JPS6159877A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS6159877A JPS6159877A JP59180447A JP18044784A JPS6159877A JP S6159877 A JPS6159877 A JP S6159877A JP 59180447 A JP59180447 A JP 59180447A JP 18044784 A JP18044784 A JP 18044784A JP S6159877 A JPS6159877 A JP S6159877A
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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-
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- H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明はトンネル注入型静電誘導トランジスタを用いた
半導体集積回路に関する。
半導体集積回路に関する。
[先行技術とその問題点コ
Ilplルミ誘導型トランジスタ下、 SITと略す)
は。
は。
ゲートとゲートの間で空乏層がつながって生じている電
位障壁の高さを変化させてソース・ドレイン間の電流を
制御するトランジスタである。このとき、a!位の制御
が空乏層の静電容量を通して行なわれることがら、バイ
ポーラトランジスタにおけるベース層の蓄積容量がない
ものに相当し。
位障壁の高さを変化させてソース・ドレイン間の電流を
制御するトランジスタである。このとき、a!位の制御
が空乏層の静電容量を通して行なわれることがら、バイ
ポーラトランジスタにおけるベース層の蓄積容量がない
ものに相当し。
FETと比べてみても非常に高速、低雑音で動作すると
いう優れた特性を有している。
いう優れた特性を有している。
しかし、従来のSITはソース・ドレイン間、特にソー
ス・ゲート間の寸法が割合と大きな構造になっていたた
め、キャリアが結晶格子の散乱を受け、上限周波数が制
限される問題点があった。
ス・ゲート間の寸法が割合と大きな構造になっていたた
め、キャリアが結晶格子の散乱を受け、上限周波数が制
限される問題点があった。
このような問題点を除去するために、キャリアが結晶格
子の散乱を受けずに熱電子速度で動くことのできる熱電
子放射型SITが先に本願発明者等によって提案された
。この熱電子放射型SITによれば、例えば、GaAs
を用いた場合、電位障壁の幅Wgを0.1μmとしたと
きに、しゃ断周波数fcは780GHz程度にもなり、
従来に比べて上限周波数が高められ、素子の高速化が達
成される。
子の散乱を受けずに熱電子速度で動くことのできる熱電
子放射型SITが先に本願発明者等によって提案された
。この熱電子放射型SITによれば、例えば、GaAs
を用いた場合、電位障壁の幅Wgを0.1μmとしたと
きに、しゃ断周波数fcは780GHz程度にもなり、
従来に比べて上限周波数が高められ、素子の高速化が達
成される。
しかし、更に高速のトランジスタを得ようとしたとき、
上記熱電子放射型SITではしゃ断周波数が高々800
G)Iz程度であり、それ以上の高速化を図ることが困
難であった。
上記熱電子放射型SITではしゃ断周波数が高々800
G)Iz程度であり、それ以上の高速化を図ることが困
難であった。
また、従来の半導体集積回路はソース・ゲート。
ドレインの配線が複雑となり、その取付けに多くのスペ
ースを要し、高集積化が困難であった。
ースを要し、高集積化が困難であった。
[発明の目的]
本発明は、更に高速にして高集積化が容易な半導体集積
回路を提供することを目的とする。
回路を提供することを目的とする。
[発明の概要コ
このため本発明は、ゲートをチャンネルよりも禁制帯幅
の大きい半導体で構成したトンネル注入型SITのゲー
トに信号入力端子、ソースに接地端子1、ドレインに出
力端子、更にドレインに抵抗を接続して電源端子を設け
て集積回路を構成したことを特徴としている。
の大きい半導体で構成したトンネル注入型SITのゲー
トに信号入力端子、ソースに接地端子1、ドレインに出
力端子、更にドレインに抵抗を接続して電源端子を設け
て集積回路を構成したことを特徴としている。
[発明の実施例]
本願発明者等が先に提案したトンネル注入型SITのし
ゃ断周波数fcは次式で与えられる。
ゃ断周波数fcは次式で与えられる。
fc= ・・・・・・(1)2
πτ ここで、ではトンネル遷移時間である。
πτ ここで、ではトンネル遷移時間である。
トンネル遷移時間は次式で与えられる。
gEa °−°−(2)
ここで、にはブランク定数りを2πで除したもの(1,
0546X10−34J−sec)、Eはトンネル接合
の電界強度、aは格子定数である。
0546X10−34J−sec)、Eはトンネル接合
の電界強度、aは格子定数である。
格子定数aとしてGaAsのs、6533Aとしたとき
に。
に。
電界強度を10’ V/ca、5X10’ V/cm、
lXl0’ V/c+nとしたときのfcは前記(1)
、 (2)式よりそれぞれ1.37XlO” 3
Hz、6.83X1013 Hz、1.37X10″
1)1zとなり、しゃ断周波数はIQOT)Iz程度に
もなる。
lXl0’ V/c+nとしたときのfcは前記(1)
、 (2)式よりそれぞれ1.37XlO” 3
Hz、6.83X1013 Hz、1.37X10″
1)1zとなり、しゃ断周波数はIQOT)Iz程度に
もなる。
この値は本願発明者等が先に提案した熱電子放射型SI
Tのおおよそ100倍位であって、熱電子注入よりも量
子効果に基づくトンネル注入を用いれば、SITのしゃ
断周波数fcを非常に高くし得ることがわかる。
Tのおおよそ100倍位であって、熱電子注入よりも量
子効果に基づくトンネル注入を用いれば、SITのしゃ
断周波数fcを非常に高くし得ることがわかる。
トンネル注入は雑音が小さいという特徴と、小さな電圧
で大きな電流が得られるので、go+(相互コンダクタ
ンス)を大きくし易く電流駆動能力が高いという特徴が
ある。また、トンネル注入は温度上昇につれてよく生起
するという特徴を有しているので、冷却する必要もない
ということになる。
で大きな電流が得られるので、go+(相互コンダクタ
ンス)を大きくし易く電流駆動能力が高いという特徴が
ある。また、トンネル注入は温度上昇につれてよく生起
するという特徴を有しているので、冷却する必要もない
ということになる。
以上のことからトンネル注入型SITは、集積回路用の
トランジスタとして優れていることがわかる。
トランジスタとして優れていることがわかる。
以下、このトンネル注入型SITを用いた集積回路につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体集積回路の断面
図を示したものである。図において、1は真性半導体な
いしは半絶縁性のGaAs基板、2はドレインとなるべ
きn中領域、3はチャンネルのn層、4はトンネル注入
層となるべく形成されたn+領領域5はトンネル注入層
とななるべく形成されたp+領領域ソース領域となるも
の、6はGaAsよりも禁制帯幅の大きいGa1−xA
QxAsまたはGa s −xAQxAs s −yP
y等のへテロ接合ゲート領域。
図を示したものである。図において、1は真性半導体な
いしは半絶縁性のGaAs基板、2はドレインとなるべ
きn中領域、3はチャンネルのn層、4はトンネル注入
層となるべく形成されたn+領領域5はトンネル注入層
とななるべく形成されたp+領領域ソース領域となるも
の、6はGaAsよりも禁制帯幅の大きいGa1−xA
QxAsまたはGa s −xAQxAs s −yP
y等のへテロ接合ゲート領域。
7は抵抗負荷となるn領域、8はn領域7の抵抗負荷へ
の電極となるn中領域、9はゲート電極、10はソース
電極、11は出力電極、12は電源を供給する電極、1
3はSi3N4.SiO2,ポリイミド樹脂等の絶縁物
、20は入力端子、21はソース端子で接地点、22は
出力端子、23は電源端子である。
の電極となるn中領域、9はゲート電極、10はソース
電極、11は出力電極、12は電源を供給する電極、1
3はSi3N4.SiO2,ポリイミド樹脂等の絶縁物
、20は入力端子、21はソース端子で接地点、22は
出力端子、23は電源端子である。
ソースのp中層5よりドレインまでの不純物導度分布は
次のようにすればよい、即ち、空乏層の拡がりは次式で
与えられる。
次のようにすればよい、即ち、空乏層の拡がりは次式で
与えられる。
ここで、NA、NDはそれぞれP+十層とn+十層の不
純密度で均一であるとしている。15は誘電率、qは単
位電荷、Vbiは拡散電位、Vaは印加電圧である。
純密度で均一であるとしている。15は誘電率、qは単
位電荷、Vbiは拡散電位、Vaは印加電圧である。
チャンネルの0M3が空乏化するために必要な電圧Vは
次式で与えられる。
次式で与えられる。
ここで、W2はチャンネルの長さ、Nはチャンネルの不
純物密度で均一であるとした。
純物密度で均一であるとした。
p中層5の厚さWP+は次式で与えられる。
ここで、W+はn中層4の厚さである。
(3) 、 (4) 、 (5)式より2十層5.n÷
層4.チャンネルの1層3の不純物密度と厚さを決める
ことができる。
層4.チャンネルの1層3の不純物密度と厚さを決める
ことができる。
例として、 (1) N A :lX102’ (Jl
−’ 、 Wp”=10人r No=5X10” Cm
−’ 、Wt=100A。
−’ 、 Wp”=10人r No=5X10” Cm
−’ 、Wt=100A。
W 2 =250A、 N=IX10” ’ cm、(
2)NA=IX10” ’ arr −’ + W’p
÷=15A、 N D =1xxo1gan−’ 、
Wt =soA、 N=IX101” 0111. W
2 =75人である。
2)NA=IX10” ’ arr −’ + W’p
÷=15A、 N D =1xxo1gan−’ 、
Wt =soA、 N=IX101” 0111. W
2 =75人である。
ゲートのへテロ接合の組成はx = 0 、3、y=o
、ot程度であり、ソース、出力および電源端子の電極
10.11.12はAu−Ge、Au−Go−Ni等の
合金、ゲート電極9はAQまたはAu、W、PL等の重
金属、7は抵抗で1012〜10”am−’程度の不純
物密度を有する。
、ot程度であり、ソース、出力および電源端子の電極
10.11.12はAu−Ge、Au−Go−Ni等の
合金、ゲート電極9はAQまたはAu、W、PL等の重
金属、7は抵抗で1012〜10”am−’程度の不純
物密度を有する。
第2図は第1図の等価回路を示したものである。
30はトンネル注入型SITでノーマリオフ特性を有す
るもの、31は前記トンネル注入型5IT30の負荷抵
抗、 20,21,22.23はそれぞれ入力端子、接
地端子、出力端子、電源端子である。入力がローのとき
はトンネル注入型5IT30がオフで出力端子22へは
ハイレベルが生じ、入力がハイになると、トンネル注入
型SITはオンして出力端子22へはローレベルが生じ
、いわゆるインバータ動作をする。ここで、流れる電流
はトンネル注入型SITのオン抵抗が小さいので、おお
よそ負荷抵抗31の値によって決定される0例えば、v
DDが0.1■で負荷抵抗が100にΩであれば、電流
はおおよそ1μ^となる。
るもの、31は前記トンネル注入型5IT30の負荷抵
抗、 20,21,22.23はそれぞれ入力端子、接
地端子、出力端子、電源端子である。入力がローのとき
はトンネル注入型5IT30がオフで出力端子22へは
ハイレベルが生じ、入力がハイになると、トンネル注入
型SITはオンして出力端子22へはローレベルが生じ
、いわゆるインバータ動作をする。ここで、流れる電流
はトンネル注入型SITのオン抵抗が小さいので、おお
よそ負荷抵抗31の値によって決定される0例えば、v
DDが0.1■で負荷抵抗が100にΩであれば、電流
はおおよそ1μ^となる。
第3図は本発明の別の実施例を示したもので、負荷抵抗
をディプレッションモードのトンネル注入型SITで構
成したものである。ここでは負荷となるトランジスタの
ゲート領域40をノーマリオフのトランジスタよりも薄
く形成して、ノーマリオン動作とすることにより等価的
に抵抗としているので、特に第1図のように抵抗を作る
ことなしに。
をディプレッションモードのトンネル注入型SITで構
成したものである。ここでは負荷となるトランジスタの
ゲート領域40をノーマリオフのトランジスタよりも薄
く形成して、ノーマリオン動作とすることにより等価的
に抵抗としているので、特に第1図のように抵抗を作る
ことなしに。
インバータ動作をさせることができる。
ゲート領域40は直接ソース領域5および4のn+層へ
接触していてもかまわない、 ′負荷抵抗としての
トランジスタは、トンネル注入型SITの他に、熱電子
放射型SIT、通常のSITまたはFETであってもよ
い。
接触していてもかまわない、 ′負荷抵抗としての
トランジスタは、トンネル注入型SITの他に、熱電子
放射型SIT、通常のSITまたはFETであってもよ
い。
第4図は、第3図の等価回路を示したものである。
32はノーマリオン型のトランジスタによる抵抗である
。このインバータ回路の動作は第2図に述べた回路と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
。このインバータ回路の動作は第2図に述べた回路と同
様であるので、詳しい説明は省略する。
以上の実施例では、ヘテロ接合型のゲート構造のものを
示したが、絶縁ゲート、ショットキーゲート、pn接合
ゲートであってもよいことは言う迄もない。
示したが、絶縁ゲート、ショットキーゲート、pn接合
ゲートであってもよいことは言う迄もない。
このように本実施例の集積回路は、トンネル注入型SI
Tが縦型構造であるので、チャンネル長を容易に100
0Å以下にでき、更に上部に形成されるソース、ゲート
の配線が容易であることによって。
Tが縦型構造であるので、チャンネル長を容易に100
0Å以下にでき、更に上部に形成されるソース、ゲート
の配線が容易であることによって。
ソース、ゲート、ドレインの微細配線を要するFETな
いしはHEMTによる集積回路に比べて製造が容易とな
る。そのために配線部分に要する面積をおおよそ2/3
に減らせる結果、高集積化が実現できるようになる。
いしはHEMTによる集積回路に比べて製造が容易とな
る。そのために配線部分に要する面積をおおよそ2/3
に減らせる結果、高集積化が実現できるようになる。
尚1以上の実施例において、電源、アース、入出力の配
線は、プレーナ構造、絶縁物を介した2NI配線等の周
知の技術を用いることができる。材料はGaAsに限ら
ず、SL 、 InP 、 InAa 、 InSbま
たはII−Vl族の化合物半導体でもよい、また、 H
gTe、CdTeとHg I−xcdxTeとの組み合
わせによることもできることは勿論である。
線は、プレーナ構造、絶縁物を介した2NI配線等の周
知の技術を用いることができる。材料はGaAsに限ら
ず、SL 、 InP 、 InAa 、 InSbま
たはII−Vl族の化合物半導体でもよい、また、 H
gTe、CdTeとHg I−xcdxTeとの組み合
わせによることもできることは勿論である。
また、前記の集積回路は、本発明者等の開発による分子
層ないしは光分子層エピタキシャル成長法、あるいは、
気相成長、液相成長、MOCVD法。
層ないしは光分子層エピタキシャル成長法、あるいは、
気相成長、液相成長、MOCVD法。
MBE法、イオン注入、拡散、フォトリングラフィ。
プラズマエツチング、化学エツチング、更には。
各種の真空蒸着法の組み合わせ等により形成できる。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、トンネル注入型SITと
負荷抵抗を直列接続した集積回路を形成する。ようにし
たので、超高速、低消費電力、低雑音な室温動作で高集
積化可能な半導体集積回路が得られる。
負荷抵抗を直列接続した集積回路を形成する。ようにし
たので、超高速、低消費電力、低雑音な室温動作で高集
積化可能な半導体集積回路が得られる。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体集積回路の断面
図、第2図はその等価回路、第3図は本発明の他の実施
例に係る半導体集積回路の断面図。 第4図はその等価回路である。 1・・・基板、2・・・ ドレ°イン、3・・・チャン
ネル、5・・・ ソース、4,5・・・ トンネル注入
領域、6・・・ゲート、20・・・入力端子、21・・
・接地端子。 22・・・出力端子、23・・・1!源端子。 第1図 第2図
図、第2図はその等価回路、第3図は本発明の他の実施
例に係る半導体集積回路の断面図。 第4図はその等価回路である。 1・・・基板、2・・・ ドレ°イン、3・・・チャン
ネル、5・・・ ソース、4,5・・・ トンネル注入
領域、6・・・ゲート、20・・・入力端子、21・・
・接地端子。 22・・・出力端子、23・・・1!源端子。 第1図 第2図
Claims (4)
- (1)チャンネルとなる半導体領域と、このチャンネル
の両側に接触して形成されるトンネル注入領域を有する
ソース領域およびドレイン領域と、前記チャンネルの一
部に接触して形成されたゲート領域を具備したトンネル
注入型静電誘導トランジスタのゲートに信号入力端子、
ソースに接地端子、ドレインに出力端子、更にそのドレ
インに抵抗を介して電源端子をそれぞれ設けて集積回路
を構成したことを特徴とする半導体集積回路。 - (2)特許請求の範囲第1項記載において、前記ゲート
領域が前記チャンネルよりも禁制帯幅の大きい半導体よ
り形成される半導体集積回路。 - (3)特許請求の範囲第1項または第2項記載において
、前記抵抗をノーマリオン型のトランジスタより形成し
て成る半導体集積回路。 - (4)特許請求の範囲第2項または第3項記載において
、チャンネルがGaAs、ゲート領域がGa_1_−_
xAl_xAsないしはGa_1_−_xAl_xAs
_1_−_yP_yで形成されて成る半導体集積回路。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59180447A JPH0614535B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体集積回路 |
GB08519851A GB2163002B (en) | 1984-08-08 | 1985-08-07 | Tunnel injection static induction transistor and its integrated circuit |
FR858512117A FR2569056B1 (fr) | 1984-08-08 | 1985-08-07 | Transistor a induction statique du type a injection par effet tunnel et circuit integre comprenant un tel transistor |
DE19853528562 DE3528562A1 (de) | 1984-08-08 | 1985-08-08 | Statischer induktionstransistor vom tunnelinjektionstyp und denselben umfassende integrierte schaltung |
GB08723051A GB2194677B (en) | 1984-08-08 | 1987-10-01 | Tunnel injection static induction transistor integrated circuit |
US07/147,656 US4870469A (en) | 1984-08-08 | 1988-01-25 | Tunnel injection type static transistor and its integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59180447A JPH0614535B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6159877A true JPS6159877A (ja) | 1986-03-27 |
JPH0614535B2 JPH0614535B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=16083387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59180447A Expired - Lifetime JPH0614535B2 (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-31 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0614535B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6411774A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Honda Motor Co Ltd | Running gear |
JP2013220016A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Samsung Electronics Co Ltd | ハイサイド・ゲートドライバ、スイッチングチップ及び電力装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57186374A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Semiconductor Res Found | Tunnel injection type travelling time effect semiconductor device |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180447A patent/JPH0614535B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57186374A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-16 | Semiconductor Res Found | Tunnel injection type travelling time effect semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6411774A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-17 | Honda Motor Co Ltd | Running gear |
JP2013220016A (ja) * | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Samsung Electronics Co Ltd | ハイサイド・ゲートドライバ、スイッチングチップ及び電力装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0614535B2 (ja) | 1994-02-23 |
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