像形成時に現わ
れる干渉縞模様の問題が解消されること、そして、その
場合、支持体表面に設ける凹凸の凸部の縦断面形状は、
ショートレンジ内に形成される各層の層厚の管理された
不均一化、支持体と支持体上に直接設けられる層との間
の良好な密着性、あるいはさらに、所望の電気的接触性
等を確保するだめに、主ピークに副ピークが重畳した形
状を呈することが望ましいというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験によシ得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る多層構成の光受容層を有する光
受容部材の一例を示す模式図である。

この例では、支持体１０１の表面が、主ピークに副ピー
クが重畳して複数の微小な凹凸形状をなしている断面形
状のものであり、該支持体１０１上に、その凹凸形状に
沿って、第一の層１０２と第二の層１（１３とからなる
光受容層を備えている。

第２乃至４図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するだめの図である
。

第２（Ａ）図は、第１図に示す光受容部材の光受容層の
一部を拡大して示した図であり、第２（Ｂ）図は同部分
における明るさを示す図であり、図中、２０２は第一の
層、２（１３は第二の層、２０４は自由表面、２０５は
第一の層と第二の層との界面を示している。第２（Ａ）
図に示すごとく、第二の層２（１３の層厚は、ショート
レンジを内においてｄ２１からｄ２２に連続的に変化し
ているため、自由表面２０４と界面２０５とは互いに異
なる傾きを有している。したがって、このショートレン
ジを内に入射したレーザー光等の可干渉性光は、該ショ
ートレンジｔにおいて干渉をおこし、微小な干渉縞模様
が生成はする。しかし、ショートレンジｔにおいて生ず
る干渉縞は、ショートレンジｔの大きさが照射光スポッ
ト径よシ小さい、即ち、解像度限界より小さいため、画
像に現われることはない。又、はとんどないことではあ
るが、仮に、画像に現われる状況が生じたとしても肉眼
の分解能以下なので、実質的には何等の支障もない。

一方、第３図（但し図中、３０２は第一の層、３（１３
は第二の層、３０４は自由表面、３０５は第一の層３０
２と第二の層３（１３との界面を示す。

）に示すように、第一の層３０２と第二の層３（１３と
の界面３０５と、自由表面３０４とが非平行である（第
３（Ａ）図参照）場合には、入射光重ｏに対する反射光
Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が異なるため、界面
３０５と自由表面３０４とが平行である（第３（Ｂ）図
参照）場合に比べて、干渉の度合が減少する。即ち、干
渉が生じても、第３（Ｃ）図に示すごとく、一対の界面
が平行な関係にある場合よりも、一対の界面が非平行な
関係にある場合の方が干渉の度合が小さくなるため、干
渉縞模様の明暗の差が無視しうる程度に小さくなり、そ
の結果、入射光量は平均化される。

このことは、第２（Ｃ）図に示すように、第二の層２（
１３の層厚がマクロ的に不均一である場合、即ち、異な
る任意の２つの位置における第二の層の層厚ｄ２３、ｄ
２４がｄ２３笑ｄＱｔである場合であっても同様であっ
て、全層領域において入射する光量は第２（Ｄ）図に示
すように均一となる。

以上、光受容層が第一の層と第二の層とで構成されてい
る場合について記載したが、本発明の光受容部材が３層
以上の多層構成の光受容層を有している場合、例えば、
第４図に示すように支持体４０１上に形成される光受容
層が、第一の層４０２、第二の層４（１３、および第三
の層４０４とから構成される場合であっても、入射光量
０に対して、反射光Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、穐およびＲ５が
存在するが、４０２．４（１３および４０４の各層にお
いて、第３図によって説明したごとき入射する光量が平
均化される現象が生ずる。

その上、ジョートレン：）Ｌ内の各層の界面は、一種の
スリットとして働き、そこで回折現象を生じる。

そのため、各層での干渉は、層厚の差による干渉と、層
界面の回折による干渉との積として現われる。

したがって、光受容層全体で考えると、干渉は夫々の層
での相乗効果となるため、本発明の光受容部材において
は第一の層を構成する層の数が増大するにつれ、より一
層干渉による影響を防止することができる。

以上の実験的に確認された事実関係をもってする前述の
構成の本発明の光受容部材の支持体は、その表面が光受
容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸を有し、し
かも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが重畳し
た形状を呈しているものである。

かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その上に光
受容層が形成されてなる光受容部材を、光受容層を通過
した光が支持体表面で反射することにより干渉し形成さ
れる画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた
画像を形成することにつながる。

本発明の光受容部材の支持体の表面について、好適な凹
凸形状の１周期の大きさｔは、照射光のスポット径をＬ
とすれば、ｔ≦Ｌの関係にあることが必要である。

また、本発明の光受容部材の多層構成の光受容層は、シ
リコン原子（Ｓｉ）と、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）又は
スズ原子（Ｓｎ）の少なくともいずれか一方と、酸素原
子（０）、炭素原子（Ｃ）及び窒素原子（Ｎ）の中から
選ばれる少なくとも一種と、好ましくはさらに水素原子
（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一
方とを含有するアモルファス材料〔以下、［ａ−８ｉ（
Ｇｅ、５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。〕で構成された
感光層を少なくとも有し、さらに必要に応じて伝導性を
制御する物質を含有せしめることができる。そして、該
光受容層は、伝導性を制御する物質を含有する電荷注入
阻止層を構成層の１つとして有するか、または／及び障
壁層を構成層の１つとして有することが望ましい。

本発明゛の光受容部材においては、前述の表面形状を有
する支持体と、該支持体上に形成される光受容層とは密
接に関係する。即ち、本発明の光受容部材にあっては、
支持体上に、第一の層と第二の層とを積層して有し、さ
らに第一の層にあっては、後で詳述するように、干渉を
防止することを目的として、第一の層の支持体側の端部
にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を比較的多量に
含有する局在領域を形成せしめるか、又は／及び第一の
層の支持体側の端部に伝導性を制御する物質を比較的多
量に含有する局在領域（すなわち、電荷阻止層）を形成
せしめるか、又は／及び第一の層の支持体側の端部に障
壁層を形成することが望ましく、こうした構成の本発明
の光受容部材は支持体上に複数の層による複数の界面が
形成されることとなるが、本発明の光受容部材において
は、ショートレンジを内に少なくとも一対の非平行な界
面が存在するようにされる。

そして、本発明の目的をより効果的に達成するためには
、ジョートレン：）Ｌに於ける層厚の差、例えば前述の
第２（Ａ）図におけるｄ２□とｄ２２の差は、照射光の
波長をλとすると、次式：ｄ２１　　ｄ２２≧−（ｎ：
構成層の屈折率）ｎ を満足することが望ましい。そして該層厚の差の上限は
、好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、より好ましくは０．
１　μｍ　〜１．５　μｍ、最適には０．２μｍ〜１μ
ｍとすることが望ましい。

前述のごとく、本発明の光受容部材においては、ショー
トレンジを内において、少なくともいずれか２つの界面
が非平行な関係にあるように各層の層厚が制御されるが
、この条件を満たす限りにおいて、平行な関係にある界
面が存在してもよい。但し、その場合、平行な関係にあ
る界面について、任意の２つの位置をとって、それらの
位置における層厚の差をΔｔとし、照射光の波長をλ、
層の屈折率をｎとした場合、次式： を満足するように層又は層領域を形成するのが望ましい
。

本発明の第一の層及び第二の層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成するために、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、ス・Ｑツタリング法、イオンブレーティン
グ法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもできる。

以下、第１図により本発明の光受容部材の具体的構成に
ついて詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は第一の層、１（１３は第二
の層、１０４は自由表面を示す。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を有
し、しかも該凹凸の断面形状が、主ピークに副ピークが
重畳した形状を呈しているものである。

支持体表面に設けられる該凹凸形状は、化学的エツチン
グ、電気メッキ等の化学的方法、蒸着、スパッタリング
などの物理的方法、旋盤加工などの機械的方法などによ
って形成されるが、生産管理を容易に行なうためには、
旋盤などの機械的加工方法が好ましい。

たとえば、支持体の表面を旋盤で加工する場合、Ｖ字形
状の切刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加
工機械の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め
所望に従って設計されたプログラムに従って回転させな
がら規則的に所定方向に移動させることにより、支持体
表面を正確に切削加工することで、所望の凹凸形状、ピ
ッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によって
形成される凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体
の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋
構造は、二重、三重の多重螺線構造、又は、交叉螺締構
造としてもよい。あるいは、輝線構造に加えて、中心軸
に沿った直線構造を導入してもよい。

また、前記凹凸形状は、本発明の目的を効率的に達成す
るために、規則的、または周期的に配列されていること
が好ましい。更に、これに加えて、入射光を効率よく一
方向に散乱するだめに、前記凹凸形状が、その主ピーク
を中心に対称（第５図（Ａ））、または、非対称（第５
図（Ｂ））に統一されていることが好ましい。しかし、
支持体の加工管理の自由度を高めるだめには、両方が混
在しているのがよい。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる微小な凹凸の各デイメンジョンば、以下の点を考慮
した上で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定
される。

即ち、第１には光受容層を構成するａ−８ｉ層は、層形
成される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応
じて層品質は犬きく変化する。

従って、ａ−８ｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる微小な凹凸のディメンジョンを設
定する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を・防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の凹部のピッチは、通常は０．３μｍ〜５
００μｍ１好ましくは１μｍ〜２００μ払、より好まし
くは５μｍ〜５０μｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１μｍ〜５μｍ
、より好ましくは０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．６
μｍ〜２μｍとされるのが望ましい。支持体表面の凹部
のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又
は線上突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２
０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜１
０度とするのが望ましい。

°本発明に用いる支持体１旧は、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｚ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ａｕ１Ｎｂ１Ｔａ、Ｖ。

Ｔｉ　、Ｐｔ　、　Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ホリエチレ
ン、ホリカーホネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロぎレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等
の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の
表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層
を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａ７
．　Ｃｒ、　ＭＯ％Ａｕ、■ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ
１Ｐｔ１Ｐａ　、工ｎ２０５、ＳｎＯ□、工Ｔｏ（工ｎ
２（１３　＋　５ｎ０２　）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性を付与し、或イはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、　Ａｔ、
　Ａｇ、　Ｐｂ１Ｚｎ１Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、ＭＯｌＩｒ
、Ｎｂ１Ｔａ、Ｖ１Ｔ７，１Ｐｔ等の金属の薄膜を真空
蒸着、電子ビーム蒸着、ス、ｅツタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性を付与する。支持体の形状は、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状であることができるが
、用途、所望によって、その形状は適宜に決めることの
できるものである。例えば、第１図の光受容部材１００
を電子写真用像形成部材として使用するのであれば、連
続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とする
のが望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材
を形成しうる様に適宜決定するが、光受容部材として可
撓性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内で可能な限り薄くすることができる。

しかしながら、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

光受容層 本発明°の光受容部材において光受容層１０２は、前述
ノ支持体１０１上に形成され、ａ−９ｉ（Ｇｅ、Ｓｎ　
）（Ｃ，Ｏ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成されており、自由
表面１（１３を一方の端面に有している。さらに、該光
受容層には、必要に応じて伝導性を制御する物質を含有
せしめることもでき、伝導性を制御する物質を比較的多
量に含有する電荷注入阻止層及び／又は障壁層を、支持
体側の端部の構成層として有することが望ましい。

本発明の光受容層に含有せしめることのできるハロゲン
原子は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられるが、特に、フッ素及び塩素が好ましいものとし
て挙げられる。そして、本発明の受容層中に含有される
水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋ｘ）は、好ましく
は０．０１−７１０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には
０．０５〜３０ａｔｏｍｉｃ　％、最適には０．１〜２
５　ａｔｏｍｉｃ　％とするのが望ましい。

また、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚ば
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あシ、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光源とした場合に特に顕著である。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるかあるいは不均一な分布状態で含有せし
めるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層の支持体表面と平
行な面方向において均一であり、光受容層の層厚方向に
も均一でちることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であることをいう。） そして、本発明の光受容層においては、特に支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層を設けるか、あるいは
自由表面側よりも支持体側の方に多く分布した状態とな
る様にゲルマニウム原子又は／及びスズ原子を含有せし
めることが望ましく、こうした場合、支持体側の端部に
おいてゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度
を極端に犬きくすることにより、半導体レーザー等の長
波長の光源を用いた場合に、光受容層の自由表面側に近
い構成層又は層領域においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、光受容層の支持体と接する構成層又は層領
域において実質的に完全に吸収されるだめ、支持体表面
からの反射光による干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の光受容層においては、ゲルマニ
ウム原子又は／及びスズ原子を全層領域において均一に
分布せしめることもでき、また層厚方向に連続的かつ不
均一に分布せしめることもできるが、以下、層厚方向の
分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子
ヲ例として、第１１乃至１９図により説明する。

第１１図乃至第１９図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、光受容層の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の光受容層の端面の位置を、１Ｔは支持体
側とは反対側の自由表面側の端面の位置を示す。即ち、
ゲルマニウム原子の含有される光受容層はｔＢ側よりｔ
Ｔ側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するだめの説明のだめの模式的なものである。

第１１図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接
する界面位置ｔＢよりｔｌの位置までは、ゲルマニウム
原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍らゲ
ルマニウム原子が光受容層に含有され、位置１１よりは
濃度Ｃ２よシ位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少さ
れている。位置１Ｔにおいてはゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは実質的にゼロとされる。（ここで実質的にゼロ
とは検゛出限界量未満の場合である。）第１２図に示さ
れる例においては、含有されるゲルマニウム原子の分布
濃度Ｃは位置ｔＢより位ＷｔＴに至るまで濃度Ｃ３から
徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度Ｃ４とな
る様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とさ
れ、位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的
に減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
ゼロとされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置１Ｔにおいて実質的にゼロとされている
。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ４間においては、濃度Ｃマと
一定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロとさ
れる。位置ｔ４と位置１Ｔとの間では、分布濃度Ｃは一
次関数的に位置ｔ４より位置ｔＴに至るまで減少されて
いる。

第１６図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
Ｂより位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
５より位置ｔＴまでは濃度Ｃ９より濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位置ｔＢよシ位置１Ｔに
至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１ｌ
　よシー次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１８図においては、位置ｔＢより位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１２より濃
度Ｃ１３まで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度Ｃ工、の一定値とされた例が
示されている。

第１９図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１４であり、位置
１．に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ７では濃度Ｃ１１ｉとされる。

位置ｔ１と位置ｔ６との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度ＣＸａとなり、位置ｔ８と位置ｔ９との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１７に至る
。位置ｔ９と位置１丁との間においては濃度Ｃ１γより
実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第１１図乃至第１９図により、光受容層中に含有
されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の
光受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、端面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側
に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられ
ているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する光受容層は
、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第１１図乃
至第１９図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ
Ｂよ９５４以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＢより５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜法め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値ｃ　ｍａｘ
がシリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸｌ０’ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔＢから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値ＣｍａＸが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
法める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０’　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましく　ｌｄ　１０〜３　
Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくは１
×１０２〜２×１０５ａｔＯ１０５ａｔＯトスル。

本発明の光受容部材の光受容層に、酸素原子、炭素原子
及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せ
しめる目的は、主として該光受容部材の高光感度化と高
暗抵抗化、そして支持体と光受容層との間の密着性の向
上にある。

本発明の光受容層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種を含有せしめ
る場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるか、
あるいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるか
は、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によ
って異なり、したがって、含有せしめる量も異なるとこ
ろとなる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、光受容層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、光受容層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少なくとも
一種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と光受容層との密着性の向上を目的とする
場合には、光受容層の支持体側の端部の構成層１０２中
に均一に含有せしめるか、あるいは、光受容層の支持体
側端部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の
中から選ばれる少なくとも一種の分布濃度が高くなるよ
うな分布状態で含有せしめ、この場合、光受容層に含有
せしめる酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選
ばれる少なくとも一種の量は、支持体との密着性の向上
を確実に図るためだ、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、光受容層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少く
とも一種の量は、しかし、上述のごとき光受容層に要求
される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面にお
ける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定され
るものであシ、通常はＱ、ＱＱＩ　〜５Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、好ましくはｏ　、ｏ０２〜４０　ａｔｏｍｉｃ
　％、最適には０．０（１３〜３０ａｔＯｍｉＣ％トス
ル。

ところで、光受容層の全層領域に含有せしめるか、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の光受容層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限は少なめＫされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、光受容層の層厚の
２７５となるような場合には、含有せしめる量は、通常
３Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％以下、好ましくは２０ａｔｏｍ
ｉｃ％以下、最適にはｌＱ　ａｔｏｍｉｃ　％以下にさ
れる。

次に本発明の光受容層に含有せしめる酸素原子、炭素原
子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種の量が
、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の端
部から自由表面側の端部に向かって減少し、光受容層の
自由表面側の端部付近においては、比較的少量となるか
、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめる
場合の典型的な例のいくつかを、第加図乃至第３図によ
って説明する。しかし、本発明はこれらの例によって限
定されるものではない。

以下、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の中から選ばれ
る少なくとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ　）Ｊと表記す
る。第四乃至蕗図において、横軸は原子（０，Ｃ，Ｎ　
）の分布濃度Ｃを、縦軸は光受容層の層厚を示し、ｔＢ
は支持体と光受容層との界面位置を、を丁は光受容層の
自由表面側の端面の位置を示す。

第２０図は、光受容層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ　）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示してい
る。該別では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有する光受容
層と支持体との界面位置ｔＢより位置１１までは、原子
（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが０１なる一定値をとり
、位置ｔ１より自由表面側端面位置ｔＴまでは原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少
し、位置ｔＴにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度が（１３となる。

第２１図に示す他の典型例の１つでは、光受容層に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは、位置ｔ
Ｂから位置１Ｔにいたるまで、濃度Ｃ４から連続的に減
少し、位置１．においで濃度Ｃ６となる。

第ｎ図に示す例では、位置ｔＢから位置ｔ２までは原子
（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一定値を
保ち、位置ｔ２から位置ｔＴにいたるまでは、原子（０
，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に連続的
に減少して位置１Ｔにおいては原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第ｎ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度
Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴにいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置１Ｔにおいては原子（０，
Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ３の間においては濃度Ｃ９
の一定値にあり、位置ｔ３から位置１Ｔの間においては
、濃度Ｃ９から濃度ＣＩＯとなるまで、−次間数的に減
少する。

第５図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢより位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃ１ｌ
の一定値にあり、位置ｔ４より位置ｔＴにいだるまでは
濃度Ｃ１２から濃度Ｃ１３となるまで一次関数的に減少
する。

第２６図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢから位置ｔＴにいたるまで、濃
度Ｃ１＆から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する。

第ｎ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度
Ｃは、位置ｔＢから位置ｔ５にいたるまで濃度Ｃ１５か
ら濃度Ｃ１６となるまで一次関数的に減少し、位置ｔ５
かも位置１丁までは濃度Ｃ１６の一定値を保つ。

最後に、第四図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の
分布濃度Ｃは、位置ｔＢにおいて濃度ＣＸｔであり、位
置ｔＢから位置ｔ６までは、濃度Ｃ１７からはじめはゆ
っくり減少して、位置ｔ６付近では急激に減少し、位置
ｔ６では濃度Ｃ１ｆｌ　となる。次に、位置ｔ６から位
置ｔｙｔでははじめのうちは急激に減少し、その後は緩
かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度０１９　と
なる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくり
と徐々に減少し、位置を日において濃度Ｃ２０となる。

また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度
Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第ｎ図乃至第５図に示しだ例のごとく、光受容層の支持
体側端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃの高い部
分を有し、光受容層の自由表面側端部においては、該分
布濃度Ｃがかなり低い部分を有するか、あるいは実質的
にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては、光受
容層の支持体側端部に原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度
が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ましく
は該局在領域を支持体表面と光受容層との界面位置ｔＢ
から５μ以内に設けることにより、支持体と光受容層と
の密着性の向上をより一層効率的に達成することができ
る。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有せしめる
光受容層の支持体側端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される光受容層に要求される特性に従って適宜法めら
れる。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ　）の量は、
原子（○、Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃの最大値が５ＱＱ　
ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは８ＱＱ　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＯＯＯａｔ１００Ｏａ
ｔＯ以上トナルヨうな分布状態とするのが望ましい。

更Ｋ、本発明の光受容部材においては必要に応じて光受
容層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野閲おい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第Ｖ族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）
、工ｎ（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等を挙げるこ
とができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである。

また第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）　、　ＡＳ　（砒素
）、ｓｂ（アンチ％７）、Ｂｉ（ビスマン）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、ｐ、ｓｂである
。

本発明の光受容層だ伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０”　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍであり、
好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０”　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ、最適にはＩ　Ｘ　１０−１〜２　Ｘ　
１０２１０２ａｔｏ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第■族原子
を含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第■族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理を受けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動をよ如効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子を含有せしめた場合には
、光受容層の自由表面がθ極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
り効率的に阻止することができる。そして、こうした場
合の含有量は比較的多量であって、具体的には、３０〜
５Ｘ１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５０〜１
　＜　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

最適にはｌ　Ｘ　１０”　〜５　Ｘ　ＩＱ”　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍとする。

さらに、該電荷注入阻止層としての効果を効率的に奏す
るためには、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有する支持
体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚をｔとし、
光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ／Ｔ≦０６４の関係
が成立することが望ましく、より好ましくは該関係式の
値が０．３５以下、最適には０．３以下となるようにす
るのが望ましい。また、該層又は層領域の層厚ｔは、一
般的には３　Ｘ　１０−”〜１０μとするが、好ましく
は４ＸＩＯ−３〜８μ、最適には５　Ｘ　１０−３〜５
μとするのが望ましい。

光受容層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量
が、支持体側においては比較的多量であって、支持体側
から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層の自
由表面付近においては、比較的少量となるかあるいは実
質的にゼロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子
を分布させる場合の典型的な例は、前述の光受容層に酸
素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいず
れか１つを含有せしめる場合に例示した第ｍ乃至３図の
と同様な例によって説明することができるが、本発明は
これらの例によって限定されるものではない。

そして、第四図乃至第四図に示した例のごとく、光受容
層の支持体側に近い側に第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃの高い部分を有し、光受容層の自由表面側にお
いては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分あるいは
実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあっては
、支持体側に近い部分に第■族原子又は第■族原子の分
布濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好
ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界゛面位置
から５μ以内に設けることにより、第■族原子又は第■
族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注入阻止
層を形成するという前述の作用効果がより一層効率的に
奏される。

以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第■族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および光受容
層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の量を、必
要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは、
いうまでもない。例えば、光受容層の支持体側の端部に
電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層（第１図
１０２）以外の光受容層の構成層（第１図１（１３）に
、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性を制御する物質
の極性とは別の極性の伝導性を制御する物質を含有せし
めてもよく、あるいは、同極性の伝導性を制御する物質
を、電荷注入阻止層に含有される量よりも一段と少ない
量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、ＡｔａＯ３，５ｉｎ２．８１３Ｎ、等の
無機電気絶縁材料や、）？　ＩＪカーボネート等の有機
電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された多層
構成の光受容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解
決でき、特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光
源として用いた場合にも、干渉現象による形成画像にお
ける干渉縞模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な
可視画像を形成することができる。

まだ、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ノ・−フトー／が鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、ス・にツタリング法、或いはイオンブレーテ
ィング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行
われる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素
原子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことから
して、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適であ
る。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓｌ）を
供給しうるＳ１供給用の原料ガスと、ゲルマニウム原子
（Ｇｏ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給しうる水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）供給用の原
料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所望のガス圧
状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生起せしめて
、予め所定位置に設置しである所定の支持体表面上に、
ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される層を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとな如うる物質としては、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５１３Ｈ８，５１４Ｈ１ｏ　　等
のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）
が挙げられ、特に、層形成作業時の取扱い易さ、Ｓ１供
給効率の良さ等の点から、ＳｉＨ４および５１２Ｈ６が
好ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈｇ、ＧＱ４Ｈｘｏ
、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１，、Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢ
ＨＩＢ、Ｇｅ９Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化しうる
水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層形
成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点から
、Ｇｅｍ、、Ｇｅ２Ｈ，、およびＧｅ３Ｈ８が好ましい
。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があシ、例えばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し
うるハロゲン化合物を用いることができる。具体的には
、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ
、　Ｃ４ＦＳＣ４Ｆ３、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、工Ｆ３、
工Ｆ７、工Ｃ６゜よりｒ等のハロゲン間化合物、および
ＳｉＦ、、Ｓｉ２Ｆ６、ｓｉｃム、５ｉＢｒ、等のハロ
ゲン化硅素等が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法によ層形成する場合には、Ｓ１原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用することなく、所定の支
持体上にハロゲン原子を含有するａ−８１で構成される
層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓ１供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｈ２、Ｈｅ等のガスとを所定の混合比とガス流量になる
ようにして堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することにより、支持
体上に光受容層を形成するものであるが、電気的あるい
は光電的特性の制御という点で極めて有効であるところ
の水素原子（Ｈ）の含有量の制御を一層容易にするため
には、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガスを
混合することもできる。該水素原子供給用のガスとして
は、水素ガスあるいは、ＳｉＨ，、Ｓｉ□Ｈ６，５ｉ３
ＨＢ、５１４Ｈ１゜等の水素化硅素のガスが用いられる
。また、水素原子供給用ガスとして、ＨＦ、　Ｈｅ４．
　ＨＢｒ１Ｈ工等のハロゲン化物、Ｓ　ｉＨ２Ｆ２、Ｓ
ｉＨ２工２、Ｓ　ｉ　Ｈ２Ｃ４２，５ｉＨＣ４３、Ｓ　
ｉ　Ｈ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３　　等のハロゲン置換水
素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうるものを用
いた場合には、ノ・ロゲン原子（Ｘ）の導入と同時に水
素原子（Ｈ）も導入されるので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層を形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットと、ゲルマニウムかう成ルターゲットとの二枚
を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ング法ることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｋ、Ｂ、法）等によ
って加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰
囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２あるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をス、ｅツタリング用の堆積室内に導入し
てこれ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。

さらにノ・ロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のノ・ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有
効なものとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、　ＨＣ
，４、ＨＢｒ、　Ｈ工等のハロゲン化スズ、Ｓ　ｉ　Ｈ
３Ｎ２．５ｉＨ２Ｉ２．９ｉＨ２Ｃ４２，５ｉＨＣＬＳ
、　５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水
素化硅素、およびＧｅＨＦ３、Ｇ　ｅ　Ｈ３Ｎ２、Ｇｅ
Ｈ３Ｆ。

ＧｅＨＣｔ３、（）ｅＨ２Ｃｔ２、ＧｅＨ５ＣｚｌｌＧ
ｅＨＢｒ３、Ｇｅ上２Ｂｒ２、ＧｅＨ３Ｂｒ、　ＧｅＨ
工３、ＧｅＨ２工２、ＧｅＦ３工等の水素化ノ１０ゲン
化ゲルマニウム等、ＧｅＦ、、ＧｅＣム、ＧｅＢｒ、、
Ｇｏ工４、ＧｅＦ２、Ｇ　ｅ　Ｃｌ３、ＧｅＢｒ２、Ｇ
ｅ工２等のハロゲン化ゲルマニウム等々のガス状態の又
はガス化しうる物質も有効な出発物質として使用できる
。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はノ・ロゲン原子（Ｘ
）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ
）は、好ましくは０．０１〜４０ａｔｏｍｉｃ　％、よ
り好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ’％、最適に
は０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ　％とするのが望ましい
。

グロー放電法、スノｑツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、スズ原子を含着するアモルファ
スシリコン（以下、［ａ−９ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記
する。）で構成される光受容層を形成するには、上述の
ａ−９ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓｎ
　）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら・含有せしめることによって行
なう。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ，）や８ｎＦ２．８ｎＦ
、、５ｎＣ４２，８ｎＣム、Ｓ　ｎＢｒ２．５ｎＢｒ、
、ＳｎＩ２、Ｓｎ工。

等のハロゲン化スズ等のガス状態の又はガス化しうるも
のを用いることができ、ノ・ロゲン化スズを用いる場合
には、所定の支持体上にノ・ロゲン原子を含有するａ−
８ｉで構成される層を形成することができるので、特に
有効である。なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
ｎ供給効率の良さ等の点から、ＳｎＣムが好ましい。

そして、ＳｎＣムをスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物質
として用いる場合、これをガス化するには、固体状のｓ
ｎｃムを加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性がヌ
を吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングするのが
望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧にした
堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法を用いて、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選ばれる少なくとも一種を含有するａ−８ｉＧ
ｅ（）（、Ｘ）、ａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）又はａ　−８
ｉＧｅ８ｎ（Ｈ、Ｘ　）で構成される層又は一部の層領
域を形成するには、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は
／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ、Ｘ）で構成される層の形成の
際に、原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質を、ａ−
８１Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）
形成用の出発物質とともに使用して、形成する層中への
それらの量を制御しながら含有せしめることによって行
なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ　）導入用の出発物質とし
ては、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ　）を構成原子とす
るガス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んど
のものが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（ＯＩり、オゾン（（１３）、−酸化窒素（
Ｎｏ　）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２
０）、三二酸化窒素（Ｎ２（１３）、四三酸化窒素（Ｎ
２０．）、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（Ｎ
Ｏ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素
原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓｉ０
８１Ｈ２０８ｉＨ３）等の低級シロキサン等が挙げられ
、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質としては、例えば、
メタン（ＣＭ、　）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プ０　／”
　７　（Ｃ３ＨＢ　）　、ｎ−ブタｙ（ｎ−Ｃ４Ｈ１゜
）、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜５の飽和炭
化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６
）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｅ　）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８
）、イソブチレン（Ｃ，Ｈ，５）、滅ンテン（Ｃ５Ｈ１
０）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレ
ン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチ
ン（Ｃ４Ｈ６）　等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化
水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質と
しては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）、三弗化窒素（Ｆ
’３Ｎ　）、四弗化窒素（Ｆ、Ｎ　）等が挙げられる。

また、ス・ぐツタリング法を用いて原子（０，Ｃ，Ｎ）
を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉＳｎ（Ｈ
，Ｘ）またはａ　−５ｉＧｅＳｎ　（Ｈ、Ｘ　）で構成
される層を形成する場合には、原子（０，Ｃ，Ｎ　）導
入用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した
前記のガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質と
して、５１０２、Ｓｉ３Ｎ、、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、８１等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用する
ことができる。

グロー放電法、ス・でツタリング法あるいはイオンブレ
ーティング法を用いて、第■族原子又は第Ｖ族原子を含
有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ
（Ｈ，Ｘ）で構成される層又は一部の層領域を形成する
には、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−Ｅ
ｔｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、第■
族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質を、ａ−８ｉＧ
ｅ（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）形成用
の出発物質とともに使用して、形成する層中へのそれら
の量を制御しながら含有せしめることによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯ，Ｂ５Ｈ９、Ｂ
５Ｈ１１、Ｂ６ＨＩＯ１Ｂ６Ｈ１２、Ｂ、Ｈ１番等の水
素化硼素、ＢＦ３、ＰＣｌ５、ＢＢｒ３等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。

この他、ＡＬＣＬｓ、Ｃａ　Ｃ４３、Ｇａ（ＣＨ３）２
、工ｎｃｚ３、ＴＬＣ！、ｒｓ等も挙げることができる
。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ６等の水素北隣、ＰＨ，
工、ＰＦ３、ＰＦ５、ｐｃム、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、Ｐ
Ｂ　ｒ５、Ｐ工３等のハロゲン比隣が挙げられる。この
他、ＡｓＨ２、Ａ８Ｆ３、Ａ３Ｃｌ３、ＡｓＢｒ３、Ａ
ｒＦ５．８１）Ｈ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ５．５ｂＣｔ３
．５ｂｃｚ５、ＢｉＩ３、ＢｉＣｌ２、Ｂ１Ｂｒ３　等
も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げ
ることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、酸素原子、炭素原子又は窒素原子、あるい
は第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいはさらに水素原子
及び／又はノ・ロデン原子の各々の含有量の制御は、堆
積室内へ流入する、各々の原子供給用出発物質のガス流
量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量比を
制御することにより行われる。

まだ、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、形成する層の機能
に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに、
これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記の
各原子の種類及び量によっても異なることもあることか
ら、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考慮
をはらって決定する必要もある。

具体的には、原子（０，Ｃ，Ｎ　）を含有せしめたａ−
８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成する場合、あるい
は原子（０，Ｃ，Ｎ　）および第■族原子又は第Ｖ族原
子を含有せしめたａ−８ｉＧθ（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成する場合については、支持体温度は、通常５０〜３
５０°Ｃとするが、より好ましくは関〜３００°Ｃ１特
に好ましくはｉｏｏ〜３００°Ｃとする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．０１〜５ＴＯｒ
ｒとするが、好ましくは、０．００１〜３　ＴＯｒｒ　
。

特に好ましくは０．１〜１　’１”ｏｒｒとする。まだ
、放電、ｅワーは０．００５〜５０　Ｗ　７ｃｍ２とす
るのが通常であるが、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／Ｃ
ｒｎ２、特に好ましくは０　、０１〜２０　Ｗ　７ｃｍ
”とする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電・々ワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通
常には個々に独立しては容易には決め難いものである。

したがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、
相互的且つ有機的関連性だ基づいて、層形成の至適条件
を決めるのが望ましい。

本発明の光受容部材は、その光受容層が、前述したよう
に、ショートレンジ内に少なくとも一対の非平行な界面
を有するように形成されていることが必要であり、その
ために支持体上に形成される層の表面が支持体表面に対
し非平行となるように形成されるわけであるが、そのよ
うにするについては、成膜操作中、放電／ｅクワ−ガス
圧を比較的高く保つことによって行われる。

そしてそれらの放電、ｅワー、ガス圧は、使用ガスの種
類、支持体の材質、支持体表面の形状、支持体温度等に
よって異シ、これらの種々の条件を考慮して決定される
。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ　）、第
■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素原子又は／及び
ハロゲン原子の分布状態を均一とするためには、光受容
層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つこと
が必要である。

まだ、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０，Ｃ，Ｎ　）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状
態を有する光受容層を形成するには、グロー放電法を用
いる場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子、原子（０，Ｃ，’Ｎ　）、あるいは第■族原子又は
第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入す
る際のガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ
、その他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガ
ス流量を変化させるには、具体的には、例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方
法により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニード
ルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

また、光受容層をス／Ｑツタリング法を用いて形成する
場合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，
Ｎ　）、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の層厚方向
の分布濃度を層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分
布状態を形成するには、グロー放電法を用いた場合と同
様に、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（○、Ｃ，
Ｎ　）あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発
物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する
際のガス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１５に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第四図はグロー放電法による本発明の光受容
部材の製造装置である。

図中の２９０２．２９（１３　、２９０４．２９０５．
２９０６　　のガスボンベには、本発明の夫々の層を形
成するだめの原料ガスが密封されており、その−例とし
て、たとえば、２９０２は８ｉＦ、ガス（純度９９．９
９９チ）ボンベ、２９（１３はＧｌＢＦ、ガス（純度９
９．９９９　％　）ボンベ、２９０４はＣＨ，ガス（純
度９９．９９９チ）ボンベ、２９０５はＨ２で稀釈され
だＢ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９チ、以下Ｂ２Ｈ，／
　Ｈ２と略す。）ボンベであり、　２９０６は不活性ガ
スであるＨｅガスボンベ、２９０６’はＳｎＣムが入っ
た密閉容器である。

これらのガスを反応室２９０１に流入させるにはガスボ
ンベ２９０２〜２９０６のバルブ２９２２〜２９２６、
リーク・ｔルブ２９３５が閉じられていることを確認し
又、流入バルブ２９１２〜２９１６、流出パルブ２９１
７〜２９２１、補助バルブ２９３２．２９３３が開かれ
ていることを確認して、先ずメインバルブ２９３４を開
いて反応室２９旧、ガス配管内を排気する。次に真空計
２９３６の読みが約５　Ｘ　１０＝　ｔｏｒｒになった
時点で、補助バルブ２９３２．２９３３、流出バルブ２
９１７〜２９２１を閉じる。

Ａ７．シリンダー２９３７上に光受容層１００を形成す
る場合の一例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２９０２よりＳｉｎ、ガス、ガスボン
へ２９（１３よりＧｅＦ、ガス、ガスボンベ２９０４よ
りＣＨ。

ガス、ガスボンベ２９０５よりＢ２　Ｈ６／　Ｂ２ガス
の夫々をバルブ２９２２．２９２３．２９２４．２９２
５を開いて出口圧デー：）２９２７．２９２８．２９２
９．２９３０の圧を１に９／ｃｒｎ２に調整し、流入バ
ルブ２９１２．２９１３．２９１４．２９１５を徐々に
開けて、マスフロコントローラ２９０７．２９０８．２
９０９．２９１０内に流入させる。引き続いて流出バル
ブ２９１７．２９１８．２９１９．２９２０、補助バル
ブ２９３２を徐々に開いてガスを反応室２９０１内に流
入させる。このときのＳｉＦ、ガス流量、ＧｅＦ、ガス
流量、ＣＨ４ガス流量、Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ２　がス流量
の比が所望の値になるように流出バルブ２９１７．２９
１８．２９１９．２９２０を調整し、又、反応室２９０
１内の圧力が所望の値になるように真空計２９３６の読
みを見ながらメインバルブ２９３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー２９３７の温度が加熱ヒーター２
９３８により５０〜４００°Ｃの範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源２９４０を所望の電力
に設定して反応室２９０１内にグロー放電を生起せしめ
るとともに、マイクロコンピュータ−（図示せず）を用
いて、あらかじめ設計された変化率線に従って、ＳｉＦ
、ガス、Ｇｅｔ、ガス、ＣＨ，ガス、Ｂ２　Ｈ６／　Ｂ
２ガスの流量を制御しながら、基体シリンダー２９３７
上に光受容層を形成する。

光受容層中に水素原子を含有せしめる場合に、上記ガス
に、Ｂ２ガスを更に付加して反応室に送り込んでもよい
。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもない。

また、光受容層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとしてＳｎＣムを出発物質としたガスを用
いる場合には、２９０６’に入れられた固体状ＳｎＣム
を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに、該
ＳｎＣム中にＡｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２９０
６よりＡｒ％Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブリン
グする。発生したＳｎＣムのガスは、前述のＳｉＦ、ガ
ス、ＧｅＦ、ガス及びＢ２Ｈ６／　Ｂ２がス等と同様の
手順により反応室自洗流入させる。

実施例１ 支持体として、シリンダー状Ａｔ基体（長さ３５７Ｍ、
径８０Ｍ）に旋盤で第３０　（Ａ）図に示すような溝を
形成した。このときの溝の形の断面形状は第３０　（Ｂ
１図て示すとおりであった。なお、第３０（Ａ）図は該
Ａｔ支持体の全体図であり、第３０　（Ｂ）図は、その
表面の一部分の断面形状を示す図である。

次Ｋ、該Ａｔ支持体上に、以下の第１表に示す条件で、
第四図に示した製造装置により光受容層を形成した。な
お、光受容層中に含有せしめる硼素原子は、Ｂ２Ｈ，／
　ＳｉＦ、　＋　ＧｅＦ、　共１００　ｐｐｍであって
、該層の全層に約２００ｐｐｍとなるべく導入した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
光受容層の層厚を電子顕微鏡で測定したところ、光受容
層の表面は、支持体の表面に対して非平行となっており
、Ａｔ支持体の中央と両端部とでの平均層厚の層厚差は
２μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、第３１図に示す
画像露光装置を用い、波長７８０　ｎｍ、スポット径８
０μｍのレーザー光を照射して画像露光を行ない、現像
、転写を行なって画像を得た。

得られた画像において、干渉縞模様の発生は観察されず
、実用性の良好な電子写真特性を示すものが得られた。

なお、第３１　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第３１　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、３１０１は光受
容部材、３１０２は半導体レーザー、３１（１３はｆθ
レンズ、３１０４はポリゴンミラーを示している。

実施例２ 第２表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した以
外はすべて実施例１と同様にしてＡｔ支持体上に光受容
層を形成した。

こうして得られた光受容部材の各々について、それらの
微小部分内の光受容層の層厚の差を、電子顕微鏡で測定
したところ、光受容層の表面は支持体表面に対して非平
行となっており、また光受容層のシリンダー中央と両端
の平均層厚の差は２．３μｍであった。

さらに、これらの光受容部材について、実施例１と同様
にして画像を形成したところ、各々の画像において、干
渉縞の発生は見られず、実用性の良好な電子写真特性を
示すものが得られた。

実施例３ 実施例１と同様にして、第３０　（Ｃ）〜（ＥＪ図に示
す断面形状を有するＡｔ支持体（シリンダーＮＣＬ３０
１〜３（１３）を得だ。

該Ａｔ支持体（シリンダーＮｎ３０１〜３（１３）上に
、第３表に示す層形成条件に従って、光受容層を形成し
た。この際、ＳｉＦ、ガス、ＧｅＦ、ガス、Ｂ２Ｈ６１
Ｈ２ガス及びＣＨ，ガスのガス流量は第３２図に示す流
量変化曲線に従ってマイクロコンピュータ−制御により
自動的に調整した。また、光受容層中に含有せしめる硼
素原子は実施例１と同様の条件で導入した。

こうして得られた光受容部材の各々について、微小部分
内の光受容層の層厚の差を、実施例１と同様にして測定
したところ、光受容層の表面は支持体の表面に対して非
平行となっていた。

また、光受容層のシリンダー中央と両端の平均層厚の差
は２．２μｍであった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、各々の得られだ画像において、干
渉縞の発生は観察されず、実用性の良好な電子写真特性
を示すものが得られた。

第　　　３　　　表 ａ基板温度＝２５０℃ 放電周波数：　１３．５６ＭＨ２ 実施例４〜１５ 第４〜１５表に示す層形成条件に従って光受容層を形成
した以外はすべて実施例３と同様にして、Ａｔ支持体（
試料ｔＪｏ、３０１〜３（１３）上に光受容層を形成し
た。この際、実施例４〜６．８〜１４における使用ガス
のガス流量は、各々第３３〜お、３６〜４２図に示す流
量変化曲線に従って、マイクロコンピュータ−制御によ
り自動的に調整し、各実施例において光受容層中に含有
せしめる硼素原子は、実施例１と同様の条件で導入した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに−極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２乃至４図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するだめの部分拡大図
であり、第２図は、光受容層の構成層各層の界面が非平
行な場合に干渉縞の発生が防止しうろことを示す図、第
３図は、光受容層の構成層各層の界面が平行である場合
と非平行である場合の反射光強度を比較する図、第４図
は、光受容層の構成層が三以上の多層である場合におけ
る干渉縞の発生の防止を説明する図である。第５図は、
本発明の光受容部材の支持体の表面形状の典型例を示す
図である。第６乃至１０図は、従来の光受容部材におけ
る干渉縞の発生を説明する図であって、第６図は、光受
容層における干渉縞の発生、第７図は、多層構成の光受
容層における干渉縞の発生、第８図は、散乱光による干
渉縞の発生、第９図は、多層構成の光受容層における散
乱光による干渉縞の発生、第１０図は、光受容層の構成
層各層の界面が平行である場合の干渉縞の発生を各各層
している。第１１〜１９図は、本発明の光受容層におけ
るケ゛ルマニウム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状
態を表わす図であり、第２０−２８図は、本発明の光受
容層における酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から
選ばれる少なくとも一種、および第■族原子又は第Ｖ族
原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、各図にお
いて、縦軸は光受容層の層厚を示し、横軸は各原子の分
布濃度を表わしている。第四図は、本発明の光受容部材
の光受容層を製造するだめの装置の１例で、グロー放電
法による製造装置の模式的説明図である。第３０　（Ａ
Ｊ図は、旋盤による機械的加工により形成された、本発
明の光受容部材の支持体の全体図であり、第３０　（Ｂ
）〜（縛図は、該支持体の表面の一部分の断面形状を示
す図である。第３１図はレーザー光による画像露光装置
を説明する図である。第３２乃至４２図は、本発明の光
受容層形成におけるガス流量比の変化状態を示す図であ
り、縦軸は光受容層の層厚、横軸は使用ガスのガス流量
を示している。 第１乃至第４図について、 １００・・・光受容層、１０１・・−支持体、１０２．
２０２．３０２．４０２・・・第一の層、１（１３．２
（１３．３（１３．４（１３・・−第二の層、４０４−
・−第三の層、１０４．２０４．３０４・・・自由表面
、２０５．３０５・・・第一の層と第二の層との界面、 第６乃至１０図について、 ６０１・・・下部界面、６０２・・・上部界面、７０１
・・・支持体、７０２．７（１３−・・光受容層、８０
１−・・支持体、８０２・・・光受容層、９０１・・・
支持体、９０２・・・第１層、９（１３・・・第２層、
１００１・・・支持体、１００２・・・光受容層、１０
（１３・・・支持体表面、１００４・・・光受容層表面
、第２９図において、 ２９０１・・・反応室、２９０２〜２９０６・・・ガス
ボンベ、２９０６’−−５ｎｃｔ４槽、２９０７〜２９
１１　・？スフロコントローラ、２９１２〜２９１６・
・・流入ノセルブ、２９１７〜２９２１・・・流出パル
プ、２９２２〜２９２６・・・パ／Ｉ／　）、２９２７
〜２９３１・・・圧力調整器、２９３２．２９３３・・
・補助ノまルブ、　２９３４・・・メインパルプ、２９
３５・・・リークパルプ、２９３６・・・真空計、２９
３７・・・基体シリンダー、２９３８・・・加熱ヒータ
ー、２９３９・・・モーター、２９４０・・・高周波電
源、 第３１図において、 ３１０１・・・光受容部材、３１０２・・・半導体レー
ザー、３１（１３・−・ｆθレンズ、３１０４・・・ポ
リゴンミラー。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   及びスズ原子の少くともいずれか一方と、酸素原子、炭
   素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と
   を含有する非晶質材料で構成された感光層を少なくとも
   有する多層構成の光受容層を有する光受容部材であつて
   、前記支持体の表面が、主ピークに副ピークが重畳して
   複数の微小な凹凸形状を成している断面形状のものであ
   り、且つ、該支持体表面上の前記光受容層が、ショート
   レンジ内に少くとも一対の非平行な界面を有し、該非平
   行な界面が層厚方向と垂直な面内の少くとも一方向に多
   数配列しているものであることを特徴とする光受容部材
   。
2. （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）光受容層が構成層の１つとして障壁層を有する、
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）非平行な界面の配列が規則的である、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）非平行な界面の配列が周期的である、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）ショートレンジが０．３〜５００μである、特許
   請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第（１
   ）項に記載の光受容部材。
9. （９）前記支持体の表面に設けられた凹凸形状が、螺旋
   構造を有する線状突起部を形成している特許請求の範囲
   第（８）項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記螺線構造が多重螺線構造である特許請求の
    範囲第（９）項に記載の光受容部材。
11. （１１）前記線状突起がその稜線方向に於いて区分され
    ている特許請求の範囲第（９）項に記載の光受容部材。
12. （１２）前記線状突起の稜線方向が円筒状支持体の中心
    軸に沿つている特許請求の範囲第（１３）項に記載の光
    受容部材。
13. （１３）前記支持体表面に設けられた凹凸は傾斜面を有
    する特許請求の範囲第（８）項に記載の光受容部材。
14. （１４）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第（１３）項に記載の光受容部材。
15. （１５）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れた微小な凹凸と同一のピッチで配列された微小な凹凸
    が形成されている特許請求の範囲第（１）項に記載の光
    受容部材。