JPS6174142A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6174142A JPS6174142A JP19713184A JP19713184A JPS6174142A JP S6174142 A JPS6174142 A JP S6174142A JP 19713184 A JP19713184 A JP 19713184A JP 19713184 A JP19713184 A JP 19713184A JP S6174142 A JPS6174142 A JP S6174142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- electron beam
- vapor deposition
- substrate
- cylindrical
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録再生に適した垂直磁気記録媒体
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年磁気記録の高密度化の壁とみられていた短波長での
減磁からのがれることの出来る新しい記録方式である垂
直磁気記録が注目されている。この方式の実用化にとっ
て磁気記録媒体の高速作成は極めて重要であり真空蒸着
法がその点がらスパッタリング法に比較して有利である
。
減磁からのがれることの出来る新しい記録方式である垂
直磁気記録が注目されている。この方式の実用化にとっ
て磁気記録媒体の高速作成は極めて重要であり真空蒸着
法がその点がらスパッタリング法に比較して有利である
。
第１図は従来の真空蒸着法により垂直記録媒体。
を製造する蒸着機の概要構成である。
第１図で１は円筒状キャン、２は高分子基板。
３は送り出し軸、４は巻取り軸、６は蒸発源容器、６は
蒸着材料、７は電子ビーム、８はマスク、９はスリット
である。蒸発源と円筒状キャンとの至近距離ｄは、従来
は、垂直磁化膜の結晶配向性のために、２６備以上、好
ましくは３ｏαから５０１に設定されていた。
蒸着材料、７は電子ビーム、８はマスク、９はスリット
である。蒸発源と円筒状キャンとの至近距離ｄは、従来
は、垂直磁化膜の結晶配向性のために、２６備以上、好
ましくは３ｏαから５０１に設定されていた。
それにも拘らず、垂直磁化膜の結晶配向性は、スパッタ
リング膜に比べて劣っている。
リング膜に比べて劣っている。
保磁力については、高分子基板の温度をあげることで、
遜色のないものが得られるが、リング型の磁気ヘッドに
より効率よく記録再生するには、結晶配向性を良くする
必要があり、この目的にあった製造が望まれる。
遜色のないものが得られるが、リング型の磁気ヘッドに
より効率よく記録再生するには、結晶配向性を良くする
必要があり、この目的にあった製造が望まれる。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、結晶配向性の
良好な垂直磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
良好な垂直磁気記録層を有する磁気記録媒体の製造方法
を提供するものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キャンの周
側面に沿って移動する高分子基板上に垂直成分に近い蒸
気流を差し向ける際電子ビーム蒸発源が円筒状キャンと
の至近距離が１５ｃｍ以下であることを特徴とするもの
で、結晶配向性の良好な垂直磁気記録層を得ることがで
きるものである。
側面に沿って移動する高分子基板上に垂直成分に近い蒸
気流を差し向ける際電子ビーム蒸発源が円筒状キャンと
の至近距離が１５ｃｍ以下であることを特徴とするもの
で、結晶配向性の良好な垂直磁気記録層を得ることがで
きるものである。
実施例の説明
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明を実施するのに用いた蒸着装置の内部
構成である。
構成である。
第２図で１０は円筒状キャン、１１は高分子基板。
１２は送り出し軸、１３は巻取り軸、１４は蒸発源容器
、１５は蒸着材料、１６は電子ビーム。
、１５は蒸着材料、１６は電子ビーム。
１７はマスク、１８はスリットである。
ここでスリットは垂直成分に近い蒸気流での蒸着が行わ
れるよう構成される。第２図でＰは蒸発面の中心を示し
、Ｐとキャンの回転軸の中心０とを結んだ線がキャンの
周側面と交錯する点ｋ Ｇ＋とするとＰＣ４が、１６α
以下であることが本発明の効果をもたらす上で重要であ
る。
れるよう構成される。第２図でＰは蒸発面の中心を示し
、Ｐとキャンの回転軸の中心０とを結んだ線がキャンの
周側面と交錯する点ｋ Ｇ＋とするとＰＣ４が、１６α
以下であることが本発明の効果をもたらす上で重要であ
る。
本発明を具体化するのにＰＣｌは１５αから７０ｍの範
囲で選ばれることになろう。
囲で選ばれることになろう。
勿論７α以下が逆効果になる左いうのではなく、シャッ
ターや、マスクを設けるに必要な空間の確保は不可欠で
、７Ｇ＋以下にするには、構成材料を含め設計的に工夫
が必要である。
ターや、マスクを設けるに必要な空間の確保は不可欠で
、７Ｇ＋以下にするには、構成材料を含め設計的に工夫
が必要である。
本発明の効果がなぜ得られるかを明確にすることは困難
であるが、推定される理由は、蒸発源が近いことで輻射
熱の影響が大きくなり、垂直磁化膜の表面温度があがる
ことで結晶配向が改良されるのと、電子ビームと蒸発原
子の相互作用で弱電離状態が得られ、それがスパッタリ
ングの場合に類似することが同様な効果をもたらすもの
と考えられるものである。
であるが、推定される理由は、蒸発源が近いことで輻射
熱の影響が大きくなり、垂直磁化膜の表面温度があがる
ことで結晶配向が改良されるのと、電子ビームと蒸発原
子の相互作用で弱電離状態が得られ、それがスパッタリ
ングの場合に類似することが同様な効果をもたらすもの
と考えられるものである。
要するに、蒸発速度が桁違いに大きくなった以外はスパ
ッタリングの時に近い状態に基板が置かれることが改良
をもたらす主因と推察されるのである。
ッタリングの時に近い状態に基板が置かれることが改良
をもたらす主因と推察されるのである。
又、イオンブレーティングとの差違については、高周波
コイル等のイオン化手段が、基板と蒸発源の間に入るた
め電子ビーム蒸発源と基板の距離が工夫しても３Ｑαに
近いので、本発明のような改良が得られないのであろう
と考えている。
コイル等のイオン化手段が、基板と蒸発源の間に入るた
め電子ビーム蒸発源と基板の距離が工夫しても３Ｑαに
近いので、本発明のような改良が得られないのであろう
と考えている。
尚１６αの臨界的意義は、１６αから２０口の間は、特
定な条件、例えば、蒸着速度がある範囲について本発明
に近い効果が得られるが、１５ｉ以下であれば、蒸着速
度依存性もみられず、生産上の制限がなくなることから
選ばれた条件である。
定な条件、例えば、蒸着速度がある範囲について本発明
に近い効果が得られるが、１５ｉ以下であれば、蒸着速
度依存性もみられず、生産上の制限がなくなることから
選ばれた条件である。
これは、蒸着材料がＧｏを中心にした合金で、蒸発温度
は２１００（０Ｋ）以上で実施され、輻射熱は、温度の
４乗に比例し、距離の２乗に反比例し、表面温度がこれ
に関係し、結晶配向が改良さの れるｔは、蒸着材料の融点に関係したある臨界温度が必
要なことから決っている数値であると思われる。
は２１００（０Ｋ）以上で実施され、輻射熱は、温度の
４乗に比例し、距離の２乗に反比例し、表面温度がこれ
に関係し、結晶配向が改良さの れるｔは、蒸着材料の融点に関係したある臨界温度が必
要なことから決っている数値であると思われる。
本発明の実施は、基板としてポリエステル類。
ボリアεド、ボリアばトイばド、ボリイζド等を用い、
垂直磁気記録層としてはｃｏ−ｃｒ 、 ｃｏ−ｖ 。
垂直磁気記録層としてはｃｏ−ｃｒ 、 ｃｏ−ｖ 。
Ｃｏｏ−Ｔｉ 、 Ｇｏ −Ｍｏ 、 Ｇｏ−Ｗ、 Ｃ
ｏ−Ｒｕ 、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｏｒ 。
ｏ−Ｒｕ 、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｏｒ 。
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−０，Ｇｏ−Ｎｉ−０等が用いら
れて行われ、いずれも十分その効果を確認できるもので
ある。
れて行われ、いずれも十分その効果を確認できるもので
ある。
以下さらに具体的に一実施例について説明する。
円筒状キャンの直径を５０ｃ７ｎとし、シャッターを用
いずにＰＣ，の可変範囲を広くとり実験した。
いずにＰＣ，の可変範囲を広くとり実験した。
マスクは、スリット幅３α一定とし、幅中心が直線ＯＰ
の上にくるよう取付け、水冷銅板で、キャンと同志のわ
ん曲したものを用いた。
の上にくるよう取付け、水冷銅板で、キャンと同志のわ
ん曲したものを用いた。
蒸発源はｚｒｏ２の容器を用い、電子ビームは２０に’
／、６０ＫＷのピアス銃を用いた。
／、６０ＫＷのピアス銃を用いた。
基板は厚み１２μｍのポリアミドを用い、あらかじめ、
１Ｗ／（：ΔでＸｓグローによりグロー処理を１〜５秒
行った。
１Ｗ／（：ΔでＸｓグローによりグロー処理を１〜５秒
行った。
蒸着材料は、垂直磁化膜としてＣｒが２１ｗｔ％含まれ
るＧｏ−Ｏｒを用い膜厚は０．１μｍから０．３μｍま
で可変にした。
るＧｏ−Ｏｒを用い膜厚は０．１μｍから０．３μｍま
で可変にした。
得られた膜の結晶配向性は、Ｘ線回折により調べた。（
００２）面のロッキング曲線の半値幅Δθ５ｏの大小で
比較した。
００２）面のロッキング曲線の半値幅Δθ５ｏの大小で
比較した。
従来報告されている真空蒸着による△θ５゜は８度から
１０度と大きいので、比較例としてスノくソタリ／グ膜
を選んだ。
１０度と大きいので、比較例としてスノくソタリ／グ膜
を選んだ。
スパッタリングは、高周波（周波数１３．５６ＭＨｚ）
方式を用いて、５インチターゲット（Ｃｒは同じ（２１
ｗｔ％で比較した。）を円筒キャンから８０離して置い
て実施した。
方式を用いて、５インチターゲット（Ｃｒは同じ（２１
ｗｔ％で比較した。）を円筒キャンから８０離して置い
て実施した。
電力である
上表より、ＰＣ，が１５ｃＩｎ以下の場合、Δθ５ｏは
スパッタリングで得られるものより良好であり、且つ基
板の移動速度は約２００から３００倍と大きくできてい
ることがわかる。
スパッタリングで得られるものより良好であり、且つ基
板の移動速度は約２００から３００倍と大きくできてい
ることがわかる。
又、投入電力で規格化しても２０〜３０倍の生産性向上
が認められる。
が認められる。
又、本発明品を、スパッタ膜と同一条件で、スチル状嘘
で出力の推移を比較した所、全く遜色なく、膜強度も良
好であった。
で出力の推移を比較した所、全く遜色なく、膜強度も良
好であった。
発明の効果
以上のように、本発明の製法は、電子ビーム蒸発源を基
板に対して１６備以下に近ずけて垂直磁化膜を形成する
ことで、Δθ、０の小さい良好な垂直磁化膜を高速で得
られるものでその実用性は大きい。
板に対して１６備以下に近ずけて垂直磁化膜を形成する
ことで、Δθ、０の小さい良好な垂直磁化膜を高速で得
られるものでその実用性は大きい。
第１図は従来の製法を実施するのに用いられていた蒸着
装置の内部の構成図、第２図は本発明の製法全実施する
のに用いた蒸着装置の内部構成図である。 １１・・・・・基板、１５・・・・−・蒸着材料、１７
・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
装置の内部の構成図、第２図は本発明の製法全実施する
のに用いた蒸着装置の内部構成図である。 １１・・・・・基板、１５・・・・−・蒸着材料、１７
・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
Claims (1)
- 円筒状キヤンの周側面に沿って移動する高分子基板上に
垂直成分に近い蒸気流を差し向ける際、電子ビーム蒸発
源が円筒状キヤンとの至近距離が１５ｃｍ以下であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19713184A JPS6174142A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19713184A JPS6174142A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174142A true JPS6174142A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16369262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19713184A Pending JPS6174142A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302208A (en) * | 1992-02-08 | 1994-04-12 | Leybold Aktiengesellschaft | Vacuum coating installation |
| JP2012140695A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Nitto Denko Corp | 蒸着装置 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19713184A patent/JPS6174142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5302208A (en) * | 1992-02-08 | 1994-04-12 | Leybold Aktiengesellschaft | Vacuum coating installation |
| JP2012140695A (ja) * | 2011-01-06 | 2012-07-26 | Nitto Denko Corp | 蒸着装置 |
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