JPS61294527A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPS61294527A JPS61294527A JP13737185A JP13737185A JPS61294527A JP S61294527 A JPS61294527 A JP S61294527A JP 13737185 A JP13737185 A JP 13737185A JP 13737185 A JP13737185 A JP 13737185A JP S61294527 A JPS61294527 A JP S61294527A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- resistor
- reference voltage
- constant current
- manufacturing process
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバイポーラ回路を有する集積回路に用いられる
基準電圧発生回路に関する。
基準電圧発生回路に関する。
従来から、基準電圧発生回路として用いられる回路に、
シ請ットキー−バリャ・ダイオード(以下単にダイオー
ドと記す)に並列に接続した抵抗の比により、ダイオー
ドの順方向電圧Vsを分割して、基準電圧を発生させる
回路がある。
シ請ットキー−バリャ・ダイオード(以下単にダイオー
ドと記す)に並列に接続した抵抗の比により、ダイオー
ドの順方向電圧Vsを分割して、基準電圧を発生させる
回路がある。
第2図は従来の基準電圧発生回路の一例の回路図である
。
。
ダイオードDとその直列抵抗Rsに並列し抵抗R1,R
2を接続し、定電流を流すべく、トランジスタTrのエ
ミッタに接続された抵抗B3で一定の電圧降下を生むよ
うにT「のベースに一定電圧を印加しである。基準電圧
vRは、几1とR2の比により、(ダイオードDの頭方
向電圧Vf)十(抵抗Rsの電位降下分)を分割し、V
cc を基準に出力電圧を取出す。出力電圧VRは次
式で表わされる。
2を接続し、定電流を流すべく、トランジスタTrのエ
ミッタに接続された抵抗B3で一定の電圧降下を生むよ
うにT「のベースに一定電圧を印加しである。基準電圧
vRは、几1とR2の比により、(ダイオードDの頭方
向電圧Vf)十(抵抗Rsの電位降下分)を分割し、V
cc を基準に出力電圧を取出す。出力電圧VRは次
式で表わされる。
ここで、抵抗値のばらつきによって、ダイオードDに流
れる電流は変化するが、順方向電圧(Vf ) の電
流密度変化に対する変化量は小さい。従って、vRのば
らつきは、Rt 、Rs 、Has 、BSの比が正し
く出て忘れば/トさい。
れる電流は変化するが、順方向電圧(Vf ) の電
流密度変化に対する変化量は小さい。従って、vRのば
らつきは、Rt 、Rs 、Has 、BSの比が正し
く出て忘れば/トさい。
ところが、Rsはシ1ットキー・バリヤーダイオードを
形成する半導体領域の抵抗であり、IC内で便用される
抵抗孔!〜R3とはl異なる製造工程で製造される場合
が多い。この為、几Sと几l。
形成する半導体領域の抵抗であり、IC内で便用される
抵抗孔!〜R3とはl異なる製造工程で製造される場合
が多い。この為、几Sと几l。
几2.R3では、抵抗値が無関係でばらつくことになる
。Rsのばらつきをα(%)、R1、Rz 、几3のば
らつきをβ(%)とすると、V+aのばらつきΔvRは ・・・・・(5) となる。(5)式より、 (Rs+Rz):Rs=+ Rt : Rs−Rt/E
、s −−(6)の比をとるように、つまり 几3=几l+Rz ・・−・−(7
)の関係を満たすように抵抗値を選ぶと、ΔVR=Oと
なり、抵抗のばらつきに対して、出力電圧のばらつきを
補償できることになる。
。Rsのばらつきをα(%)、R1、Rz 、几3のば
らつきをβ(%)とすると、V+aのばらつきΔvRは ・・・・・(5) となる。(5)式より、 (Rs+Rz):Rs=+ Rt : Rs−Rt/E
、s −−(6)の比をとるように、つまり 几3=几l+Rz ・・−・−(7
)の関係を満たすように抵抗値を選ぶと、ΔVR=Oと
なり、抵抗のばらつきに対して、出力電圧のばらつきを
補償できることになる。
しかし、(力式のように抵抗値を決めると、(2)式。
(3)式からRs=Q またはl2=0となり、現実
と矛盾する。つまり、抵抗の比をとることにより。
と矛盾する。つまり、抵抗の比をとることにより。
Vaのばらつきを保償することはできない。その為に、
vRが製造ロフトにより大きくばらつくことがあった。
vRが製造ロフトにより大きくばらつくことがあった。
このように従来例にSいては、抵抗値の製造ばらつきに
対して基準電圧のばらつきを補償することは非常に困難
なことであるという問題があった。
対して基準電圧のばらつきを補償することは非常に困難
なことであるという問題があった。
本発明の目的は、製造工程の異なる二種類の抵抗の製造
ばらつきに対しても出力電圧のばらつきを補償すること
のできる基準電圧発生回路を提供することにある。
ばらつきに対しても出力電圧のばらつきを補償すること
のできる基準電圧発生回路を提供することにある。
本発明の基準電位発生回路は、低電位側電源に一端が接
続される第1の抵抗と該第1の抵抗の他端にエミッタが
接続しベースが定電圧源に接続しコ1/クタから定電流
を取出すトランジスタとを含んで構成される定電流回路
部と、高電位側電源にアノードが接続するダイオードと
該ダイオードのカソードと前記トランジスタのコレクタ
との間に接続する第2の抵抗と前記高電位側電源と前記
トランジスタのコレクタとの間に直列接続された第3の
抵抗及び第4の抵抗とを含んで構成される基準電圧発生
部とから成る基準電圧発生回路に2いて、前記第1の抵
抗が前記第2の抵抗と同じ製造工程で作られた第5の抵
抗と前記第2及び第3の抵抗と同じ製造工程で作られた
第6の抵抗との並列接続で構成されていることを時数と
する。
続される第1の抵抗と該第1の抵抗の他端にエミッタが
接続しベースが定電圧源に接続しコ1/クタから定電流
を取出すトランジスタとを含んで構成される定電流回路
部と、高電位側電源にアノードが接続するダイオードと
該ダイオードのカソードと前記トランジスタのコレクタ
との間に接続する第2の抵抗と前記高電位側電源と前記
トランジスタのコレクタとの間に直列接続された第3の
抵抗及び第4の抵抗とを含んで構成される基準電圧発生
部とから成る基準電圧発生回路に2いて、前記第1の抵
抗が前記第2の抵抗と同じ製造工程で作られた第5の抵
抗と前記第2及び第3の抵抗と同じ製造工程で作られた
第6の抵抗との並列接続で構成されていることを時数と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例は、低電位側を源VEEに一端が接続される
第1の抵抗とこの第1の抵抗R3の他端にエミッタが接
続しベースが定電圧源に接続しコ1/クタから定電流を
取出すトランジスタTrとを含んで構成される定電流回
路部と、高電位側電源Vccにアノードが接続するダイ
オードDとこのダイオードのカソードとトランジスタT
rのコレクタとの間に接続する第2の抵抗孔Sと高電位
側電源VCCとトランジスタTrのコレクタとの間に直
列接続されたWc3の抵抗R1及び第4の抵抗孔2とを
含んで構成される基準電圧発生部とから成る基準電圧発
生回路において、第1の抵抗が第2の抵抗Rsと同じ製
造工程で作られた第5の抵抗R4と第2及び第3の抵抗
R1,Rsと同じ製造工程で作られた第6の抵抗Rsと
の並列接続で構成されている。
第1の抵抗とこの第1の抵抗R3の他端にエミッタが接
続しベースが定電圧源に接続しコ1/クタから定電流を
取出すトランジスタTrとを含んで構成される定電流回
路部と、高電位側電源Vccにアノードが接続するダイ
オードDとこのダイオードのカソードとトランジスタT
rのコレクタとの間に接続する第2の抵抗孔Sと高電位
側電源VCCとトランジスタTrのコレクタとの間に直
列接続されたWc3の抵抗R1及び第4の抵抗孔2とを
含んで構成される基準電圧発生部とから成る基準電圧発
生回路において、第1の抵抗が第2の抵抗Rsと同じ製
造工程で作られた第5の抵抗R4と第2及び第3の抵抗
R1,Rsと同じ製造工程で作られた第6の抵抗Rsと
の並列接続で構成されている。
つまり、抵抗R4はダイオードの直列抵抗Rsと同じ製
造工程で作られてぶり、抵抗Rsは抵抗几5とは同じ製
造工程で作られる。従って、抵抗R1,R2,R1はR
4,R8と製造工程の異なる抵抗である。
造工程で作られてぶり、抵抗Rsは抵抗几5とは同じ製
造工程で作られる。従って、抵抗R1,R2,R1はR
4,R8と製造工程の異なる抵抗である。
この基準電圧発生回路の出力電圧vnはとなる。ただし
、R4とR1の合成抵抗値は、従来回路(第2図)のR
3の値と同じにする。 っである。
、R4とR1の合成抵抗値は、従来回路(第2図)のR
3の値と同じにする。 っである。
ここで、R11,R4とRx、Rv、Rsが製造ばらつ
きにより、無関係にばらついたときの出力電圧のばらつ
きを考える。
きにより、無関係にばらついたときの出力電圧のばらつ
きを考える。
Rs、几4のばらつきをα(%)に、Rx、Rz。
R5のばらつきをβ(%)としたときの出力電圧vRの
ばらつきΔVn は、 ・・・・(10) となる。(10)式より の比をとるよう抵抗を選ぶと、ΔVR= 0 となり
抵抗のばらつきに対して、出力電圧VRのばらつきを樵
′償できることがわかる。また、(11)式の比をとる
ように抵抗を選んだ時は、 となり、現実に矛盾することな(、抵抗値を決定できる
。
ばらつきΔVn は、 ・・・・(10) となる。(10)式より の比をとるよう抵抗を選ぶと、ΔVR= 0 となり
抵抗のばらつきに対して、出力電圧VRのばらつきを樵
′償できることがわかる。また、(11)式の比をとる
ように抵抗を選んだ時は、 となり、現実に矛盾することな(、抵抗値を決定できる
。
つまり、第1図の回路構成において、各抵抗の比をとる
ことにより、抵抗の製造ばらつきに対して、出力電圧V
aのばらつきを補償することができる。
ことにより、抵抗の製造ばらつきに対して、出力電圧V
aのばらつきを補償することができる。
以上説明したように、本発明によれば、製造工程の異な
る二種類の抵抗の製造ばらつきに対して、出力電圧のば
らつきを補償することができ基準電圧発生回路が得られ
る。
る二種類の抵抗の製造ばらつきに対して、出力電圧のば
らつきを補償することができ基準電圧発生回路が得られ
る。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来の基
準電圧発生回路の一例の回路図である。 D・・・・・・シ曹ットキ・バリアーダイオード、R1
゜Rz 、R3、R4、Rs 、Rs・・・・・・抵抗
、Tr・・・・・・トランジスタ。 又゛″、4′ V。 第1図 VEε 第2図
準電圧発生回路の一例の回路図である。 D・・・・・・シ曹ットキ・バリアーダイオード、R1
゜Rz 、R3、R4、Rs 、Rs・・・・・・抵抗
、Tr・・・・・・トランジスタ。 又゛″、4′ V。 第1図 VEε 第2図
Claims (1)
- 低電位側電源に一端が接続される第1の抵抗と該第1の
抵抗の他端にエミッタが接続しベースが定電圧源に接続
しコレクタから定電流を取出すトランジスタとを含んで
構成される定電流回路部と、高電位側電源にアノードが
接続するダイオードと該ダイオードのカソードと前記ト
ランジスタのコレクタとの間に接続する第2の抵抗と前
記高電位側電源と前記トランジスタのコレクタとの間に
直列接続された第3の抵抗及び第4の抵抗とを含んで構
成される基準電圧発生部とから成る基準電圧発生回路に
おいて、前記第1の抵抗が前記第2の抵抗と同じ製造工
程で作られた第5の抵抗と前記第2及び第3の抵抗と同
じ製造工程で作られた第6の抵抗との並列接続で構成さ
れていることを特徴とする基準電圧発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13737185A JPS61294527A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13737185A JPS61294527A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61294527A true JPS61294527A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15197120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13737185A Pending JPS61294527A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61294527A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5150188A (en) * | 1989-11-30 | 1992-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reference voltage generating circuit device |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP13737185A patent/JPS61294527A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5150188A (en) * | 1989-11-30 | 1992-09-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reference voltage generating circuit device |
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