JPS62101024A - エピタキシヤル成長ウエフア - Google Patents

エピタキシヤル成長ウエフア

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Publication number
JPS62101024A
JPS62101024A JP24233485A JP24233485A JPS62101024A JP S62101024 A JPS62101024 A JP S62101024A JP 24233485 A JP24233485 A JP 24233485A JP 24233485 A JP24233485 A JP 24233485A JP S62101024 A JPS62101024 A JP S62101024A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
semiconductor thin
films
epitaxial growth
Prior art date
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Pending
Application number
JP24233485A
Other languages
English (en)
Inventor
Goro Sasaki
吾朗 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、エピタキシャル成長ウェファに関する。
〔従来技術とその°問題点〕
従来より、種々の結晶性半導体基板面上に、種々の単層
あるいは多層よりなる結晶性半導体薄膜を有するエピタ
キシャル成長ウェファが製造されており、これらのエピ
タキシャル成長ウェファを用いて各種の電子デバイスあ
るいは光デノくイスが作製されている。良好な電気的特
性を有する前記半導体薄膜層を得るためには、一般に５
００°Ｃ以上の温度において、前記半導体薄膜層を前記
基板面上に形成する。
従来は、前記基板の片面上にのみ前記半導体薄膜層を形
成していたため、前記基板と前記半導体薄膜層の熱膨張
係数が異なるとき、半導体薄膜層形成後室温まで冷却す
るとエピタキシャル成長ウェファが反り、デバイスを製
造する工程において種々の障害を生じていた。
〔問題を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解決するために、基板両面上に
半導体薄膜層を形成せしめたものである。
〔作　用〕
基板片面のみに半導体薄膜層を形成した従来の構造にお
いて、エピタキシャル成長ウェファに反りを生じていた
原因は、半導体薄膜層と基板の熱膨張係数の違いにより
、半導体薄膜層を形成した際の温度と室温との温度差に
より半導体薄膜層に基板に対して圧縮力あるいは膨張力
が生じるためであり、この圧縮力あるいは膨張力が基板
の片面のみに作用するためにバイメタルの原理によりエ
ピタキシャル成長ウェファに反りを生じる。したがって
、基板の両面に同じ半導体薄膜を形成することにより、
前記圧縮力あるいは膨張力は相殺し合ってエピタキシャ
ル成長ウェファに反りは生じない。
〔実施例〕
第１図に本発明の一実施例を示す。本実施例では、両面
研磨した。例えばシリコンを基板１として、その両面上
に有機金属分解気相成長法に上りガリウム・ひ素層２を
形成したものである。このように基板両面上に結晶性半
導体薄膜を形成するには、従来用いられていた装置では
不可能であったため、例えば第２図に示したように基板
の両面に反応ガスが流れるように改善した装置を用いる
ことにより可能となる。
〔発明の効果〕
本発明により反りの無いエピタキシャル成長ウェファを
製造することが可能になる。
東回面の簡単な説明 第１図は、本発明の一実施例であるエピタキシャル成長
ウェファの断面図、第２図はエピタキシャル成長ウェフ
ァを製造するための装置の模式図であり、第２図（ａ）
は横方向から本装置を見た図、第２図（ｂ）はその断面
図である。
ｌ：シリコン基板、２：ガリウム・ひ素層、３：基板、
４二基板支持台、５：反応管、６：反応ガス、７二基板
加熱用光源、８：基板加熱用反射鏡。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）結晶性半導体基板面上に該基板と異なる熱膨張係
    数を有する単層または多層よりなる結晶性半導体薄膜を
    有するウェファにおいて、前記基板両面上に前記薄膜層
    を有することを特徴とするエピタキシャル成長ウエフア
    。
  2. （２）結晶性半導体基板がシリコンあるいはゲルマニウ
    ムよりなり、結晶性薄膜が化合物半導体よりなることを
    特徴とする特許請求範囲第１項記載のエピタキシャル成
    長ウェファ。
  3. （３）化合物半導体がガリウム・ひ素であることを特徴
    とする特許請求範囲第２項記載のエピタキシャル成長ウ
    ェファ。
  4. （４）基板の両面に反応ガスが流れる気相成長装置を用
    いたことを特徴とする特許請求範囲第１項記載のエピタ
    キシャル成長ウェファ。
JP24233485A 1985-10-28 1985-10-28 エピタキシヤル成長ウエフア Pending JPS62101024A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63304618A (ja) * 1987-06-03 1988-12-12 Hitachi Cable Ltd 半導体ウエハの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5258363A (en) * 1975-11-10 1977-05-13 Hitachi Ltd Formation of semiconductor layer
JPS53113473A (en) * 1977-03-14 1978-10-03 Nec Corp Vapor phase growth method of si crystal

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