JPS6177388A - 半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置 - Google Patents

半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置

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JPS6177388A
JPS6177388A JP59199007A JP19900784A JPS6177388A JP S6177388 A JPS6177388 A JP S6177388A JP 59199007 A JP59199007 A JP 59199007A JP 19900784 A JP19900784 A JP 19900784A JP S6177388 A JPS6177388 A JP S6177388A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は半導体レーザの共振器端面に誘電体等の保護膜
を被覆した場合の端面反射率を測定する装置に関するも
のである。
〈従来技術〉 半導体レーザの共振器端面の劣化を防止するとともにそ
の光反射率の制御設定を企図して共振器の両端面に誘電
体等の保護膜を被覆した種々の光反射率を示す半導体レ
ーザが開発されている。従来、この保護膜が被覆された
共振器端面の反射率を測定する手段として、前面光出力
と後面光出力の値を求め、これらと各反射率との関係を
表わす次式を用いて反射率を算出していた。
しかしながら、このような算出方法では端面反射率のい
ずれか一方即ちＲ１，Ｒ２の一方が判明していなければ
他方の端面反射率を求めることができない。従って一般
的Ｖｃｌ−を共振器端面の一方を襞間面の状態とし他方
の端面のみ保護膜を被覆して反射率を変化させ、襞間面
の反射率を既知のものとして保護膜を被覆した端面の反
射率を（１）式より算出していた。両端面とも保護膜を
被覆した場合には、上述した如く一方の面を襞間面とし
他方の面に同一条件で保護膜を被覆したモニタ用の半導
体レーザを利用して保護膜の被覆された端面の反射率を
ｉｌ１式より求める方法が採用されていた。
このため半導体レーザ個々の端面反射率の測定を直接的
に行なうことができず工程内でのバラツキを評価するこ
とが不可能であった。
〈発明の目的〉 木発明は上述の問題点に鑑み、出力されたレーザ光の帰
還光を利用することにより、共振器両端面に保護膜が被
覆された場合であっても容易にその両端面の反射率を求
めることができる半導体レーザの端面反射率測定装置を
提供することを目的とする。
〈発明の原理と構成〉 半導体１／−ザの共振器前面光出力の一部がその出射端
面に帰還すると前面光出力及び後面光出力と帰還光量と
の間に一定の関数関係があることが思い出された。以下
これを第２図とともに説明する。半導体レーザの共振器
両端面をｆｌ＋ｆ’２　とし、ｆ、、ｆ２の端面反射率
を各々Ｒ１，Ｒ２とする。捷たｆｌからの光出力をｐｌ
、ｆ２からの光出力をＲ２とし、外部反射鏡Ｍで反射し
たｆｌからの出力光の一部をｒＰｘ　（０’、　ｒ　＜
　１　）とする。
とのｒＰｌ　の光量の光が半導体レーザのｆｌより共振
器内部へ帰還されるものとする。共振器内部のｆｌ　に
１おける入射方向と反射方向の光出力をＰ□　、Ｒ２、
ｆ２における入射方向と反射方向の光出力をＰ２′、Ｐ
２″、共振器の利得をＡとする。
これらの関係式は次の如く表わされる。
ＰＩ　＝（Ｉ　　Ｒ１）ＰＩ’　　　　　　　　・・・
（３）ｐ２１１　＝　（、ＪＴ、　＋　（１，−Ｒ１）
ＪＴ）Ｐ１′・・・（４）Ｐ２＝（Ｉ　　Ｒ２）Ｒ２・
　　　　　　　・・・（５）Ｒ２”＝Ｒ２Ｐ２’　　　
　　　　　　　　　・・・（６）ｐ、’＝ＡＰ１”　　
　　　　　　　　　　・・・（７）Ｐ１’＝Ａ　Ｒ２“
　　　　　　　　　　　　−１８１上記（３）乃至（８
）式より次式が求まる。
即ち、ｒとＲ１及びＲ２が定寸ればＰｌとＲ２の割合は
一義的に決定される。捷だ帰還光がな論場合即ちｒ＝ｏ
の場合は（１）式となる。
帰還光がｒＰｌの時の前面光出力Ｐｘ（ｒ）と後面光出
力Ｐ　２（ｒ）の比をＸｒとし、帰還光がない時の前面
光出力Ｐ１と後面光出力Ｐ２の比をＸ。とするとＸｒ、
ＸＯ及びＸ。対Ｘｒの比は ・・・αη となる。
従って、帰還光量の出射光量に対する割合ｒ、帰還光が
ない時の前面光出力と後面光出力の比Ｘ。
及び帰還光がある時の前面光出力と後面光出力の比Ｘｒ
が設定されるとＲ１が求められ、次に（］）式よりＲ２
が求められることになる。
〈実施例〉 第１図は木発明の一実施例を示す半導体レーザの端面反
射率測定装置の構成図である。
半導体レニザ１のレーザ発振用共振器の両端面には５ｉ
０２．Ａノ２０３等の誘電体から成る保護膜が被覆され
、一方の端面（前面）よりレーザ光出射方向にコリメー
タレンズ２．レンズ光を直交する２方向に分割するビー
ムスプリッタ３．レーザ光が反射される反射鏡４が配置
されている。またビームスプリッタ３で分割されたレー
ザ光が照射される位置に光検出器５．６が設けられてい
る。
半導体レーザ１の他方の端面（後面）には該端面より出
力されるレーザ光が照射される光検出器７が配置されて
いる。またビームスプリッタ３と反射鏡４との間にはレ
ーザ反射光を開閉するためのシャッタ８が介設されてい
る。光検出器７．半導体レーザ１．コリメートレンズ２
及びビームスプリッタ３は図中の光軸Ｃに整合して順次
配置されている。
半導体レーザ１より出力されたレーザ光は、後面より出
力されたレーザ光が光検出器７に照射されてその出力強
度が求められ、前面より出力されたレーザ光がコリメー
トレンズ２を通過して平行光束となり、ビームスプリッ
タ３で２方向に分割される。ビームスプリッタ３で光軸
Ｃと直交する方向へ分割されたレーザ光は光検出器５へ
照射されて前面からのレーザ出力強度が求められる。ビ
ームスプリッタ３より光軸Ｃに沿って直進するレーザ光
は反射鏡４の反射面に垂直に入射し、その反射光は同じ
光軸Ｃに沿って逆方向に進行してビームスプリッタ３へ
入射する。ヒームスフリ・ツタ３で反射光は光軸方向の
光と光軸Ｃに直交する方向の光Ｔｌｃ２分割され、光軸
Ｃに直交する方向の光は光検出器６へ照射されてその強
度が求められる。
光軸Ｃに沿って進む光はコリメートレンズ２を通過して
半導体レーザ１の共振端面より内部へ帰還され、複合共
振器を形成する。
上記構成において、シャッタ８を閉成して反射光を遮断
し、半導体レーザ１に帰還光がない場合の光検出器５及
び光検出器７に照射されるレーザ光の前面光出力Ｐ１と
後面光出力Ｐ２の比Ｘ。を測定する。次にシャッタ８を
開成してレーザ光を反射鏡４で反射させた後半導体レー
ザ１に帰還させた場合の前面光出力Ｐｌ（ｒｌと後面光
出力Ｐ２（ｒ］の比Ｘｒを測定する。また光検出器５，
６により前面のレーザ出射光量に対する帰還光量の割合
ｒも同時に測定する。これらの測定値Ｘ。＋　Ｘｒ　＋
　ｒを（イ）式に代入することにより前面反射率Ｒ１が
求められ、更に（１１式よりＲ２を求めることができる
。
第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザの端面
反射率測定装置の構成図である。
太実施例は半導体レーザ１．コリメートレンズ２、ビー
ムスプリッタ３及び光検出器５　、６ＶＣついては第１
図と同様の構成をなす。半導体レーザ１の後面より出力
されたレーザ光は光検出器７に照射されるが、この光検
出器７の検出信号けＡＰＣ（オートパワーコントロール
）回路９へ入力されＡＰＣ回路９の出力によって半導体
レーザ１の駆動電流が制御される。ビームスプリッタ３
を通過した光軸Ｃの方向に沿って進行する出力レーザ光
は集束レンズ１０を通過して集束され１反射鏡４でスポ
ット状に照射された後、反射光となって集束レンズ１０
より光軸Ｃ［沿って逆方向へ進行し半導体レーザＩＶＣ
帰還される。半導体レーザｌＩｒ１光検出器７によりそ
の出力強度が検出され、出力強度の変化がＡＰＣ回路９
を介して駆動系へフィードバックされる。これによって
強度が常に一定になるように半導体レーザ１が駆動され
る。この場合上述の（１０）弐０力式は ・・・αＤ′ となり、（イ）式は で表わされる。従って、光検出器５の検出信号のみで容
易にＲ１が算出される。
尚、端面反射率以外に半導体レーザ１の端面反射率の変
化についても測定することが可能である。
〈発明の効果〉 以上詳説した如く本発明によれば半導体レーザの共振器
両端面の光反射率を精度良く直接測定することができ、
素子間の光反射率のバラツキ等についても調べることが
できる。従って半導体レーザの製造工程における歩留り
の向上あるいは品質の改良等に寄与することが期待され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの端面反
射率測定装置の構成図である。 第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザの端面
反射率測定装置の構成図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・コリメートレンズ、３
・・・ビームスプリッタ、４・・・反射鏡、５．６．７
・・・光検出器、計・・シャ・ツタ代理人　弁理士　福
　士　愛　彦（他２名）第　１　口 Ｒ２ＲＩ　　　　　　　　　’ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １．半導体レーザの共振器の両端面より出力されるレー
    ザ光強度をそれぞれ測定する光検出手段と、一方の前記
    端面より出力されるレーザ光を反射して前記半導体レー
    ザへ帰還させる光反射手段と、該光反射手段により反射
    されるレーザ反射光を遮断する位置で開閉されるシャッ
    タ手段と、前記レーザ反射光の強度を測定する光検出手
    段と、を具備して成る半導体レーザの共振端面反射率測
    定装置。
JP59199007A 1984-09-21 1984-09-21 半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置 Granted JPS6177388A (ja)

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US06/777,247 US4660983A (en) 1984-09-21 1985-09-18 Apparatus for measuring reflectivities of resonator facets of semiconductor laser
DE19853533465 DE3533465A1 (de) 1984-09-21 1985-09-19 Vorrichtung zur messung der reflexionsvermoegen von resonatorfacetten von halbleiterlasern
GB8523301A GB2166237B (en) 1984-09-21 1985-09-20 Apparatus for measuring reflectivities of resonator facets of semiconductor laser

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JPH0370915B2 JPH0370915B2 (ja) 1991-11-11

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