JPS6173901A - 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 - Google Patents
赤外線検知装置用金属鏡の製造方法Info
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- JPS6173901A JPS6173901A JP19754284A JP19754284A JPS6173901A JP S6173901 A JPS6173901 A JP S6173901A JP 19754284 A JP19754284 A JP 19754284A JP 19754284 A JP19754284 A JP 19754284A JP S6173901 A JPS6173901 A JP S6173901A
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- Japan
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- mirror
- metal mirror
- metallic mirror
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は赤外線撮像装置等の赤外線検知装置に用い、被
対象物より発生する赤外線を走査して赤外線検知素子に
入射させる赤外線検知装置用金属鏡の製造方法の改良に
関する。
対象物より発生する赤外線を走査して赤外線検知素子に
入射させる赤外線検知装置用金属鏡の製造方法の改良に
関する。
C従来の技術〕
従来、赤外線の検知装置に用い、測定すべき被対象物よ
り発生する赤外線を走査して赤外線検知素子に入射させ
る金属鏡の製造方法としては、第2図に示すように比重
の小さいアルミニウム(八Ω)の基台1上にニッケル(
Ni)膜2を50μmの厚さで電解メッキ法、または無
電解メッキ法により被着形成する。このNi膜2を被着
した後、Ni1ffを研磨して鏡面仕上げした後、この
Ni膜上に赤外線に対する反射効率の大きいAl2H臭
3を、イオンプレーテング法、またはスパッタ法で被着
形成した後、該A11FJa上に保護膜としての一酸化
シリコン膜(Sin)15ii4をイオンプレーテング
法、またはスパッタ法を用いて被着形成して金属鏡を形
成していた。
り発生する赤外線を走査して赤外線検知素子に入射させ
る金属鏡の製造方法としては、第2図に示すように比重
の小さいアルミニウム(八Ω)の基台1上にニッケル(
Ni)膜2を50μmの厚さで電解メッキ法、または無
電解メッキ法により被着形成する。このNi膜2を被着
した後、Ni1ffを研磨して鏡面仕上げした後、この
Ni膜上に赤外線に対する反射効率の大きいAl2H臭
3を、イオンプレーテング法、またはスパッタ法で被着
形成した後、該A11FJa上に保護膜としての一酸化
シリコン膜(Sin)15ii4をイオンプレーテング
法、またはスパッタ法を用いて被着形成して金属鏡を形
成していた。
赤外線検知装置に設置された金属鏡は、側車すべき被対
象物の像を水平、および垂直に走査するために6011
z程度の周波数で振動せねばならず、ガラス等の材料で
形成した走査鏡では、その振動で破損しやすく、機械的
強度が不足するため、金属で形成している。
象物の像を水平、および垂直に走査するために6011
z程度の周波数で振動せねばならず、ガラス等の材料で
形成した走査鏡では、その振動で破損しやすく、機械的
強度が不足するため、金属で形成している。
ところでこのようにして形成した金属鏡は、この金属鏡
を使用した赤外線撮像装置を、宇宙衛星搭載用に用いる
とすると、+60℃〜77°にの温度範囲で、かつ相対
湿度が95%以上の湿度の時、金属鏡を形成するNt1
9J上に形成した〜膜が剥離しないようにせねばならな
い。更にこのような金属鏡は上記した苛酷な温湿度の環
境試験を受けた後、この金属鏡の上にセロテープを貼付
して、それをはがした時、Ni膜上の〜膜が剥離しない
ようにすることが望まれており、従来の方法で形成した
金属鏡では、上記試験に合格できるような、即ちNi膜
上の〜被膜が剥離しないような高信頼度の金属鏡を得る
ことは困難であった。
を使用した赤外線撮像装置を、宇宙衛星搭載用に用いる
とすると、+60℃〜77°にの温度範囲で、かつ相対
湿度が95%以上の湿度の時、金属鏡を形成するNt1
9J上に形成した〜膜が剥離しないようにせねばならな
い。更にこのような金属鏡は上記した苛酷な温湿度の環
境試験を受けた後、この金属鏡の上にセロテープを貼付
して、それをはがした時、Ni膜上の〜膜が剥離しない
ようにすることが望まれており、従来の方法で形成した
金属鏡では、上記試験に合格できるような、即ちNi膜
上の〜被膜が剥離しないような高信頼度の金属鏡を得る
ことは困難であった。
上記問題点は、検知すべき被対象物の赤外光を走査する
金属鏡の製造に際し、〜基体上にNi膜を形成後、〜膜
とNi膜に対して被着強度の大きい、容易に剥離し烈い
いクロム(Cr)膜を介してAg膜と保護膜を順次積層
形成する本発明の赤外線検知装置用金属鏡の製造方法に
よって解決される。
金属鏡の製造に際し、〜基体上にNi膜を形成後、〜膜
とNi膜に対して被着強度の大きい、容易に剥離し烈い
いクロム(Cr)膜を介してAg膜と保護膜を順次積層
形成する本発明の赤外線検知装置用金属鏡の製造方法に
よって解決される。
即ち、本発明の赤外線検知装置用金属鏡の製造方法は、
触基体上にNi膜を形成後、該内膜を研暦後、この上に
Ni膜に対して被着強度の大きいCr膜を形成後、該C
rl!a!上にCr膜に対して被着強度の大きいAg膜
を形成後、その上にSiO膜を積層形成して、Ni膜上
に形成した〜膜が剥離し難くして、高信頼度の金属鏡を
得るようにするものである。
触基体上にNi膜を形成後、該内膜を研暦後、この上に
Ni膜に対して被着強度の大きいCr膜を形成後、該C
rl!a!上にCr膜に対して被着強度の大きいAg膜
を形成後、その上にSiO膜を積層形成して、Ni膜上
に形成した〜膜が剥離し難くして、高信頼度の金属鏡を
得るようにするものである。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第1図に示すように本発明の金属鏡の製造方法は、AU
の基体11上にNi膜12を50μm程度の厚さに電解
メッキ法、または無電解メッキ法で形成した後、この表
面を研磨して鏡面仕上げする。
の基体11上にNi膜12を50μm程度の厚さに電解
メッキ法、または無電解メッキ法で形成した後、この表
面を研磨して鏡面仕上げする。
次いでこの基体ll上に蒸着方法により厚さ100人〜
300人のCr膜13を被着形成する。次いでこの上に
蒸着によりNJ膜膜種42000人程度0厚さに被着形
成し、更にこの上に蒸着により表面保護膜としてのSi
O膜15を1000人程度0厚さに被着形成して金属鏡
を形成する。
300人のCr膜13を被着形成する。次いでこの上に
蒸着によりNJ膜膜種42000人程度0厚さに被着形
成し、更にこの上に蒸着により表面保護膜としてのSi
O膜15を1000人程度0厚さに被着形成して金属鏡
を形成する。
このようにして形成した本発明の金属鏡によれば、Ni
膜とNJFJとの間にNi膜と89膜の両方の金属膜に
対して被着強度の大きいCr膜を形成し、このCr膜を
挟んだ形で、Ni膜上にAg膜が形成されているので、
Ni膜上に形成されたAI)膜が、金属鏡の使用中に剥
離するような事故もなくなり、高信頼度の赤外線検知装
置用の金属鏡が得られる効果がある。
膜とNJFJとの間にNi膜と89膜の両方の金属膜に
対して被着強度の大きいCr膜を形成し、このCr膜を
挟んだ形で、Ni膜上にAg膜が形成されているので、
Ni膜上に形成されたAI)膜が、金属鏡の使用中に剥
離するような事故もなくなり、高信頼度の赤外線検知装
置用の金属鏡が得られる効果がある。
以上述べた実施例に於いては、Ni膜上に〜股を形成す
る際、蒸着方法を用いて形成したが、蒸着方法のみなら
ず、スパッタ法等を用いて金属鏡を形成しても良い。
る際、蒸着方法を用いて形成したが、蒸着方法のみなら
ず、スパッタ法等を用いて金属鏡を形成しても良い。
以上述べた本発明の金属鏡の製造方法によれば、赤外線
検知装置の使用中に、金属鏡を形成する5i0151や
All膜が剥離するような事故がなくなり、このような
金B鏡を用いれば高信頼度の赤外線検知装置が得られる
効果がある。
検知装置の使用中に、金属鏡を形成する5i0151や
All膜が剥離するような事故がなくなり、このような
金B鏡を用いれば高信頼度の赤外線検知装置が得られる
効果がある。
第1図は本発明の赤外線検知装置用金!!1を製造する
際の工程を示す断面図、 第2図は従来の赤外線検知装置用金属鏡を製造する際の
工程を示す断面図である。 図に於いて、■、11は〜基体、2,12はNi膜、3
,14はへg膜、4,15は5ioFJ、13はCr膜
を示す。
際の工程を示す断面図、 第2図は従来の赤外線検知装置用金属鏡を製造する際の
工程を示す断面図である。 図に於いて、■、11は〜基体、2,12はNi膜、3
,14はへg膜、4,15は5ioFJ、13はCr膜
を示す。
Claims (1)
- 検知すべき被対象物の赤外光を走査する金属鏡の製造に
際し、アルミニウム基体上にニッケル膜を形成後、クロ
ム膜を介してアルミニウム膜と保護膜を順次積層形成す
ることを特徴とする赤外線検知装置用金属鏡の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19754284A JPS6173901A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19754284A JPS6173901A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6173901A true JPS6173901A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16376208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19754284A Pending JPS6173901A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 赤外線検知装置用金属鏡の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6173901A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202684A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
JPH03269501A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 金属反射鏡およびその製造方法 |
WO2002061459A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillation et detecteur d'images de rayonnement |
US6753531B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7465932B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7468514B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7732788B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
USRE42281E1 (en) | 2000-09-11 | 2011-04-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
CN110036316A (zh) * | 2016-12-14 | 2019-07-19 | 三菱电机株式会社 | 红外激光用反射部件、激光振荡器、激光加工装置及红外激光用反射部件的制造方法 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP19754284A patent/JPS6173901A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01202684A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
JPH03269501A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 金属反射鏡およびその製造方法 |
US7705315B2 (en) | 1998-06-18 | 2010-04-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7034306B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US7408177B2 (en) | 1998-06-18 | 2008-08-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US6753531B2 (en) | 1999-04-09 | 2004-06-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
US6911658B2 (en) | 1999-04-09 | 2005-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
USRE42281E1 (en) | 2000-09-11 | 2011-04-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them |
WO2002061459A1 (fr) * | 2001-01-30 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Panneau de scintillation et detecteur d'images de rayonnement |
US7465932B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7468514B1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7812315B2 (en) | 2007-06-15 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor |
US7732788B2 (en) | 2007-10-23 | 2010-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation image converting panel, scintillator panel and radiation image sensor |
CN110036316A (zh) * | 2016-12-14 | 2019-07-19 | 三菱电机株式会社 | 红外激光用反射部件、激光振荡器、激光加工装置及红外激光用反射部件的制造方法 |
CN110036316B (zh) * | 2016-12-14 | 2021-06-01 | 三菱电机株式会社 | 激光振荡器及激光加工装置 |
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