JPS6140628A - メモリ回路 - Google Patents

メモリ回路

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Publication number
JPS6140628A
JPS6140628A JP16305784A JP16305784A JPS6140628A JP S6140628 A JPS6140628 A JP S6140628A JP 16305784 A JP16305784 A JP 16305784A JP 16305784 A JP16305784 A JP 16305784A JP S6140628 A JPS6140628 A JP S6140628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ram
gates
orxn
orx0
lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16305784A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Kanai
金井 徹郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6140628A publication Critical patent/JPS6140628A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の属する技術分野) 本発明はメモリに関し、とくにマイクロコンピュータに
内蔵されている書込み読み出し可能なメモリの初期値設
定回路に関する。
(従来技術) 書込み読み出し可能なメモリは電源投入時に内容が不定
であり初期設定する必要がある。従来の書き込み読み出
し可能な、メモリ(以下、RAMという)の初期値設定
動作を第1図を用いて説明する。
第1図においてRxoyo〜Rxnynは各々RAMを
構成する1ビツト記憶素子(1メモリセル)、AD(1
〜人DfiはRAMのアドレスを示すアドレス信号、 R,%R,は読み出しバッファ、 Wo% wn は青
き込みバッファ、Do ”−D nは書き込み及び読み
出しデータである。
初期設定ではまずアドレス信号AD、で選択されるRA
MのRxoyeからRxnye K書き込みデータであ
るり、%D、よ6ハイレベル@1″mあるいはロウレベ
ル10″が書き込まれる。
次にアドレス信号人DIで選択されるRXtjYlから
RXnylが同様に初期設定される。このように順次ア
ドレス信号でRAMを選択しながらRAMに初期値を書
き込みすべてのRAMに@1”あるいは′″0″′を初
期設定していた。
以上のような初期値設定の場合ワードアドレス毎にデー
タを書き込マまければならないので初期設定完了までに
時間がかかるという欠点があった。
(本発明の目的)   ′ 本発明の目的は極めて短い時間でRAMの初期値設定を
行うことのできる初期値設定回路を提供。
するものである。      。
(発明の構成)     ′ 本発明の初期値設定回路はRAMのすべてのワード線を
同時に選択する手段とRAMのすべてのビット線に同時
にデータを与える手段とを含んで構成される。    
 ゛ (実施例の説明) 次に本発明の一実施例について図面を用いて説明する。
第2図は本発明の一実施例のブロック図である。
通tマイタ日コンピスータは電源投入後RESET信号
によりCPU及びその他の回路の初期値設定を行ってい
るので本実施例ではRESET信号をRAMの初期設定
のための制御信号として用いる。
第2図でORy o〜0Ryne  ORxm〜0Rx
n はORゲートであり、その他第1図と同じ記号で示
されたものは同一機能である。まずRg8ET信号をハ
イレベル′″1″にするとouy、〜0Ryn 。
ORゲート出力が同時に′1″になりすべてのRAMセ
ルのワード線を同時に選択する。またRE8ET信号を
@ 111にすると、ビットliK接続され九0 Rx
 o〜0Rxnの出力がすべて同時に′″1″になるた
めすべてのRAMセルに同時に″1″が書き込まれ、初
期値@1@ですべてのRAMは初期設定される。
またロウレベル@θ″′にて初期設定をする場合は0R
x0〜0RxnをNORゲートにしD0〜Dnの信号を
反転し0Rxo〜ORx、  の入力信号とすれば実現
できる。
(発明の効果) 以上のように本発明によればマイクロコンビニ−′on
nsn′r等o制mm号1極J61短In時間K   
   lRAMの初期設定を行うことができる。   
       1々お、本発明はマイクロコンビ為−タ
内のRAMたけに限られることはなく、ディスクリート
のRAMチップにも同様に適用できることは明らかであ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のRAMブロック図、第2図は本発明の一
実施例のRAMブロック図でめる。 Rxoyo 〜Rxnytr−=RAM1ビット記憶素
子、^Do〜ムDn ・・・・・・アドレス信号s R
O〜Rn・・・−RAM読み出しバッファ、’We 〜
W n ”” ・” RA M書き込みバッファ、OR
yo〜0RynsORxe〜0Rxn・・・・・・OR
ゲート。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  データ書込可能なメモリにおいて、前記メモリのすべ
    てのワード線を同時に選択する手段と、前記メモリのす
    べてのビット線に同時に同一のデータを与える手段とを
    含むことを特徴とするメモリ回路。
JP16305784A 1984-08-02 1984-08-02 メモリ回路 Pending JPS6140628A (ja)

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JP16305784A JPS6140628A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 メモリ回路

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JP16305784A JPS6140628A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 メモリ回路

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JPS6140628A true JPS6140628A (ja) 1986-02-26

Family

ID=15766352

Family Applications (1)

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JP16305784A Pending JPS6140628A (ja) 1984-08-02 1984-08-02 メモリ回路

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JP (1) JPS6140628A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63311551A (ja) * 1987-06-15 1988-12-20 Fujitsu Ltd メモリ初期化方式
JPH0289291A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp スタティックランダムアクセスメモリ
JPH0413293A (ja) * 1990-04-30 1992-01-17 Nec Ic Microcomput Syst Ltd メモリ回路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5067044A (ja) * 1973-10-15 1975-06-05
JPS5291620A (en) * 1976-01-29 1977-08-02 Toshiba Corp Memory element preset circuit
JPS5785255A (en) * 1980-11-17 1982-05-27 Nec Corp Memory storage for integrated circuit

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5067044A (ja) * 1973-10-15 1975-06-05
JPS5291620A (en) * 1976-01-29 1977-08-02 Toshiba Corp Memory element preset circuit
JPS5785255A (en) * 1980-11-17 1982-05-27 Nec Corp Memory storage for integrated circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63311551A (ja) * 1987-06-15 1988-12-20 Fujitsu Ltd メモリ初期化方式
JPH0289291A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp スタティックランダムアクセスメモリ
JPH0413293A (ja) * 1990-04-30 1992-01-17 Nec Ic Microcomput Syst Ltd メモリ回路

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