JPS6155918A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6155918A JPS6155918A JP17805684A JP17805684A JPS6155918A JP S6155918 A JPS6155918 A JP S6155918A JP 17805684 A JP17805684 A JP 17805684A JP 17805684 A JP17805684 A JP 17805684A JP S6155918 A JPS6155918 A JP S6155918A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- impurities
- coated
- semiconductor manufacturing
- ceramic sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、気相成長装置、拡散装置や熱処理装置などの
ように高温の処理室内で半導体基板（以下ウニ・・とい
う）に処理を施こすための半導体製造装置に関するもの
である。
ように高温の処理室内で半導体基板（以下ウニ・・とい
う）に処理を施こすための半導体製造装置に関するもの
である。
従来、前記のような半導体製造装置の処理室全形成する
反応管、ベルジャ等はもちろん、処理室内に位置する例
えばサセグタ支えやボートなどの部品を石英で形成して
いた。石英は耐化学性、耐熱性に優れているため、使用
されてきたものであるが１機械的強度が低く、破損し易
い欠点を有している。この石英に代る材料として、Ｓｉ
、Ｎい４本 ８ｉＣ，Ａｊ＋Ｎの単［ま念はＳｉ、Ｎ、と１．０．と
の複合体などを主成分としたセラミックス焼結体が着目
されつつちる。これらのセラミックス焼結体は。
反応管、ベルジャ等はもちろん、処理室内に位置する例
えばサセグタ支えやボートなどの部品を石英で形成して
いた。石英は耐化学性、耐熱性に優れているため、使用
されてきたものであるが１機械的強度が低く、破損し易
い欠点を有している。この石英に代る材料として、Ｓｉ
、Ｎい４本 ８ｉＣ，Ａｊ＋Ｎの単［ま念はＳｉ、Ｎ、と１．０．と
の複合体などを主成分としたセラミックス焼結体が着目
されつつちる。これらのセラミックス焼結体は。
耐化学性、耐熱性に富むと共に機械的強度が高く。
成形加工により比較的複雑な形状のものが得られると共
に研磨による機械加工も可能であるため。
に研磨による機械加工も可能であるため。
優れた材料である。しかしながら、これらの焼結体は、
現在の技術ではＹ、 Ｏ，、ＣｅＯ２，ＡＪ２０． 、
ＭｆＯ等の焼結助剤を添加しなければ、焼結すること
が難かしく、また前記の主成分でろるセラミックの原料
粉は製造過程でボールミルにより粉砕する際、Ｆｅ等の
不純物を混入してしまう。このように焼結助剤や不純物
を含むセラミックス焼結体金１例えはサセプタ支えやボ
ートなどのような処理室内に位置する装置構成部品に用
いると、前記の焼結助鴬剤や不純物が遊離してウニ・〜
を汚染することがあり、使用条件の配慮や使用前に十分
熱処理して焼結助剤を飛ばしておく必要があるなどの問
題を生ずることがあった。
現在の技術ではＹ、 Ｏ，、ＣｅＯ２，ＡＪ２０． 、
ＭｆＯ等の焼結助剤を添加しなければ、焼結すること
が難かしく、また前記の主成分でろるセラミックの原料
粉は製造過程でボールミルにより粉砕する際、Ｆｅ等の
不純物を混入してしまう。このように焼結助剤や不純物
を含むセラミックス焼結体金１例えはサセプタ支えやボ
ートなどのような処理室内に位置する装置構成部品に用
いると、前記の焼結助鴬剤や不純物が遊離してウニ・〜
を汚染することがあり、使用条件の配慮や使用前に十分
熱処理して焼結助剤を飛ばしておく必要があるなどの問
題を生ずることがあった。
本発明は、前述したようなセラミックス焼結体を処理室
内の装置構成部品として用いる場合に。
内の装置構成部品として用いる場合に。
前記のようなウニ・−の汚染をより確実に防止すること
を目的とするものである。
を目的とするものである。
本発明は、前述したようなセラミックス焼結体の表面に
高純度の５Ｉ３Ｎ、またはＳｉＣの膜全コーティングし
、セラミックス焼結体からの不純物の遊離を押えるよう
にしたものである。
高純度の５Ｉ３Ｎ、またはＳｉＣの膜全コーティングし
、セラミックス焼結体からの不純物の遊離を押えるよう
にしたものである。
以下本発明の一実施例を第１因および第２図により説明
する。第１図は半導体製造装置の１つである縦型気相成
長装置を示すもので、１はペース。
する。第１図は半導体製造装置の１つである縦型気相成
長装置を示すもので、１はペース。
２はベルジャで、これらにより密閉さ′ｔ″Ｌｆｃ処理
室（以下、反応室という）３全形成する。４はペース１
を貫通して反応室３内に伸びる中空の回転軸で、下方に
設けた図示しないモータにより回転金与えられるように
なっている。回転軸４の上端には、後述するサセプタ支
え５が取付けられ、このサセプタ支え５にサセプタ６が
取付けられている。
室（以下、反応室という）３全形成する。４はペース１
を貫通して反応室３内に伸びる中空の回転軸で、下方に
設けた図示しないモータにより回転金与えられるように
なっている。回転軸４の上端には、後述するサセプタ支
え５が取付けられ、このサセプタ支え５にサセプタ６が
取付けられている。
相成長プロセスに必要な種々のガス金噴出するようにな
っている。
っている。
９ｆｌＲＦコイルで、ボルトｌ Ｏｆｔ介してコイル支
え１１に支持されている。ＲＦコイル９およびコイル支
え１１は、ペース１上に載置されｔコイルカバー１２に
より被われている。
え１１に支持されている。ＲＦコイル９およびコイル支
え１１は、ペース１上に載置されｔコイルカバー１２に
より被われている。
前記サセプタ支え５は、第２図に拡大して示すように、
母材部分５ａの全表面に膜５ｂｔ−コーティングしたも
のである。この母材部分５ａｔｌ。
母材部分５ａの全表面に膜５ｂｔ−コーティングしたも
のである。この母材部分５ａｔｌ。
Ｓｉ、 Ｎ、 、 ＳｉＣ，ＡＪＮの単体まｆｃ ｔｒ
ｙ Ｓ ｉ３Ｎ、とｌ、 Ｏ。
ｙ Ｓ ｉ３Ｎ、とｌ、 Ｏ。
との複合体からなる粉末セラミックスを主成分とし、こ
れらにＹ、 ０． 、 ＣｅＯ２、Ａ７Ｉ、 Ｏ，また
ｎ Ｍ ｙ Ｏ等の焼結助剤を添加して焼結成形し、研
磨により機械加工し、その全表面に高純度のＳｉ、Ｎ、
またはＳｉＣの膜５ｂｉコーティングしｒ（ものである
。
れらにＹ、 ０． 、 ＣｅＯ２、Ａ７Ｉ、 Ｏ，また
ｎ Ｍ ｙ Ｏ等の焼結助剤を添加して焼結成形し、研
磨により機械加工し、その全表面に高純度のＳｉ、Ｎ、
またはＳｉＣの膜５ｂｉコーティングしｒ（ものである
。
なお、前記膜５ｂの形成は、ＣＶＤ法によれば、極めて
高純度にできると共に、ち密で母材部分５ａに対する密
着強度も高く、剥離の起こらないコーティングができる
。
高純度にできると共に、ち密で母材部分５ａに対する密
着強度も高く、剥離の起こらないコーティングができる
。
次いで本装置の作用について説明する。ＲＦコイル９に
よりサセプタ６を加熱し、その上に載置サレタウエハ１
３を加熱し、ガスノズル７）孔８から反応ガスを噴出さ
せ、ウェハ１３の表面に気相成長させる。このとき、サ
セプタ支え５も加熱され、膜５ｂ’ｌコーティングして
いない場合には、サセプタ支え５中の焼結助剤や不純物
などが飛び出して１反応室３中に遊離し、反応ガスに混
入して気相成長層にドーグされ、該気相成長層の比抵抗
などの特性を変化させてしまうが、前記のような膜５ｂ
をコーティングすると、前記のような不純物の遊離が確
実に押えられ、サセプタ支え５ＶＣ前述したようなセラ
ミックス焼結体音用いｔことによる不具合を防止するこ
とができる。
よりサセプタ６を加熱し、その上に載置サレタウエハ１
３を加熱し、ガスノズル７）孔８から反応ガスを噴出さ
せ、ウェハ１３の表面に気相成長させる。このとき、サ
セプタ支え５も加熱され、膜５ｂ’ｌコーティングして
いない場合には、サセプタ支え５中の焼結助剤や不純物
などが飛び出して１反応室３中に遊離し、反応ガスに混
入して気相成長層にドーグされ、該気相成長層の比抵抗
などの特性を変化させてしまうが、前記のような膜５ｂ
をコーティングすると、前記のような不純物の遊離が確
実に押えられ、サセプタ支え５ＶＣ前述したようなセラ
ミックス焼結体音用いｔことによる不具合を防止するこ
とができる。
前述し念実施例は１本発明金すセグタ支え５に適用した
例を示したが、コイルカバー１２が単にペース１上に載
置されているのみで、その内部が反応室３から完全に隔
離されておらず、かつコイル支え１１を前述したような
セラミックス焼結体で形成した場合には、このコイル支
え１１にも前記膜５ｂと同様の膜全コーティングするこ
とが好ましい。なお、サセプタ支え５やコイル支え１１
自身を電気的絶縁体として使用する場合には、５ｉｃｋ
絶縁性がないので使用できず、これ金剛いるときは別の
絶縁材を介在させる必要がある。
例を示したが、コイルカバー１２が単にペース１上に載
置されているのみで、その内部が反応室３から完全に隔
離されておらず、かつコイル支え１１を前述したような
セラミックス焼結体で形成した場合には、このコイル支
え１１にも前記膜５ｂと同様の膜全コーティングするこ
とが好ましい。なお、サセプタ支え５やコイル支え１１
自身を電気的絶縁体として使用する場合には、５ｉｃｋ
絶縁性がないので使用できず、これ金剛いるときは別の
絶縁材を介在させる必要がある。
また１本発明は、気相成長装置に限らず、拡散装置や熱
処理装置などの高温の処理室内でウニ・・に処理を施こ
す種々の半導体製造装置に対しても同様に適用できるこ
とは言うまでもない。
処理装置などの高温の処理室内でウニ・・に処理を施こ
す種々の半導体製造装置に対しても同様に適用できるこ
とは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば５装置構成部品ＶＣセ
ラミックス焼結体音用いたことによるつ工パへの皿形４
［−防止することができ、セラミックス焼結体の採用に
より、装置の剛性１機械的精度をアップして取扱いを容
易にすると共により高品質の半導体装置を製造すること
〃・できる。
ラミックス焼結体音用いたことによるつ工パへの皿形４
［−防止することができ、セラミックス焼結体の採用に
より、装置の剛性１機械的精度をアップして取扱いを容
易にすると共により高品質の半導体装置を製造すること
〃・できる。
第２図に示したサセグタ支え５の母材部分５ａを第１表
に示す組成のセラミックス焼結体で作り。
に示す組成のセラミックス焼結体で作り。
その表面にＣＶＤ法によりＳｉ、Ｎ、の膜５ｂをα３ｍ
ｍ の厚さにコーティングした。
ｍ の厚さにコーティングした。
第 １ 表
他方、一般に用いられている石英製のサセズタ支えと、
第１表の組成のセラミックス焼結体で形成し前記の膜５
ｂｉ設けないサセグタ支えを用いて、同一の条件でノン
ドーグで気相成長層金形成し、３者の比抵抗値を測定し
たころ、膜５ｂｋ設けないセラミックス焼結体の場曾に
は、１回目の気相成長でＦｉ＋、ｇΩ−０，２回目は２
６Ω−ｃｍ。
第１表の組成のセラミックス焼結体で形成し前記の膜５
ｂｉ設けないサセグタ支えを用いて、同一の条件でノン
ドーグで気相成長層金形成し、３者の比抵抗値を測定し
たころ、膜５ｂｋ設けないセラミックス焼結体の場曾に
は、１回目の気相成長でＦｉ＋、ｇΩ−０，２回目は２
６Ω−ｃｍ。
３回目は３４Ω−口と回全重ねるに連れて値が増加した
が、石英製の場合の２５００−（２）に比較して著しく
低く、不純物によるドープが生じているのに対し、前記
膜５ｂをコーディングした場合には２３０Ω−ｃｍとほ
ぼ石英製並みの値が得られ念。
が、石英製の場合の２５００−（２）に比較して著しく
低く、不純物によるドープが生じているのに対し、前記
膜５ｂをコーディングした場合には２３０Ω−ｃｍとほ
ぼ石英製並みの値が得られ念。
なお、膜５ｂを設けない場合に１回を重ねるに連れて比
抵抗値が増加し念のは、セラミックス焼結体からの不純
物の遊離が最初は激しく１回？重ねるに連れて減少する
ためと考えられ、前もって熱処理すればある値に安定す
るものと思われる。
抵抗値が増加し念のは、セラミックス焼結体からの不純
物の遊離が最初は激しく１回？重ねるに連れて減少する
ためと考えられ、前もって熱処理すればある値に安定す
るものと思われる。
第１図は本発明を適用した縦型気相成長装置の概要断面
図、第２図はサセグタ支えの拡大断面図である。 １・・・ベース、２・・・ベルジャ、３・・・反応室、
４・・回転軸、５・・・サセグタ支え、５ａ・・・母材
部分、５ｂ・・・膜、６・・・サセプタ、７・・・ガス
ノズル。 ９・・・ＲＦコイル、＋１・・・コイル支え、１２・・
・コイルカバー、＋３・・・ウェハ。
図、第２図はサセグタ支えの拡大断面図である。 １・・・ベース、２・・・ベルジャ、３・・・反応室、
４・・回転軸、５・・・サセグタ支え、５ａ・・・母材
部分、５ｂ・・・膜、６・・・サセプタ、７・・・ガス
ノズル。 ９・・・ＲＦコイル、＋１・・・コイル支え、１２・・
・コイルカバー、＋３・・・ウェハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミックス焼結体により形成されている装置構成
部品を処理室内に有する半導体製造装置において、前記
セラミックス焼結体の表面に高純度のＳｉ＿３Ｎ＿４ま
たはＳｉＣの膜をコーティングしたことを特徴とする半
導体製造装置。 ２、前記コーティングがＣＶＤ法によつて形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17805684A JPS6155918A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17805684A JPS6155918A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155918A true JPS6155918A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16041830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17805684A Pending JPS6155918A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155918A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636833A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS63140085A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-11 | Kyocera Corp | 成膜装置 |
| JPH06151555A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体搬送用治具 |
| US6645303B2 (en) * | 1996-11-14 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Heater/lift assembly for high temperature processing chamber |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17805684A patent/JPS6155918A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636833A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS63140085A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-11 | Kyocera Corp | 成膜装置 |
| JPH06151555A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体搬送用治具 |
| JP2621749B2 (ja) * | 1992-11-12 | 1997-06-18 | 三井造船株式会社 | 半導体搬送用治具 |
| US6645303B2 (en) * | 1996-11-14 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Heater/lift assembly for high temperature processing chamber |
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