JPS6145315A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
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- JPS6145315A JPS6145315A JP59167466A JP16746684A JPS6145315A JP S6145315 A JPS6145315 A JP S6145315A JP 59167466 A JP59167466 A JP 59167466A JP 16746684 A JP16746684 A JP 16746684A JP S6145315 A JPS6145315 A JP S6145315A
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- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
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- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
- G05F3/222—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
- G05F3/225—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the temperature
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は出力[FEの温度特性を任意に設定し得る基準
電圧発生回路に関する。
電圧発生回路に関する。
(従来の技術)
従来、基準電圧発生回路としては、第2図に示す様な抵
抗RILと定電流源工0及びエミッタフォロアによる回
路が広く用いられ、出力基準電圧VBの温度特性を定電
流源IOの電流の温度特性を制御する事で設定する方法
が取られてきた。
抗RILと定電流源工0及びエミッタフォロアによる回
路が広く用いられ、出力基準電圧VBの温度特性を定電
流源IOの電流の温度特性を制御する事で設定する方法
が取られてきた。
(発明が解決しようとする問題点)
所が、一般に定電流源工oは、第3図に示す様なトラン
ジスタQ3と抵抵RBを用いた回路によって構成し、こ
の時、駆動電圧源VO8に適当な温度特性を与えて、電
流値IOの制御を行なうが、上記電圧源VCaは基準電
圧発生回路以外の多数のゲート回路等に於ける定電流源
の駆動に共用される事が多い為、基準電圧発生回路の出
力電圧に独立に任意の温度特性を与える事ができないと
いう欠点があった。
ジスタQ3と抵抵RBを用いた回路によって構成し、こ
の時、駆動電圧源VO8に適当な温度特性を与えて、電
流値IOの制御を行なうが、上記電圧源VCaは基準電
圧発生回路以外の多数のゲート回路等に於ける定電流源
の駆動に共用される事が多い為、基準電圧発生回路の出
力電圧に独立に任意の温度特性を与える事ができないと
いう欠点があった。
即チ、トランジスタのペース・エミ、り順方向電圧をv
Fとすると、第3図で、定電流源電流値工◇は Io :(Vas −VF )/RI!となシ、従りて
基準電圧出力vRは vR=−IORL−vF となる。
Fとすると、第3図で、定電流源電流値工◇は Io :(Vas −VF )/RI!となシ、従りて
基準電圧出力vRは vR=−IORL−vF となる。
上式で抵抗比RL/RBが温度〈対して一定とすると基
準電圧■几の温度特性は で与えられる。このとき、dVF/dTはトランジスタ
の物理的パラメータと考えられるから、ctvB/dT
を希望の値にするには駆動電圧VO8の温度特性を を満足するように設定すれば良いことになる。
準電圧■几の温度特性は で与えられる。このとき、dVF/dTはトランジスタ
の物理的パラメータと考えられるから、ctvB/dT
を希望の値にするには駆動電圧VO8の温度特性を を満足するように設定すれば良いことになる。
所が、駆動電圧源VO8を共用する他の定電流源ご1・
、1 工1の所望温度特性dIl/dTは、
上記と同様に、ト表ワサレ、dV、/dT 、aaB/
d’rhそレソレトランジスタ、抵抗の物理的パラメー
タと着像されているから、このd11/dTを満足する
dvos/dTの値が(1)式を満たすdVoa/aT
と一致しない場合が生じた時、どちらかの定電流源を別
個の駆動電圧源によって駆動し、各々異なるdVos/
dTを設定する以外方法がない。これは半導体装置の占
有面積又は容積や、消費電力の増加につながる他、一般
に精密な設計を要する駆動電圧源の数が増える為の設計
工数の増加等好ましくない影響を与える。
上記と同様に、ト表ワサレ、dV、/dT 、aaB/
d’rhそレソレトランジスタ、抵抗の物理的パラメー
タと着像されているから、このd11/dTを満足する
dvos/dTの値が(1)式を満たすdVoa/aT
と一致しない場合が生じた時、どちらかの定電流源を別
個の駆動電圧源によって駆動し、各々異なるdVos/
dTを設定する以外方法がない。これは半導体装置の占
有面積又は容積や、消費電力の増加につながる他、一般
に精密な設計を要する駆動電圧源の数が増える為の設計
工数の増加等好ましくない影響を与える。
本発明の目的は定電流源駆動電圧の温度特性に拘束され
ず任意に温度特性を設定できる基準電圧発生回路を提供
することにある。
ず任意に温度特性を設定できる基準電圧発生回路を提供
することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の基準電圧発生回路は、高電位側を源と定電流源
との間に第1の抵抗と第2の抵抗を直列罠接続し、前記
高電位側電源と前記定電流源との間に第3の抵抗とダイ
オードとを直列Kかつ該ダイオードのカソード側が前記
定電流源に接続される様に接続し、前記第1の抵抗と、
前記第2の抵抗との接続点からエミツタ7オロア回路を
介して基準電圧を取)出す事を特徴として構成される。
との間に第1の抵抗と第2の抵抗を直列罠接続し、前記
高電位側電源と前記定電流源との間に第3の抵抗とダイ
オードとを直列Kかつ該ダイオードのカソード側が前記
定電流源に接続される様に接続し、前記第1の抵抗と、
前記第2の抵抗との接続点からエミツタ7オロア回路を
介して基準電圧を取)出す事を特徴として構成される。
(実施例)
次に1本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例は、高電位側電源Tooと定電流源との間に
第1の抵抗R1と第2の抵抗R2’に直列接続し、高電
位側電源VOOと定電流源との間に第3の抵抗比3とダ
イオードDiとを直列忙、かつ該ダイオードDiのカソ
ード側が定電流源に接続されるように接続し、第1の抵
抗R1と第2の抵抗比2との接続点からエミッタホロワ
回路を介して基準電圧vRを取出すように構成される。
第1の抵抗R1と第2の抵抗R2’に直列接続し、高電
位側電源VOOと定電流源との間に第3の抵抗比3とダ
イオードDiとを直列忙、かつ該ダイオードDiのカソ
ード側が定電流源に接続されるように接続し、第1の抵
抗R1と第2の抵抗比2との接続点からエミッタホロワ
回路を介して基準電圧vRを取出すように構成される。
ここで、定電流源はトランジスタQsと抵抗RBと定電
流駆動電圧源VO8とで構成される。
流駆動電圧源VO8とで構成される。
この実施例くおいて、定を流工0は、第【及び第2の抵
抗比1y”2の直列回路に流れるt流工lと、抵抗比3
とダイオードDiの直列回路に流れる電流工2とに分流
し、基準電圧VBは、抵抗比lの一端からトランジスタ
Qse抵抗RBFによるエミッタフォロア回路によシ、 VR=−IIRl−V、・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ +21として取出される。ここで、各部電流
工1及び工2は、以下の様忙して求められる。
抗比1y”2の直列回路に流れるt流工lと、抵抗比3
とダイオードDiの直列回路に流れる電流工2とに分流
し、基準電圧VBは、抵抗比lの一端からトランジスタ
Qse抵抗RBFによるエミッタフォロア回路によシ、 VR=−IIRl−V、・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ +21として取出される。ここで、各部電流
工1及び工2は、以下の様忙して求められる。
I 1(Rt + Rz ) = IzRs +Vn
=(31ここで、VDはダイオードDiの順方向電圧で
、一般に vDzvF・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4
1となる。従って、 Io = I 1+I 2 =(Vos−VF ) /
Rm ・・・(51・・・・・・・・・・・・・・・(
6)と表わされる。従って、基準電圧vRは、(11式
を(21式に代入し整理することくよシ ・・・・・・・・・・・・・・・(7)と表わされる。
=(31ここで、VDはダイオードDiの順方向電圧で
、一般に vDzvF・・・・・・・・・・・・・・・・・・(4
1となる。従って、 Io = I 1+I 2 =(Vos−VF ) /
Rm ・・・(51・・・・・・・・・・・・・・・(
6)と表わされる。従って、基準電圧vRは、(11式
を(21式に代入し整理することくよシ ・・・・・・・・・・・・・・・(7)と表わされる。
ここでΣB=R1−1−Rz−)−R3である。
更に(7)式から出力電圧vRの温度特性は1vy
−1)〒・・・・・・・・・・・・・・・18+と表わ
される。(7)式は基準電圧出力の絶対値を(8)式は
その出力の温度特性を与える式である。
される。(7)式は基準電圧出力の絶対値を(8)式は
その出力の温度特性を与える式である。
ここで、駆動電圧VO8及びその温度特性d V□ B
/dT )ランジスタのペース・エミッタ順方向電圧
Vy及びその温度特性は、定電流源駆動電圧源VO8t
−共用する他の回路からの特性要求及びトランジスタの
物理的パンメータとして予め与えられ\るものとすれば
、−(71、(81式共満足する様に2つの抵抗比R1
/ΣRとR3/ RB とを設定すればよい事になる。
/dT )ランジスタのペース・エミッタ順方向電圧
Vy及びその温度特性は、定電流源駆動電圧源VO8t
−共用する他の回路からの特性要求及びトランジスタの
物理的パンメータとして予め与えられ\るものとすれば
、−(71、(81式共満足する様に2つの抵抗比R1
/ΣRとR3/ RB とを設定すればよい事になる。
即チ、+71 、 +81式テ、R,几、 d VR/
d T Ic所’Jl値、V(,3、d V03 /
d T及びVF、 dvp/ct’rに各々4値を代入
し、几l/ΣRとR3/ RBとを未知数とする二元−
次連立方程式としてその解を得る事によシ、任意oVB
、dVR/dT2実現する事ができる。
d T Ic所’Jl値、V(,3、d V03 /
d T及びVF、 dvp/ct’rに各々4値を代入
し、几l/ΣRとR3/ RBとを未知数とする二元−
次連立方程式としてその解を得る事によシ、任意oVB
、dVR/dT2実現する事ができる。
ここで、基準電圧値V几とその温度特性dVB/dTの
設計に於いて、使用抵抗の絶対値でなく、各抵抗間の抵
抗比を用いている事Fi、抵抗の絶対値は大きくばらつ
くがその相対比は精度よく製作でき、半導体集積回路へ
の応用に向いている事になシ、本発明は当該応用に特に
好適であると言える。
設計に於いて、使用抵抗の絶対値でなく、各抵抗間の抵
抗比を用いている事Fi、抵抗の絶対値は大きくばらつ
くがその相対比は精度よく製作でき、半導体集積回路へ
の応用に向いている事になシ、本発明は当該応用に特に
好適であると言える。
上記実施例ではNPNトランジスタを用いたがPNP
トランジスタを用いても同様の効果が得られることは明
らかである。
トランジスタを用いても同様の効果が得られることは明
らかである。
(発明の効果)
以上説明した様く本発明では使用抵抗間の抵抗比を適当
に設定する事により、定電流源駆動電圧の絶対値及びそ
の温度特性に拘束される事なく基準電圧発生回路の出力
電圧及びその@度特性を任意に設計可能となる。これに
よシ、駆動電圧源数の増加をなくシ、半導体集積回路に
あっては、そのチップ面積の有効利用、設計の簡単化が
図れる基準電圧発生回路が得られるという効果がある。
に設定する事により、定電流源駆動電圧の絶対値及びそ
の温度特性に拘束される事なく基準電圧発生回路の出力
電圧及びその@度特性を任意に設計可能となる。これに
よシ、駆動電圧源数の増加をなくシ、半導体集積回路に
あっては、そのチップ面積の有効利用、設計の簡単化が
図れる基準電圧発生回路が得られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の基
準電圧発生回路の一例の回路図、第3図は従来の基準電
圧発生回路の他の例の回路図である。 Di・・・・・・ダイオード、G・・・・・・任意の回
路網、I。 ・・・・・・定電流源s 工1・・・・・・定電流s
Ql〜Q6・・・・・・トランジスタ、R1,Rz、几
3.RB、RIB’、REF、RIL・・・・・・抵抗
、Voo・・・・・・高電位側電源s ■O8・・・・
・・定電流源駆動電圧源、vEF・・・・・・低電位側
電源、vR・・・・・・基準電圧。 @f 図 第2図 第:11イ1
準電圧発生回路の一例の回路図、第3図は従来の基準電
圧発生回路の他の例の回路図である。 Di・・・・・・ダイオード、G・・・・・・任意の回
路網、I。 ・・・・・・定電流源s 工1・・・・・・定電流s
Ql〜Q6・・・・・・トランジスタ、R1,Rz、几
3.RB、RIB’、REF、RIL・・・・・・抵抗
、Voo・・・・・・高電位側電源s ■O8・・・・
・・定電流源駆動電圧源、vEF・・・・・・低電位側
電源、vR・・・・・・基準電圧。 @f 図 第2図 第:11イ1
Claims (1)
- 高電位側電源と定電流源との間に第1の抵抗と第2の抵
抗を直列に接続し、前記高電位側電源と前記定電流源と
の間に第3の抵抗とダイオードとを直列にかつ該ダイオ
ードのカソード側が前記定電流源に接続される様に接続
し、前記第1の抵抗と、前記第2の抵抗との接続点から
エミッタフォロア回路を介して基準電圧を取り出す事を
特徴とする基準電圧発生回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59167466A JPH0668706B2 (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 基準電圧発生回路 |
US06/763,462 US4658205A (en) | 1984-08-10 | 1985-08-07 | Reference voltage generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59167466A JPH0668706B2 (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 基準電圧発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6145315A true JPS6145315A (ja) | 1986-03-05 |
JPH0668706B2 JPH0668706B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15850196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59167466A Expired - Lifetime JPH0668706B2 (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4658205A (ja) |
JP (1) | JPH0668706B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4736125A (en) * | 1986-08-28 | 1988-04-05 | Applied Micro Circuits Corporation | Unbuffered TTL-to-ECL translator with temperature-compensated threshold voltage obtained from a constant-current reference voltage |
JPH02191012A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-26 | Nec Corp | 電圧発生回路 |
US4990846A (en) * | 1990-03-26 | 1991-02-05 | Delco Electronics Corporation | Temperature compensated voltage reference circuit |
DE69122797T2 (de) * | 1990-03-30 | 1997-04-03 | Texas Instruments Inc | Referenzspannungs mit steilem Temperaturkoeffizent und Betriebsweise |
JPH03296118A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 基準電圧発生回路 |
NL9002716A (nl) * | 1990-12-11 | 1992-07-01 | Philips Nv | Voedingsschakeling. |
DE69224136T2 (de) * | 1991-10-21 | 1998-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Spannungsgeneratoreinrichtung |
US5604425A (en) * | 1994-08-08 | 1997-02-18 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Power limiting regulator |
JP2867947B2 (ja) * | 1996-03-28 | 1999-03-10 | 日本電気株式会社 | 参照電位発生回路 |
KR100201837B1 (ko) * | 1996-11-28 | 1999-06-15 | 전주범 | 직류 제어 차동 베이스 전압 발생 회로 |
US5877615A (en) * | 1997-11-06 | 1999-03-02 | Utek Semiconductor Corporation | Dynamic input reference voltage adjuster |
CN101957626B (zh) * | 2010-09-02 | 2012-01-11 | 北京航空航天大学 | 一种可提高恒流源精度的恒流源电路 |
CN112910224B (zh) * | 2021-01-16 | 2022-07-08 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种降压变换器的控制电路以及服务器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55127620A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Hitachi Ltd | Constant-current circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4091321A (en) * | 1976-12-08 | 1978-05-23 | Motorola Inc. | Low voltage reference |
US4234806A (en) * | 1978-07-05 | 1980-11-18 | Raytheon Company | Monostable multivibrator employing nonsaturating switching transistor |
EP0031678B1 (en) * | 1979-12-19 | 1986-06-11 | Seiko Epson Corporation | A voltage regulator for a liquid crystal display |
US4282477A (en) * | 1980-02-11 | 1981-08-04 | Rca Corporation | Series voltage regulators for developing temperature-compensated voltages |
US4460865A (en) * | 1981-02-20 | 1984-07-17 | Motorola, Inc. | Variable temperature coefficient level shifting circuit and method |
US4533842A (en) * | 1983-12-01 | 1985-08-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Temperature compensated TTL to ECL translator |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP59167466A patent/JPH0668706B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-08-07 US US06/763,462 patent/US4658205A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55127620A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Hitachi Ltd | Constant-current circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4658205A (en) | 1987-04-14 |
JPH0668706B2 (ja) | 1994-08-31 |
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