JPS60144750A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光銀、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

［従来技術］ 固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する
光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光電流（Ｉｐ
）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することかでＳること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

このような観点に立脚して、最近注目されている光導電
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−９ｉと表記する
）があり、例えば秒間公開第２７４６！１１６７号公報
、同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材
への応用が、また、秒間公開第２！３３３４０号公報に
は光電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されている
。

しかしながら、従来のａ−５ｉで構成された先導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、および耐湿性等の使用
環境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合
的な特性向上を図る必要があるという更に改善されるべ
き問題点があるのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し
続けると、繰り返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂ゴースト現象を発するようになったり、
あるいは高速で繰り返し使用すると応答性が次第に低下
したりする等の不都合な点が少なくなかった。

更には、　ａ−９ｉは可視光領域の短波長側に比べて、
長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比
較的小さく、現在実用化されている半導体レーザーとの
マツチングに於いて、また通常使用されているハロゲン
ランプや蛍光灯を光源とする場合長波長側の光を有効に
使用し得ないという点に於いて、それぞれ改良されるべ
き余地が残っている。あるいは、照射される光が光導電
層中に於いて十分吸収されずに支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過してくる光
に対する反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多
重反射による干渉が起って、画像の「ポケ」が生ずる一
要因となる。この影響は、解像度を上げるために照射ス
ポットを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザー
を光源とする場合には大きな問題となっている。

更に、　ａ−５ｉ材料で光導電層を構成する場合には、
その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原
子あるいはフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、お
よび電気伝導型の制御のためにホウ素原子やリン原子等
が、あるいはその他の特性改良のために他の原子が、各
々構成原子として光導電層中に含有されるが、これ等の
構成原子の含有の様相いかんによっては、形成した層の
電気的あるいは光導電的特性に問題が生ずる場合がある
。

すなわち、例えば形成した光導電層中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が十分でない
ことに基づき十分な画像濃度が得られなかったり、ある
いは暗部に於いて、支持体側からの電荷の注入の阻止が
十分でないことに基づく問題等を生ずる場合が多い。

従って、　ａ−３ｉ材料そのものの特性の改良が図られ
る一方で、光導電部材を設計する際に、上記したような
所望の電気的及び光学的特性が得られるよう工夫される
必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−３ｉに
関し電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン（Ｓｉ）を母体とする非晶質材料、殊にシリコン原
子（Ｓｉ）を母体とし、水素原子（Ｈ）またはハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモル
ファス材料、すなわち所謂水素化アモルファスシリコン
、ハロゲン化アモルファスシリコンあるいはハロゲン含
有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等を総称的に
ａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕と、シリコン原子（Ｓ
ｌ）とニゲ°ｔマニウム原子（Ｇｅ）とを母体とする非
晶質材料、殊にこれらの原子を母体とし、水素原子（Ｈ
）またはハロゲン原子（Ｘ）のいずれが一方を少なくと
も含有するアモルファス材料、すなわちＷｔ　ｍ　水素
化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロケン化アモ
ルファスシリコンゲルマニウムあるいはハロゲン含有水
素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等を
総称的にａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）と表記する〕とから構
成される光導電部材を、以降に説明するようにその層構
造を特定化して作成された光導電部材は、実用上著しく
優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていることおよび長波長側に於ける吸収スペクトル特性
に優れていることを見出した点に基づくものである。

［発明の目的コ 本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
て、殆ど使用環境の影響を受けない全環境型であ一す、
長波長側の光感受持性に優れるとともに耐光疲労特性に
著しく長け、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さず
、残留電位が全くまたは殆ど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、かつ光応
答の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、優れた電子写真特性を有する光導電部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフＩ・−ン
が鮮明に出てかつ解像度が高く、画像欠陥１画像流れの
生じない高品質画像を得ることが容易にできる電子写真
用の光導電部材を提供することである。

本発明の更にもう一つの目的は、暗抵抗が十分高く、十
分な受容電位が得られる光導電部材を提供することであ
り、また、各層間の密着性を良くし、生産性を向上する
ことにある。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

［発明の構成］ すなわち本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、この支持体上に設けられ、光導電性を有する光受容
層とを有する光導電部材に於いて、前記光受容層が、前
記支持体側から、シリコン原子を含む非晶質材料で構成
された第１の層（Ｉ）と、シリコン原子とゲルマニウム
原子とを含む非晶質材料で構成された第２の層（ＩＩ　
）と、シリコン原子と酸素原子とを含む非晶質材料で構
成された第３の層（ＩＩＩ）とから構成され、かつ前記
第２の層（■）内に含有されるゲルマニウム原子が該層
の層厚方向に対して不均一に分布し、更に第１の層（Ｉ
）および第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に炭素原
子が含有されていることを特徴とする。

前記第１の層（Ｉ）中および前記第２の層（ＩＩ　）中
の少なくともいずれか一方に水素原子及び／又はハロゲ
ン原子が含有されることが望ましく、また、前記第１の
層（Ｉ）中および前記第２の層（■）中の少なくともい
づれか一方に伝導性を支配する物質が含有されているこ
とが好ましい。

光受容層が上記したような層構造を取るようにして構成
された本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決することができ、極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性および使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており、高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰り返し使用特性に長け、画像濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、かつ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰り返し得ることができる
。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、
かつ光応答が速い。

［発明を実施するための最良の形態］ 以下、図面に従って、本発明の光導電部材について詳細
に説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に層構造を模式的に示した図である。

本発明の光導電部材１００は、第１図に示されるよう光
導電部材用の支持体１０１上に、十分な体積抵抗と光導
電性を有する光受容層１０２を。

有する。光受容層１０２は、前記支持体側からａ　−５
ｉ（Ｈ，Ｘ）カラナル第１１７）層（Ｉ）１０３、ａ−
３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる第２の層（ＩＩ）１０４、
ａ−３ｉＯ（Ｈ、Ｘ）からなる第３の層（ＩＩＩ）１０
５を有して構成される。光導電性は、第１の層（Ｉ）お
よび第２の層（ｎ）のいずれに荷ゎせてもよいが、いず
れにしても入射される光が到達する層が光導電性を有す
るよう層設計される必要がある。

また、この場合、第１の層（Ｉ）および第２の層（ｎ）
の両者がそれぞれ所望の波長スペクトルの光に対して光
導電性を有し、かつ十分な量のフォトキャリアを発生し
得る層として設計されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、または、支持体と光受容層との間のまたは光受容層
を構成する各層間の密着性の改良を計る為に、第１の層
（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　）の少なくとも一方に炭素
原子が含有されている。

これらの目的を更により効果的に達成するためには第１
の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ）の両方に炭素原子を含
有させるのが好ましい。

第１の層（Ｉ）及び第２の層（■）の少なくとも一方に
含有される炭素原子は、これらの層の全層領域に万遍な
く含有されていても良いし、あるいは部分的に偏在させ
て含有されていても良い。

炭素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｃ）が光受容層の層
厚方向に於いては、均一であっても、不均一であっても
良い。

本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及び第２の
層（ＩＩ）の少なくとも一方の層中に設けられた炭素原
子を含有する層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向上を
計ることを主たる目的とする場合には、これらの層の全
層領域を占めるように設けられる。また、支持体と第１
のＲ（Ｉ）との密着面及び光受容層を構成する各層間の
密着面の中の所望の密着面の密着性の強化を計ることを
目的とする場合には、例えば、支持体と第１の層（Ｉ）
との密着性を強化したい場合には、第１の層の（Ｉ）の
支持体側端部層領域を、また第１の層（Ｉ）と第２の層
（ＩＩ　）との密着性を強化したい場合には、第１の層
（Ｉ）と第２の層（ＩＩ）の層界面及び層界面近傍の領
域を、第２の層（ＩＩ）と第３の層（ｍ）との密着性の
強化を目的とする場合には、第２の層（ＩＩ　）の第３
の層（ＩＩＩ）側端部層領域を占めるように設ける等、
密着性の強化計ろうとする層界面及び層界面近傍の領域
を占めるように設けられる。

これらの目的を更により効果的に達成するためには第１
の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　）の両方に炭素原子を
含有させるのが好ましい。

前者の目的を達成しようとする場合には、層領域（Ｇ）
中に含有される炭素原子の含有量は、高光感度を維持す
るために比較的少なくされ、後者の場合には、居間の密
着性を強化するために比較的多くされるのが望ましい。

また、前者と後者の目的を同時に達成するためには、支
持体側に於いて比較的多く分布させ、光受容層の自由表
面側の層領域中に於いて比較的低濃度に分布させて層領
域（Ｃ）を形成させれば良い。

更に、支持体または第１の層（Ｉ）からの電荷の注入を
防止して、みかけ上の暗抵抗を上げることを目的とする
場合は、第１の層（Ｉ）の支持体側に炭素原子を分布さ
せるか、第１の層（Ｉ）と第２のＮ（ｎ）の界面及び／
又は界面近傍に於いて高濤度に分布させるのが望ましい
。

なお、本発明に於いては、上記のような層領域ＣＧ）は
、１つのみに限られることはなく、上記の目的に応じて
光受容層中に複数の層領域（Ｃ）を設けても良い。

本発明に於いて、このように第１の層（Ｉ）及び第２の
層（’ＬＴ）の少なくとも一方の層中に設けられる層領
域（Ｃ）に含有される炭素原子の含有量は、上記のよう
な目的を達成できるような層領域（Ｇ）自体に要求され
る特性、更に層領域（Ｃ）が支持体に直に接触して設け
られる場合には該支持体との接触界面に於いて要求され
る特性、あるいは層領域（Ｃ）に直に他の層領域が接触
して設けられる場合には、該層の層領域の有する特性及
び層領域（Ｃ）と他の層領域との接触界面に於いて要求
される特性等の有機的関連性に於いて、適宜選択するこ
とができる。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜決められるが、好ましくは、０．００１〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏ＋＊
ｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ＋＊ｉｃ％と
されるのが好ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）及び第
２の層（ＩＩ）の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質（Ｇ）を含有させることによって、含有される層の伝
導性を所望に従って制御することができる。該物質（Ｃ
）は、第１の層（Ｉ）および第２の層（ｎ）の少なくと
も一方に於いて、層厚方向には均一でも不均一でもいず
れの分布状態であってもよいように含有される。また、
物質（Ｃ）の含有される層領域（ＰＭ）に於いて、その
層厚方向に、物質（Ｃ）は連続的に、均一あるいは不均
一な分布状態となるように含有される。

例えば第２の層（■）の層厚を第１の層（Ｉ）の層厚よ
り厚くし、主に第２の層（ＩＩ）を電荷発生層と電荷輸
送層としての機能を持たせ、るようにして用いる場合に
は、伝導性を支配する物質（Ｃ）は、第１の層（Ｉ）で
は支持体側で多くなるような分布状態となるようにする
ことが望ましく、また伝導性を支配する物質（Ｃ）は第
２の層（ＩＩ　）では、第１の層（Ｉ）と第２の層（Ｉ
Ｉ　）との界面または界面近くで多くなるような分布状
態とすることが望ましい。

このような伝導性を支配する物質（Ｃ）としては、所謂
、半導体分野でいわれる不純物を挙げることができ、本
発明に於いては、ＳｉまたはＧｅに対してｐ型伝導特性
を与えるｐ型不純物およびｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることができる。具体的には、Ｐ型不純物と
しては、周期律表第■族に属する原子（第■族原子）、
例えばＢ　、Ａ１．　Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等があり、殊に
好適に用いられるのはＢ　、　Ｇａである。ｎ型不純物
としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ族原子）
、例えばＰ　、　Ａｓ、　Ｓｂ、Ｂｉ、等があり、殊に
好適に用いられるのはＰ、＾Ｓである。

本発明に於いて、光受容層中に設けられる伝導性を支配
する物質（Ｃ）の含有されている層領域（ＰＮ）中に含
有される伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、該層
領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、あるいは該層領域
（ＰＮ）が支持体に直に接して設けられる場合には、該
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて適宜選択することができる。また、前記層
領域（ＰＮ）に直に接して設けられる他の層領域の特性
や、該層の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮して伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量が適宜選
択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導性
を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは０
．００１〜５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐ＋ｓ、より
好ましくは０．５〜ＬＸ　１０’　ａｔｏ＋ｓｉｃ　ｐ
ｐｍ、最適には１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐρ厘
とされるのが望ましい。

本発明に於いては、層領域（ＰＮ）に於ける伝導性を支
配する物質（Ｃ）の含有量を、好ましくは３０ａｔｏｓ
＋ｉｃ　ＰＰ１以上、より好ましくは５０ａｔｏ＋ｓｉ
ｃ　ｐｐｓ＋以上、最適には　１００ａｔａ＋ｗｉｃ　
ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該物質（Ｃ）が
前記ｐ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が■極
性に帯電処理を受けた際に、支持体側からの光受容層中
への電子の注入を効果的に阻止することができ、一方、
前記物質（Ｃ）が前記ｎ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側
からの光受容層中への正孔の注入を効果的に阻止するこ
とができる。

上記のような場合には、前記層領域（ＰＭ）を除いた部
分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＭ）に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の伝導性
を支配する物質（Ｃ）を含有させてもよいし、あるいは
同極性の伝導性を支配する物質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ
）に含有される量よりも一段と少ない量にして含有させ
てもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚ）に含有される前記伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域（
ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応
じて適宜決定されるものであるが、好ましくは０．００
１　＝　１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましく
は０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０
．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ謙とされるのが望まし
い。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）および層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは
３０ａｔｏ履ｉｃ　ＰＰ腸以下とするのが望ましい。上
記した場合の他に、本発明に於いては、光受容層中に一
方の極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有さ
せた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物
質（Ｃ）を含有させた層領域とを直に接するように設け
て、該接触領域に所謂空乏層を設けることもできる。す
なわち、例えば光受容層中に前記のｐ型不純物を含有す
る層領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に
接するように設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層
を設けることができる。

本発明に於いて、必要に応じて第１のＪｌｊｔ（Ｉ）中
に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ
素、塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第１
の層（Ｉ）を形成するには、例えばグロー放電法、スパ
・ンタリング法、あるいはイオンブレーティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第１の層（Ｉ）を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガス
と共に、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス及び／又はハ
ロゲン原子（Ｋ）導入用の原料ガスを、その内部を減圧
にし得る堆積室内に所定の混合比とガス流量になるよう
にして導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、
予め所定位置に設置されている支持体表面上にａ−３ｉ
（Ｈ，Ｘ）から構成される第１（７）層（１）を形成す
る。

また、スパー２タリング法で形成する場合には、例えば
Ａｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でＳｉまたは５ｉ０７、あ
るいはこれらの混合物で構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（）Ｉ）及ヒ／又ハハロケン
原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に
導入してやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れる原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有効
なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、　Ｓｉ４Ｈ１６
等ノカス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラ
ン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４゜５ｉ２Ｆ　６　、５
ｉＧ１４　、　ＳｉＢｒ４等ノハロゲン化ケイ素を好ま
しいものとして挙げることができ、更には、ＳｉＨ２Ｆ
２．５ｉＨ２１ｚ、ＳｉＨ２ＣＩ２　、５ｉＨＣＩ３、
５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３等ノハロゲン置換水素
化ケイ素１等々のガス状態のあるいはガス化し得る、水
素原子を構成要素の一つとするハロゲン化物も有効な第
１の層（１）形成用の出発物質として挙げることができ
る。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第１の層（Ｉ）中にＳｉと共にハ
ロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等の／＼ロゲンカス、ＣＩＦ　、　
ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、ＨＦ３　
、　ＩＦｙ　、　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間化合
物、ＨＦ、　ＭＣＩ　、ＨＢｒ　、旧等のハロゲン化水
素を挙げることができる。

本発明に於いて第１の層（Ｉ）を構成する層領域の所望
の層領域中に炭素原子を含有する層領域（Ｃ）を設ける
場合には、上記の出発物質を用いて第１の層（Ｉ）を形
成する際に炭素原子導入用の出発物質をその量を制御さ
せながら併用して、形成される層中に含有させれば良い
。

＄１の層（Ｉ）中に含有される炭素原子は、第１の層（
Ｉ）の全領域に刃傷なく含有されていても良いし、また
の一層領域のみに含有されていても良い。

また、炭素原子の分布状態Ｃ（Ｃ）は、第１Ｌ：１′）
層（１，）の層厚方向に於いて均一であっても、不均一
であっても良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（ＣＩ）は、光感度と暗抵抗の
向上を目的とする場合には、第１の層（Ｉ）全層領域を
占めるように設けられ、基板との、更には第２の層（Ｉ
Ｉ）との密着性の強化を計る場合には、基板若しくは第
２の層（ＩＩ）または両方の側の端部層領域を占めるよ
うに設けられる。

このように第１の層（Ｉ）中に設けられる層領域（ＣＩ
）に含有される炭素原子の含有量は、前述したような目
的を達成できるような層領域（ＣＩ）自体に要求される
特性、支持体との接触界面に於いて要求される特性、あ
るいは層領域（ＣＩ）に直に接触して設けられる他の層
領域の有する特性及び層領域（ＣＩ）と他の層領域との
接触界面に於いて要求される特性等の有機的関連性に於
いて、適宜選択することができる。

層領域（ＣＩ）中に含有される炭素原子の量は、形成さ
れる光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って
適宜法められるが、好ましくは、０．００１−５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には０．００３−３０ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

層領域（ＣＩ）を形成するのにグロー放電法を適用する
場合には、上記の第１の層（Ｉ）形成用の出発物質の中
から所望に応じて選択されたものに更に炭素原子導入用
の出発物質が加えられる。そのような炭素原子導入用の
出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原子とし
て有するガス状の物質またはガス化することのできる物
質をガス化したものの中の大概のものを使用することが
できる。

使用する原料ガスの組合せとしては、 （ａ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｇ）を構成原子とする原料ガスと必要に
応じて水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用する、（ｂ）シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ
）とを構成原子とする原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用する
、 （ｃ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料カス
と、炭素原子（Ｇ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とす
る原料ガスとを、所望の混合比で混合する、 （ｄ）シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、シリコン原子（Ｓｉ）と炭素原子（Ｃ）と水素原子
（ｌ（）との３つの原子を構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用する 等の組合せを挙げることができる。

層領域（ＣＩ）を形成するために使用される炭素原子（
Ｃ）供給用の原料ガスとして有効に使用される出発物質
としては、Ｃを構成原子とする、あるいはＣとＨとを構
成原子とする１例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭
素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数２〜４のアセ
チレン系炭化水素等が挙げられる。

そのようなものとしては、飽和炭化水素としてメタン、
エタン、プロパン、ｎ−ブタン、ペンタン等、エチレン
系炭化水素としてエチレンプロピレン、ブテン−１、ブ
テン−２、イソブチレン、ペンテン等、アセチレン系炭
化水素としてアセチレン、メチルアセチレン、ブチン等
が挙げられる。

これらの他に更に、ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原
料ガスとして、Ｓｉ（ＣＨ３）４．５ｉ（Ｃ２Ｈも）４
等をげることができる。

本発明に於いては１、層領域（Ｃ）中には、炭素原子で
得られる効果を更に助長させるために、炭素原子に加え
て、更に酸素原子及び／または窒素原子を含有させるこ
とができる。

層領域（ＣＩ）中に酸素原子を導入する場合の原料ガス
としては、例えば酸素（０□）、オゾン（０３）、−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四二酸化窒素
（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸化窒素
（Ｎ０３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えばジシロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓｉ
ＯＳｉＨ２０５ｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙げる
ことができる。

層領域（ＣＩ）中に窒素原子（Ｎ）を導入するための原
料ガスになり得るものとして有効に使用される出発物質
としては、Ｎを構成原子とする、あるいはＮとＨとを構
成原子とする例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３
）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ
３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｇ）等のガス状
のまたはガス化することのできる窒素、窒化物及びアジ
化物等の窒素化合物を挙げることができる。この他に、
窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）も
導入できるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗
化窒素（Ｆ４Ｎ２）、等の／＼ロゲン化窒素化合物を挙
げることができる。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する第１の
層（Ｉ）を形成する場合には、単結晶または多結晶のＳ
ｉウェーハー及び／またはＣウェーハー、またはＳｉと
Ｃが混合されて含有されているウェーハーをターゲット
として、これらを種々のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行なえば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用する場
合、炭素原子と必要に応じて水素原子及び／またはハロ
ゲン原子を導入するための原料ガスを必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、こ
れらガスのガスプラズマを形成させて前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、あるいはＳｉとＣとが混合された一枚のターゲッ
トとして使用する場合には、スノくツタ−用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中でまたは少なくとも水素原子（
ｌ（）及び／または／＼ロゲン原子（Ｘ）を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でスパッタリングすることに
よって所望の層領域中に炭素原子を含有する層領域（Ｃ
Ｉ）が設けられた第１の層（Ｉ）を形成することができ
る。

なお、炭素原子導入用のガスとしては、前述したグロー
放電法に於いて炭素原子導入用のガスとして挙げたもの
がスパッタリング用のガスとしても利用することができ
る。

第１の層（Ｉ）を構成する層領域中に伝導性を支配する
物質（Ｃ）、例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造
的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導入用の
出発物質または第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に第１の層（Ｉ）を形成するための他の出発
物質と共に導入してやればよい。このような第■族原子
導入用の出発物質用となり得るものとしては、常温常圧
でガス状のまたは少なくとも層形成条件下で容易にガス
化し得るものが採用されるのが望ましい。

このような第■族原子導入用の出発物質としては、具体
的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６・Ｂ４　
Ｈｌ　ｏ、　ＢＳ　Ｂ９・Ｂｓ　Ｈｌｌ、　Ｂｂ　Ｈｌ
　ｏ、　８Ｇ’Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１４等の水素化ホウ素、
ＢＦ３　、８０１３、ＢＢｒ３等のハロゲン化ホウ素等
が挙げられる。また、この他、他の第■族原子導入用と
して、ＡｌＣｌ３．　ＧａＧ１３、Ｇａ（ＣＨ３）３、
ＩｎＣｌ３　、Ｔｌ１ｌ；１３等を挙げることができる
。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ３
，Ｐ２Ｈ，等の水素化リン、Ｐ）＋４１　。

ＰＦ３　、　ＰＦ、、　、　ＰＣｌ３、ＰＣＢ５、ＰＢ
ｒ３、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲン化リン等が挙げら
れる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＣｌ３　、　
ＡｓＢｒ３　、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３、ＳｂＦ
５、ＳＭ：Ｂ３　、５ｂＣ１５，ＢｉＩ３．　ＢｉＣｌ
３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有
効なものとして挙げることができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に含有される伝導性を
支配する物質（Ｃ）の含有量は、該第１の層（Ｉ）に要
求される伝導特性、あるいは該層（Ｉ）に直に接して設
けられる他の層の特性や、該層の層との接触界面に於は
特性等との関係等、有機的関連性の上で適宜選択される
。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に含有される伝導性
を支配する物質の含有量としては、好ましくは０．００
１−５Ｘ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、より好ましく
は０．５〜ＩＸ　１０４１０４ａｔｏ　ｐｐｍ、最適に
は１〜５Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）中に台場されてもよい
水素原子（）Ｉ）の量、ハロゲン原子（Ｘ）の量または
水素原子とハロゲン原子との量の和（ＨｌＸ）は、好ま
しくは１〜４０ａｔｏ＋＊ｉｃ％、より好適には　５〜
３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第１の層（Ｉ）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例え
ば支持体温度、水素原子（）ｌ）やハロゲン原子（Ｘ）
を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、あるいは放電電力等を制御してやればよ
い。

本発明の第１の層（Ｉ）の層厚は、該第１の層（Ｉ）が
主に支持体と第２の層（ＩＩ　）との密着層として働く
か、または密着層と電荷輸送層として働くかによって所
望によって適宜決定される。

前者の場合には、好ましくは１００ＯＡ〜５０戸、より
好ましくは２０００Ａ〜３０鱗、最適には２０００Ａ　
−１０１ＡＩ＋とされるのが望ましい。後者の場合には
、好ましくは１−１００ｕ、より好ましくは１〜８０騨
、最適には２〜５０−とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）１０３
上に第２の層（ＩＩ）１０４が形成される。第１の層（
Ｉ）と第２の層（ＩＩ）とは、その各々がシリコン原子
という共通の構成原子を有してなる非晶質材料を主成分
とするものなので、その積層界面において化学的な安定
性が十分確保されている。

本発明の光導電部材に於いては、第２の層（ＩＩ　）中
に含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
に関しては、不均一な分布状態をとるが、支持体の表面
と平行な面内方向に関しては均一な分布状態とされるの
が望ましい。

このような層構造に第２の層（ＩＩ）を形成することに
よって、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長
波長までの全波長領域の光に対して光感度が優れている
光導電部材が形成される。

また、第２の層（ＩＩ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが、第１
の層（Ｉ）との境界から第３の層（ｍ）との境界へ向っ
て減少するよう分布しているもの、第１の層（Ｉ）との
境界から第３の層（ＩＩＩ）との境界へ向って増加する
よう分布して　′いるもの、またはこれ等両者の特徴を
合わせ持っているもの等の層構成などが許される。

第２図乃至第１３図には、本発明における光導電部材の
第２の層（ＩＩ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的な例が示されている。

第２図乃至第１３図に於いて、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の！（ＩＩ）の層厚を示
し、ｔＢは第１の層ＣＩ）と第２の層（Ｉｆ　）との境
界面の位置を、ｔ□は第２の層（Ｕ）と第３のｉ　（Ｉ
［［）との境界面の位置を示す、すなわち、ゲルマニウ
ム原子の含有される第２の層（ＩＩ　）はｔＢ側からｔ
□側に向って層形成がなされる。

第２図には、第２の層（ＩＩ　）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第２の層（ＩＩ）が形成される第１の層（Ｉ）との境
界面位置１ＢよりＬｌの位置までは、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃが０１なる一定の値をとりながら第２の層
（ＩＩ　）中に含有され、位置Ｌ１からは濃度Ｃ２より
第３の層（ｍ）との境界面り、に至るまで徐々に連続的
に減少されている。

境界面１丁に於いてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
Ｃ３どされる。

第３図に示される例に於いては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１Ｂより位置１丁に至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁において
一度Ｃ５となるような分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置Ｌ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ２と位置１丁との間に於いて、徐々に連続的に減少
され、位Ｍｔｒに於いて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢより位置１丁に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され、位置ｔ□に於いて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置１．と位置１３間に於いては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置を丁に於いては濃度Ｃ１０とされる
。位置ｔ３と位置１．との間では、分布濃度Ｃは一次関
数的に位置ｔ３より位置１丁に至るまで減少されている
。

第７１にに示される例に於いては、分布一度Ｃは位置り
、より位置Ｌ４までは濃度ｃエエの一定値を取り、位置
ｔ４より位置１丁までは濃度Ｃ１２より濃度ＣＩ３まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例に於いては、位ｉｉｌ　ｔＢより位Ｍｔ
□に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
Ｉ４より実質的に零に至るように一次関数的に減少して
いる。

第９図に於いては、位置ｔＢより位ｉｔｓに至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ５より濃度
ＣＩ６まで一次関数的に減少され、位ｔｉｌｔｓと位置
り、との間に於いては、濃度ＣＩＧの一定値とされた例
が示されている。

第１０図に示される例に於いては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ＬＢに於いて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと
減少され、Ｌ６の位置付近に於いては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃｌ１ｌとされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間に於いては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置Ｌ７で
濃度ＣＩ９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８に於いて、濃
度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ｔ、の間に於いては、
濃度Ｃ２０より実質的に零になるように図に示すような
形状の曲線に従って減少されている。

第１１図に示す例に於いては、位置ｔＢより位置ｔ９ま
でゲルマニウム濃度Ｃ２□で一定で位置ｔ９から位置１
Ｂまでゲルマニウム濃度Ｃは一定のＣ２１にされている
。

第１２図に示す例に於いては、位置１Ｂではゲルマニウ
ム濃度は実質的に零で位置ｔ１でゲルマニウム濃度がＣ
２３になるよう図のような曲線で増加している。

第１３図においては、位置ｔＢではゲルマニウム濃度は
実質的に零で位置１．から位置ｔ１゜での濃度Ｃ２４ま
で図のような曲線でゲルマニウム濃度が増加Ｌ、位Ｗ　
ｔｓｏから位置１．までゲルマニウム濃度Ｃ２４で一定
である。

また、第２図から第１３図に示したゲルマニウム濃度分
布は、第２図から第１θ図まででは第１の層（Ｉ）との
境界面近傍でゲルマニウム濃度が多い分布を示し、第１
１図から第１３図まででは第３の層（ＩＩＩ）との境界
面近傍でゲルマニウム濃度の多い分布を示したが、これ
らを組み合せたゲルマニウム濃度分布にしてもよい。

以上、第２図乃至第１３図により、第２の層（■）中に
含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明したように、本発明に於いては、第
１の層（Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（ｍ）
との境界面近傍に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃの高い部分を有し、第２の層（ＩＩ　）の中央に於い
ては、前記分布濃度Ｃは第１の層（Ｉ）との境界面近傍
および第３の層（ｍ）との境界面近傍に比べてかなり低
くされた部分を有するゲルマニウム原子の分布状態が第
２の層（ＩＩ）に設けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
る第２の層（ＩＩ　）は、好ましくは上記のように第１
の層（Ｉ）との境界面近傍及び／又は第３の層（ｍ）と
の境界面近傍にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１３
図に示す記号を用いて説明すれば、境界面位置１．また
は１丁からは５鱗以内の領域に設けられるのが望ましい
。

本発明に於いては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
Ｂまたは１Ｔより５ｕ厚までの全層領域（Ｌｏ）とされ
る場合もあるし、また、層領域（Ｌｒ　）の一部とされ
る場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするかまたは
全部とするかは、形成される層に要求される特性に従っ
て適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃ■ａＸがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはＩＸ　
１０４ａｔｏ麟ｉｃ　ｐｐｍ以上とされるような分布状
態となり得るように層形成されるのが望ましい。

すなわち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有
される第２の層（ＩＩ　）は、第１の層（Ｉ）側または
、第２の層（ｎ）の自由表面からの層厚で５μ以内（ｔ
Ｂから５−厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ腸ａｘが
存在するように形成されるのが好ましい。

本発明に於いて、第２の層（ｎ　）中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的
に達成されるように所望に従って適宜法められるが、好
ましくは１〜９．５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、
より好ましくは　１００〜８Ｘ１０Ｓａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ、最適には５００〜７Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐ
ｐｍとされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）または
第２の層（ｎ）と第３の層（ｍ）との密着性、あるいは
第１の層（Ｉ）と第２の層（ＩＩ　）と第３の層（ＩＩ
Ｉ）との密着性の改良を計る目的で、第２の層（■）中
には、炭素原子が含有されていることが望ましい。

第２の層（ｎ）中に含有される炭素原子は、第２の層（
ＩＴ）の全領域に刃傷なく含有されていても良いし、ま
たの一層領域のみに含有されていても良い。

また、炭素原子の分布状態Ｃ（Ｃ）は、第２の層の層厚
方向に於いて均一であっても、不均一であっても良い。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）に設けられる炭素原
子の含有されている層領域（ｃ■）は、光感度と暗抵抗
の向上を目的とする場合には、第２の層（ＩＩ）全層領
域を占めるように設けられ、第１の層（Ｉ）との、及び
／または第３の層（ｍ）との密着性の強化を計る場合に
は、第１の層（Ｉ）及び／または第３の層（ｍ）側の端
部層領域を占めるように設けられる。

このように第２の層（■）中に設けられる層領域（ｃ■
）に含有される炭素原子の含有量は、前述したような目
的を達成できるように層領域（Ｃ■）自体に要求される
特性、第１の層（’Ｉ）や第３の層（ＩＩＩ）との接触
界面に於いて要求される特性、あるいは第１の層（Ｉ）
や第３の層（Ｉ［Ｉ）層の有する特性等との有機的関連
性に於いて、適宜選択することができる。

層領域（ＣＩＩ）中に含有される炭素原子の量は、形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従っ
て適宜状められるが、好ましくは、０．００１〜５０　
ａｔｏ＋ｍｉｃ＄、より好ましくは０．００２〜４０ａ
ｔｏｍｉｃ＄、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ＄とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、第１の層（Ｉ）の層厚
が薄い場合にはゲルマニウム原子の含有される第２の！
（ＩＩ）には、伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させ
た層領域（ＰＮ）を第１の層（Ｉ）側に局在的に設ける
ことにより、該層領域（ＰＮ）を所謂電荷注入阻止層と
して機能させることができる。

すなわち、伝導性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（ＰＮ）に於ける該物質の含有量を、好ましくは３
０ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐ履以上、より好ましくは５０ａｔ
ｏｓ＋ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１００ａｔｏ
　ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該含有される
物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層の
自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に支持体側から
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止することがで
き、また、前記含有される物質（Ｃ）が前記のｎ型不純
物の場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理
を受けた際に支持体側から光受容層中への正孔の注入を
効果的に阻止することができる。

上記のような場合には、第２の層（ＩＩ　）に於いて前
記層領域（ＰＮ）を除いた部分の層領域（ＺＩＩ）には
、層領域（ＰＭ）に含有される伝導性を支配する物質Ｃ
Ｇ）の極性とは別の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有
させてもよいし、あるいは同極性の伝導性を支配する物
質（Ｃ）を層領域（ＰＭ）に含有させる量よりも一段と
少ない量にして含有させてもよい。

このような場合、前記層領域（Ｚ■）に含有される前記
伝導性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じて適宜決定されるものであるが。

好ましくは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｔ
ａ、より好ましくは０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐ＋ｗ、最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第２の層（■）に設けられる層領域（
ＰＮ）および層領域（ｚｎ）に同種の伝導性を支配する
物質（Ｃ）を含有させる場合には、前記層領域（ｚｎ）
に含有される前記伝導性を支配する物質（Ｇ）の含有量
としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とす
るのが望ましい。上記した場合の他に、本発明に於いて
は、第２の層（ＩＩ　）中に、一方の極性を有する伝導
性を支配する物質（Ｃ）を含有させた層領域と、他方の
極性を有する伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させた
層領域とを直に接するように設けて、該接触領域に所謂
空乏層を設けることもできる。すなわち、例えば第２の
層（ＩＩ　）中に前記のｐ型不純物を含有する層領域と
前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接するよう
に設けて所謂ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設けるこ
とができる。

本発明に於いて、必要に応して第２の層（ＩＩ　）中に
含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、特にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げることができる。

本発明において、ａ−３ｉＧｓ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の層（ＩＩ　）を形成するには１例えばグロー放電
法、スパッタリング法、あるいはイオンブレーティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法が適用される。

例えばグロー放電法によって、ａ−３ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（■）を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料
ガスと、ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）を供給し得るＧｅ
供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入
用の原料ガス及び／又はハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、その内部を減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されている第１のｆｆｉ’　（
Ｉ）がその表面に形成された支持体上に、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布曲線が所望の変化率曲線となるよ
う制御しながらａ−ＳｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から構成される
第２の層（ＩＩ　）を形成する。

また、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡ
ｒ、　Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ等のカスをベース
とした混合ガスの雰囲気中で８皿で構成されたターゲッ
ト、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットとの二
枚のターゲット、あるいはＳｉとＧｅとの混合されたタ
ーゲットを使用して、Ａｒ、　Ｈｅ等の希釈カスで希釈
されたｃｅ供給用の原料ガスや必要に応じて水素原子（
）ｌ）導入用の原料ガス及び／又はハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
、所望のガスプラズマ雰囲気を形成するとともに、前記
Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従って制御しながら、前記のターゲットをスパッタリン
グしてやればよい。

イオンプレーテインク法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとをそれぞれ蒸発源として蒸着ポートに
収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、あるいはエレクトロ
ンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発
物を所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はス
パッタリングの場合と同様にして実施できる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）を形成するのに使用
される原料ガスとなる出発物質としては、次のものが有
効なものとして挙げられる。

先ず、Ｓｉ供給用の原料ガスとなる出発物質としては、
ＳｉＨ＋、Ｓ！２Ｈ６、Ｓ＋３ＨＢ　、　５ｉａＨ１゜
等のガス状態のまたはガス化し得る水素化ケイ素（シラ
ン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、
層作成作業の扱い易さ、　Ｓｉ供給効率の良さ等の点で
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げられる
。Ｇｅ供給用の原料カスとなる出発物質としては、Ｇ　
ｅ　Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、Ｇｌ！４ＨＩＯ
１Ｇｅ５Ｈｔ２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢ
Ｈｔｏ、ＧｅｃＪ（２゜等のガス状態のまたはガス化し
得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｇｅ供給効率
の良さ等の点でＧｅＨ４、Ｇｅ７Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢが好
ましいものとして挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに使
用されるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有
効な出発物質としては、多くのｌ＼ロゲン化合物が挙げ
られ、例えば／＼ロゲンガス、／＼ロゲン化物、ハロゲ
ン間化合物、／＼ロゲンで置換されたシラン誘導体等の
カス状態のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好まし
くは挙げられる。また、更には、シリコン原子とハロゲ
ン原子とを構成要素とするカス状態のまたはガス化し得
る／％ロゲン原子を含む水素化ケイ素も有効に使用され
るものとして挙げられる。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ　）を形成するのに好
適に使用されるハロゲン化合物としては、具体的には、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンカス、ＣＩＦ
　、　ＣｌＦ３、ＢｒＦ　、　ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、Ｉ
Ｆ３　、　ＩＦ７１．　［１、ＩＢｒ等／＼ロゲン間化
合物を挙げることができる。

ハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物、所謂／Ｘロゲ
ン原子でＭ換されたシラン誘導体としては、具体的には
、ＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５ｉＣＩ４．５ｉＢｒ、
、等のハロゲン化ケイ素が好ましいものとして挙げるこ
とができる。

このようなハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使
用して、グロー放電法によって本発明の光導電部材の第
２の層（ＩＩ　）を形成する場合には、Ｇｅ供給用の原
料ガスと共にＳｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
ケイ素ガスを使用しなくとも、第１の層（Ｉ）がその表
面に形成された支持体上にａ−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）から
構成される第２の！（ＩＩ）を形成することができる。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子（Ｘ）を含む第２
の層（ＩＩ　）を形成する場合、基本的には、例えばＳ
ｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化ケイ素と、Ｇｅ供
給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムと、Ａｒ、　
Ｈｅ等のカスとを、所定の混合比とカス流量になるよう
にして導入して、第２の層（１１）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起させこれ等のカスのプラズマ
雰囲気を形成することによって、第１の層（Ｉ）がその
大面に形成された支持体上に第２の層（■）を形成する
ことができる。また、水素原子の導入割合の制御をより
容易にするために、これらのガスに更に水素ガスまたは
水素原子を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して第
２の層（ＩＩ）を形成してもよい。また、各ガスは、単
独種のみでなく、所定の混合比で複数使用しても才４シ
つかえない。

スパッタリング法、イオンブレーティング法のいずれの
場合にも、形成される層中にハロゲン原子（×）を導入
するには、前記のハロゲン化物またはハロゲン原子を含
むケイ素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやればよい。

また、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の
ガス、例えばＨ２、あるいは前記のシラン類及び／又は
水素化ゲルマニウム等のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入し、該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば
よい。

本発明に於いて、第２の層（ＩＩ）の形成の際のハロゲ
ン原子導入用の原料ガスとして、前記のハロゲン化物ま
たはハロゲン原子を含むケイ素化合物が有効なものとし
て使用されるが、その他に、ＨＦ、ＨＧＩ　、　ＨＢｒ
　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ
２Ｉ２．５ｉＨ２Ｇ１２．５ｉＨＧ１３．５ｉＨ２Ｂｒ
２、ＳｉＨ２Ｂｒ、５ｉｔ（Ｂｒ３等のハロゲン置換水
素化ケイ素、およびＧｅＨＦ３　、　ＧｅＨＢｒ３、Ｇ
ｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ３、ＧｅＨ２Ｃ１２、Ｇｅ）
＋３ｃ１．　ＧｅＨＢｒ３．ＧｅＨ２Ｃ１２、ＧｅＨＢ
ｒ３ルマニウム、等の水素原子を構成要素の一つとする
ハロゲン化物、ＧｅＦ４、ＧｅＧ１４　、　ＧｅＢｙ４
　、Ｇｅ１４、ＧｅＦ２．　Ｇ−ｅｃＩ２　、　ＧｅＢ
ｒ２　、Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマニウム、等々の
ガス状態のあるいはガス化し得る、水素原子を構成要素
の一つとするハロゲン化物も有効な第２の層（ＩＩ）形
成用の出発物質として挙げることができる。

これらの物質のうち、水素原子を含むハロゲン化物は、
第２の層（ＩＩ　）の形成の際に、該層中にハロゲン原
ｒ−の導入と同時に電気的あるいは光導電的特性の制御
に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に於
いては好適な／＼ロゲン原子導入用の原料として使用さ
れる。

水素原ｆ−を第２の層（ＩＩ　）中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ２あるいはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，
５ｉ３ＨＢ　、　５ｉ４Ｈ＋。等の水素化ケイ素をＧｅ
を供給するためのゲルマニウムまたはゲルマニウム化合
物と、あるいはＧｅｔＩｎ、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　
、　ｃｅ４）＋１０、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｌ！６８Ｉ４、
Ｇｅ７Ｈ１６、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ５Ｈ１２等の水素化
ゲルマニウムをＳｉを供給するためのシリコンまたはシ
リコン化合物とを、堆積室中に共存させて、放゛准を生
起させることによっても実施できる。

本発明の好ましい例に於いて、形成される光導電部材の
第２の層（１１）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ）
の量、／＼ロゲン原子（’Ｘ）の量または水素原子とハ
ロゲン原子との量の和（Ｈ＋　Ｘ）は、好ましくは０．
０１−４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３
０ａｔｏ＋ｓｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい。

第２の層（ＩＩ　）中に含有されてもよい水素原子（Ｈ
）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度、水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ
）を含有させるために使用される出発物質の堆積装置系
内へ導入する量、あるいは放電電力等を制御してやれば
よい。

第２の層（１１）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）、
例えば第■族原子または第Ｖ族原子を構造的に導入する
には、第１の層（Ｉ）の形成法を説明した場合と同様に
、層形成の際に前記した第■族原子導入用の出発物質ま
たは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第２の層（ＩＩ　）を形成するための他の出発物質
と共に導入してやればよい。

本発明の光導電部材に於ける第２の層（ＩＩ　）の層厚
は、該第２の層（ＩＩ）を主にフォトキャリアの発生層
として用いる場合には、フォトキャリアの励起光源に対
する第２の層（ｎ）の吸収係数を考慮して適宜決定され
、好ましくは１００ＯＡ〜５０μ、より好ましくは１０
０ＯＡ　−３０鱗、最適には＋０００Ａ〜２０μとされ
るのが望ましい。

また、第２の層（ＩＩ　）を主にフ第１・キャリアの発
生と輸送のための層として用いる場合には、フォトキャ
リアが効率よく輸送されるように所望によって適宜決定
され、好ましくは１−１００μ、より好ましくは　１〜
８０騨、最適には２〜５０ＩＩＪ１１とされるのが望ま
しい。

本発明に於いて、第２の層（ｆｆ）に炭素原子の含有さ
れた層領域（ｅｌｌ）を設けるには、上述したような第
２の層（■１）の形成の際に、炭素原子導入用の出発物
質を前記した第２の層（ＩＩ　）形成用の出発物質と共
に使用する以外は、第１の層（Ｉ）中に炭素原子を含有
する層領域を形成するのと同様にして形成される層中に
その量を制御しながら含有させてやれば良い。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）及び第２の層（ＩＩ　
）を形成する際に、炭素原子の含有された層領域（Ｃ）
をこれらの層の少なくとも一方に設ける場合、該層領域
（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向テノ分布状ｇ（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得るためには、グロー放電
法の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）を変化させるべき炭素
原子導入用の出発物質からなるガスを、その流量を所望
の変化率曲線に従って適宜変化させながら、堆積室内に
導入してこれらの層を形成する方法を適用することがで
きる。

スパッタリングによる場合には、スパッタリング用のタ
ーゲットとして、例えばＳｉとＳｉ３Ｎ４　との混合さ
れたターゲットを使用する際には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４と
の混合比を、ターゲットの層厚方向に於いて予め変化さ
せておくことによって所望の層厚方向での炭素原子の分
布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を得ることがで
きる。

本発明の光導電部材の第２の層（ＩＩ）１０４上に形成
される第３の層（ＩＩＩ）１０５は、自由表面を有し、
主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使
用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するた
めに設けられる。第２の！（ＩＩ）と第３の層（ｍ）と
は、その各々がシリコン原子という共通の構成原子を有
してなる非晶質材料を主成分とするものなので、その積
層界面において化学的な安定性が十分確保されている。

本発明に於ける第３の層（■）は、シリコン原子（Ｓυ
と酸素原子（０）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及び
／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有する非晶質を主成分と
する材料（以後、ａ−（Ｓｉｘ　ｏ、　−ｘ　）ｙ　（
）ｌ、Ｘ）＋−７と記す、但し、０　＜　ｘ、ｙ＜　１
）で構成される。

ａ−（ＳｉＸｏｌ−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙで構成
される第３の層（ＩＩＩ）の形成は、グロー放電法、ス
パッタリング法、イオンインプランテーション法、イオ
ンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によって
実施される。これらの製造法は、製造条件、設＠資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、所望する特性を有する光導電部材を製造するための
条件の制御が比較的容易であり、かつシリコン原子と共
に酸素原子やハロゲン原子を、作製する第３の層（ｍ）
中に導入するのが容易に行える等の利点から、グロー放
電法あるいはスパッタリング法が好適に採用される。ま
た、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置系内
で併用して第３の層（ｍ）を形成してもよい。

グロー放電法によって第３の層（ｍ）を形成するには、
ａ−（Ｓｌｘ　Ｏ＋　−ｘ　）ｙ　ＣＨ，Ｘ）　１−　
ｙ形成用の原料ガスを、必要に応じて希釈ガスと所定の
混合比で混合し、第２の層（ＩＩ　）が形成された支持
体の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入さ
れたガスをグロー放電を生起させることによりガスプラ
ズマ化して、前記支持体上の第２の層（ＩＩ）上にａ−
（Ｓｉｘ　ｏｌ−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘｌ＋−ｙを堆積させ
ればよい。

本発明に於いて、ａ−（Ｓｉｘ　ｏ、　−ｘ　）ｙ　（
Ｈ，Ｘ）　、−ｙ形成用の原料カスとしては、シリコン
原子（ｓｌ）、酸素原子（０）、水素原子（）Ｉ）及び
ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原
子として含有するガス状の物質又はガス化し得る物質を
ガス化したものの内の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、０．Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成原
子とする原料ガスと、０を構成原子とする原料カスと、
必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＸ
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、あるいは、Ｓｉを構成原子とする原料ガス
と、０及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又は０及
びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、あるいはまた、Ｓｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｓｉ、０及びＨの三つを構成原子とする原
料ガス又はＳｉ、０及びＸの三つを構成原子とする原料
ガスとを所望の混合比で混合して使用する例が挙げられ
る。

あるいは信性として、ＳｉとＨとを構成原子とする原料
ガスと、０を構成原子とする原料ガスとを混合して使用
してもよいし、あるいはＳｌとＸとを構成原子とする原
料ガスと、０を構成原子とする原料カスとを混合して使
用してもよい。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）中に含有されても
よいハロゲン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、Ｃ：
ｌ、Ｂｒ、　Ｉであり、殊にＦ、ＣＩが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）形成用の原料カス
となる出発物質としては、Ｓｉ、！：Ｈとを構成原子と
するＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、５ｉ４
Ｈ１゜等のガス状のまたはガス化し得る水素化ケイ素（
シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に層作成作業の扱いやすさ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点
からＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙げら
れる。

これらの出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって、形成される第３の層（ｍ）中にＳ
ｉと共にＨも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化ケイ素の他に、ハロゲン原子（Ｘ）を含む
ケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体、具体的には例えばＳｉＦ４．５ｉ２Ｆ　６　、５
ｉＣＩ４　、　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化ケイ素が好ま
しいものとして挙げられることができ、更には、Ｓ　ｉ
　Ｈ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ２、ＳｉＨ２０１２、５ｉＨＣ
１３，５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ等のハロゲン置換水
素化ケイ素、等々のガス状態のあるいはガス化し得る、
水素原子を構成要素の一つとするハロゲン化物も有効な
第３の層（ｍ）形成用の出発物質として挙げることがで
きる。

これらのハロゲン原子（Ｘ）を含むケイ素化合物を使用
する場合にも、前述したように層形成条件の適切な選択
によって、形成される第３の層（ＩＩＩ）中にＳｉと共
にハロゲン原子（Ｘ）を導入することができる。

本発明に於いて、第１の層（Ｉ）を形成するのに使用さ
れるハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効な
出発物質としては、上記のものの他に、例えばフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンカス、ＣＩＦ　、Ｃｌ
Ｆ３、ＢｒＦ　、　１３ｒＦ３、ＢｒＦ５ＩＦ５　、　
ＩＦ７　、　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ等ハロゲン間化合物、
ＨＦ、　ＨＣ：Ｉ　、　ＨＢｒ　、旧等のハロゲン化水
素を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層（ＩＩＩ）を形成するのに使
用される酸素原子（０）供給用の原料ガスとして有効に
使用される出発物質としては、０を構成原子とする、あ
るいは０とＨとを構成原子とする、例えば酸素（Ｏ２）
、オゾン（０３）、’　−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒
素（ＮＯ２）　、Ｚｍ化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素
（Ｎ２０３）、四二酸化窒素（Ｎ、、０４）、三二酸化
窒素（Ｎ２０Ｓ）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シリコン原
子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｉ（）とを構
成原子とする、例えばジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯＳｉＨ
３）、トリシロキサ７　（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ２０５ｉＨ
３）　等（７）　低級シロキサン等を挙げることができ
る。

これ等の第３の層（ＩＩＩ）形成物質は、形成される第
３のＭ　（ＩＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子
、酸素原子及び必要に応じてハロゲン原子及び／又は水
素原子が含有されるように、第３の層（ｍ）の形成の際
に所望に従って選択されて使用される。

スパッタリング法によって第３の層（ｍ）を形成するに
は、例えば次のような方法が採用できる。

第１の方法は、例えばＡｔ、　Ｈｅ等の不活性ガスまた
はこれらのガスをベースとした混合ガス雰囲気中でＳｉ
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、酸素
原子（０）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の及び／又はハロゲン原子（×）導入用の
原料ガスと共にスパッタリンを行う堆積室内に導入して
やればよい。

また、第２の方法は、スパッタリング用の夕・−ゲット
として、Ｓｉで構成されたターゲットか、Ｓｉで構成さ
れたターゲットと５ｉ０２で構成されたターゲットとの
二枚か、あるいはＳｉと８１０２で構成されたターゲッ
トを使用することによって、第３の層（Ｉｎ）中に酸素
原子（０）を導入することができる。この際、前記の酸
素原子（０）導入用の原料ガスを併せて使用すれば、そ
の流量を制御することによって第３の層（ｍ）中に導入
される酸素原子（０）の量を任意に制御することが容易
である。

０．８およびＸの導入用の原料ガスとなる物質としては
、先述したグロー放電の例で示した第３の層（ｍ）形成
用の物質がスパッタリング法の場合にも有効な物質とし
て使用され得る。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂希カス、例えばＨｅ、Ｍｅ、　Ａ、ｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第３の層（ｍ）は、その要求される特性
が所望通りに与えられるように往意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、０、必要に応じてＨ及び／又はＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形Ｓを取り、電気的性質として
は、導電性から半導体性。

絶縁性までの間の性質を、また光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を各々示すので、本発明に於い
ては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉｘｏ
、−Ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−ｙが形成さレルように、
所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。例
えば、第３の層（ＩＩＩ）を電気的耐圧性の向上を主な
目的として設ける場合には、ａ−（Ｓｉｘ　ｏｌ　−ｘ
　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙは使用環境ニオイテ電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

また、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向」二を主
たる目的として第３の層（ｍ）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有スル非晶質材料としテａ
−（Ｓｉｘ　Ｏ＋　−ｘ　）ｙ　（ＨｌＸＬ−ｙが作成
される。

第２の層（ＩＩ　）の表面上にａ−（ｓｔｘ　Ｏ，−Ｘ
　）ｙ　（Ｈ５Ｘ）＋−アから成る第３の層（ｍ）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構
造及び特性を左右する重要な因子の一つであって・本発
明においては、目的とする特性を有するａ−（ＳｔｘＯ
＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　１−　ｙが所望通りに作
成され得るように層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の第３の層（ｍ）の形成法に合わせて適宜最適範囲が選
択されて、第３の層（ｍ）の形成が実行されるが、好ま
しくは、２０〜４００°Ｃ１より好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００°Ｃとされるのが望−まし
い。第３の層（ｍ）の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である
こと等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で第２の層を形成
する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の
放電パワーが作成されるａ−（ＳｉｘＯ＋　−Ｘ　）ｙ
　（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙの特性を左右する重要な因子の一
つとして挙げることができる。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｉｘ　Ｏ＋　−ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
ｔ−ｙが生産性よく効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくはｌＯ〜３００Ｗ、より好適
には２０〜２５０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされる
のが望ましい。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．０１”ｌ　
Ｔｏｒｒ、好適には、０．１−０．５Ｔｏｒｒ程度とさ
れるのが望ましい。

本発明に於いては第３の層（ＩＩＩ）を作成するための
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性
のａ−（Ｓｉｘ　ｏ、　−Ｘ　）ｙ　（）ｌ、Ｘ）＋−
ｙから成る第３の層（ｍ）が形成されるように相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層（ｍ）に含有され
る酸素原子の量は、第３の層（ｍ）の作成条件と同様、
本発明の目的を達成される所望の特性が得られる第３の
層（ｍ）が形成されるための重要な因子の一つである。

本発明における第３の層（ｍ）に含有される酸素原子の
量は、第３の層（ＩＩＩ）を構成する非晶質材料の特性
に応じて適宜所望に応して決められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｔｘ　Ｏ’、　−１１）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）　＋−ｙ　テ示される非晶質材料は、大別す
ると、シリコン原子と酸素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ａ−５ｉｌＯ１−ａと記す。但し、０　＜　
ａ＜　１）　、シリコン原子と酸素原子と水素原子とで
構成される非晶質材料（以後、ａ−（Ｓｉｂ　Ｏ＋　−
ｂ　）ｅ　Ｈ＋−ｅと記す。但し、０　＜　ｂ、　ｃ　
＜　１）　、シリコン原子と酸素原子とハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後
、ａ−（Ｓｉｎ　ｏ、　−ｄ　）ｓ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−
ｅと記す。但し、０　＜　ｄ、　ｅ　＜　１）に分類さ
れる。

本発明に於いて、第３の層（ｍ）がａ−ｓｉｌｏ　Ｉ−
ａで構成される場合、第３の層（ＩＩＩ）に含有される
酸素原子の量は、８が好ましくは０．３３〜０．８９９
１１１９　、より好適には０．５〜０．９８、最適には
０．６〜０．８である。

一方、本発明に於いて、第３の層（ｍ）がａ−Ｃ５ｉｂ
　Ｏ＋　−ｂ　）ｃ　Ｈ＋−ｅで構成される場合、第３
の層（ｍ）に含有される酸素原子の量は、ｂが好ましく
は０．３３〜０．９９９９９、より好適には０．５〜０
．９８、最適には０．６〜０．９、Ｃが好ましくは０．
６〜０．９８、より好適には０．８５〜０．８８、最適
には０．７〜０２９５であるのが望ましい。

第３の層（ＩＩＩ）が、ａ−（Ｓｉｎ　ｏ、　−ａ　）
ｅ　（Ｈ，Ｘｌ＋−ｅで構成される場合には、第３の層
（ｍ）中に含有される酸素原子の含有量としては、ｄが
好ましくは、０．３３〜０．１１９９Ｈ，より好適には
０．５〜０．９９、最適には０．８〜Ｇ、９、ｅが好ま
しくは０．８〜０．８９、より好適には０．８２〜０．
９８、最適には０．８５〜０．９８であるのが望ましい
。

また、水素原子（Ｈ）の量はハロゲン原子（Ｘ）と水素
原子（Ｈ）の和（Ｈ＋Ｘ）に対して、好ましくは９０ａ
ｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは８０ａｔｏｍｉｃ％
以下、最適には７０ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望
ましい。

本発明に於ける第３の層（ｍ）の層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。本発明の目的を効果的に達成するように、所期
の目的に応じて適宜所望に従って決められる。

′　また、第３の層（ＩＩＩ）の層厚は、該第３の層（
ＩＩＩ）中に含有される酸素原子の量や第１の層（Ｉ）
および第２の層（ＩＩ）の層厚との関係においても、各
々の層に要求される特性に応じた有機的な関連性の下に
所望に従って適宜決定される必要がある。更に加え得る
に、生産性や量産性を加味した経済性の点においても考
慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層（ｍ）の層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０鱗、より好適には０．００４〜２
０ｕ、最適には０．００５〜１０鱗とされるのが望まし
いものである。

本発明において使用される支持体１０１としては、導電
性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体として
は、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａ１．　Ｃｒ、　
Ｎｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ、　Ｐｄ　等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

すなわち、例えばガラスであれば、その表面に、Ｎ１Ｇ
ｒ、　ＡＩ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａｕ、Ｉｒ、　Ｎｄ、Ｔ
ａ、　Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎ２０３　＋　５ｎ０２）等から成る薄膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ、
　Ａ１．　Ａｇ、Ｐｂ、　Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、　Ｏｒ、
　Ｍｏ、　Ｉｒ、Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ　、Ｔｉ、　Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、または前記金属でその表面
をテミネート処理して、その表面に導電性が付与される
。

支持体の形状としては、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば第１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば、連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が十分発揮され
る範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら
、このような場合支持体の製造上及び取扱い上、更には
機械的強度等の点から、通常は、１０鱗以上とされる。

次に、本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につ
いて説明する。

第２０図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示す。

図中の１１０２〜１１０Ｂのガスポンベには、本発明の
光導電部材の光導電層を形成するための原料ガスが密刃
されており、その−例として、例えば１１０２はＨｅで
希釈されたＳｉＨ４ガス（純度１１Ｌ９９９％、以下Ｓ
ｉＨ４／Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０３はＨｅテ希
釈されたＧｅＦ４ガス（純度１１９．１１９９％、以下
ＧｅＦ４　／　Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０４はＨ
ｅで希釈された８２Ｈもガス（Ｍ度９１１．９Ｈ％、以
下Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅガスと略す）ボンベ、１１０５は
Ｃ２）Ｌｌガス（純度９９．９１１％）ボンベ、１１０
６はＨｅガス（純度９１１．９１１％）ボンベである。

図示されていないがこれら以外に、必要に応じて所望の
ガス種のボンベを増設することが可能である。

これらのガスを反応室１ｔｏｉに流入させるには、カス
ボンベ１１０２〜１１０Ｂの各バルブ１１２２〜１１２
８及びリークバルブ＋１３５が閉じられていることを確
認し、また、流入バルブ１１１２〜１１１Ｂ、流出バル
ブ１１１７〜１１２１及び補助バルブ１１３２．１１３
３が開かれていることを確認して、先づメインバルブ１
１３４ヲ開いて反応室＋１０１及び各ガス配管内を排気
する。次に真空計１１３８の読みが約５Ｘ　１０′６ｔ
ｏｒｒになった特恵で補助バルブ１１３２．１１３３及
び流出バルブ１１１７〜１１２１を閉しる。

先ず、シリンダー状基体１１３７上に第１の層（Ｉ）を
形成する場合の一例を示すと、ガスボンベ１１（＋２よ
りＳｉＨ４／Ｈｅガス、ガスポンベ１１０４よりＢ２　
Ｈ６／　Ｈｅガス、ガスポンベ１１０５よりＣ２Ｈ４ガ
スをバルブ１１２２．１１２４．１１２５をそれぞれ開
いて出口圧ゲージ１１２７．１１２９．１１３０の圧を
ＩＫｇ　／　ｃｍ２に調整し、流入バルブ１１１２．１
１１４，１１１５を徐々に開けて、”Ｆ　スフ　Ｑ　コ
７トａ−ラ１１０７．１１０８．１１１０内にそｔぞれ
流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７．１１１９
．１１２０及び補助バルブ１１３２を徐々に開いてそれ
ぞれのガスを反応室１１０１に流入させる。

このとき５ｉＨ４７Ｈｅガス流量とＣ２Ｈ４ガス流量と
８２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量との比が所望の値になるよ
うに流出バルブ１１１７．１１１１３．１１２０を調整
し、また、反応室内の圧力が所望の値になるように真空
計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
口を調整する。そして基体シリンダー１１３７の温度が
加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の所定の温
度に設定されていることを確認した後、電［１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を
生起させて、基体シリンダー１１３７上に第１の層（Ｉ
）を形成する。また、層形成を行っている間は、層形成
の均一化を計るために基体シリンダー１１３７をモータ
１１３８により一定速度で回転させる。最後に使用した
全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室１１０１を一旦
高真空まで排気する。

次にこのようにして形成された第１の層（Ｉ）の上に第
２の層（ＩＩ　）を形成する場合の一例を示すと、真空
計１１３８の読みが約５×ｌＯ°”　ｔｏｒｒになった
ら」二記の場合と同様な操作の繰り返しを行う。

すなわち、ガスポンベ１１０２よりＳｉＨ４／Ｈｅガス
、ガスポンベ１１０３よりＧｅＦ４／Ｈｅガス、ガスポ
ンベ１１０４より８２　Ｈ６／　Ｈｅ力゛ス、カスポン
ベ１１０５よりｃ２Ｈ４ガスをバルブ１１２２．１１２
３．１１２４．１１２５をそれぞれ開いて出口圧ゲージ
１１２７．１１２８．１１２８．１１３０の圧をＩＫｇ
　／　ａｒｍ２に調整し、流入パルプ１１１２．１１１
３．１１１４．１１１５を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ１１０７．１１０８、＋１０９、＋１１０内に
それぞれ流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７．
１１１８．１１１９．１１２０及び補助パルプ１１３２
を徐々に開いてそれぞれのガスを反応室１１０１に流入
させる。このときＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＦ４　
／　Ｈｅガス流量と８２　Ｈ６／　Ｈｅガス流量とＣ２
Ｈ４ガスとの比が所望の値になるように流出パルプ＋１
１７．１１１８．１１１９．１１２０を調整し、また、
反応室内の圧力が所望の値になるように真空；１ｌｌ１
３ｓの読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体シリンダー１１３７の温度が加熱ヒ
ーター１１３８により５０〜４００℃の所定の温度に設
定されていることを確認した後、電源１１４０を所望の
電力に設定して反応室１１０１内にグロー放電を生起さ
せて、基体シリンダー１１３７上に第１の層（Ｉ）の形
成の場合と同様にして第２の層（ＩＩ）を形成する。

次にこのようにして形成された第２の層（ＩＩ）の上に
第３の層（Ｉ［［）を形成する場合には、先の場合と同
様に、使用した全てのガス操作系バルブを閉じ、反応室
１１０１を一旦高真空まで排気し、真空計１１３６の読
みが約５Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになったら、上記の場合
と同様にして、例えばガスポンベ１１０２よりＳｉＨ４
／Ｈｅガス、ガスポンベ１１０６よりＮＯガガス供給し
て、グロー放電を生起させ第３の層（ｍ）が形成される
。第３の層（ＩＩＩ）中の酸素原子の量はＮＯガガス供
給流量を調整することによって制御される。

以下、実施例について説明する。

実施例１ 第２０図に示した光導電部材の製造装置を用い、先に詳
述したグロー放電分解法によりＡＩ製のシリンダー上に
第１表に示した製造条件に従い光受容層を形成し、電子
写真用の像形成部材の各試料（試料ＮＧ、　１−１−１
〜１Ｂ−１０−８の合計８６０個）を作成した。

各試料に於ける光受容層中の第１の層（Ｉ）と第２の層
（■１）からなる層領域に含有された硼素原子の分布状
態を第１４Ａ図及び第１４Ｂ図に、炭素原子の分布状態
を第１５図に、更に第２の層（■）に含有されたゲルマ
ニウム原子の分布状態を第１６図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、炭素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、各試料に付した試料番号（Ｈ
６）によって表わした。

即ち、硼素原子及び炭素原子の分布状態は第３表に示し
たようにｌ−１−１ｆｔ−１０の番号で示され、更にゲ
ルマニウム原子の分布状態は各試料について第１６図で
示された６種の分布状態（５０１〜５０６）の末尾の番
号に対応した１〜６の番号を第３表に示したｌ−１−１
ｆｆ−１０の番号の末尾に付与した。

このような硼素原子、炭素原子、及びゲルマニウム原子
の分布は、予め定められたガス流量の変化曲線に従って
該当するパルプの開閉状態を自動的に操作することによ
って、Ｂ２　Ｈ６／　Ｈｅ　、　Ｃ２Ｈ４及びＧｅＦ４
　／　ＨＢのカス流量を調節することによって形成した
。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に帯電露光実験装置にセットして■５．ＯＫＶで
０．３秒間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。

光像は、タングステンランプ光源を用い、０．２　ｌｕ
ｘ　＠　ｓｅｃの光量を透過型のテストチャートを通し
て照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を光導電部材表面をカスケードすることによっ
て光導電部材表面上に良好なトナー画像を得た。光導電
部材表面上のトナー画像を■５．ＯＫＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写したところ、解像度に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高濃度の画像が得られた。

次に、光源をタングステンランプの代わりに、８１０ｎ
ｍノＧａＡｓ系半導体レーザー（１０ｍＷ）を用いて、
静電像の形成を行なった以外は上記と同様なトナー画像
形成条件にして、トナー転写画像の画質評価を行ったと
ころ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた
。

実施例２ 第２０図の製造装置を用い、シリンダー状のＡＩ製基体
」二に、第２表に示した製造条件にした以外は実施例１
と同様にして、電子写真用の像形成部材の各試料（試料
２１−１−１〜２Ｂ−９−８の合計４３２個）を作製し
た。

木実流側で得られた各試料の光受容層中の第１の層（Ｉ
）と第２の層（ＩＩ　）からなる層領域に含有された硼
素原子の分布状態を第１７図に、炭素原子の分布状態を
第１８図に、更に第２の層（ＩＩ　）に含有されたゲル
マニウム原子の分布状態を第１８図に示す。

各試料の個々に於ける硼素原子、炭素原子、及びゲルマ
ニウム原子の分布状態は、実施例１と同様にして各試料
に伺した試料番号（＃ｌｉ）によって表わした。

即ち、硼素原子及び炭素原子の分布状態は第４表に示し
たように２１−１〜２８−９の番号で示され、更にゲル
マニウム原子の分布状態は各試料について第１９図で示
された６種の分布状８（６０１〜６０６）の末尾の番号
に対応した１〜６の番号を第４表に示した１−１〜１６
−１０の番号の末尾に何年した。

このようにして得られた像形成部材の各試料のそれぞれ
を個別に用いて実施例１と同様にトナー転写画像の画質
評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例３ 第２０図の製造装置を用い、第３の層（ｍ）の作成条件
を第５表に示した各条件にした以外は、それぞれ実施例
１の試料遂５−５−２及び１４−１０−５並びに実施例
２の試料逅２５−３−４を作成したのと同様の条件と手
順に従って電子写真用の像形成部材をそれぞれ（試料Ａ
Ｉ６．５−５−２−１〜５−５−２−８．１４−１０−
５−１〜１４−１０−５−８　、２５−３−４−１〜２
５−３−４−８の合計２４個の試料）作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な条件で画質評価と、繰り返し連続使
用による耐久性の評価を行った。

これらの各試料の評価結果を第６表に示した。

実施例４ 第３の層（ｍ）の作製をスパッタリング法により実施し
、その形成時にシリコンウェハーと５ｉ０２ウエハーの
ターゲツト面積比を種々変更して、第３の層（Ｉｎ）中
のシリコン原子と酸素原子の含有量比を変化させた以外
は実施例１の試料Ａ１１１８−９−４と同様にしてシリ
ンター状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真
用の像形成部材（試料逅８−９−４−１〜８−９−４−
７の計７個）を作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第７
表の評価結果を得た。

実施例５ 第３の層（ＩＩＩ）の形成時に、ＳｉＨ４ガスとＮＯガ
ガス流量比を変えて、第３の層（ＩＩＩ）中のシリコン
原子と酸素原子の含有量比を変化させた以外は実施例１
の試料遂８−ｆ３−４と全く同様にしてシリンダー状の
ＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像形成
部材（試料遂８−９−４−１１〜５−９−ａ−ｘ７の計
７個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第８
表の評価結果を得た。

実施例６ 第３の層（ｍ）の形成時に、ＳｉＨ４ガスとＳｉＦ４カ
スとＮＯガガス流量比を変えて、第３の層（ｍ）中のシ
リコン原子と酸素原子の含有量比を変化させた以外は実
施例１の試料ＡＩ６．８−９−４と全く同様にしてシリ
ンダー状のＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真
用の像形成部材（試料Ｍ６８−９−４−２１〜８−９−
４−２７の計７個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第９
表の評価結果を得た。

実施例７ 第３の層（ｍ）の層厚をを変化させた以外は実施例１の
試料ＭｆＬ８−９−４と全く同様にしてシリンダー状の
ＡＩ製基体上に光受容層を形成して電子写真用の像形成
部材（試料遂８−８−４−３１〜８−９−４−３４の計
４個）をそれぞれ作製した。

このようにして得られた像形成部材のそれぞれを用いて
、実施例１と同様な作像、現像、クリーニングの工程を
約５万回繰り返した後、画質評価を行ったところ、第１
０表の評価結果を得た。

以上の未実施例に於ける共通の層作成条件を以下に示す
。

支持体温度 第１の層及び第３の層形成時：約２５０℃第２の層形成
時：約２００°Ｃ 放電周波数：　１３．５８ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ第１０表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の構成を説明するために層
構造を模式的に示した図、第２図〜第１３図はそれぞれ
本発明の第２の層（ＩＩ　）に於けるゲルマニウム原子
の分布状態を示すための模式図、第１４Ａ図及び第１４
Ｂ図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部材
の光受容層に於ける硼素原子の分布状態を示した図、第
１５図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電部
材の光受容層に於ける炭素原子の分布状態を示した図、
第１６図は本発明の実施例１に於いて作成された光導電
部材の第２の層（ＩＩ）に於けるゲルマニウム原子の分
布状態を示すための模式図、第１７図は本発明の実施例
２に於いて作成された光導電部材の光受容層に於ける硼
素原子の分布状態を示した図、第１８図は本発明の実施
例２に於いて作成された光導電部材の光受容層に於ける
炭素原子の分布状態を示した図、第１８図は本発明の実
施例２に於いて作成された光導電部材の第２の層（ＩＩ
　）に於けるゲルマニウム原子の分布状態を示すための
模式図、第２０図はグロー放電分解法による光導電部材
の製造装置を示した図である。 １００：光導電部材　１０１：支持体 １０２：光受容量　１０３　：第１の層１０４：第２の
層　１０５：第３の層 １１０１：反応室 １１０２〜１１０８　：カスボンベ １１０７〜１１１１　＋マスフロコントローラ１１１２
〜１１１１１１：流入バルブ １１１７〜１１２に流出バルブ １１２２〜１１２６：バルブ １１２７〜１１３’ｌ圧力調整器 ＋１３２　：補助バルブ　１１３３　：メインバルブ＋
１３４　：ゲートバルブ　１１３５：リークパルブ１１
３６：真空計　１１３７：基体シリンダー１１３８　：
加熱ヒーター　１１３９：モータ＋１４０　：高周波電
源（マツチングボックス）第１図 □Ｃ 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７　図 Ｃ 第８図 第９図 第１Ｏ図 （３０１）　（３０２）　（３０３）　（３０４）（ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐ＋＋＋） 第 （３０５）　（３０６）　（３０７）　（３０８）１７
図 （４０１）　（４０２）　（匂０３）　（４０１４）　
（４０５）第１８ （４０６）　（４０７）　（４０８）　（４０９）（６
０１）　（６０２）　（６０３） （＋＋ｍ）　ゲルマニラＭ）含有分布濃度（ａｔｏｍｉ
、ｃ　Ｚ） 第 （６０匂）　（６０５）　（６０６） １９図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、この支持体上に設けら
   れ、光導電性を有する光受容層とを有する光導電部材に
   於いて、前記光受容層が、前記支持体側から、シリコン
   原子を含む非晶質材料で構成された第１の層（Ｉ）と、
   シリコン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で
   構成された第２の層（ＩＩ）と、シリコン原子と酸素原
   子とを含む非晶質材料で構成された第３の層（ｍ）とか
   ら構成され、かつ前記第２の層（ＩＩ）内に含有される
   ゲルマニウム原子が、該層の層厚方向に対して不均一に
   分布しており、更に第１の層（Ｉ）および第２の層（Ｉ
   Ｉ）の少なくとも一方に、炭素原子が含有されているこ
   とを特徴とする光導電部材。
2. （２）第１の層（Ｉ）および第２の層（■）の少なくと
   も一方に、水素原子及び／又はハロゲン原子が含有され
   ている特許請求の範囲第１項記載の光導電部材。
3. （３）第１の層（Ｉ）および第２の層（ＩＩ）の少なく
   とも一方に、伝導性を支配する物質が含有されている特
   許請求の範囲第１項または第２項記載の光導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材。
5. （５）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
   原子である特許請求の範囲第３項記載の光導電部材。