JPS62105446A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、メサ型構造を有する半導体装置の製造方法に
関するものである。

〈発明の概要〉 メサ型構造をもつトランジスタ、ダイオード。

発光ダイオード等の半導体装置の製造工程において、メ
サ型構造形成のため半導体結晶基板にダイシングによる
極細幅の溝を入れてハーフダイスする際、その方向を基
板の割れ易いへき開方向がらユ ０〜２０°ずらせることにより、基板のワレを改善する
とともに、この後、基板をスクライプ及びブレークによ
ってチップ化する際においても良好な形のチップが得ら
れるようにしたものである。

〈発明の背景〉 Ｓ　］　ｌ　ＧａＡ　ｓ　＋　Ｇ　ａＡｓ　Ｐ　ｒ　Ｇ
　ａＰ　＋　Ｇ　ａ　Ａ７Ａｓ等の半導体結晶基板に、
拡散又はエピタキシャル成長によってＰＮ接合を形成し
、Ｐ層及びＮ層の必要な個所に電極を形成する。そして
、個々のチップに分割される前に電気的、光学的特性の
測定を行ない良、不良を判定する。この測定のため、選
択拡散もしくはメサ型構造を形成し、基板上のチップ相
当部は電気的に分離してかつ基板自体はバラバラになら
ないようにすることが必要である。本発明は半導体結晶
基板にメサ型構造を形成するものに係る。

第３図にＰＮ接合及び電極形成後の半導体結晶基板を示
している。１はＰ層電極、２はＰ層、３はＮ層、４はＮ
層電極である。この半導体結晶基板にハーフダイスを行
ない、第４図のように基板の厚みの半分近辺の深さまで
極軸１１陥の溝５を入れる。これにより半導体結晶基板
自体が分割されることなく、個々のチップ相当部が電気
的に分離されることになる。以上の過程を経て、基板上
の個々のチップ相当部の電気的、光学的特性を測定し、
良品、不良品の判定を行ない不良品に印等をつけこれら
を区別できるようにする。

次に、第５図に示すように、スクライブ法によりダイシ
ングライン（溝５のライン）と一致するように半導体結
晶基板の裏面からダイヤモンドツールでスクライブライ
ン６を形成する。この後、ブレークにより半導体結晶基
板に割る力を加え、各チップに分割する。チップに分割
したときの様子を第６図に示す。７は上記によって分割
されたチップである。

〈従来の技術〉 土述のような半導体装置の製造方法にあって、従来は、
半導体結晶の面方位を１００面とした場合、第７図のよ
うに基板の割れ易い〈０〒１〉のへき開方向８及び＜０
１．１．＞のへき開方向９とダイシングライン１０（前
記溝５に相当）を一致させてハーフダイスを行なってい
る。

〈発明が解決しようとする問題点〉 上記は、半導体結晶基板をチップに分割するに当って、
ダイシングライン１０．スクライブライン６が基板の割
れ易いへき開方向８及び９と一致しているので、チップ
７（第６図参照）として良好な形状のものが得られると
いう利点がある。

しかし、ダイシングの工程及び半導体結晶基板のチップ
化する分割までの−Ｕｇにおいて、半導体結晶基板の割
れが、製造工程士歩留悪化に著しい影響を及ぼしている
。

本発明はこのような従来の問題点を解決すべく考案され
たものである。

〈問題点を解決するための手段〉 メサ型構造形成のため半導体結晶基板をハーフダイスす
るに際し、半導体結晶基板のへき開方向に対し、２〜２
０ずらせてバーンダイシングする。

〈作　用〉 へき開方向に対し２〜２０の範囲では、チップ化の分割
に際し、へき開方向に逆ってスクライブラインに沿って
割Ｊ−Ｕるきっかけの方が強く、へき開方向からずれて
いるものの良好なチップ形状のものが得られる。１だ、
ダイシングラインがへき開方向からずれていることによ
シ基板のワレは改善され、歩留を向上させることとなる
。

〈実施例〉 第１図に本発明の一実施例を示す。本例においても半導
体結晶の面方位は第７図と同様１００面とする。ダイシ
ングライン１０は基板の割れ易い〈０〒１〉のへき開方
向８及び〈０１〒〉のへき開方向９に対して２〜２０の
範囲で形成される。

今、ダイシングライン１０の方向と上記のへき開方向８
．９のなす角度をθとして、半導体結晶基板の割れ率、
チップ形状不良率の関係を示すと第２図のようになった
。前者は、ダイシング溝形成の工程からチップ分割工程
までの半導体結晶基板の割れ率である。

割れ率は、ずれ角θが０のとき割れ易い方向と一致する
ので最も高い。ずれ角θが４５のときは酸も割ハにくい
現象を呈する。一方、チップ化のため半導体結晶基板を
各チップに分割する場合、ずれ角θが０のとき基板の割
れ易い方向とチップとしての分割割れ方向が一致するの
で、チップとして良好な形状が得られる。ずれ角θが４
５では、基板の割れ方向とチップ形成の割れるべき方向
と一致しないため、チップ形状不良の発生率が高くなる
。ちなみに、チップ形状不良は第８図（ａ）　（ｂ）の
ようであり、点線部１１が異状な割れ方をしたことを示
している。

ところで、第２図から明らかなように、ずれ角θはＯよ
り少しずらしてもある角度捷では、チップ形状不良率は
あまり増加せず、ある角度から急激に増加することがわ
かる。ずれ角θが０以上において、正常な形状のチップ
を得るには、へき開方向８又は９に逆ってスクライブラ
イン１０に沿って割れる必要があるが、ずれ角θが２〜
２０の範囲では、スクライブライン１０に沿って割れる
きっかけの方が強くこれに一致して割れるので、不良率
もあ捷り増加しないものと解される。２０〜４５ではへ
き開方向での割れの方が強く急激に不良率が増加するこ
ととなる。。

ずれ角θが２〜２０では半導体結晶基板の割れ率が低下
すること明らかで、−１−述のようにチップ形を悪化さ
せることなく、半導体結晶基板の割れの改善と、これに
よる歩留向上をはかることができる。なお、第２図には
参考１でに、半導体結晶基板の割れとチップ形状不良を
積算１．′に不良率も合わせて示している。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によノ１ば、チップ形状を悪化させ
ることなく、かつ半導体結晶基板の割れを改善して歩留
向上がはかれる有用な半導体装置の製造方法が提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体結晶基板の平面
図、第２図は第１図のずれ角と不良率の関係を示すグラ
フ、第３図乃至第６図は製造工程例を示す断面図、第７
図は従来例を示す半導体結晶基板を示す断面図である。 ７．８・へき開方向、１０・・ダイシングライン。 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第１図 ０　　　　　１０　　　　２Ｄ　　　　　３）　　　　
　４０４５９−イシン７°方句とへキＭ１方前との９ン
す角（θ）第２図 第３図 第４図 ゝ１　第５□ ＋０　　　　　　　１０ 第７ｇ 汽 第６図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　Ｃｂン第８図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、メサ型構造を有する半導体装置の製造方法において
   、メサ型構造形成のため半導体結晶基板をハーフダイス
   するに際し、前記半導体結晶基板のへき開方向に対し、
   ２乃至２０°ずらせハーフダイシングすることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。