JPS6188449A - 反射体用保護膜 - Google Patents
反射体用保護膜Info
- Publication number
- JPS6188449A JPS6188449A JP20983284A JP20983284A JPS6188449A JP S6188449 A JPS6188449 A JP S6188449A JP 20983284 A JP20983284 A JP 20983284A JP 20983284 A JP20983284 A JP 20983284A JP S6188449 A JPS6188449 A JP S6188449A
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- JP
- Japan
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- reflector
- protective film
- film
- glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明：禾たとえば高出力ハロゲン電球の反射体に仮着
さｎる多ノ１カ光学ｆＢ７の耐久性化向上させる反射体
用保護膜に口する。
さｎる多ノ１カ光学ｆＢ７の耐久性化向上させる反射体
用保護膜に口する。
し発明の技術面背景とその問題点〕
従来、反射体としてたとえばハロゲン電球用のレフレク
タにはその中央ｆこ装貴さねた高圧力ランプからのり視
光を効果的に反射させ、かつ、熱保を吸収するため１反
射面にたとえばＺｎＳ−ＡｌｇＦ、 、またはＺｎＳ−
８ｉｎ！のようＣ：高屈折率蒸着Ｈ料と、低重折率蒸着
材料とを交互ｔ：槓、：藝さセてなる多層膜が被着され
ている。ところが、この多層Ｂ分はランプ点灯時の高熱
のためそり朗久注ｆ二影“、噂を支はすりで、こｎを防
止するため一七Ｃ二下把のような手段が採用さねている
。
タにはその中央ｆこ装貴さねた高圧力ランプからのり視
光を効果的に反射させ、かつ、熱保を吸収するため１反
射面にたとえばＺｎＳ−ＡｌｇＦ、 、またはＺｎＳ−
８ｉｎ！のようＣ：高屈折率蒸着Ｈ料と、低重折率蒸着
材料とを交互ｔ：槓、：藝さセてなる多層膜が被着され
ている。ところが、この多層Ｂ分はランプ点灯時の高熱
のためそり朗久注ｆ二影“、噂を支はすりで、こｎを防
止するため一七Ｃ二下把のような手段が採用さねている
。
（１） 具窄蒸岩後の多層膜に熱処理を、延こす。
（２） 特開昭５８−５９５８．号Ｃ二開示さ【てい
るようＣ二真空蒸看後レフレクタをＳｉ ０２ 溶ン
夜ｌ二＆７賃、あるいは溶液を噴射したのち刀０品、石
史化させ多層膜を硬い８ｉ０２層で保護する。
るようＣ二真空蒸看後レフレクタをＳｉ ０２ 溶ン
夜ｌ二＆７賃、あるいは溶液を噴射したのち刀０品、石
史化させ多層膜を硬い８ｉ０２層で保護する。
しかしながら、上記ｆｉｌ 、 ＋２１の手段はいずｎ
も低出力ハロゲンランプ、たとえば１２Ｖ、５０Ｗ程度
のものに対しては効果的であるが、高出力ハロゲンラン
プ、たとえば１００ Ｖ ３６０ Ｗのものシ一対して
は、多層膜の耐久性を低下させて以下に述べる欠、（を
主じさせる。
も低出力ハロゲンランプ、たとえば１２Ｖ、５０Ｗ程度
のものに対しては効果的であるが、高出力ハロゲンラン
プ、たとえば１００ Ｖ ３６０ Ｗのものシ一対して
は、多層膜の耐久性を低下させて以下に述べる欠、（を
主じさせる。
１、 ランプ点灯時にレフレクタの温度が・・Ｌ分的に
最高約５８０℃まで上昇し、多層膜の４’＋Ｉｎ、ｌ’
Ｊクラック、膜表面の白濁、現象等を生じさせる。
最高約５８０℃まで上昇し、多層膜の４’＋Ｉｎ、ｌ’
Ｊクラック、膜表面の白濁、現象等を生じさせる。
２、 Ｍ１ｊ述した（２）の手段では真空蒸着後レフ
レクタを大気中に露出させ、七ののちＳ１０！処理を行
なうので多層股上にじんあいの付着、ピンホール等の発
生を招くこととなる。また、近時多層膜の構成材料とし
てＴｉＯ２−８１０，、またはＺｒＯ，−Ｓｉｎ！系の
高耐久性多層膜を使用したハロゲン電球用反射体の開発
がなさｒ、ているが、このものにあっても以下（二述べ
る欠点を有しているっ ｌ、 多、−膜を被おすべきレフレクタの凹状面が深い
場合、被膜のまわり込みが少なく向−に被着させること
が困１である。
レクタを大気中に露出させ、七ののちＳ１０！処理を行
なうので多層股上にじんあいの付着、ピンホール等の発
生を招くこととなる。また、近時多層膜の構成材料とし
てＴｉＯ２−８１０，、またはＺｒＯ，−Ｓｉｎ！系の
高耐久性多層膜を使用したハロゲン電球用反射体の開発
がなさｒ、ているが、このものにあっても以下（二述べ
る欠点を有しているっ ｌ、 多、−膜を被おすべきレフレクタの凹状面が深い
場合、被膜のまわり込みが少なく向−に被着させること
が困１である。
２、 ＺｎＳ −ＭｇＦ２． ＺｎＳ −Ｓｉｎ、系
ト比Ｆ３ Ｌ テ［Ｆ１８ （膜厚）を１．３ないし１
，５倍必要としてフストり上昇を招く。
ト比Ｆ３ Ｌ テ［Ｆ１８ （膜厚）を１．３ないし１
，５倍必要としてフストり上昇を招く。
３Ｔ１０□、 ＺｒＯ，は薫看条件等Ｃ二よっては被膜
−吸収を生じさせたり、または低級酸化膜となり被り＝
特性としての安定性を損なわせる。
−吸収を生じさせたり、または低級酸化膜となり被り＝
特性としての安定性を損なわせる。
４ 被ｌ’ｓを除去して再生恭板として使用することが
できない。
できない。
ａＪｆｆｌ力ランプの点灯（＝よっても多層膜の膜剥れ
、膜クラツク、表面白濁を生じさせることなく、高耐久
性を可能とし、しかも簡易かつ安価に得らｎる反射体用
保護膜を提供することを目的とする。
、膜クラツク、表面白濁を生じさせることなく、高耐久
性を可能とし、しかも簡易かつ安価に得らｎる反射体用
保護膜を提供することを目的とする。
一面（二条層膜を被着した反射体の多層膜上Ｃ：仮仮着
ｎた反射体用保護膜において、前記保護膜は８ｉ０！８
０ないし８５ 重量囁１人／２Ｏ３１．５ないし４．０
重置％を含有し、かつ熱膨張係数２０ないし３０ Ｘ
ＩＦ ” ／ ℃、屈折率１．４６ないし１．４７の（
１〕ｊ珪酸ガラスを被着したのち、この（Ｍｎ酸ガラス
Ｃ二３５０℃以上転移点以下の温斐で２７０熱処理を施
してなる反射体用件ＷＬ膜である。
ｎた反射体用保護膜において、前記保護膜は８ｉ０！８
０ないし８５ 重量囁１人／２Ｏ３１．５ないし４．０
重置％を含有し、かつ熱膨張係数２０ないし３０ Ｘ
ＩＦ ” ／ ℃、屈折率１．４６ないし１．４７の（
１〕ｊ珪酸ガラスを被着したのち、この（Ｍｎ酸ガラス
Ｃ二３５０℃以上転移点以下の温斐で２７０熱処理を施
してなる反射体用件ＷＬ膜である。
以下、本発明の詳細を一実施例Ｃ二ついて図面を参照し
て説明する。（１）は反射体、たとえば／％ｌ Ｏゲン
ランプ用レフレクタのガラス基板で、−面を回転放物面
状の凹面＋２１ （：形成してなる。（３）は凹面＋２
１Ｃ：被るさｎた多ｉＭ膜テ、 ＺｎＳ −ＭｇＦ’１
まり！ｉ ＺｎＳ −８１０、構成の２１盾からなる光
学膜厚１／４λの又互層（λ１〜１ｓ ＝ ６００ ｎ
ｍ 、λ１．〜ｎ ＝ ４５０ｎｍ）である。
て説明する。（１）は反射体、たとえば／％ｌ Ｏゲン
ランプ用レフレクタのガラス基板で、−面を回転放物面
状の凹面＋２１ （：形成してなる。（３）は凹面＋２
１Ｃ：被るさｎた多ｉＭ膜テ、 ＺｎＳ −ＭｇＦ’１
まり！ｉ ＺｎＳ −８１０、構成の２１盾からなる光
学膜厚１／４λの又互層（λ１〜１ｓ ＝ ６００ ｎ
ｍ 、λ１．〜ｎ ＝ ４５０ｎｍ）である。
すなわち、ＺｎＳからなる高屈折率材料を（Ｈ）としＭ
ｇＦ ２または５ｉｎ２からなる低屈折率材料を（Ｌ
）とした場合、この（Ｈ）と（Ｌ）とを文旦【二６回計
重２層被るし、さら【：（Ｈンを１居付加して計１３１
１！Ｉとし。
ｇＦ ２または５ｉｎ２からなる低屈折率材料を（Ｌ
）とした場合、この（Ｈ）と（Ｌ）とを文旦【二６回計
重２層被るし、さら【：（Ｈンを１居付加して計１３１
１！Ｉとし。
さらＣ（Ｌ）と（Ｈ）とを又互Ｃ：４回、計８層を積層
被イ１し、その最外層Ｃ二保護膜（４）となる４ｉｊｊ
址酸ガラスを被着させたものである。そして、これら？
８！膜の形成はすべて真空蒸着（：よって行なわする。
被イ１し、その最外層Ｃ二保護膜（４）となる４ｉｊｊ
址酸ガラスを被着させたものである。そして、これら？
８！膜の形成はすべて真空蒸着（：よって行なわする。
蒸＠条件としては真空度ｓ ｘ １０−’ないし１Ｘｌ
（Ｊ”Ｔｏｒｒ で基板温度は１００ないし３００℃
であった。
（Ｊ”Ｔｏｒｒ で基板温度は１００ないし３００℃
であった。
セして保護膜（４）を形成する硼珪酸ガラスは以下ζ；
示す組成ならびに物理的性質を備えている。
示す組成ならびに物理的性質を備えている。
組成 物理的性質
８ｉ０２・・・・・・８４重重鼠 ル５膨侭率α＝
２５Ｘｌυ ７℃Ｂ２Ｏ３・・・・・・１１〃
光屈折率Ｎ＝１．４７ＡｌｌＯ３・・・・ ３ 〃
転移点Ｔｇ ＝ ５９０℃ＮえよＯ 参う嘔・・・・・ ２〃 上記硼珪酸ガラスは光学膜厚１／２λ’ 、ｕ’＝５５
Ｑｎｍのものを電子銃に二より前述した蒸着条件のもと
て蒸着した。蒸着完了後は熱処理を施す。すなわち。
２５Ｘｌυ ７℃Ｂ２Ｏ３・・・・・・１１〃
光屈折率Ｎ＝１．４７ＡｌｌＯ３・・・・ ３ 〃
転移点Ｔｇ ＝ ５９０℃ＮえよＯ 参う嘔・・・・・ ２〃 上記硼珪酸ガラスは光学膜厚１／２λ’ 、ｕ’＝５５
Ｑｎｍのものを電子銃に二より前述した蒸着条件のもと
て蒸着した。蒸着完了後は熱処理を施す。すなわち。
反射体（１）を電気炉中Ｃ二人ｎて４５０℃％ １時間
の１熱処理を行なって被着を完了することかでさた。
の１熱処理を行なって被着を完了することかでさた。
次表は多層膜（３）の耐久性（二関して保護１１弥（４
）を有していない従来のものと１本発明に関するものと
の各種テストの比較実験データを示す。
）を有していない従来のものと１本発明に関するものと
の各種テストの比較実験データを示す。
（以下余白）
表 １
評価記号
０−変化なし
Ｘ＝膜剥ｎ
Ｙ＝膜ツクラン
ク重表面白濁、干渉むら
試験方法
＋ＩＬ６．０７− ス） 反射体ｍｃ ｔｏｏ Ｖ
、 ３６０ Ｗ ノハロゲン電球（５）を装着し１０分
間点灯％１０分間／＠却を反覆して全体で１００時間経
過後の評価。
、 ３６０ Ｗ ノハロゲン電球（５）を装着し１０分
間点灯％１０分間／＠却を反覆して全体で１００時間経
過後の評価。
（２）熱衝撃テスト 反射体＋１］を６００℃の中性雰
囲気の電気炉中に二５分分間−た後、大気中ζ二Ｘ装置
した場合の評価。
囲気の電気炉中に二５分分間−た後、大気中ζ二Ｘ装置
した場合の評価。
（３）煮沸テスト 反射体（１）を１００℃の市水中に
１０分間浸漬後の評価。
１０分間浸漬後の評価。
（４）引張りテスト 保護膜ｆ４） ｔ：０６００のス
コッチテープ幅１／２インチ、長さ１０％のものを貼着
し急激（二引剥した場合の評価。
コッチテープ幅１／２インチ、長さ１０％のものを貼着
し急激（二引剥した場合の評価。
本発明は表−１から明らかなよ５にユ多層Ｈｉ３１の最
外層Ｉ：保設膜（４）として人１ｉｔＯｓ含有の硼珪酸
ガラスを被着させたものは保護膜（４）を有していない
ものとはもち論のこと、 ８ｉ０． を被着させた従
来のものと比較して各テストを通じて已めて艮好な結果
を４る二とができた。
外層Ｉ：保設膜（４）として人１ｉｔＯｓ含有の硼珪酸
ガラスを被着させたものは保護膜（４）を有していない
ものとはもち論のこと、 ８ｉ０． を被着させた従
来のものと比較して各テストを通じて已めて艮好な結果
を４る二とができた。
このことはＣ８，護膜（４）の構造がガラス特有のアモ
ルファス層となるため、 ８ｉ０．層より緻密に構成さ
れるからと思わｎる。
ルファス層となるため、 ８ｉ０．層より緻密に構成さ
れるからと思わｎる。
久（ニー珪酸ガラスの組成、ならび≦二物理的性質Ｃ：
関する限定理由（二ついて述べる。まずＳｉｎ、は８０
ないし８５．を叡％、 ＡＩ！ｙｓ １．５ないし４．
０型皿％と限定シｙ＝ コトハ多ｍ 族系（ＺｎＳ −
ｍｇＦ’、、 ＺｎＳ −８ｉ０．）に対応する適正な
熱応力、黙膨弘率が得らするようＣ二考慮したもので、
さらＣ：破看後脆処理工程を導入する必要があるので特
Ｃ’４ ｒ久性の保護層を構成するためである。また上
記組成内では熱庇張率α＝ルないし３ｏｑＯ−１７℃で
あることが週当である。すなわち、αが２０ Ｘ ＩＩ
Ｊ−’／Ｔ：を下回る場合は所望のガラスそのものの作
成が困燕であるとともに：ｙｓ ｍ ｖ；＜テスト【二
おいて多層に系との熱膨張率の差が生じ膜クラツクの発
生を招く。またαが３０ＸＩＯ’／℃を上回ると８ｉ０
． 、人！、０．以外のガラス構成成分としてアルカリ
（ソーダライム）およびＢｚＯｓ等が大−に二含まｎて
くるため耐湿性に、劣り引張りテスト、煮沸テストで膜
異常、表面白濁が発生する。
関する限定理由（二ついて述べる。まずＳｉｎ、は８０
ないし８５．を叡％、 ＡＩ！ｙｓ １．５ないし４．
０型皿％と限定シｙ＝ コトハ多ｍ 族系（ＺｎＳ −
ｍｇＦ’、、 ＺｎＳ −８ｉ０．）に対応する適正な
熱応力、黙膨弘率が得らするようＣ二考慮したもので、
さらＣ：破看後脆処理工程を導入する必要があるので特
Ｃ’４ ｒ久性の保護層を構成するためである。また上
記組成内では熱庇張率α＝ルないし３ｏｑＯ−１７℃で
あることが週当である。すなわち、αが２０ Ｘ ＩＩ
Ｊ−’／Ｔ：を下回る場合は所望のガラスそのものの作
成が困燕であるとともに：ｙｓ ｍ ｖ；＜テスト【二
おいて多層に系との熱膨張率の差が生じ膜クラツクの発
生を招く。またαが３０ＸＩＯ’／℃を上回ると８ｉ０
． 、人！、０．以外のガラス構成成分としてアルカリ
（ソーダライム）およびＢｚＯｓ等が大−に二含まｎて
くるため耐湿性に、劣り引張りテスト、煮沸テストで膜
異常、表面白濁が発生する。
なお、使用する萩逗ガラスはガラス化状Ｔ５のものがよ
く焼結晶のものでは電子銃との適合性が悪く好ましくな
い。さらｌ二は前記人ｔｚｏｓを１．５ないし４．０重
に％Ｃ二限定した理由をさら２：付言すると、・１膨張
率との関連のみならずお処理工程【二２ける強化力の向
上を得るためである。
く焼結晶のものでは電子銃との適合性が悪く好ましくな
い。さらｌ二は前記人ｔｚｏｓを１．５ないし４．０重
に％Ｃ二限定した理由をさら２：付言すると、・１膨張
率との関連のみならずお処理工程【二２ける強化力の向
上を得るためである。
また、熱処理工程Ｃ二あっては表−１から明らかなよう
に；３５０℃ないしカラスの転移点温間以内の七〜・込
理イ係度が最適であることを見出した。すなわち、３５
０°Ｃを下回ると従来のものよりは則７．．５ ＜ｊ７
は良いが高出力ランプ用としては不十分となる。まｙ：
＠：移点渇以を上口ると保護膜（４）の変形が失じク
ラック発生ｆ二いたるおそｎがあり、さらＣ二はＺｎＳ
が７．ｎｏＯ）酸化上にする二とがＸ線回折（二より判
り弓しているため光学Ｔ、テ性が短波長側Ｃニシフトし
、干渉むらを生じさせることとなる。なお、使用］する
＋−ＬＸ ｔ、：： カラｙ、 （Ｉｌ、） ｊ＆ 折
率Ｎ ハ１．４６ｆｘ イＬ １．４７−Ｃｊ’ｅ学的
ｌ二安定しているため多’１１：ｉ＞系の光学的特性に
影響を与えることはない。
に；３５０℃ないしカラスの転移点温間以内の七〜・込
理イ係度が最適であることを見出した。すなわち、３５
０°Ｃを下回ると従来のものよりは則７．．５ ＜ｊ７
は良いが高出力ランプ用としては不十分となる。まｙ：
＠：移点渇以を上口ると保護膜（４）の変形が失じク
ラック発生ｆ二いたるおそｎがあり、さらＣ二はＺｎＳ
が７．ｎｏＯ）酸化上にする二とがＸ線回折（二より判
り弓しているため光学Ｔ、テ性が短波長側Ｃニシフトし
、干渉むらを生じさせることとなる。なお、使用］する
＋−ＬＸ ｔ、：： カラｙ、 （Ｉｌ、） ｊ＆ 折
率Ｎ ハ１．４６ｆｘ イＬ １．４７−Ｃｊ’ｅ学的
ｌ二安定しているため多’１１：ｉ＞系の光学的特性に
影響を与えることはない。
本発明は以上詳述したように多層膜上Ｃ二被着さｎる保
護膜１−１８！０．８０ないし８５重Ｈ”Ｌ （ｙ、、
人７ｔ０３１．５ないし４．０ 塩２％含有し、かつ熱
膨張仔数２０ないし３０刈υ−７／で、屈折率１．４６
ないし１．４７の硼珪酸ガラスからなり、この硼珪酸ガ
ラスに３５０℃以上で転移点以下の温ヴで加熱処理を施
こすこと（二より形成さｎるようζ二した反射体用保護
膜であるから。
護膜１−１８！０．８０ないし８５重Ｈ”Ｌ （ｙ、、
人７ｔ０３１．５ないし４．０ 塩２％含有し、かつ熱
膨張仔数２０ないし３０刈υ−７／で、屈折率１．４６
ないし１．４７の硼珪酸ガラスからなり、この硼珪酸ガ
ラスに３５０℃以上で転移点以下の温ヴで加熱処理を施
こすこと（二より形成さｎるようζ二した反射体用保護
膜であるから。
この反射体Ｃ二たとえば高畠力のへロゲンランブを装石
１点灯した場合、その高熱（二よっても多層膜Ｃ二はた
んらの変化を生じさせることなく高効率の点灯を保持で
きるすぐｔた利点を有する。
１点灯した場合、その高熱（二よっても多層膜Ｃ二はた
んらの変化を生じさせることなく高効率の点灯を保持で
きるすぐｔた利点を有する。
さら（二渫護膜は耐久性【二すぐｔているととも【二。
その格成もすこぶる簡単であるから安価に得ることがで
きる利点をも有する。なお１不実施？＋１では保護膜の
被着方法として電子銃による蒸着手段を採用したが本発
明はこｎに限らずスパッタリング。
きる利点をも有する。なお１不実施？＋１では保護膜の
被着方法として電子銃による蒸着手段を採用したが本発
明はこｎに限らずスパッタリング。
イオンブレーティング等の手段を用いてもよい。
４ 巳 ａ！］ リ ：）１）単 〒ｒ ＬＨ６１
とＩＡ−は本発明り犬話νす’５’ Ｊ：すもので、へ
ロゲ／λ球用レフレクタに適用した一部切欠析面Ｘであ
る。
とＩＡ−は本発明り犬話νす’５’ Ｊ：すもので、へ
ロゲ／λ球用レフレクタに適用した一部切欠析面Ｘであ
る。
ｉｌｌ・・・反射体 ）３）・多層膜、４）
・・・（呆１．”ｉ ６’；＜ 。
・・・（呆１．”ｉ ６’；＜ 。
Claims (1)
- 一面に多層膜を被着した反射体の多層膜上に被着された
反射体用保護膜において、前記保護膜はＳｉＯ＿２８０
ないし８５重量％、Ａｌ＿２Ｏ＿３１．５ないし４．０
重量％を含有し、かつ、熱膨張係数２０ないし３０×１
０＾−＾７／℃、屈折率１．４６ないし１．４７の硼珪
酸ガラスを被着したのちこの硼珪酸ガラスに３５０℃以
上転移点以下の温度で加熱処理してなることを特徴とす
る反射体用保護膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20983284A JPS6188449A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 反射体用保護膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20983284A JPS6188449A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 反射体用保護膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188449A true JPS6188449A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH036619B2 JPH036619B2 (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=16579353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20983284A Granted JPS6188449A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 反射体用保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319244A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-25 | Ushio Inc | 電球の製造方法 |
| JPH02161403A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Toshiba Glass Co Ltd | 多層干渉膜 |
| EP0702395A3 (en) * | 1994-09-13 | 1997-01-29 | Gen Electric | Lamp with a protective coating made of silicon oxide |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP20983284A patent/JPS6188449A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01319244A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-25 | Ushio Inc | 電球の製造方法 |
| JPH02161403A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Toshiba Glass Co Ltd | 多層干渉膜 |
| EP0702395A3 (en) * | 1994-09-13 | 1997-01-29 | Gen Electric | Lamp with a protective coating made of silicon oxide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036619B2 (ja) | 1991-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |