JPS6171666A - 薄型ホ−ル素子 - Google Patents
薄型ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS6171666A JPS6171666A JP59193272A JP19327284A JPS6171666A JP S6171666 A JPS6171666 A JP S6171666A JP 59193272 A JP59193272 A JP 59193272A JP 19327284 A JP19327284 A JP 19327284A JP S6171666 A JPS6171666 A JP S6171666A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall element
- pellet
- fixed
- thin
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発tpHは、特に厚さが薄くされた薄型ホール素子
に関するものである。
に関するものである。
「従来の技術」
磁気センサーとしてのホール素子を、例えば、十−ル七
−ター(無刷子1M流モーター)のコイル部へ実装する
際すこ、ホール素子の厚みが薄いと、磁(iとコイル部
との間噛ヲ狭くする事が可能となり、r:Ij、 If
j’、!て高トルクのモーターが得られる。ホール素子
外形の薄型化は、ホールモーターのみならずホール素子
の各種の応用分野での傾向となっている。
−ター(無刷子1M流モーター)のコイル部へ実装する
際すこ、ホール素子の厚みが薄いと、磁(iとコイル部
との間噛ヲ狭くする事が可能となり、r:Ij、 If
j’、!て高トルクのモーターが得られる。ホール素子
外形の薄型化は、ホールモーターのみならずホール素子
の各種の応用分野での傾向となっている。
従来のホール素子の製造方法においては、ホール素子ペ
レットの電極と外部端子とをワイヤーボンディング法で
接続し、その後、トランスファーモールド法で成型する
方法が一般的である。この方法は、生産性・信頼性は高
いが、その電極及び端子間を接続するワイヤーのループ
形状等の原因により、ホール素子外形金薄くするのに限
度があった。この場合ホール素子の厚みf 0.9 m
m以下にすることは非常に困難であった。
レットの電極と外部端子とをワイヤーボンディング法で
接続し、その後、トランスファーモールド法で成型する
方法が一般的である。この方法は、生産性・信頼性は高
いが、その電極及び端子間を接続するワイヤーのループ
形状等の原因により、ホール素子外形金薄くするのに限
度があった。この場合ホール素子の厚みf 0.9 m
m以下にすることは非常に困難であった。
一方、ホール素子ペレットにリードボンディング法によ
りリードフレームを接続した後、エポキ7樹脂等の注型
による成型法により、外部パンケージを行うものがあっ
た。この場合は厚みが約06−以下は製造上困難であっ
た。また、フェースダウンボンド法によりホール素子ペ
レットを配線基板と接続する場合に、安定した接続金得
るには、接続する基板との間隔は、約0.3 rmn以
上が必要であり、しかも、フェースダウンボンドの場合
、ぺレノ1−サイズが大きくなる欠点があり、かつ正確
な位置決めにも問題があった・ ホール素子を薄型化する方法として、受感部を薄くエポ
キン樹脂等でコーティングして、接続は半田付けによる
リードボンディング法が最適である。しかし、半田付は
接続部が露出した状態で外部リードとの機械的強度が弱
い為、取扱いに十分1fffiする必要がある。また、
半田付は部を大きくしても、洪水的に十分なリード強度
が得られず、しかも、−ヘレット自体が大きくなる為に
、ペレットのウェハーからの板数が減少する。
りリードフレームを接続した後、エポキ7樹脂等の注型
による成型法により、外部パンケージを行うものがあっ
た。この場合は厚みが約06−以下は製造上困難であっ
た。また、フェースダウンボンド法によりホール素子ペ
レットを配線基板と接続する場合に、安定した接続金得
るには、接続する基板との間隔は、約0.3 rmn以
上が必要であり、しかも、フェースダウンボンドの場合
、ぺレノ1−サイズが大きくなる欠点があり、かつ正確
な位置決めにも問題があった・ ホール素子を薄型化する方法として、受感部を薄くエポ
キン樹脂等でコーティングして、接続は半田付けによる
リードボンディング法が最適である。しかし、半田付は
接続部が露出した状態で外部リードとの機械的強度が弱
い為、取扱いに十分1fffiする必要がある。また、
半田付は部を大きくしても、洪水的に十分なリード強度
が得られず、しかも、−ヘレット自体が大きくなる為に
、ペレットのウェハーからの板数が減少する。
この発明は、ホール素子のペレットサイズが小さく、受
感部領域の外形厚みが薄く、また、外部リート端子との
接続が本質的に充分な機械的強度をもった・]・型・薄
型ホール素子を提供するものである。
感部領域の外形厚みが薄く、また、外部リート端子との
接続が本質的に充分な機械的強度をもった・]・型・薄
型ホール素子を提供するものである。
ニー間但点金解決するだめの手段」
この発明によると、ホール素子受感部はエポキ/樹脂パ
r′iの保護膜で保護され、外部リードはペレットの半
田バング部へ接続されペレットに支持板が固定され、そ
の支持板に外部リードが接着剤で固定される。このよう
な構成であるためリード強度を大きく確保することがで
きる。
r′iの保護膜で保護され、外部リードはペレットの半
田バング部へ接続されペレットに支持板が固定され、そ
の支持板に外部リードが接着剤で固定される。このよう
な構成であるためリード強度を大きく確保することがで
きる。
「実施例」
以下図面を参照してこの発明の詳細な説明する。第1図
は、この発明の1実施例の側面図である。ホール素子ペ
レット11はなるべく薄いセラミックなどの基板(例え
ば厚さが0.145 m )上に受感部(例えばInS
b膜)が公知の写真蝕刻法により所要の寸法形状に形成
されて構成されている。そのホール素子ペレット11の
受感部上へ例えばスクリーン印刷法等の方法により薄く
エポキシ樹脂などの保護膜12がコーティングされる。
は、この発明の1実施例の側面図である。ホール素子ペ
レット11はなるべく薄いセラミックなどの基板(例え
ば厚さが0.145 m )上に受感部(例えばInS
b膜)が公知の写真蝕刻法により所要の寸法形状に形成
されて構成されている。そのホール素子ペレット11の
受感部上へ例えばスクリーン印刷法等の方法により薄く
エポキシ樹脂などの保護膜12がコーティングされる。
外部リード端子13の一端がホール素子ペレット11上
の半田バンプ部14において半田付けされる。
の半田バンプ部14において半田付けされる。
この発明では支持板15がホール素子ペレット11へ接
着されている。支持板15ばなるべく薄いフィルム(例
えばポリイミドフィルム)または、ガラスエポキシ基板
などよりなり、支持板15の一端部は外部リート端子1
3側へホール素子ペレノ1−11からはみ出して外部リ
ード端子13と対向している。このはみ出し部15’a
のペレットからのはみ出し長1.は約10〜2. Om
Rとされる。その支持板15のはみ出し部15aと外部
リード13との間に接着剤16が介在されて互に固定さ
れる。
着されている。支持板15ばなるべく薄いフィルム(例
えばポリイミドフィルム)または、ガラスエポキシ基板
などよりなり、支持板15の一端部は外部リート端子1
3側へホール素子ペレノ1−11からはみ出して外部リ
ード端子13と対向している。このはみ出し部15’a
のペレットからのはみ出し長1.は約10〜2. Om
Rとされる。その支持板15のはみ出し部15aと外部
リード13との間に接着剤16が介在されて互に固定さ
れる。
接y2.F i’i’l I (5は、例えばエポキシ
系・アクリレート系樹脂が用いられる。製造手順は、支
持板15をホール素子ペレット11に接着後、外部リー
ド端子113k ’I’=田付けし、接着剤16で固定
する。またに、外部リート店子13f:ホール素子ベレ
ット11に半田付は後、支持板15をホール素子ペレッ
ト1■に固定し、接着剤16を設けてもよい。
系・アクリレート系樹脂が用いられる。製造手順は、支
持板15をホール素子ペレット11に接着後、外部リー
ド端子113k ’I’=田付けし、接着剤16で固定
する。またに、外部リート店子13f:ホール素子ベレ
ット11に半田付は後、支持板15をホール素子ペレッ
ト1■に固定し、接着剤16を設けてもよい。
第2図はこの発明の他の実施例を示す。ホール素子ヘレ
ノト1[の受感部側に支持板15が接着剤1 (3で接
li′fされると共に、支持&15は外部リード3:i
、i子13上に<)接着される。その支持板15はホー
ル素子へレット11よりも外部リード端子13側でに[
み出し、そのはみ出し部15aが外部リート端子13に
接着される。
ノト1[の受感部側に支持板15が接着剤1 (3で接
li′fされると共に、支持&15は外部リード3:i
、i子13上に<)接着される。その支持板15はホー
ル素子へレット11よりも外部リード端子13側でに[
み出し、そのはみ出し部15aが外部リート端子13に
接着される。
「発明の効果」
このホール素子は受感部領域は0.3 m+n以下の厚
みとすることが可能で、外部リード端子13は支持板1
5で補強されている為に、機械的強度を充分保つ事がで
きる。また、ペレットサイズも小さくする事ができる。
みとすることが可能で、外部リード端子13は支持板1
5で補強されている為に、機械的強度を充分保つ事がで
きる。また、ペレットサイズも小さくする事ができる。
この発明によるホール素子は、小型・薄型化に対応でき
、実装上有効なホール素子である。
、実装上有効なホール素子である。
第1図及び第2図はそれぞれこの発明による薄型ホール
素子の一例を示す側面図である。 11・・・ホール素子ペレット、12・・・受感部上の
保護膜、13・・・外部リード端子、l 4・・・半田
バンプ部、15・・・支持板、16・・接着剤。 特許出願人 旭化成電子株式会社 旭化成工業株式会社
素子の一例を示す側面図である。 11・・・ホール素子ペレット、12・・・受感部上の
保護膜、13・・・外部リード端子、l 4・・・半田
バンプ部、15・・・支持板、16・・接着剤。 特許出願人 旭化成電子株式会社 旭化成工業株式会社
Claims (1)
- (1)外部リード端子がリードボンディングされたホー
ル素子に、支持板が固定され、その支持板に上記外部リ
ード端子が接着されてその外部リード端子の機械的強度
が強化されてなる薄型ホール素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59193272A JPS6171666A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 薄型ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59193272A JPS6171666A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 薄型ホ−ル素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6171666A true JPS6171666A (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=16305176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59193272A Pending JPS6171666A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 薄型ホ−ル素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6171666A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003003480A1 (de) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | Landis+Gyr Ag | Anordnung zur verminderung von piezoeffekten in mindestens einem in einer aktiven halbleitermaterialschicht angeordneten piezoeffekt-empfindlichen, elektrischen bauelement |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946076A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | ホ−ル素子 |
JPS59113675A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59193272A patent/JPS6171666A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5946076A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | ホ−ル素子 |
JPS59113675A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気センサ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003003480A1 (de) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | Landis+Gyr Ag | Anordnung zur verminderung von piezoeffekten in mindestens einem in einer aktiven halbleitermaterialschicht angeordneten piezoeffekt-empfindlichen, elektrischen bauelement |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1140738A (ja) | 半導体装置 | |
JP2003116066A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP2895920B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0582977B2 (ja) | ||
JPH05291467A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JPS6171666A (ja) | 薄型ホ−ル素子 | |
US5728247A (en) | Method for mounting a circuit | |
JP2000156464A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04120765A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2000019042A (ja) | 半導体センサ及び実装構造 | |
JP2756791B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH1022545A (ja) | 磁電変換装置 | |
JPH098440A (ja) | 電子部品の接続装置およびその製造方法 | |
JP2788011B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2954108B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3063713B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH07297348A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレームならびに半導体装置の製造方法 | |
JP2697743B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP3169072B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3082507U (ja) | ダブルサイドチップパッケージ | |
JPH08213424A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0143872Y2 (ja) | ||
JP2626081B2 (ja) | フィルムキャリヤ半導体装置 | |
JPH088138Y2 (ja) | 半導体の実装構造 | |
JPH08222691A (ja) | 半導体装置 |