KR100427118B1 - 열처리용지그및그제조방법 - Google Patents

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고지 후루카와
히사오 야마모토
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도카이 카본 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 CVD 법으로 SiC 피막을 형성한 탄화 규소재로 이루어지는 열처리용 지그에 관한 것으로, 상기 탄화 규소 기재는 SiC 피막에 접하는 200 ㎛ 이내의 기재 표층부를 주사 전자현미경을 이용하여 400배의 배율로 관찰 및 측정하는 경우, 상기 표층부에 직경 2 ㎛ 이상인 기공이 존재하지 않는다. 상기 열처리용 지그의 제조 방법은 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재의 표면에 CVD 법으로 탄화 규소 피막을 형성함에 있어서, 탄화 규소 피막을 형성하는 원료 화합물을 도입하여, 불활성 분위기 하에서 1000 ∼ 1290℃의 온도, 500 ∼ 760 Torr의 압력으로 탄화 규소 피막을 형성하는 것이다. 본 발명의 방법에 따라 반도체 제조를 위한 열처리용 부재로 적합한 내열 사이클 특성, 내열 충격 특성이 우수한 열처리용 지그를 제공할 수 있다.

Description

열처리용 지그 및 그 제조방법
본 발명은 고순도이며 내열 사이클 특성, 내열 충격 특성 등이 우수하고, 반도체 제조용 부재로 적합한 열처리용 지그 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 제조용의 확산로에 사용되는 라이너 튜브, 프로세스 튜브, 웨이퍼 보드 등의 열처리용 지그에는 급열, 급냉에 대한 내열 사이클 특성, 내열 충격 특성이나 기계적 강도에 이외에, 고순도의 실리콘 웨이퍼를 오염시키지 않는 비오염성이 요구된다.
종래, 이들 열처리용 지그로서 고순도의 석영유리가 사용되어 왔지만, 열처리 공정의 고온화가 진전됨에 따라 석영유리로는 고온 강도가 불충분하게 되었기 때문에, 이를 대신하는 재료로서 실리콘을 함침한 탄화 규소재가 개발되었다(미국 특허 제 3,951,587 호). 그러나, 이 재료는 탄화 규소 중에 내포된 불순물이 표면으로 확산되는 데에 기인하여, 고순도의 석영유리에 비하여 불순물의 농도가 높아지는 결점이 있다.
이 결점을 해소하는 수단으로, 실리콘을 함침한 탄화 규소재 상에 CVD 법(화학적 기상 석출법)에 의해서 초고순도의 탄화 규소 피막을 피복시킨 탄화 규소질소결기재를 반도체 제조용 부재로서 이용하는 것이 시도되었다(일본 특허 제 1,682,754 호). CVD 법에 의한 SiC 피막의 형성은 미국 특허 제 3,157,541 호 등에 개시되어 있는 것과 같이, Si와 C를 포함하는 메틸트리클로로실란(CH3SiCl3), 메틸디클로로실란(CH3SiHCl2) 등의 유기 규소 화합물을 열분해시키는 방법, 혹은 SiCl4등의 규소 화합물(silicon compound)과 CH4등의 탄소 화합물과의 가열 반응에 의해서 SiC를 석출하는 방법으로 이루어진다.
SiC 피막의 형성은 불순물의 휘산(揮散)을 방지하는 점에서 극히 유효한데, 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 CVD 법에 의해 SiC 피막을 형성한 경우에는 기재와 SiC 피막층과의 계면의 조직 상태에 의해서 내열 사이클 특성이나 내열 충격 특성이 미묘하게 변화하여, 지나치게 혹독한 열이력(熱履歷)을 받는 반도체 부재로서 사용할 때에 SiC 피막에 균열이 생기거나, SiC 피막이 박리되는 문제점이 있다.
또한, 상기 SiC 피막의 형성 방법에서, 가열시 탄화 규소 기재 중에 함침한 실리콘의 일부가 휘산되어 기재 표면에 기공이 생기기 쉬우며, 그 결과 탄화 규소 기재와 SiC 피막과의 밀착성이 나빠져서 접착 강도의 저하를 초래하고, 열충격, 가열 사이클에 의해서 SiC 피막의 박리가 일어나기 쉬워진다고 하는 문제점이 있다. 게다가, SiC 피막의 치밀성이 손상되어 핀 홀이 발생한 경우에는 약품 세정시, 함침한 실리콘의 일부가 침식되어 용출하기 때문에 기공(pore)이 발생하고, 이 때문에 생성된 기공 중에 불순물이 쌓여, 불순물의 발생원으로 되기 쉽다고 하는 난점이 있다.
SiC 피막의 결정 성장 방향을 맞추어서 피막의 치밀성을 부여한다는 제안(특허 공개 소63-210276 호)도 있는데, 상기 방법에 따르면 실리콘의 융점을 초과하는 온도에서 SiC 피막을 형성하기 때문에, 탄화 규소 기재에 다수의 기공이 생성되어 기재의 강도가 저하된다.
먼저, 본 발명자의 일부는 기공이 생기지 않는 SiC 피막의 형성 기술로서, 실리콘을 함침한 탄화 규소질 세라믹을 감압하에서 850 ∼ 1000℃로 가열하고, SiC를 생성하는 반응 가스를 도입하여 SiC 피막 형성을 개시하고, 그대로 냉각시키는 일 없이 승온시켜 1200 ∼ 1400℃의 온도에서 피막을 형성하는 실리콘 함침 탄화 규소질 세라믹으로의 탄화 규소 피막 형성 방법을 제안하였다(특허 공개 평4 - 65374 호). 상기 방법에 따르면, 실리콘의 증발 속도가 작은 1000℃ 이하의 온도에서 SiC 피막의 형성을 개시함으로써, 1000℃ 이상으로 승온시키더라도 형성된 피막에 의해서 실리콘의 증발이 억제되어 기공의 생성을 감소시킬 수 있다는 효과를 가져온다.
본 발명은 반도체 제조용 부재로 사용하는 실리콘 함침 탄화 규소 기재에 관한 것으로서, CVD 법에 의한 SiC 피막 형성에 있어서 종래의 상기한 문제점을 해소하기 위해, 상기 SiC 피막 형성을 850 ∼ 1000℃의 온도 범위에서 개시하는 방법을 기초로 하며, 기재와 SiC 피막층과의 계면에 있어서의 조직성상과 얻어진 탄화 규소 기재의 내열 특성과의 관계, SiC 피막의 형성 과정에서의 기공의 생성 요인 등에 대해 여러가지의 실험과 검토를 거듭한 결과로서 이루어진 것이며, 그 목적은반도체 제조에 이용하는 경우 우수한 내열 사이클 특성 및 내열 충격 특성을 발휘하는 열처리용 지그를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 대해서, CVD 법에 의해 밀착성이 우수한 치밀한 SiC 피막의 형성을 가능하게 하는 SiC 피복 탄화 규소재로 이루어지는 반도체 제조에 사용되는 열처리용 지그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고순도이며, 반도체 제조에 있어서 실리콘 웨이퍼를 오염시키지 않는 SiC 피막을 형성한 탄화 규소재로 이루어지는 열처리용 지그 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 열처리용 지그는 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 CVD 법으로 SiC 피막을 형성시킨 SiC 피복 탄화 규소재로서, 탄화 규소 기재가 SiC 피막에 접하는 계면에서 200 ㎛ 이내의 기재 표층부를 주사 전자현미경을 이용하여 400배의 배율로 관찰 및 측정하는 경우, 그 기재의 표층부에 직경 2 ㎛ 이상의 기공이 존재하지 않는 것을 특징으로 한다.
일반적으로 세라믹 기재층에 CVD 법을 이용하여 SiC 피복층을 형성시키는 경우, 층간 강도는 층계면 부위의 치밀성과 밀착성에 크게 좌우되는데, 실리콘을 함침한 탄화 규소를 기재로 한 피복 구조에서는 특히 SiC 피막에 접하는 탄화 규소 기재에 깊이 200 ㎛ 이내의 표층부의 조직 치밀도가 층간 강도에 현저하게 영향을 주어, 상기 200 ㎛ 이내에 직경 2 ㎛ 이상의 기공이 존재하면 열이력을 받았을 때에 층간 조직에 균열이나 박리를 발생시키기 쉽다. 따라서, 본 발명에서 특정 탄화규소 기재가 SiC 피막에 접하는 계면에서 200 ㎛ 이내의 기재 표층부에 직경 2㎛ 이상의 기공이 존재하지 않는 조직 구조를 형성하므로써, 지나치게 혹독한 열이력에 충분히 견딜 수 있는 내열 사이클 특성 및 내열 충격 특성이 부여된다. 한편, 상기 기공의 직경은 주사 전자현미경을 이용하여 400배의 배율로 관찰 및 측정한다.
상기한 구성 이외에, 형성된 SiC 피막의 X선 회절에서 (200)면의 (111)면에 대한 회절 강도치의 비(I(200)/I(111))를 0.005 이하로 하여, SiC 피막 결정의 (111)면으로의 배향성을 강하게 함으로써 재료의 내열 충격 특성을 보다 향상시킬 수 있게 된다. 이 경우의 X선 회절에 의한 회절 강도치는 Cu의 Kα로 측정한 값이며, X선 회절 강도는 인가 전압 40KV, 인가 전류 20mA, 필터 Cu/Ni, 발산 슬릿 1°의 조건에서 측정한다.
또한, 본 발명에 따른 열처리용 지그의 제조 방법은 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재의 표면에 CVD 법으로 탄화 규소 피막을 형성함에 있어서, 탄화 규소 피막을 형성하는 원료 화합물을 도입하여, 비산화성 분위기, 1000 ∼ 1290℃의 온도, 500 ∼ 760 Torr의 압력에서 탄화 규소 피막을 형성하는 것을 구성상의 특징으로 한다.
본 발명의 기재인 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재는 탄화 규소의 성형체를 고온에서 열처리하여 소결한 재결정질의 탄화 규소에 용융 실리콘을 함침한 것, 또는 탄화 규소와 탄소로 이루어지는 성형체에 용융 실리콘을 함침시킨 후 고온에서열처리한 반응 소결 탄화 규소로 이루어진다. 이 실리콘의 함유량으로는 10 ∼ 30 중량% 정도의 것이 사용된다.
상기 실리콘 함침 탄화 규소 기재의 표면에 CVD 법으로 SiC 피막을 형성하는 방법은 1 Torr 이하로 감압 탈기한 후, 5 ∼ 50℃/분의 승온 속도로 600 ∼ 850℃의 온도까지 가열하는 제 1 공정, 이어서 50 ∼ 760 Torr의 압력이 될 때까지 비산화성 가스를 도입한 후, 다시 5 ∼ 50℃/분의 승온 속도로 1000 ∼ 1290℃의 온도로 가열하는 제 2 공정, 계속해서 500 ∼ 760 Torr의 압력으로 원료 화합물을 담체 가스와 함께 도입하고, 1000 ∼ 1290℃의 온도에서 원료 화합물을 열분해 또는 화학 반응시켜 탄화 규소 피막을 형성하는 제 3 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 원료 화합물로는 1 분자 중에 Si 원자와 C 원자를 포함하는 메틸트리클로로실란(CH3SiCl3), 메틸디클로로실란(CH3SiHCl2) 등의 유기 규소 화합물을 들 수 있으며, 또는 SiCl4와 같은 규소 화합물과 CH4등의 탄소 화합물을 병용하는 것도 한 예가 될 수 있다. 담체 가스로는 수소 가스, 아르곤 가스 등의 비산화성 가스를 들 수 있다. 또한, 담체 가스와 원료 화합물을 4 ∼ 100 의 몰비(담체 가스/원료 화합물)로 도입하는 것이 바람직하다. 한편, 상기 몰비의 계산에서 원료 화합물로 규소 화합물과 탄소 화합물을 병용하는 경우에는 탄화 규소로 환산한 몰수를 원료 화합물의 몰수로 한다.
재 1 공정 및 제 2 공정에서의 승온 속도는 5 ∼ 50℃/분이며, 승온 속도가 50℃/분을 초과하는 경우에는 기재에 열응력이 발생하여 균열이 생기는 경우가 있으며, 5℃/분 미만인 경우에는 승온이 서서히 진행되어 생산성이 저하되므로, 두 경우 모두 바람직하지 않다. 승온 속도는 10 ∼ 30℃/분이 더 바람직하다. 제 1 공정에서, 탈기후의 압력이 1 Torr를 초과하는 경우, 잔류 산소, 수분에 의해서 탄화 규소 기재의 표면이 산화되어 내식성이 저하됨과 동시에 탄화 규소 피막의 밀착성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 가열 온도가 600℃ 미만인 경우에는 흡착 산소 등의 제거가 불충분하게 되어 탄화 규소 기재의 표면이 산화되기 쉬워지기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 가열 온도가 850℃를 초과하는 경우, 실리콘이 감압하에서 증발하여 탄화 규소 기재에 기공이 생기기 쉬워 탄화 규소 피막의 밀착성이 저하되기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 제 2 공정에서, 압력이 760 Torr를 초과하는 경우, 수소 가스의 누출이 용이해져 수소 가스가 낭비된다. 또한, 압력 용기의 강화가 필요하게 되어 설비가 복잡해지기 때문에 바람직하지 않다.
제 2 공정 및 제 3 공정에서는 탄화 규소 기재 중에 함침한 표면부의 실리콘이 열휘산하지 않도록 실리콘의 증기압 이하의 승온 조건 및 CVD 반응계의 온도, 압력 등의 조건을 제어함으로써 본 발명의 SiC 피복 탄화 규소로 이루어지는 열처리 지그를 얻을 수 있다. 즉, 제 2 공정에서의 압력이 50 Torr 미만인 경우, 또 제 3 공정에서 온도가 1290℃를 초과하거나, 압력이 500 Torr 미만인 조건에서는 탄화 규소 기재 중에 함침된 표면층의 실리콘이 열휘산되기 때문에 기재 표층부에 기공이 형성된다. 또한, 제 3 공정에서의 가열 온도가 1000℃ 미만인 경우 실리콘의 열휘산은 억제되지만, SiC 피막의 성장 속도가 저하하기 때문에 실용적이지 못하다. 제 3 공정에서 압력이 760 Torr를 초과하는 경우, 원료 화합물의 가스가 탄화 규소기재의 표면에 화학 증착하기 전에 탄화 규소의 분말을 생성하기 위해서 SiC 피막의 생성 속도가 억제된다.
전술한 기재의 기공 생성을 억제하는 방법에 추가하여, CVD 법으로 형성되는 내열 충격 특성이 높은 SiC 피막의 결정성상, 즉 기재 상에 (111)면의 결정면이 고도로 배향하여 성장한 SiC 피막은 온도 1100 ∼ 1290℃, 압력 500 ∼ 760 Torr의 조건하에서 수소 또는 아르곤 등의 담체 가스와 원료 화합물과의 몰비를 4 ∼ 100, 바람직하게는 5 ∼ 20으로 억제함으로써 달성된다. 온도가 1100℃ 미만인 경우, SiC 피막의 내열 충격 특성의 저하가 나타난다. 또한, 담체 가스/원료 화합물의 몰비가 4 미만인 경우, 탄화 규소 기재의 표면에서 결정핵으로 작용하기 쉽기 때문에 형성되는 SiC 피막의 입자가 거칠게 되어 치밀성이 저하되며, 100을 초과하는 경우 SiC 피막 표면 내에서의 다결정화가 일어나기 쉽기 때문에 SiC 피막 결정의 (111)면으로의 배향성이 저하된다.
열처리 지그와 같은 가혹한 열 사이클을 받는 부재로서 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 CVD 법으로 SiC 피막을 형성한 재료를 사용하는 경우, 층간 균열이나 박리가 일어나 결함이 발생하는데, 이것은 CVD 법에 의한 피복시에 함침한 실리콘이 휘산하여 기재 표층부, 특히 SiC 피막에 접하는 탄화 규소 기재의 깊이 200 ㎛ 이내의 표층부에 직경 2 ㎛ 이상인 기공이 존재하는 주된 원인이 된다. 본 발명의 열처리용 지그는 피복한 SiC 피막에 접하는 200 ㎛ 이내의 탄화 규소 기재 표층부에 직경 2 ㎛ 이상의 기공이 존재하지 않기 때문에, SiC 피막은 탄화 규소 기재와 견고하게 밀착하고, 열처리용 지그로 이용하는 경우에도 급열, 급냉의 열 사이클에 대해 우수한 내구 성능을 발휘한다.
또한, SiC 피막의 X선 회절의 회절 강도치의 비(I(200)/I(111))를 0.005 이하로 설정하여, SiC 피막의 결정 구조의 (111) 면으로의 배향성을 강하게 하여 (111)면을 최밀 충진의 결정면으로 하므로써 탄화 규소 기재를 구성하는 탄화 규소 및 실리콘과 SiC 피막과의 화합 결합력이 증가하기 때문에, SiC 피막의 내열 충격 특성을 한층 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 비교예와 대비하면서 상세하게 설명한다.
실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 2
50×50×10mm의 재결정 탄화 규소에 실리콘을 20 중량% 함침하여 탄화 규소 기재로 제조하였다. 이 기재를 환상로(環狀爐)에 투입하여 2×10-3Torr의 진공하에서 기재에 포함되는 가스를 탈기한 후, 20℃/분의 승온 속도로 800℃로 승온한 후, 수소 가스를 도입하여 압력을 150 Torr로 30분간 유지하였다. 이어서, 20℃/분의 승온 속도로 가열하여 표 1에 기재한 온도까지 승온시켜서 30분간 유지한 후, SiC 피막 형성용 원료 화합물로서 CH3SiCl3를 이용하여, 수소 가스에 대한 몰비(H2/CH3SiCl3)를 변화시켜 공급하였다. 이때, 공급량을 변화시켜 노내의 압력을 소정의 압력으로 조정하였다. 상기와 같은 방법으로 SiC 피막 형성시의 노내 온도, 노내 압력 및 원료 가스의 몰비를 변화시켜 탄화 규소 기재에 SiC를 피복하였다.
실시예 7 ∼ 9, 비교예 3 ∼ 4
50×50×10 mm의 반응 소결 탄화 규소 기재(잔류 Si: 1.7 중량%)를 실시예 1과 동일한 조건에서 탈기한 후, 33℃/분의 승온 속도로 700℃까지 승온하고, 아르곤 가스를 도입하여 압력을 300 Torr로 20분간 유지하였다. 이어서, 10℃/분의 승온 속도로 표 2에 기재한 온도까지 가열한 후, SiC 피막 형성용 원료 가스로서 SiCl4와 CH4를 이용하여, 아르곤 가스에 대한 몰비(2Ar/SiCl4+ CH4)를 변화시켜 공급하여, 실시예 1 ∼ 6과 같은 방법으로 노내 온도 및 노내 압력을 조정하여 탄화 규소 기재에 SiC를 피복하였다.
비교예 5
실시예 1 ∼ 6과 동일한 탄화 규소 기재를 실시예 1 ∼ 6와 동일한 조건으로 탈기한 후, 20℃/분의 승온 속도로 950℃로 승온한 후, 수소 가스를 도입하여 압력을 150 Torr로 30분간 유지하고, 이어서 20℃/분의 승온 속도로 1300℃로 승온한 후, 노내 압력을 200 Torr로 유지하면서 원료 가스(H2/CH3SiCl3의 몰비 4.0)를 공급하여 탄화 규소 기재에 SiC 피막을 피복하였다.
비교예 6
실시예 7과 동일한 반응 소결 탄화 규소 기재를 실시예 1과 동일한 조건으로 탈기한 후, 10℃/분의 승온 속도로 1100℃까지 승온하고, 아르곤 가스를 도입하여 압력을 15 Torr로 조정하여 20분간 유지하였다. 이어서, 20℃/분의 승온 속도로 1200℃까지 가열한 후, SiC 피막 형성용 원료 가스로서 SiCl4와 CH4를 이용하여, 압력을 40 Torr로 유지하면서 아르곤 가스에 대한 몰비(2Ar/SiCl4+ CH4)를 2.5로 하여 공급하였다.
이어서, 상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 SiC 피막 탄화 규소재를 절단하여, 그 단면을 주사 전자현미경을 이용하여 400배의 배율로 200 ㎛ 이내의 표층부에 직경 2 ㎛ 이상의 기공 존재 여부를 관찰 및 측정하였다. 또한, X선 회절의 회절 강도를 측정하여 회절 강도의 비(I(200)/I(111))를 계산하였다. 한편, X선 회절은 인가 전압 40KV, 인가 전류 20mA, 필터 Cu/Ni, 발산 슬릿 1°의 조건에서 측정하였다.
상기와 같은 방법으로 수득된 SiC 피막 탄화 규소재에 대해서 SiC 피막 형성시의 노내 온도, 노내 압력 및 원료 가스의 몰비와 SiC 피막에 접하는 200 ㎛ 이내의 기재 표층부에 직경 2㎛ 이상의 기공의 존재 유무, X선 회절 강도 및 회절 강도의 비를 표 1, 2에 나타내었다.
*1 A; H2/CH3SiCl3의 몰비
*2 기재표층부 200 ㎛ 이내에 직경 2 ㎛ 이상인 기공의 존재
*3 I(200)/I(111)의 회절강도의 비
*1 A; 2Ar/(SiCl4+CH4)의 몰비
*2 기재표층부 200 ㎛이내에 직경 2 ㎛ 이상인 기공의 존재
*3 I(200)/I(111)의 회절강도의 비
이어서, 이들 SiC 피복 탄화 규소재에 대해서 하기의 방법에 의해 내열 사이클 특성 및 내열 충격 특성을 실험하고, 그 결과를 표 3 및 표 4에 나타냈다. 내열 사이클 특성은 적외선 가열로에 의해서 상온에서부터 1300℃로 15분동안 승온하여 15분간 유지한 후, 가열노에서 꺼내 방냉하여 상온으로 되돌리는 사이클을 20회 반복하고, SiC 피막면의 균열 발생 및 박리 상황을 관찰하였다. 또한, 내열 충격 특성은 전기로 중에서 500℃ 및 1000℃의 온도로 30분간 유지한 후, 20℃의 물 속에 투입하여 급냉한 경우의 SiC 피막면의 균열 발생이나 박리 상황을 관찰하였다.
표 1 ∼ 4의 결과에서 본 발명의 SiC 피막 탄화 규소재는 탄화 규소 기재가SiC 피막에 접하는 200 ㎛ 이내의 기재 표층부에 직경 2 ㎛ 이상인 기공이 존재하지 않음으로써, 고온으로 가열, 냉각을 반복하는 열처리를 실시하여도 균열이 발생하거나 박리되는 경우가 없으며, 또한 500℃의 온도에서 20℃의 온도로 급냉하는 열충격에 대해서도 내구성이 큰 것을 알 수 있다. 또한, SiC 피막의 X선 회절의 회절 강도치의 비(I(200)/I(111))를 0.005 이하로 함으로써, 1000℃의 온도에서 20℃의 온도로 급냉하는 열충격에 대한 내구성이 향상된다. 그러나, 기공의 존재가 인정된 비교예는 모두 SiC 피막에 균열이 발생하고, 또한 피막의 일부가 박리되었다.
이상과 같이, 본 발명의 SiC 피막 탄화 규소재는 내열 사이클 특성, 내열 충격 특성이 우수하기 때문에, 고온에서 저온으로 급격하게 가열 혹은 냉각되는 온도 조건하에서 사용되는 반도체 제조용의 열처리용 지그로서 매우 유용하다.

Claims (7)

  1. 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재에 CVD 법으로 SiC 피막을 형성한 SiC 피복 탄화 규소재로서, 탄화 규소 기재가 SiC 피막에 접하는 계면에서 200 ㎛ 이내의 기재 표층부를 주사 전자현미경을 이용하여 400배의 배율로 관찰 및 측정하는 경우, 상기 표층부에 직경 2 ㎛ 이상의 기공이 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 열처리용 지그.
  2. 제 1 항에 있어서, SiC 피막의 X선 회절에서 (111)면에 대한 (200)면의 회절 강도치의 비, I(200)/I(111)가 0.005 이하인 것을 특징으로 하는 열처리용 지그.
  3. 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재의 표면에 CVD 법으로 탄화 규소 피막을 형성함에 있어서, 탄화 규소 피막을 형성하는 원료 화합물을 도입하여, 불활성 분위기 하에서 1000 ∼ 1290℃의 온도, 500 ∼ 760 Torr의 압력으로 탄화 규소 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 열처리용 지그의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 온도가 1100 ∼ 1290℃인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 원료 화합물이 담체 가스와 함께 도입되며, 그 몰비(담체 가스/원료 화합물)가 4 ∼ 100인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 담체 가스와 원료 화합물의 몰비가 5 ∼ 20인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 실리콘을 함침한 탄화 규소 기재를 1 Torr 이하로 탈기한 후, 5 ∼ 50℃/분의 승온 속도로 600 ∼ 850℃의 온도로 가열하는 제 1 공정; 50 ∼ 760 Torr이 될 때까지 비산화성 가스를 도입한 후, 5 ∼ 50℃/분의 승온 속도로 1000 ∼ 1290℃로 가열하는 제 2 공정; 및 담체 가스와 탄화 규소를 형성하는 원료 화합물을 도입하여 1000 ∼ 1290℃의 온도, 500 ∼ 760 Torr의 압력에서 탄화 규소 기재 표면에 SiC 피막을 형성하는 제 3 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리용 지그의 제조 방법.
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