JPH03268379A - 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ・チップおよびその製造方法Info
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- JPH03268379A JPH03268379A JP2066685A JP6668590A JPH03268379A JP H03268379 A JPH03268379 A JP H03268379A JP 2066685 A JP2066685 A JP 2066685A JP 6668590 A JP6668590 A JP 6668590A JP H03268379 A JPH03268379 A JP H03268379A
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は光導波路を含むレーザ・ストライブに沿って回
折格子を有する半導体レーザ・チップおよびその製造方
法に関する。
折格子を有する半導体レーザ・チップおよびその製造方
法に関する。
（従来の技術）
近年、光通信や光学ディスク用の光源として、各種の半
導体発光素子が盛んに使用されている。
導体発光素子が盛んに使用されている。
特に光導波路に沿って周期的摂動（回折格子）を設けた
分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔ
ｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ １ａｓｅｒ）は、回折格子の
波長選択性により、単一波長（単一縦モード）での発振
が実現できる。中でも長距離高速光通信用の光源として
は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いたものを筆頭
に実用化が進んでいる。
分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔ
ｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ １ａｓｅｒ）は、回折格子の
波長選択性により、単一波長（単一縦モード）での発振
が実現できる。中でも長距離高速光通信用の光源として
は、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いたものを筆頭
に実用化が進んでいる。
一般に、ＤＦＢレーザは、レーザ・ストライブの端面に
おける回折格子の位相によって単一縦モード発振の実現
性が決まる。
おける回折格子の位相によって単一縦モード発振の実現
性が決まる。
しかし、回折格子の周期が２０００人程度堆積ないこと
や、劈開によって端面を形成している現状では、端面位
相の制御は事実上不可能である。
や、劈開によって端面を形成している現状では、端面位
相の制御は事実上不可能である。
従って、その単一縦モード発振の歩留りは、構造パラメ
ータにもよるが、おおむね５０９０以下であり、通常は
２０〜３０％程度と非常に低いものである。
ータにもよるが、おおむね５０９０以下であり、通常は
２０〜３０％程度と非常に低いものである。
最近では、両襞開端面の反射率を低下させ、かつその共
振器の中央に回折格子の周期の不連続部（管内波長λの
１／４に相当する位相たけシフトしている）を有する構
造が注目されている。このλ／４シフト構造の素子は縦
モードのゲイン差も大きいため、単一縦モード動作に極
めて有利である。しかし、この素子にも問題がある。つ
まり、シフト構造形成のため、工程が極めて複雑になる
ことである。例えば、ポジ型レジストとネガ型レジスト
の両方を組み合わせてこ光束干渉露光を行う方法（例え
ば、宇高他、昭和６０年春季応用物理学会講演予稿、講
演番号２９ｐ−ＺＢ−１５）あるいは、位相マスクを用
いて三光束干渉露光する方法（例えば、白崎他、昭和６
０年電子情報通信学会半導体材料部門大会（秋）、講演
番号３１１、同しく白崎他、昭和６０年電子情報通信学
会、光量子エレクトロニクス研究会報告、０ＱＥ８５−
６０）等である。
振器の中央に回折格子の周期の不連続部（管内波長λの
１／４に相当する位相たけシフトしている）を有する構
造が注目されている。このλ／４シフト構造の素子は縦
モードのゲイン差も大きいため、単一縦モード動作に極
めて有利である。しかし、この素子にも問題がある。つ
まり、シフト構造形成のため、工程が極めて複雑になる
ことである。例えば、ポジ型レジストとネガ型レジスト
の両方を組み合わせてこ光束干渉露光を行う方法（例え
ば、宇高他、昭和６０年春季応用物理学会講演予稿、講
演番号２９ｐ−ＺＢ−１５）あるいは、位相マスクを用
いて三光束干渉露光する方法（例えば、白崎他、昭和６
０年電子情報通信学会半導体材料部門大会（秋）、講演
番号３１１、同しく白崎他、昭和６０年電子情報通信学
会、光量子エレクトロニクス研究会報告、０ＱＥ８５−
６０）等である。
また、規格化結合係数にＬの値が１．２５より大きい場
合には、λ／４位相シフタ位置に放射モード光が集中す
る。この様な、導波モードの光強度分布の大きな偏りは
、軸方向の空間的ホールバーニング（例えば、墾田他、
電子情報通信学会、光量子エレクトロニクス研究会ＯＱ
Ｅ ８７−７１）Ｉ）、４９−５６．１９８６年）を引
き起こす。これにより、せっかく大きい値であった縦モ
ード間のゲイン差Δαが小さくなる。つまり、単一縦モ
ード性が大きく損なわれる。この様に、単一縦モード発
振するＤＦＢレーザ・チップを高い歩留りで得るのは非
常に難しかった。
合には、λ／４位相シフタ位置に放射モード光が集中す
る。この様な、導波モードの光強度分布の大きな偏りは
、軸方向の空間的ホールバーニング（例えば、墾田他、
電子情報通信学会、光量子エレクトロニクス研究会ＯＱ
Ｅ ８７−７１）Ｉ）、４９−５６．１９８６年）を引
き起こす。これにより、せっかく大きい値であった縦モ
ード間のゲイン差Δαが小さくなる。つまり、単一縦モ
ード性が大きく損なわれる。この様に、単一縦モード発
振するＤＦＢレーザ・チップを高い歩留りで得るのは非
常に難しかった。
（発明が解決しようとする課題）
この発明は上記のような点に鑑みて為されたもので、そ
の目的は、特に光導波路を含むレーザ・ストライプに沿
って回折格子を有する半導体し一ザ・チップにおいて、
高い確率で単一縦モード発振する半導体レーザ・チップ
、および高い歩留りで半導体レーザ・チップを製造でき
る製造方法を提供することにある。
の目的は、特に光導波路を含むレーザ・ストライプに沿
って回折格子を有する半導体し一ザ・チップにおいて、
高い確率で単一縦モード発振する半導体レーザ・チップ
、および高い歩留りで半導体レーザ・チップを製造でき
る製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
（発明を解決するための手段）
本発明は、上記の克ｎ反すべき課題を、次のような方法
で解決するものである。
で解決するものである。
つまり、本発明では、回折格子を有する、例えばＤＦＢ
レーザ・チップ等において、一つのチップの中に、複数
本のレーザ會ストライプを互いに電気的にアイソレート
して形成する。そして、複数本のレーザ・ストライプ端
面における回折格子の位相を、それぞれ変える。
レーザ・チップ等において、一つのチップの中に、複数
本のレーザ會ストライプを互いに電気的にアイソレート
して形成する。そして、複数本のレーザ・ストライプ端
面における回折格子の位相を、それぞれ変える。
ここで、複数本のレーザ・ストライブ端面における回折
格子の位相の差をΔθとした場合、このΔθに、上記複
数本のレーザ・ストライプのうち、いずれか１本が単一
縦モード発振する確率が最も大きくなるよう、さらに限
定を加えるものである。
格子の位相の差をΔθとした場合、このΔθに、上記複
数本のレーザ・ストライプのうち、いずれか１本が単一
縦モード発振する確率が最も大きくなるよう、さらに限
定を加えるものである。
また、その製造方法では、回折格子を形成する際、レー
ザストライブと交差する骨間面に対して所定角度φずら
して形成するものである。
ザストライブと交差する骨間面に対して所定角度φずら
して形成するものである。
（作用）
上記のような半導体レーザ・チップにあっては、複数本
のレーザ・ストライプが備えられており、これらレーザ
・ストライプのうち、特性が最も良好である一本を選択
し使用する。従って、つのチップにおいて、単一縦モー
ド発振する確率が高められる。
のレーザ・ストライプが備えられており、これらレーザ
・ストライプのうち、特性が最も良好である一本を選択
し使用する。従って、つのチップにおいて、単一縦モー
ド発振する確率が高められる。
ＤＦＢレーザの場合、これを単純に複数側照べても、少
なくとも１つが単一縦モード発振する確率が、必ずしも
向上しない。
なくとも１つが単一縦モード発振する確率が、必ずしも
向上しない。
しかし、複数本のレーザ・ストライプの端面における回
折格子の位相をそれぞれ変えることによって単一縦モー
ド発振する確率が初めて向上する。
折格子の位相をそれぞれ変えることによって単一縦モー
ド発振する確率が初めて向上する。
また、レーザ・ストライプをより多く形成すれば、上記
確率をより高められる。
確率をより高められる。
また、その様なチップを得るには、回折格子を形成する
際、将来、レーザストライプと交差する劈開面に対して
所定角度φずらして形成すれば、大変容易に、複数本の
レーザ・ストライプの端面位相をそれぞれ変えることが
できる。
際、将来、レーザストライプと交差する劈開面に対して
所定角度φずらして形成すれば、大変容易に、複数本の
レーザ・ストライプの端面位相をそれぞれ変えることが
できる。
（実施例）
以下、本発明をＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系埋込み型ＤＦ
Ｂレーザに適用した一実施例について図面を参照して詳
細に説明する。
Ｂレーザに適用した一実施例について図面を参照して詳
細に説明する。
第１図は、一実施例に係わるＤＦＢレーレーチップの斜
視図、第２図は、第１図中の２−２線に沿う断面図、第
３図は正面図である。これはつぎのようにして製作され
る。
視図、第２図は、第１図中の２−２線に沿う断面図、第
３図は正面図である。これはつぎのようにして製作され
る。
第１図乃至第３図に示すように、まず、ｎ型１ｎＰ基板
１１上に三光束干渉露光法で１次の回折格子１２を形成
し、その上にｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層１３（λ−１
，３ｕｍ帯組成）、アンドープＧａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ活
性層１４（１，５５，ｃｚｍ帯組成） ｐ型Ｇ ａ Ｉ
ｎ Ａ ｓ Ｐアンチ・メルトバック層１５（λ−１
，３μｍ帯組成） ｐ型ＩｎＰクラッド層１６、Ｐ＋型
ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層１７（λ−１，
１５μｍ帯組成）を順次積層する。そののち、エツチン
グにより、メサ・ストライブ部（＊レーザ・ストライプ
）を形成する。つぎに、その周囲を、ｐ型１ｎＰ層１８
、ｎ型１ｎＰ層１９アンドープＧａＩｎＡｓＰキャップ
層２０（λ−１，１５μｍ帯組成）を連続成長して埋め
込む（ＢＨ構造）。このとき、埋め込み領域ではｐ−ｎ
逆バイアス接合２１によって電流がブロックされるため
、ストライプ状の活性層１４にのみ、電流が効率良く注
入される。
１１上に三光束干渉露光法で１次の回折格子１２を形成
し、その上にｎ型ＧａＩｎＡｓＰ光導波層１３（λ−１
，３ｕｍ帯組成）、アンドープＧａ Ｉ ｎＡｓ Ｐ活
性層１４（１，５５，ｃｚｍ帯組成） ｐ型Ｇ ａ Ｉ
ｎ Ａ ｓ Ｐアンチ・メルトバック層１５（λ−１
，３μｍ帯組成） ｐ型ＩｎＰクラッド層１６、Ｐ＋型
ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクト層１７（λ−１，
１５μｍ帯組成）を順次積層する。そののち、エツチン
グにより、メサ・ストライブ部（＊レーザ・ストライプ
）を形成する。つぎに、その周囲を、ｐ型１ｎＰ層１８
、ｎ型１ｎＰ層１９アンドープＧａＩｎＡｓＰキャップ
層２０（λ−１，１５μｍ帯組成）を連続成長して埋め
込む（ＢＨ構造）。このとき、埋め込み領域ではｐ−ｎ
逆バイアス接合２１によって電流がブロックされるため
、ストライプ状の活性層１４にのみ、電流が効率良く注
入される。
このとき、レーザ・ストライプの端面における回折格子
の位相によって単一縦モード発振の実現性が決まること
は、既に述べた。レーザ・ストライプが１つのチップに
１本あるのが、従来のチップ構造である。
の位相によって単一縦モード発振の実現性が決まること
は、既に述べた。レーザ・ストライプが１つのチップに
１本あるのが、従来のチップ構造である。
第１図に示すように、本発明では、一つのチップの中に
、レーザ・ストライプ５ＯＡと、５０Ｂとか間隔ｄを開
けて２本並んでいる。これら２本のレーザ・ストライプ
５ＯＡ、５０Ｂは、エツチングにより形成した溝１００
で互いに電気的にアイソレートされている。そして、本
発明のレーザ・チップでは、レーザ・ストライプ５０Ａ
１５０Ｂのうち、特性が良い方のレーザ・ストライプを
、実際のレーザ発光部として使用する。
、レーザ・ストライプ５ＯＡと、５０Ｂとか間隔ｄを開
けて２本並んでいる。これら２本のレーザ・ストライプ
５ＯＡ、５０Ｂは、エツチングにより形成した溝１００
で互いに電気的にアイソレートされている。そして、本
発明のレーザ・チップでは、レーザ・ストライプ５０Ａ
１５０Ｂのうち、特性が良い方のレーザ・ストライプを
、実際のレーザ発光部として使用する。
このようなレーザ・チップは、第４図の回折格子と、骨
間面と、レーザ・ストライプとの関係を示す平面図にあ
るように、回折格子１２の溝の形成方向と骨間面とを角
度φたけずらして形成した。
間面と、レーザ・ストライプとの関係を示す平面図にあ
るように、回折格子１２の溝の形成方向と骨間面とを角
度φたけずらして形成した。
また、例えば同一チップ内に、互いに近接して形成され
た２本のレーザ・ストライプの間隔がｄの場合、単一縦
モード発振する確率が向上する端面位相差をΔθ、回折
格子周期を八とすれば、回折格子の溝の形成方向と、骨
間面の角度φとは、φ−ｊａｎ−’ （Ａ ・Δθ／２
πｄ） ＝・（１）で与えることができる。
た２本のレーザ・ストライプの間隔がｄの場合、単一縦
モード発振する確率が向上する端面位相差をΔθ、回折
格子周期を八とすれば、回折格子の溝の形成方向と、骨
間面の角度φとは、φ−ｊａｎ−’ （Ａ ・Δθ／２
πｄ） ＝・（１）で与えることができる。
この角度φの制御は、基板上に三光束干渉露光法で回折
格子を露光する際に、干渉面を骨間面に対して角度φだ
けずらせばよい。これは精密な回転台と、襞開面にレー
ザ・ビームを当てて戻り光のずれを観察する方法等で容
易に制御できた。
格子を露光する際に、干渉面を骨間面に対して角度φだ
けずらせばよい。これは精密な回転台と、襞開面にレー
ザ・ビームを当てて戻り光のずれを観察する方法等で容
易に制御できた。
なお、図中のＩｎは、レーザ・ストライプ５０Ａの断面
を、図中の■線は、レーザ・ストライプ５０Ｂの断面を
、それぞれ示している。■線、■線からも分かるように
、レーザ・ストライプ５０Ａ、５０Ｂの、それぞれの端
面における回折格子の位相は、それぞれずれている。
を、図中の■線は、レーザ・ストライプ５０Ｂの断面を
、それぞれ示している。■線、■線からも分かるように
、レーザ・ストライプ５０Ａ、５０Ｂの、それぞれの端
面における回折格子の位相は、それぞれずれている。
さて、同一チップ上に形成したレーザ・ストライプ５Ｏ
Ａ、５０Ｂの最適な端面位相差Δθであるが、これはつ
ぎのようにして求めた。
Ａ、５０Ｂの最適な端面位相差Δθであるが、これはつ
ぎのようにして求めた。
単一縦モードで発振するためには、最低、次のモードと
次のモードとのしきい値ゲイン差Δαが大きく、かつ、
前述の軸方向の空間的ホールパニングが小さくなくては
いけない。ホールバーニングが小さいためには、共振器
軸方向の光強度分布は平坦である必要がある。つまり、
規格化しきい値ゲイン差ΔαＬ（Ｌ：共振器長）か大き
く、かつ、軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比の
値Ｆが大きいことが必要条件である。そこで、一方のレ
ーザ・ストライプの端面位相をランダムに変化させ（例
えば１６Ｘ１６通り）、これらの端面位相の組み合わせ
に対し、他方のレーザ・ストライプの端面における回折
格子の位相をΔθたけずらす。そして、この場合に２本
のレーザ・ストライプのうち、少なくとも一方が上記Ｆ
およびΔαＬの条件を満たす、すなわち、単一縦モード
で発振すると考えられる確率を計算した。
次のモードとのしきい値ゲイン差Δαが大きく、かつ、
前述の軸方向の空間的ホールパニングが小さくなくては
いけない。ホールバーニングが小さいためには、共振器
軸方向の光強度分布は平坦である必要がある。つまり、
規格化しきい値ゲイン差ΔαＬ（Ｌ：共振器長）か大き
く、かつ、軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比の
値Ｆが大きいことが必要条件である。そこで、一方のレ
ーザ・ストライプの端面位相をランダムに変化させ（例
えば１６Ｘ１６通り）、これらの端面位相の組み合わせ
に対し、他方のレーザ・ストライプの端面における回折
格子の位相をΔθたけずらす。そして、この場合に２本
のレーザ・ストライプのうち、少なくとも一方が上記Ｆ
およびΔαＬの条件を満たす、すなわち、単一縦モード
で発振すると考えられる確率を計算した。
上記の確率計算を、端面位相差Δθを変化させて行い、
端面位相差Δθ−０の場合（レーザ・ストライプが１本
の場合）と比較して歩留りを大きく向上させることがで
きるΔθの範囲を決定した。
端面位相差Δθ−０の場合（レーザ・ストライプが１本
の場合）と比較して歩留りを大きく向上させることがで
きるΔθの範囲を決定した。
第５図（ａ）および（ｂ）は、その計算結果の例である
。
。
同図（ａ）の様に、規格化結合係数にＬ（回折格子によ
る光フィードバックの量を表す構造パラメータ）が１．
５で、両端面の反射率が、共に３０％の場合（両端面劈
開）、 ＋ （１／４） ・π）≦Δθ≦（（７／４） ・
π）… （２） の範囲で、曲線■に示すように３６９６以上の歩留りを
得た（１本の場合は２８％）。
る光フィードバックの量を表す構造パラメータ）が１．
５で、両端面の反射率が、共に３０％の場合（両端面劈
開）、 ＋ （１／４） ・π）≦Δθ≦（（７／４） ・
π）… （２） の範囲で、曲線■に示すように３６９６以上の歩留りを
得た（１本の場合は２８％）。
また、同図（ｂ）の様に、規格化結合係数にＬ−１，５
、一端面の反射率を３０％（劈開）、他端面の反射率を
誘電体コート等により１０％にした場合でも、上記（２
）式に示される端面位相差Δθの範囲で、曲線■に示す
ように７０％以上の歩留りを得た（１本の場合は５４％
）。
、一端面の反射率を３０％（劈開）、他端面の反射率を
誘電体コート等により１０％にした場合でも、上記（２
）式に示される端面位相差Δθの範囲で、曲線■に示す
ように７０％以上の歩留りを得た（１本の場合は５４％
）。
なお、ここで軸方向の光強度分布の最小値と最大値の比
の値Ｆ、および規格化しきい値ゲイン差ΔαＬの条件は
、次のように設定した。
の値Ｆ、および規格化しきい値ゲイン差ΔαＬの条件は
、次のように設定した。
Ｆ ≧ ０．４゜
ΔαＬ ≧ ０．１
また、上述した以外の規格化結合係数にＬｌおよび端面
反射率の値の場合でも同様に、上記（２）式に示される
端面位相差Δθの範囲でレーザ・ストライプが１本の場
合より、大きく歩留りが向上している。
反射率の値の場合でも同様に、上記（２）式に示される
端面位相差Δθの範囲でレーザ・ストライプが１本の場
合より、大きく歩留りが向上している。
さらに、上記Ｆ１およびΔαＬの条件を多少変化させて
もこの傾向は変わらなかった。
もこの傾向は変わらなかった。
実際の試験結果でも同様に、端面位相差Δθを上記（２
）式の範囲にすることで大きく歩留りが向上している。
）式の範囲にすることで大きく歩留りが向上している。
本実施例では、ワイヤ・ボンデインディングの容易さ（
ボンデインディング・パッドの大きさ）を考慮して２本
のレーザ・ストライプとしたが、３本以上のレーザ・ス
トライプを同一チップに形成した場合には、さらに、Ｄ
ＦＢレーレー単一縦モードで発振する確率が高まり、１
枚のウェファからのチップの収量を向上できる。
ボンデインディング・パッドの大きさ）を考慮して２本
のレーザ・ストライプとしたが、３本以上のレーザ・ス
トライプを同一チップに形成した場合には、さらに、Ｄ
ＦＢレーレー単一縦モードで発振する確率が高まり、１
枚のウェファからのチップの収量を向上できる。
なお、一実施例では、埋め込み型ＤＦＢレーザ・チップ
を例にとって説明したが、本発明はこれに限られること
はなく、回折格子を有する半導体レーザ・チップであれ
ば、上述した効果を損なうことなく適用できることは言
うまでもない。例えば上述した埋め込み型（ＢＨ構造）
ばかりでなく、電流狭窄によってレーザ・ストライプを
得るタイプの半導体レーザ（利得導波構造）であっても
、本発明の主旨を逸脱する範囲ではない。
を例にとって説明したが、本発明はこれに限られること
はなく、回折格子を有する半導体レーザ・チップであれ
ば、上述した効果を損なうことなく適用できることは言
うまでもない。例えば上述した埋め込み型（ＢＨ構造）
ばかりでなく、電流狭窄によってレーザ・ストライプを
得るタイプの半導体レーザ（利得導波構造）であっても
、本発明の主旨を逸脱する範囲ではない。
また、回折格子を有する半導体レーザ・チップとしては
ＤＦＢレーザのみならず、分布反射型レーザ（ＤＢＲレ
ーザ）にも応用できることは勿論である。
ＤＦＢレーザのみならず、分布反射型レーザ（ＤＢＲレ
ーザ）にも応用できることは勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、特に回折格子を
有する半導体レーザ・チップにおいて、高い確率で単一
縦モード発振するチップと、１枚のウェファからの上記
チップの収量を向上できるチップ製造方法とが提供でき
る。
有する半導体レーザ・チップにおいて、高い確率で単一
縦モード発振するチップと、１枚のウェファからの上記
チップの収量を向上できるチップ製造方法とが提供でき
る。
第１図は一実施例に係わるＤＦＢレーザ・チップの斜視
図、 第２図は第１図中の２−２線に沿う断面図、第３図は上
記チップの正面図、 第４図は回折格子形成方向と骨間面およびレーザ・スト
ライブの関係を示す平面図、第５図は端面位相差Δθと
歩留りの関係を示す図である。 １１…ｎ型１ｎＰ基板、１２…１次の回折格子、１３−
ｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰ光導波層 （λ−１，３μｍ帯組成） １４…アンドープＧａ１ｎ
ＡｓＰ活性層（λ−１，５５μｍ帯組成）、１５…ｐ型
Ｇａ１ｎＡｓＰアンチ・メルトバック層（λ−１，３ｕ
ｍ帯組成）、１６−ｐ型１ｎＰクラッド層、１７−ｐ
”型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクトＪｉ（２−１
，１５μｍ帯組成）、１８−ｐ型１ｎＰ層、１９−ｎ型
ＩｎＰ層、２０…アンドープＧａＩｎＡｓＰキャップ層
（λ−１，１５μｍ帯組成） ２１…ｐ−ｎ逆バイアス
接合、２２…ｐ側電極、２３…ｎ側電極、 ４０…回折格子、５０Ａ、５０Ｂ…レーザ・ストライブ
、１００…電気的アイソレーションのためにエツチング
により形成した溝。
図、 第２図は第１図中の２−２線に沿う断面図、第３図は上
記チップの正面図、 第４図は回折格子形成方向と骨間面およびレーザ・スト
ライブの関係を示す平面図、第５図は端面位相差Δθと
歩留りの関係を示す図である。 １１…ｎ型１ｎＰ基板、１２…１次の回折格子、１３−
ｎ型Ｇａ１ｎＡｓＰ光導波層 （λ−１，３μｍ帯組成） １４…アンドープＧａ１ｎ
ＡｓＰ活性層（λ−１，５５μｍ帯組成）、１５…ｐ型
Ｇａ１ｎＡｓＰアンチ・メルトバック層（λ−１，３ｕ
ｍ帯組成）、１６−ｐ型１ｎＰクラッド層、１７−ｐ
”型ＧａＩｎＡｓＰオーミックコンタクトＪｉ（２−１
，１５μｍ帯組成）、１８−ｐ型１ｎＰ層、１９−ｎ型
ＩｎＰ層、２０…アンドープＧａＩｎＡｓＰキャップ層
（λ−１，１５μｍ帯組成） ２１…ｐ−ｎ逆バイアス
接合、２２…ｐ側電極、２３…ｎ側電極、 ４０…回折格子、５０Ａ、５０Ｂ…レーザ・ストライブ
、１００…電気的アイソレーションのためにエツチング
により形成した溝。
Claims (3)
- （１）光導波路を含むレーザ・ストライプに沿って回折
格子を有する半導体レーザ・チップにおいて、 一つの前記チップの中に、互いに電気的にアイソレート
された複数本の前記レーザ・ストライプを備え、 複数本の前記レーザ・ストライプ端面における前記回折
格子の端面位相は、それぞれ異なっていることを特徴と
する半導体レーザ・チップ。 - （２）前記複数本のレーザ・ストライプの端面における
回折格子の位相の差をΔθとしたとき、前記Δθは、 （２ｎ＋１／４）π≦Δθ≦（２ｎ＋７／４）π（ｎ；
０、１、２…整数） の範囲にあることを特徴とする請求項（１）記載の半導
体レーザ・チップ。 - （３）光導波路を含むレーザ・ストライプに沿って回折
格子を有する半導体レーザ・チップの製造方法において
、 半導体基板上に、レーザ・ストライプを構成する半導体
層を形成する工程と、 前記半導体基板上に、将来レーザ・ストライプと交差す
る劈開面に対し、所定の角度φずらして回折格子を形成
する工程と、 前記半導体層に複数のレーザ・ストライプを形成する工
程と、 前記複数のレーザ・ストライプのうち、所定のレーザ・
ストライプ同士を互い電気的にアイソレートするアイソ
レート領域を選択的に形成する工程と、 前記アイソレート領域を含み、かつレーザ・ストライプ
を複数含んだレーザ・チップに劈開する工程と、 を具備することを特徴とする半導体レーザ・チップの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2066685A JPH0724324B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 |
| KR1019910003968A KR910017703A (ko) | 1990-03-16 | 1991-03-13 | 반도체레이저 칩 및 그 제조방법 |
| EP19910104035 EP0447983A3 (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Semiconductor laser chip and method of making the same |
| US07/670,271 US5065406A (en) | 1990-03-16 | 1991-03-15 | Semiconductor laser chip and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2066685A JPH0724324B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268379A true JPH03268379A (ja) | 1991-11-29 |
| JPH0724324B2 JPH0724324B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13323035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2066685A Expired - Fee Related JPH0724324B2 (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ・チップおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065406A (ja) |
| EP (1) | EP0447983A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0724324B2 (ja) |
| KR (1) | KR910017703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5942964A (en) * | 1996-07-19 | 1999-08-24 | Takeuchi Industrial Co., Ltd. | Noise absorbing apparatus |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878778A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 |
| US6088374A (en) * | 1997-04-15 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures |
| US6421363B1 (en) * | 1998-03-17 | 2002-07-16 | Marek A. Osinski | Semiconductor lasers and amplifiers with grating-induced anisotropic waveguide |
| US7606284B2 (en) * | 2005-12-05 | 2009-10-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor laser structure including quantum dot |
| WO2019228426A1 (en) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Laser chip design |
| CN112114404A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | 福州高意通讯有限公司 | 一种阵列光纤输出激光器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5810882A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-21 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| JPS61279191A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS62158377A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | Sony Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
| EP0361399A3 (en) * | 1988-09-28 | 1990-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Semmiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
| US4985897A (en) * | 1988-10-07 | 1991-01-15 | Trw Inc. | Semiconductor laser array having high power and high beam quality |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2066685A patent/JPH0724324B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-13 KR KR1019910003968A patent/KR910017703A/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-03-15 EP EP19910104035 patent/EP0447983A3/en not_active Withdrawn
- 1991-03-15 US US07/670,271 patent/US5065406A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5942964A (en) * | 1996-07-19 | 1999-08-24 | Takeuchi Industrial Co., Ltd. | Noise absorbing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5065406A (en) | 1991-11-12 |
| JPH0724324B2 (ja) | 1995-03-15 |
| EP0447983A3 (en) | 1992-03-04 |
| KR910017703A (ko) | 1991-11-05 |
| EP0447983A2 (en) | 1991-09-25 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |