JPH03225854A - 半導体デバイス及びその製造方法 - Google Patents

半導体デバイス及びその製造方法

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JPH03225854A
JPH03225854A JP2292206A JP29220690A JPH03225854A JP H03225854 A JPH03225854 A JP H03225854A JP 2292206 A JP2292206 A JP 2292206A JP 29220690 A JP29220690 A JP 29220690A JP H03225854 A JPH03225854 A JP H03225854A
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gold
semiconductor device
plated
protective cap
nickel
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JP2292206A
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English (en)
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Gasper A Butera
ギャスパー・エイ・ブテラ
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STMicroelectronics lnc USA
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SGS Thomson Microelectronics Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、流動及び気相はんだ付けに対する安定性を
向上させた高周波トランジスタ用バッゲージなとの半導
体デバイスに関するものである。
［従来の技術］ ハイブリッド高周波パワー半導体デバイスく即ちパッケ
ージ）は、技術的によく知られているものである。特に
、そのような半導体デバイスは、トランジスタ及び入力
コンデンサを有している。
トランジスタ及び入力コンデンサは、リード・フレーム
体を有する酸化ベリリウム基板の適切にメタライズされ
た表面上に設けられている。リードフレーム体は、入力
部、出力部及び接地部（又は部材）を有するメタライズ
部分に接着されている。
トランジスタ及びコンデンサの能動領域から各リード部
まで、適当なワイヤ・ボンドが延びているのは、周知の
ことである。このようなハイブリッド　デバイスは、入
力回路と、出力回路と、共通リート・インダクタンスを
持つ共通回路とを持つことが特徴て゛ある。
酸化ベリリウム基板は、電気的には絶縁体であるが、熱
伝導率が高く、また通常は適当な重さの金属製のヒート
シンク上に設けられている。適当な接地線が、接地され
たヒートシンクに接続されている。さらに、入力回路及
び出力回路は、通常、絶縁基板上に設けられた金属導体
を有するマイクロストリップ導体を備えている。また、
絶縁基板のインピーダンスは、トランジスタの入力回路
及び出力回路のインピーダンスに整合されている。
加えて、マイクロストリップ回路デバイスも、例えば金
属で被覆することにより、金属製のヒートシンクに接地
されている。
高周波トランジスタ用パッケージなどの半導体デバイス
は、活性シリコン・デバイス上にエポキシにより密着（
シール）された保護キャップを有している。例えば流動
はんだ付けや気相はんだ付けなど、自動化された半導体
デバイスの組立技術は、エポキシの破壊、及び能動領域
へのはんだの侵入を起こすような温度・条件下で行われ
る。加えて、金めっきリード上にはんだ付けを行う際、
はんだ及びフラックスが分離して金に沿ってエボキシの
下に移動することがある。このため、他の総ての部品を
自動的に挿入し、はんだ付けした後に、半導体デバイス
だけは、基板に対して人手によりはんだ付けせざるを得
ない。
このため、組立工程を全自動化させる改良された半導体
デバイスが求められている。
［発明の概要］ この発明は、流動及び気相はんだ付けに対して優れた安
定性を示す半導体デバイスを得ることを目的とする。改
良された半導体デバイスでは、能動領域の近傍に能動領
域を囲んで設けられた酸化・ニッケル　バリア・ストリ
ップにより、エポキシキャップ間の境界を越えてはんだ
が浸透するのが防止されている。このバリアは、ホトし
シスト材［）ト金めつき前にニッケル・リード又はニッ
ケル被覆リード上に配置することにより形成されている
。即ち、金めつきが施されていないニッケルの狭いリン
グ（又は環状）領域が、能動領域を囲む。
この非めっき領域は、半導体デバイスの組立中に酸化さ
れ、これにより酸化ニッケル　バリア　ストリップが形
成される。そして、保護キャップがエポキシによりリン
グ領域に取り付けられる。酸化ニッケル・バリア・スト
リップは、はんだの移動を抑え、これによりパッケージ
を完全（正常）な状態に保つ。
［実施例］ 第１図はこの発明の半導体デバイスのキャップを取り除
いた状態を示す平面図である。ベース部材である銅フラ
ンジ（１０）と金めっきリード（１２）とは、通常の取
付及び接続機能を果たしている。
能動領域（１４）は、トランシタ・チップ（１６）及び
コンデンサ・チップ（１８）、並びにコネクタ付きの金
めっきリード（１２）を包含している。トランシタ　チ
ンプ（１６）とコンデンサ・チップ（１８）は、通常金
線である適当なコオ・シタ（１９）により、互いに接続
され、かつ金めっきリード（１２）に接続されている。
金めっきリード（１２）上の酸化ニッケル・バリア・ス
トリップ（２０）は、能動領域（１４）を取り巻いてい
るリングのセグメントを形成するもの（図中ハツチング
部分）として示されている。そのリングのハツチングの
ない領域は、保護キャップ装着前にエポキシて覆われる
酸化ベノリウ１１体（２２）である。
第２図はこの発明による代表的なパッケージの外観を一
部断面で示す側面図である。銅フランジ（１０）は、取
付用フし−ムとしてだけでなく、組み立てられた半導体
デバイスのヒートシンクとしても働く。ここて′、ベー
ス部材に適用される熱伝導性及び電気伝導性の材料であ
れば、鋼材の代用とすることができる。銅フランジ（１
０）上には、支持部材である酸化ベリリウム体（２２）
が設けらｔしている。酸化ベリリウム体く２２）は、ト
ランジスタ・千ｌブ（１６）、コンデンサ・チップ（１
８）及びコネクタク１９）が設けられている金めつきリ
ード（リード　フレーム）（１２）と能動領域（１４）
とを支持する支持部材として働く。酸化ベリリウム体（
２２）は、−ａに熱伝導性を有する電気絶縁ｔオからな
る支持部材であり、その下面にベース部１イか接合され
、その上面に薄い導電被覆が施され通常、金めつきリー
ド（１２）は、コバール（ｋｏｖａｒ；商標名）（鉄／
コバルト）又はアロイ４２（ａｌｌｏｙ４２）　　にッ
ケル／鉄）を機械加工して形成される。金めっきリード
（１２）のベース金属には、まずニッケル層が被覆され
、その上から金層が被覆されている。特に、その被覆層
の厚さは、約１３０〜３００マイクロインチ（約３　Ｘ
　１０−３〜８Ｘ１（Ｌ３ｉｎ＋）程度である。金めつ
きり−ド（１２）は、酸化ベリリウム体（２２）上に設
けられ、トランジスタ　チップ（１６）に電気的に接続
されている。
また、金めつきり−ド（１２）は、酸化ベリリウム体（
２２）上に設けられたコンデンサのような他の電子デバ
イスにも、電気的に接続されている。
能動領域（１４）は、セラミック製の保護キャップ（２
４）により覆われている。この保護キャップ（２４）は
、第２図の円（２６）内に示すように、酸化ベリリウム
体く２２）及び金めつきリード（１２）に接着されてい
る。酸化ニッケル・バリア、ストリップ（２０）上には
、エポキシ・プレフォーム（２８）が置かれている。こ
の酸化ニッケル　バリア・ストリップ（２０）は、各金
めつきリード（１２）上に設けられ、がつ流動はんだ付
けの際に保護キャップ（２４）の下へのはんだの侵入を
防ぐためのバリアとして働く。
第３図は第２図の円（２６）の範囲の破断図てあり、保
護キャップ（２４）はエポキシ・プレフォーム（２８）
上に設けられている。このエポキシ・プレフォーム（２
８）は、金めっきり−ド（１２〉上の酸化ニッケル　バ
リア・ストリップ（２０）上に設けられている。
この発明では、金めっきリードは、全体が企て覆われて
いるのではなく、半導体チップ側の端部近傍に狭いめっ
きされない領域を有している。この領域は、ニッケルの
一部がめっきされずに残るように、金めつきの際に金め
つきリードのベース金属にマスキングをすることにより
作られている。
これにより露出したニッケルは、保護キャップの端部を
取り付けるのに十分な広さのものである。
支持部材への半導体チップの取付時に、ニッケルの露出
した部分は急速に酸化される。この後、保護キャップは
酸化ニッケル・バリア・ストリップの上からエポキシ樹
脂により接着される。
この発明において金めっきリードを形成する際には、酸
化ニッケル・バリア　ストリップを設けるのに十分な広
さの領域を、金めっきしないようにすることだけが必要
である。これは、透明フィールド・マスクを持つネガ・
レジスト、又は不透明フィールド、マスクを持っポジ・
レジストにより達成される。金めつきは、周知の方法に
より支持部材にはんだ付けされた状態のリードに対して
施すのが好ましい。
なお、上記実施例及び添付図面ではこの発明の一実施例
を示したが、特許請求の範囲に示された範囲内及び半導
体デバイスの設計技術内で、種々の変更が可能であるの
は言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例によるパッケージを示す平
面図、第２図は第１図のパッケージを示す側面図、第３
図は第２図に示すキャップからリード接続部の破断図で
ある。 図において、（１０）は銅フランジ（ベース部材）、（
１２）は金めつきリード、（１６）はトランジスタ・チ
ップ（半導体チップ）、（１８）はコンデンサ・チップ
（半導体チップ）、（２０）は酸化ニッケル　バリア・
ストリップ、（２２）は酸化ベリリウム体く支持部材）
、（２４）は保護キャップである。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 手続補正書（方式） 平成　３年

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）熱伝導性と導電性とを有しているベース部材、 下面が前記ベース部材に接合され、かつ上面に導電被覆
    が設けられており、熱伝導性を有しているとともに、電
    気的に絶縁体である支持部材、この支持部材上に設けら
    れているとともに、前記導電被覆に電気的に接続されて
    いる半導体チップ、 それぞれ前記支持部材の上面に設けられているとともに
    、前記半導体チップに電気的に接続されており、かつそ
    れぞれ前記半導体チップ側の端部の近傍に、保護キャッ
    プの端部が取り付けられるのに適した大きさ及び形状の
    酸化ニッケル・バリア・ストリップを有している複数の
    金めっきリード、 並びに前記酸化ニッケル・バリア・ストリップの位置で
    前記金めっきリードと前記支持部材とに密着されている
    前記半導体チップのための保護キャップ を組み合わせて備えている半導体デバイス。
  2. （２）酸化ニッケル・バリア・ストリップの幅が、保護
    キャップの壁厚よりも大きくなっている特許請求の範囲
    第１項記載の半導体デバイス。
  3. （３）保護キャップが、ハーメチック・シールによるこ
    となく、エポキシにより支持部材と金めっきリードとに
    密着されている特許請求の範囲第１項記載の半導体デバ
    イス。
  4. （４）支持部材が酸化ベリリウム体である特許請求の範
    囲第１項記載の半導体デバイス。
  5. （５）ベース部材が銅から成形されている特許請求の範
    囲第１項記載の半導体デバイス。
  6. （６）金めっきリードが、金めっきニッケル、金めっき
    コバール及び金めっきアロイ４２からなる群より選ばれ
    たものである特許請求の範囲第１項記載の半導体デバイ
    ス。
  7. （７）銅フランジ、 この銅フランジ上に設けられ、薄い金めっきを有してい
    る酸化ベリリウム体、 この酸化ベリリウム体上に設けられているトランジスタ
    ・チップ、 前記酸化ベリリウム体上に設けられているとともに、前
    記トランジスタ・チップに電気的に接続されており、か
    つ前記トランジスタ・チップ側の端部の近傍に、酸化ニ
    ッケル・バリア・ストリップを有している複数の金めっ
    きリード、 及び端部が前記酸化ニッケル・バリア・ストリップに密
    着され、前記トランジスタ・チップを覆うセラミック製
    の保護キャップ を組み合わせて備えている半導体デバイス。
  8. （８）熱伝導性を有しているとともに、電気的に絶縁体
    である支持部材上に、ニッケルめっきされた複数のリー
    ドを設ける工程、 ホトレジスト材により前記リードの表面の一部を覆う工
    程、 前記リードの表面の露出された部分に金めっきを施す工
    程、 及び前記ホトレジスト材を除去し、前記リードの前記金
    めっきが施されていない部分を露出させ、その部分のニ
    ッケルを酸化し易くする工程 を含み、はんだ付けに対する安定性を向上させた半導体
    デバイスの製造方法。
  9. （９）ニッケルが酸化するのに十分な温度で、半導体チ
    ップを支持部材に取り付け、これによりリード上に酸化
    ニッケル・バリア・ストリップを形成する工程をさらに
    含んでいる特許請求の範囲第８項記載の半導体デバイス
    の製造方法。
  10. （１０）取付側端部をリード上の酸化ニッケル・バリア
    ・ストリップと接触させるための大きさ及び形状を有し
    ている保護キャップにより、半導体チップを覆う工程を
    さらに含んでいる特許請求の範囲第９項記載の半導体デ
    バイスの製造方法。
  11. （１１）保護キャップがリードと支持部材とにエポキシ
    により密着される特許請求の範囲第１０項記載の半導体
    デバイスの製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181266A (ja) * 1992-12-11 1994-06-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波帯ｉｃ用パッケージ
JP2007281245A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Mitsubishi Electric Corp 電子装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5155067A (en) * 1991-03-26 1992-10-13 Micron Technology, Inc. Packaging for a semiconductor die
US5259218A (en) * 1991-09-19 1993-11-09 Ellis Corporation Force minimizing suspension system for rotary washer/extractors
US5365108A (en) * 1992-11-19 1994-11-15 Sundstrand Corporation Metal matrix composite semiconductor power switch assembly
US6172412B1 (en) 1993-10-08 2001-01-09 Stratedge Corporation High frequency microelectronics package
KR960003516A (ko) * 1994-06-10 1996-01-26 서두칠 레이저 용접을 이용한 니켈스트립 연결방법
US5957736A (en) * 1997-11-19 1999-09-28 Ddk Ltd. Electronic part
US6034429A (en) * 1997-04-18 2000-03-07 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit package
US6117705A (en) * 1997-04-18 2000-09-12 Amkor Technology, Inc. Method of making integrated circuit package having adhesive bead supporting planar lid above planar substrate
US6340792B1 (en) * 1997-04-30 2002-01-22 Nec Corporation Mold cap for semiconductor device mold package
US6320757B1 (en) * 2000-07-12 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Electronic package
JP4565727B2 (ja) * 2000-10-10 2010-10-20 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6621163B2 (en) * 2000-11-09 2003-09-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device having an electronic component with a multi-layer cover, and method
US6818477B2 (en) * 2001-11-26 2004-11-16 Powerwave Technologies, Inc. Method of mounting a component in an edge-plated hole formed in a printed circuit board
US7126217B2 (en) * 2004-08-07 2006-10-24 Texas Instruments Incorporated Arrangement in semiconductor packages for inhibiting adhesion of lid to substrate while providing compression support
US7582951B2 (en) * 2005-10-20 2009-09-01 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages
US20070200210A1 (en) * 2006-02-28 2007-08-30 Broadcom Corporation Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in integrated circuit (IC) packages
US7714453B2 (en) * 2006-05-12 2010-05-11 Broadcom Corporation Interconnect structure and formation for package stacking of molded plastic area array package
US8183680B2 (en) * 2006-05-16 2012-05-22 Broadcom Corporation No-lead IC packages having integrated heat spreader for electromagnetic interference (EMI) shielding and thermal enhancement
US7808087B2 (en) 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
US8581381B2 (en) 2006-06-20 2013-11-12 Broadcom Corporation Integrated circuit (IC) package stacking and IC packages formed by same
US8183687B2 (en) * 2007-02-16 2012-05-22 Broadcom Corporation Interposer for die stacking in semiconductor packages and the method of making the same
US7872335B2 (en) * 2007-06-08 2011-01-18 Broadcom Corporation Lead frame-BGA package with enhanced thermal performance and I/O counts
US20100164677A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Chin-Chi Yang Fuse
US8734657B2 (en) * 2010-02-19 2014-05-27 R.S.M. Electron Power, Inc. Liquid barrier and method for making a liquid barrier
CN102723320B (zh) * 2012-06-07 2015-01-07 华为机器有限公司 一种电子元器件及一种射频功率放大器

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202925C (ja) * 1969-04-30 1900-01-01
US3364400A (en) * 1964-10-22 1968-01-16 Texas Instruments Inc Microwave transistor package
GB1130666A (en) * 1966-09-30 1968-10-16 Nippon Electric Co A semiconductor device
US3500066A (en) * 1968-01-10 1970-03-10 Bell Telephone Labor Inc Radio frequency power transistor with individual current limiting control for thermally isolated regions
US3626259A (en) * 1970-07-15 1971-12-07 Trw Inc High-frequency semiconductor package
US3753056A (en) * 1971-03-22 1973-08-14 Texas Instruments Inc Microwave semiconductor device
US3801882A (en) * 1973-01-11 1974-04-02 Us Navy Thermo-electric mounting method for rf silicon power transistors
US3936864A (en) * 1973-05-18 1976-02-03 Raytheon Company Microwave transistor package
US3908185A (en) * 1974-03-06 1975-09-23 Rca Corp High frequency semiconductor device having improved metallized patterns
US3996603A (en) * 1974-10-18 1976-12-07 Motorola, Inc. RF power semiconductor package and method of manufacture
US3999142A (en) * 1975-11-12 1976-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Variable tuning and feedback on high power microwave transistor carrier amplifier
US4161740A (en) * 1977-11-07 1979-07-17 Microwave Semiconductor Corp. High frequency power transistor having reduced interconnection inductance and thermal resistance
US4168507A (en) * 1977-11-21 1979-09-18 Motorola, Inc. Structure and technique for achieving reduced inductive effect of undesired components of common lead inductance in a semiconductive RF power package
JPS55111239A (en) * 1979-02-22 1980-08-27 Nippon Light Metal Co Ltd Method and apparatus for producing panel
US4261764A (en) * 1979-10-01 1981-04-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser method for forming low-resistance ohmic contacts on semiconducting oxides
JPS5871784A (ja) * 1981-10-26 1983-04-28 Hitachi Ltd 固体カラ−ビデオカメラの同期信号発生回路
JPS58101442A (ja) 1981-12-11 1983-06-16 Hitachi Ltd 電気的装置用基板
JPS58169652A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Toshiba Corp デ−タ転送制御装置
JPS58176921A (ja) * 1982-04-12 1983-10-17 Hitachi Ltd 半導体基体およびその製法
US4649416A (en) * 1984-01-03 1987-03-10 Raytheon Company Microwave transistor package
JPS61231868A (ja) * 1985-04-05 1986-10-16 Fujitsu Ltd リニアパルスモ−タの巻線方法
US4639760A (en) * 1986-01-21 1987-01-27 Motorola, Inc. High power RF transistor assembly
US4722137A (en) * 1986-02-05 1988-02-02 Hewlett-Packard Company High frequency hermetically sealed package for solid-state components
US4788627A (en) * 1986-06-06 1988-11-29 Tektronix, Inc. Heat sink device using composite metal alloy
JPH065699B2 (ja) * 1987-09-16 1994-01-19 日本電気株式会社 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181266A (ja) * 1992-12-11 1994-06-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波帯ｉｃ用パッケージ
JP2007281245A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Mitsubishi Electric Corp 電子装置

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Publication number Publication date
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KR100218588B1 (ko) 1999-09-01
USRE37082E1 (en) 2001-03-06
US5105260A (en) 1992-04-14
DE69015969D1 (de) 1995-02-23
EP0426284A1 (en) 1991-05-08
KR910008814A (ko) 1991-05-31
DE69015969T2 (de) 1995-06-22

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