JPS6167278A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6167278A JPS6167278A JP18790684A JP18790684A JPS6167278A JP S6167278 A JPS6167278 A JP S6167278A JP 18790684 A JP18790684 A JP 18790684A JP 18790684 A JP18790684 A JP 18790684A JP S6167278 A JPS6167278 A JP S6167278A
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- semiconductor device
- electrode
- anode electrode
- cathode
- cathode electrode
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置、特に、シ１１７）キダイオードの
如く静電破壊を起こし易い半導体装置の静電破壊の防止
に適用して効果のある技術に関するものである。
如く静電破壊を起こし易い半導体装置の静電破壊の防止
に適用して効果のある技術に関するものである。
ガリウム−砒素（ＧａＡｓ）よりなるシ９７トキダイオ
ードの如き半導体装置にあっては、静電気により特性破
壊を受は易い傾向がある。
ードの如き半導体装置にあっては、静電気により特性破
壊を受は易い傾向がある。
そこで、この種の半導体装置においては、静電破壊の防
止のために素子を導電性金属箔で裏打ちされた袋の中に
梱包したり、導電性スポンジにリード線を差し込んで梱
包することにより梱包中の取り扱いによる静電破壊を防
止することが考えられる。
止のために素子を導電性金属箔で裏打ちされた袋の中に
梱包したり、導電性スポンジにリード線を差し込んで梱
包することにより梱包中の取り扱いによる静電破壊を防
止することが考えられる。
これにより、梱包中に静電破壊を起こすことはある程度
防止できるが、梱包から出した時の組立等の取り扱い中
にはこの方法で静電破壊を防止することはできず、人体
や取り扱い器具等に帯電した静電気等で素子の破壊を生
しるおそれがあることを本発明者は見い出した。特に、
超高周波用のシーｓ７）キ接合素子は接合面積が極めて
小さく、組み立て時等に非常に静電破壊を起こし易いこ
とが本発明者により明らかとされた。
防止できるが、梱包から出した時の組立等の取り扱い中
にはこの方法で静電破壊を防止することはできず、人体
や取り扱い器具等に帯電した静電気等で素子の破壊を生
しるおそれがあることを本発明者は見い出した。特に、
超高周波用のシーｓ７）キ接合素子は接合面積が極めて
小さく、組み立て時等に非常に静電破壊を起こし易いこ
とが本発明者により明らかとされた。
なお、半導体装置の静電破壊の問題については、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、［ｌＣ化実装技術ＪＰ１６７に記載
されている。
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、［ｌＣ化実装技術ＪＰ１６７に記載
されている。
本発明の目的は、半導体装置の静電破壊を防止すること
のできる技術を提供することにある。
のできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、アノード電極とカソード電極とを各素子自体
で短絡させておくことにより、静電破壊を防止できるも
のである。
で短絡させておくことにより、静電破壊を防止できるも
のである。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図を
示す。
示す。
本実施例の半導体装置は、ＳＨＦミキサ用ＧａＡｓショ
ットキダイオードの例であり、アノード電極ｌとカソー
ド電極２とを内部に半導体素子を内蔵した円筒形のセラ
ミック外囲器３の両端に隔離して取り付け、各電極１と
２の各反対面にはリボン状リード線４を接続し、またカ
ソード電極２の近くのセラミック外囲器３の外周面の一
部にカソードマーク５を設けた構造よりなる。
ットキダイオードの例であり、アノード電極ｌとカソー
ド電極２とを内部に半導体素子を内蔵した円筒形のセラ
ミック外囲器３の両端に隔離して取り付け、各電極１と
２の各反対面にはリボン状リード線４を接続し、またカ
ソード電極２の近くのセラミック外囲器３の外周面の一
部にカソードマーク５を設けた構造よりなる。
この半導体装置においては、アノード電極１とカソード
電極２との間が低融点半田材料よりなる半田ワイヤ６（
短絡手段）で接続さ゛れている。
電極２との間が低融点半田材料よりなる半田ワイヤ６（
短絡手段）で接続さ゛れている。
したがって、本実施例の半導体装置は、アノード電極ｌ
とカソード電極２とが半田ワイヤ６で短絡されているこ
とにより、その半導体装置を梱包から取り出して組み立
て等の処理を行う際にも静電破壊を生じることが防止さ
れる。
とカソード電極２とが半田ワイヤ６で短絡されているこ
とにより、その半導体装置を梱包から取り出して組み立
て等の処理を行う際にも静電破壊を生じることが防止さ
れる。
しかも、この半田ワイヤ６は半導体装置の組み立て時に
おける半田付けの際に半田付けの熱で溶融して切断され
、残留片は両電極１．２の方向に吸い寄せられるので、
それにより短絡が解除される。
おける半田付けの際に半田付けの熱で溶融して切断され
、残留片は両電極１．２の方向に吸い寄せられるので、
それにより短絡が解除される。
したがって、本実施例では、静電破壊防止のための短絡
用の半田ワイヤ６の除去のために特別の作業を必要とせ
ず、極めて便利である。
用の半田ワイヤ６の除去のために特別の作業を必要とせ
ず、極めて便利である。
（実施例２〕
第２図は本発明の他の実施例である半導体装置の断面図
を示す。
を示す。
本実施例では、アノード電極ｌとカソード電極２との短
絡手段として導電性ペースト剤７をセラミック外囲器３
の外周に塗布したものである。
絡手段として導電性ペースト剤７をセラミック外囲器３
の外周に塗布したものである。
このＭＬＴｉ性ペースト剤７はたとえば恨ペースト等よ
りなり、洗浄または拭き取りによって容易に除去するこ
とができる。
りなり、洗浄または拭き取りによって容易に除去するこ
とができる。
すなわち、この実施例の場合、梱包から製品を取り出し
た後の組み立て作業は導電性ペースト剤７を塗布したま
ま行われるので、静電破壊を防止できるが、組み立て終
了後には洗浄または拭き取り等で容易に除去され、通常
の使用が可能となる。
た後の組み立て作業は導電性ペースト剤７を塗布したま
ま行われるので、静電破壊を防止できるが、組み立て終
了後には洗浄または拭き取り等で容易に除去され、通常
の使用が可能となる。
（１）、アノード電極とカソード電極の間を各素子自体
で短絡させたことにより、両電極が等電位となるので、
組立処理や取り扱い中における静電破壊を防止できる。
で短絡させたことにより、両電極が等電位となるので、
組立処理や取り扱い中における静電破壊を防止できる。
（２）、短絡手段を低融点半田ワイヤとすることにより
、半導体装置の組み立て時の半田付けによる熱で該低融
点半田ワイヤが溶融して分断され、短絡を解除できるの
で、短絡手段の除去に特別な作業が不要となり、極めて
有利である。
、半導体装置の組み立て時の半田付けによる熱で該低融
点半田ワイヤが溶融して分断され、短絡を解除できるの
で、短絡手段の除去に特別な作業が不要となり、極めて
有利である。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、短絡手段としては前記以外にも他の様々なも
のを利用することができる。
のを利用することができる。
（利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＳＨＦミキサ用Ｇａ
Ａｓ’ｉ！Ｉ−ｔトキダイオードに適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、他の静電破壊し易い製品や、ＳｉまたはＧａＡｓＦ
ＥＴ （電界効果トランジスタ）、マイクロ波用ＦＥＴ
もしくはＩＧのゲート破壊防止等にも広く応用できる。
をその背景となった利用分野であるＳＨＦミキサ用Ｇａ
Ａｓ’ｉ！Ｉ−ｔトキダイオードに適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、他の静電破壊し易い製品や、ＳｉまたはＧａＡｓＦ
ＥＴ （電界効果トランジスタ）、マイクロ波用ＦＥＴ
もしくはＩＧのゲート破壊防止等にも広く応用できる。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の一部断面
図、 第２図は本発明の他の実施例の一部断面図である。 １・・・アノード電極、２・・・カソード電極、３・・
・セラミック外囲器、４・・・リード線、５・・・カソ
ードマーク、６・・・低融点半田ワイヤ（短絡手段）、
７・・・導電性ペースト剤（短絡手段）。 第 １ 図 に 第 ２ 図
図、 第２図は本発明の他の実施例の一部断面図である。 １・・・アノード電極、２・・・カソード電極、３・・
・セラミック外囲器、４・・・リード線、５・・・カソ
ードマーク、６・・・低融点半田ワイヤ（短絡手段）、
７・・・導電性ペースト剤（短絡手段）。 第 １ 図 に 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、互いに隔離されたアノード電極とカソード電極とを
有する半導体装置であって、アノード電極とカソード電
極との間を各素子自体で短絡させてなる半導体装置。 ２、短絡手段が低融点半田ワイヤであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、短絡手段が導電性ペースト剤であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18790684A JPS6167278A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18790684A JPS6167278A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167278A true JPS6167278A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16214268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18790684A Pending JPS6167278A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167278A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013115292A1 (ja) | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 株式会社ミクニ | オイルポンプ |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP18790684A patent/JPS6167278A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013115292A1 (ja) | 2012-02-03 | 2013-08-08 | 株式会社ミクニ | オイルポンプ |
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