JP2007242804A - 発光素子の製造方法及び発光素子 - Google Patents
発光素子の製造方法及び発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007242804A JP2007242804A JP2006061463A JP2006061463A JP2007242804A JP 2007242804 A JP2007242804 A JP 2007242804A JP 2006061463 A JP2006061463 A JP 2006061463A JP 2006061463 A JP2006061463 A JP 2006061463A JP 2007242804 A JP2007242804 A JP 2007242804A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- dicing
- emitting element
- angle
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 81
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 52
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 6
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02461—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】AlGaInP発光層部を有した発光素子において、ダイシング時あるいはブレーキング時に、素子チップ裏面のエッジ部に劈開による欠けが生じ難くい製造方法を提供する。
【解決手段】 (100)主表面上にて<110>方向をダイシングライン角度基準方向として定めたとき、該ダイシングライン角度基準方向に対して15゜以上30゜以下の角度をなすダイシングラインに沿ってダイシングすることにより、上記の大きな欠けの発生率が劇的に減少する。
【選択図】 図6
Description
組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて表される化合物のうち、GaAsと格子整合する組成を有する化合物にて構成され、かつ主表面が(100)面である発光層部と、該発光層部に対し結晶方位が一致するように積層されたIII−V族化合物半導体からなる素子基板部とを有する発光素子ウェーハを、主表面上にて<110>方向をダイシングライン角度基準方向として定めたとき、該ダイシングライン角度基準方向に対して15゜以上30゜以下の角度をなすダイシングラインに沿ってダイシングすることにより発光素子チップを得ることを特徴とする。
図1は、本発明の一実施形態である発光素子100を示す概念図である。発光素子100は、III−V族化合物半導体からなる発光層部24と、該発光層部24の第一主表面側に形成された、GaP光取出層(ここではp型)20とを有する。また、発光層部24の第二主表面側には素子基板部としてn型のGaAs単結晶基板1が配置されている。本実施形態において、発光素子100のチップは、一辺が400μmの正方形状の平面形態を有している。
まず、図3の工程1に示すように、成長用基板(素子基板部となる)として、1゜以上25゜以下(本実施形態では15゜)のオフアングルθを付与したn型のGaAs単結晶基板1(厚さ350μmを用意する。次に、工程2に示すように、その基板1の主表面に、n型GaAsバッファ層2を例えば0.5μmエピタキシャル成長し、次いで、発光層部24として、各々(AlxGa1−x)yIn1−yPよりなる、厚さ1μmのn型クラッド層4(n型ドーパントはSi)、厚さ0.6μmの活性層(ノンドープ)5及び厚さ1μmのp型クラッド層6(p型ドーパントはMg:有機金属分子からのCもp型ドーパントとして寄与しうる)を、この順序にてエピタキシャル成長させる(なお、GaP単結晶基板90を素子基板部として設ける場合は、バッファ層2と発光層部24との間に接続層91を形成しておく)。さらに、図4の工程3に示すように、p型クラッド層6上に接続層20Jをエピタキシャル成長する。
・Al源ガス;トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリエチルアルミニウム(TEAl)など;
・Ga源ガス;トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など;
・In源ガス;トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など。
・P源ガス:トリメチルリン(TMP)、トリエチルリン(TEP)、ホスフィン(PH3)など。
Ga(液体)+HCl(気体) → GaCl(気体)+1/2H2‥‥(1)
成長温度は例えば640℃以上860℃以下に設定する。また、V族元素であるPは、PH3をキャリアガスであるH2とともに基板上に供給する。さらに、p型ドーパントであるZnは、DMZn(ジメチルZn)の形で供給する。GaClはPH3との反応性に優れ、下記(2)式の反応により、効率よくGaP光取出層20を成長させることができる:
GaCl(気体)+PH3(気体)
→GaP(固体)+HCl(気体)+H2(気体)‥‥(2)
図3及び図4を用いて既に説明した工程により、発光素子ウェーハW(直径50mm)を製造した。この発光素子ウェーハに図5に示す工程に従いダイシングを施した。ダイシング角度は0゜〜45゜の種々の値に設定して行なった。ダイシング後、拡大鏡を用いてチップ裏面側の欠け発生状態を確認し、チップ総数に対する欠け発生率を求めた。表1及び図9に結果を示す。また、図8は、ダイシング角度が0゜(比較例)、22.5°(実施例)及び45゜(比較例)の場合の素子チップの、裏面電極側の観察画像を示すものである。
20 GaP光取出層
24 発光層部
90 GaP単結晶基板(素子基板部)
W 発光素子ウェーハ
DL、DL1、DL2 ダイシングライン
100 発光素子
Claims (11)
- 組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて表される化合物のうち、GaAsと格子整合する組成を有する化合物にて構成され、かつ主表面が(100)面である発光層部と、該発光層部に対し結晶方位が一致するように積層されたIII−V族化合物半導体からなる素子基板部とを有する発光素子ウェーハを、前記主表面上にて<110>方向をダイシングライン角度基準方向として定めたとき、該ダイシングライン角度基準方向に対して15゜以上30゜以下の角度をなすダイシングラインに沿ってダイシングすることにより発光素子チップを得ることを特徴とする発光素子の製造方法。
- 前記ダイシングラインはダイシングライン角度基準方向に対して20゜以上28°以下の角度に定められる請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記ダイシングラインはダイシングライン角度基準方向に対して21゜以上24°以下の角度に定められる請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記発光素子ウェーハを前記素子基板部が位置するのと反対側の主表面側から、前記素子基板部の厚さ方向途中位置までハーフダイシングし、該ハーフダイシング後のウェーハをハーフダイシング溝に沿ってブレーキングすることにより前記発光素子チップを得る請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記素子基板部がGaAs単結晶基板である請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記素子基板部がGaP単結晶基板である請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて表される化合物のうち、GaAsと格子整合する組成を有する化合物にて構成され、かつ主表面が(100)面である発光層部と、該発光層部に対し結晶方位が一致するように積層されたIII−V族化合物半導体からなる素子基板部とを有するとともに、素子側面が、{110}面を基準面として定めたとき、該基準面に対して前記主表面と直交する軸線周りに15゜以上30゜以下の角度をなすダイシング面とされてなることを特徴とする発光素子。
- 前記素子側面が、前記基準面に対して前記主表面と直交する軸線周りに20゜以上28°以下の角度をなすダイシング面とされてなる請求項7記載の発光素子。
- 前記素子側面が、前記基準面に対して前記主表面と直交する軸線周りに21゜以上24°以下の角度をなすダイシング面とされてなる請求項7記載の発光素子。
- 前記素子基板部がGaAs単結晶基板である請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記素子基板部がGaP単結晶基板である請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の発光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006061463A JP4743661B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
US11/712,940 US7825008B2 (en) | 2006-03-07 | 2007-03-02 | Method of fabricating light emitting device and thus-fabricated light emitting device |
TW096107076A TWI420689B (zh) | 2006-03-07 | 2007-03-02 | 製造發光元件的方法和因此製造的發光元件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006061463A JP4743661B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242804A true JP2007242804A (ja) | 2007-09-20 |
JP4743661B2 JP4743661B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=38478033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006061463A Active JP4743661B2 (ja) | 2006-03-07 | 2006-03-07 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7825008B2 (ja) |
JP (1) | JP4743661B2 (ja) |
TW (1) | TWI420689B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017041525A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4743661B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2011-08-10 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
DE102012215067A1 (de) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung von vereinzelten halbleiterbauelementen |
DE102012111358A1 (de) * | 2012-11-23 | 2014-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Vereinzeln eines Verbundes in Halbleiterchips und Halbleiterchip |
TWI697941B (zh) * | 2016-04-20 | 2020-07-01 | 晶元光電股份有限公司 | 基板晶圓以及ⅲ族氮化物半導體元件之製造方法 |
US10256149B2 (en) * | 2017-02-28 | 2019-04-09 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor wafer dicing crack prevention using chip peripheral trenches |
CN111640687B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-03-14 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法 |
US11923653B2 (en) * | 2020-12-23 | 2024-03-05 | Lumentum Operations Llc | Angled flip-chip bump layout |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62105446A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07302930A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2000124159A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2005317664A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103447A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Toshiba Corp | Dicing method of semiconductor wafer |
JPH08115893A (ja) | 1994-10-18 | 1996-05-07 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP3717785B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2005-11-16 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置およびその製造方法 |
JP2003022987A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体装置の製造方法 |
JP2003086541A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体デバイス用サファイア基板の切断方法 |
JP3802424B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2006-07-26 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3782357B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP3715627B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2005-11-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6995401B2 (en) * | 2002-10-23 | 2006-02-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
US7183137B2 (en) * | 2003-12-01 | 2007-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for dicing semiconductor wafers |
US6924210B1 (en) * | 2004-03-06 | 2005-08-02 | International Business Machines Corporation | Chip dicing |
JP4584785B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP4743661B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2011-08-10 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061463A patent/JP4743661B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-02 TW TW096107076A patent/TWI420689B/zh active
- 2007-03-02 US US11/712,940 patent/US7825008B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62105446A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-15 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07302930A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2000124159A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
JP2005317664A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017041525A (ja) * | 2015-08-19 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI420689B (zh) | 2013-12-21 |
US20070210327A1 (en) | 2007-09-13 |
JP4743661B2 (ja) | 2011-08-10 |
US7825008B2 (en) | 2010-11-02 |
TW200802974A (en) | 2008-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4743661B2 (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子 | |
US5103271A (en) | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
JP4899348B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US8963165B2 (en) | Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor light emitting element, nitride semiconductor transistor element, method of manufacturing nitride semiconductor structure, and method of manufacturing nitride semiconductor element | |
US20070131967A1 (en) | Self-standing GaN single crystal substrate, method of making same, and method of making a nitride semiconductor device | |
JP2011084469A (ja) | GaN単結晶基板の製造方法及びインゴット | |
CN1947270A (zh) | 发光元件的制造方法及发光元件 | |
KR20110056429A (ko) | 질화물계 반도체 발광 소자, 질화물계 반도체 발광 소자를 제작하는 방법, 및 발광 장치 | |
JP2006173581A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP5065625B2 (ja) | GaN単結晶基板の製造方法 | |
JP2007165405A (ja) | 発光ダイオード | |
JP4974043B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
JP5287467B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US8728235B2 (en) | Manufacturing method for three-dimensional GaN epitaxial structure | |
JP4873381B2 (ja) | 発光素子の製造方法、化合物半導体ウェーハ及び発光素子 | |
KR101476143B1 (ko) | 화합물 반도체 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
US8809101B2 (en) | Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer | |
JP4341623B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP2008198653A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP5251185B2 (ja) | 化合物半導体基板及びそれを用いた発光素子並びに化合物半導体基板の製造方法 | |
TW202107734A (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
JP2007299912A (ja) | 発光素子の製造方法及び発光素子製造用半導体ウェーハ | |
JP2009140965A (ja) | エピタキシャルウエハ、エピタキシャルウエハを作製する方法 | |
JP5240658B2 (ja) | 化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、化合物半導体エピタキシャルウェーハ及び発光素子 | |
JP2021052057A (ja) | 半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110418 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4743661 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110501 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |