JPS61294453A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS61294453A JPS61294453A JP13650285A JP13650285A JPS61294453A JP S61294453 A JPS61294453 A JP S61294453A JP 13650285 A JP13650285 A JP 13650285A JP 13650285 A JP13650285 A JP 13650285A JP S61294453 A JPS61294453 A JP S61294453A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
イ、産業上の利用分野
本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Se又はSeにAs、、
’re% sb等をドープした感光体、ZnOやCdS
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン(a−3i)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 a−3iは、S i−3iの結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
(H)で補償してStにHを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−3
i:Hと称する。)の暗所での抵抗率は、108〜10
9Ω−ロであって、アモルファスSeと比較すれば約1
万分の1も低い。従って、a−3i:Hの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第8図には、上記のa−3i:Hを母材としたa−3t
系悪感光9を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット1の上部には、原稿
2を載せるガラス製原稿載1台3と、原稿2を覆うプラ
テンカバー4とが配されている。原稿台3の下方では、
光R5及び第1反射用ミラー6を具備した第1ミラーユ
ニツト7からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第2ミラーユニツト2゜が第1ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側からの反
射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像担持体と
しての感光体ドラム9上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電器10、
現像器11、転写部12、分離部13、クリーニング部
14が夫々配置されており、給紙箱15から各給紙ロー
ラー16.17を経て送られる複写紙18はドラム9の
トナー像の転写後に更に定着部19で定着され、トレイ
35へ排紙される。定着部19では、ヒーター22を内
臓した加熱ローラー23と圧着ローラー24との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、a−5i:Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−SiC:H
と称スる。)について、その製法や存在が” Ph11
. Mag、 Vol、 35” (1978)等
に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度
が高いこと、a−3i:Hと比較して高い暗所抵抗率(
10”〜1o1’llΩ−ロ)を有すること、炭素量に
より光学的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの
範囲に亘って変化すること等が知られている。 但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。 こうしたa−3iC:Hとa−3i:Hとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公報
において提案されている。これによれば、a−3i:H
層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発生層下にa
−3iC:H層を設け、上層のa−3i:Hにより広い
波長域での光感度を得、かつa−3i:HNとへテロ接
合を形成する下層のa−3iC:Hにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、a−3t:H層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にa−3is
H層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭57−17952号公報には、a−3i:
Hからなる電荷発生層上に第1のa−3iC:HJ!J
を表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極側)に
第2のa−3iC:H層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭57
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−3iC:H層との間に傾斜層
(a −S i +−x Cx : H)を設け、こ
の傾斜層においてa−3i:H側でX=0とし、a−8
iCsH層側でX=0.5とした感光体が知られている
。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニン
グ時に表面のa−3iC層が7〜8万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ボlが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境(温度、湿
度)による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ1発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境(
温度、湿度)によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二0発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第ma族元素がドープされかつ
炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも1
つを含有するアモルファス水素化及び/又はフッ素化シ
リコンからなる電荷ブロッキング層と;真性化されかつ
窒素原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素化及
び/又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と;アモ
ルファス水素化及び/フッ素化シリコンからなる電荷発
生層と;周期表第ma族又は第Va族元素がドープされ
かつアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンか
らなる中間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも1つを含有しかつアモルファス水素化及
び/又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次
積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも1つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明におル1
ては、表面改質層と電荷発生層との間に不純物ドープド
中間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層との
接着性が向上する。 また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもなく、残留電位も低下し、電気的・光
学的特性が常時安定化して使用環境に影響を受けないこ
とが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第1図は、本実施例による正帯電用のa−3i系電子写
真感光体39を示すものである。この感光体39はA2
等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第ma族
元素(例えばホウ素)がヘビードープされかつC,N及
び0の少な(とも1つを含有するa−3i:)((これ
をa −S t (C)(N)(0):Hと表わす。 )からなるP中型電荷ブロッキングN44と、周期表第
ma族元素(例えばホウ素)がライトドープされて真性
化されかっN及び0を含有するa−3t:H(これをa
−3iNO:Hと表わす。)からなる電荷輸送層42と
、a−3i:Hからなる電荷発生N(不純物ドーピング
なし又は真性化されたもの)43と、周期表第ma族又
は第Va族元素がヘビードープされたP+型又はN+型
アモルファス水素化シリコンからなる中間層46と、周
期表第ma族又は第Va族元素がドープされてP型又は
N型或いは真性化(若しくは不純物ドーピングなしの)
されかつN、C及び0の少なくとも1つを含有するアモ
ルファス水素化シリコン(これをa −S i (C
)(N)(0):Hと表わす。)からなる表面改質層4
5とが積層された構造からなっている。電荷発生N43
は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子
写真感光体として充分大きく光感度(特に可視及び赤外
領域の光に対するもの)が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は0〜70%の範囲
では、第2図に示す如くに光学的エネルギーギヤ、プ(
E g、 opt )とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、a−3iC:Hは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第3図の曲線aのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第3図に曲線aで示すように、炭素原子含有量が30
〜90%のa−3iC:Hを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、1012Ω−ロ以上になる
。 上記の傾向は、炭素に代えてN又はOを含むa−3iN
:H,、a−3iO:Hについても同様である。 上記の層45は感光体の表面を改質してa−3i系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、a−3i:Hを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層45は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如(熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
45の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Si+C=100at
omic%(以下、atomic%を単・に%で表わす
。)としたとき1%く〔03590%、更には10%≦
(C)570%であることが望ましい。このC含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ2.58■以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はa−3tsH層(電荷発生層)43に到達し易く
なる。しかし、C含有量が1%以下では、機械的損傷等
の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。また、C含有量が90%を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
a−3iC:H膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、C含有量は90%以下とするの
がよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層45の場合、1%く
〔N3590%、(更には10%≦(N)570%)
がよく、0%≦
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Se又はSeにAs、、
’re% sb等をドープした感光体、ZnOやCdS
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン(a−3i)を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 a−3iは、S i−3iの結合手が切れたいわゆるダ
ングリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエ
ネルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が
小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光
伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子
(H)で補償してStにHを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン(以下、a−3
i:Hと称する。)の暗所での抵抗率は、108〜10
9Ω−ロであって、アモルファスSeと比較すれば約1
万分の1も低い。従って、a−3i:Hの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第8図には、上記のa−3i:Hを母材としたa−3t
系悪感光9を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット1の上部には、原稿
2を載せるガラス製原稿載1台3と、原稿2を覆うプラ
テンカバー4とが配されている。原稿台3の下方では、
光R5及び第1反射用ミラー6を具備した第1ミラーユ
ニツト7からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第2ミラーユニツト2゜が第1ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台3側からの反
射光がレンズ21、反射用ミラー8を介して像担持体と
しての感光体ドラム9上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム9の周囲には、コロナ帯電器10、
現像器11、転写部12、分離部13、クリーニング部
14が夫々配置されており、給紙箱15から各給紙ロー
ラー16.17を経て送られる複写紙18はドラム9の
トナー像の転写後に更に定着部19で定着され、トレイ
35へ排紙される。定着部19では、ヒーター22を内
臓した加熱ローラー23と圧着ローラー24との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、a−5i:Hを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば1力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン(以下、a−SiC:H
と称スる。)について、その製法や存在が” Ph11
. Mag、 Vol、 35” (1978)等
に記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度
が高いこと、a−3i:Hと比較して高い暗所抵抗率(
10”〜1o1’llΩ−ロ)を有すること、炭素量に
より光学的エネルギーギャップが1.6〜2.8eVの
範囲に亘って変化すること等が知られている。 但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。 こうしたa−3iC:Hとa−3i:Hとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭55−127083号公報
において提案されている。これによれば、a−3i:H
層を電荷発生(光導電)層とし、この電荷発生層下にa
−3iC:H層を設け、上層のa−3i:Hにより広い
波長域での光感度を得、かつa−3i:HNとへテロ接
合を形成する下層のa−3iC:Hにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、a−3t:H層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にa−3is
H層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭57−17952号公報には、a−3i:
Hからなる電荷発生層上に第1のa−3iC:HJ!J
を表面改質層として形成し、裏面上(支持体電極側)に
第2のa−3iC:H層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭57
−23543号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第1及び第2のa−3iC:H層との間に傾斜層
(a −S i +−x Cx : H)を設け、こ
の傾斜層においてa−3i:H側でX=0とし、a−8
iCsH層側でX=0.5とした感光体が知られている
。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、20〜30万回の連続ランニン
グ時に表面のa−3iC層が7〜8万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ボlが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境(温度、湿
度)による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ1発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境(
温度、湿度)によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二0発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第ma族元素がドープされかつ
炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも1
つを含有するアモルファス水素化及び/又はフッ素化シ
リコンからなる電荷ブロッキング層と;真性化されかつ
窒素原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素化及
び/又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と;アモ
ルファス水素化及び/フッ素化シリコンからなる電荷発
生層と;周期表第ma族又は第Va族元素がドープされ
かつアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンか
らなる中間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
ちの少なくとも1つを含有しかつアモルファス水素化及
び/又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次
積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも1つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明におル1
ては、表面改質層と電荷発生層との間に不純物ドープド
中間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層との
接着性が向上する。 また、表面改質層と中間層とを電荷発生層上に設けてい
るので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優れ
、また画像流れもなく、残留電位も低下し、電気的・光
学的特性が常時安定化して使用環境に影響を受けないこ
とが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第1図は、本実施例による正帯電用のa−3i系電子写
真感光体39を示すものである。この感光体39はA2
等のドラム状導電性支持基板41上に、周期表第ma族
元素(例えばホウ素)がヘビードープされかつC,N及
び0の少な(とも1つを含有するa−3i:)((これ
をa −S t (C)(N)(0):Hと表わす。 )からなるP中型電荷ブロッキングN44と、周期表第
ma族元素(例えばホウ素)がライトドープされて真性
化されかっN及び0を含有するa−3t:H(これをa
−3iNO:Hと表わす。)からなる電荷輸送層42と
、a−3i:Hからなる電荷発生N(不純物ドーピング
なし又は真性化されたもの)43と、周期表第ma族又
は第Va族元素がヘビードープされたP+型又はN+型
アモルファス水素化シリコンからなる中間層46と、周
期表第ma族又は第Va族元素がドープされてP型又は
N型或いは真性化(若しくは不純物ドーピングなしの)
されかつN、C及び0の少なくとも1つを含有するアモ
ルファス水素化シリコン(これをa −S i (C
)(N)(0):Hと表わす。)からなる表面改質層4
5とが積層された構造からなっている。電荷発生N43
は暗所抵抗率ρ。と光照射時の抵抗率ρ、との比が電子
写真感光体として充分大きく光感度(特に可視及び赤外
領域の光に対するもの)が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は0〜70%の範囲
では、第2図に示す如くに光学的エネルギーギヤ、プ(
E g、 opt )とほぼ直線的な関係があるので、
炭素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換え
て規定することができる。 また、a−3iC:Hは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第3図の曲線aのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第3図に曲線aで示すように、炭素原子含有量が30
〜90%のa−3iC:Hを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、1012Ω−ロ以上になる
。 上記の傾向は、炭素に代えてN又はOを含むa−3iN
:H,、a−3iO:Hについても同様である。 上記の層45は感光体の表面を改質してa−3i系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間(例えば1力月以上)放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、a−3i:Hを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層45は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如(熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
45の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Si+C=100at
omic%(以下、atomic%を単・に%で表わす
。)としたとき1%く〔03590%、更には10%≦
(C)570%であることが望ましい。このC含有量に
よって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エ
ネルギーギャップがほぼ2.58■以上となり、可視及
び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照
射光はa−3tsH層(電荷発生層)43に到達し易く
なる。しかし、C含有量が1%以下では、機械的損傷等
の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、
かつ一部分の光は表面層45に吸収され、感光体の光感
度が低下し易くなる。また、C含有量が90%を越える
と層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上に
a−3iC:H膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、C含有量は90%以下とするの
がよい。 同様に、窒素又は酸素を含有する層45の場合、1%く
〔N3590%、(更には10%≦(N)570%)
がよく、0%≦
〔0〕≦70%(更には5%≦
〔0〕≦
30%)がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層45を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をP又はN型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量(後述のグロー放電分解時)は
次の通りであってよい。 真性化: Bt H& / s i H4F 型: B
z Hb / S 1H4N 型:PH3/5iH4 1〜1000〃(好ましくは50〜500)(SiNO
:H(F) 、5iCO:H(F)共通)また、層45
はa−3ico、a−31NOsa−3iO1a−3i
Q2等からなっていてよく、その膜厚を400人≦t≦
5000人の範囲内(特に400人≦t<2000人に
選択することも重要である。 即ち、その膜厚が5000人を越える場合には、残留電
位■6が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、a−5
t系悪感光としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を400人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層46については、残留電位低下の為には、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をP又は
N型としてもよい。4電型制御の為のドーピング量は、
表面改質層と同じでよい。 この中間層の膜厚は50〜5000人とするのがよいが
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
<、50人未満では中間層としての効果が乏し(なる。 好ましくは、100Å以上、1000Å以下とするのが
よい。 電荷発生N43については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、Bz
Hb /S iH* =1〜20容t p p mとす
るのがよい。 また、電荷発生層は1〜10μm、好ましくは、5〜7
μmとするのがよい。電荷発生層43が1μm未満であ
ると光感度が充分でなく、また10μmを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層42については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化する必要がある。真性化の為のドープ量
は、 CBZ Hb ) / (S i H4) = 1〜2
000容量ppmが最適である。但し、上記値はN濃度
に依存する為、必ずしも上記値に限定されるものではな
い。 電荷輸送層の膜厚は10〜30μmとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、1%〈〔83530%、好
ましくは10%≦(N)530%がよく、0%く 〔O
〕 510%、好ましくは0%〈 〔O〕 61%がよ
い。 また、上記電荷プロ・7キング層44は、基板41から
の電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、周期表第ma族元素(例えばポロン)をグロー放
電分解でドープして、P型(更にはP+型)化する。ブ
ロッキング層の組成によって、次のようにドーピング量
を制御する。 a−3iC又はa−3iCO: P型(P” ) ; Bz Hb / S i H42
0〜5000容量ppm a−3iN又はa−3iNO: P型(P +) ; Bt H6/ S I H410
00〜5000容量ppm プロフ先ング層はS iOs S i Oz等の化合物
でもよい。 また、ブロッキング層44は膜厚500人〜2μmがよ
い。500人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た2μmを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキングFJ44の組成については、次のようにす
るのが望ましい。即ち、1%〈〔03590%、好まし
くは10%≦(C)570%とし、1%〈 〔N〕 5
90%、好ましくは10%く 〔N3570%とし、θ
%≦(0)570%、好ましくは0%≦(0)530%
とするのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生JW43中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、10〜30%であるのが
望ましい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキ
ングM44及び電荷輸送層42も同様である。また、ブ
ロッキング層44の導電型を制御するための不純物とし
て、P型化のためにボロン以外にもAl、Ga、In、
TJ等の周期表ma族元素を使用できる。N型化のため
にはリン以外にもA S % S b等の周期表第Va
族元素を使用できる。 次に、上記した感光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第4図について説明す
る。 この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はS i H4又はガス状シリコン化合物の供
給源、63はCH4等の炭化水素ガスの供給源、64は
N2等の窒素化合物ガスの供給源、65は0ffi等の
酸素化合物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス
供給源、67は不純物ガス(例えばBz Hb )供給
源、68は各流量計である。このグロー放電装置におい
て、まず支持体である例えばAj!基板41の表面を清
浄化した後に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガ
ス圧が1O−6T orrとなるように調節して排気し
、かつ基板41を所定温度、特に100〜350℃(望
ましくは150〜300℃)に加熱保持する。次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、S i H
a又はガス状シリコン化合物、CHa 、Nt 、Ox
等を適宜真空槽52内に導入し、例えばo、oi〜10
Torrの反応圧下で高周波電源56により高周波電圧
(例えば13.56 MHz)を印加する。これによっ
て、上記各反応ガスを電極57と基板41との間でグロ
ー放電分解し、pP型a−3iC:H,i型5tNO:
H。 a S i : H% P+又はNt型a−3t:H
。 a−5iC:Hを上記の層44.42.43.46.4
5として基板上に連続的に(即ち、例えば第1図の例に
対応して)堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にa−3t系の層を
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良(するこ
とができる。 なお、上記a−3i系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素をS i Fa等
の形で導入し、a−8i:F。 a−3i :H:F% a−5iN:F。 a−3iN:H:F、a−3iC:F。 a−3iC:H:Fとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は0.5〜10%が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人に
よる特開昭56−78413号(特願昭54−1524
55号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状、l支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第4図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−’
Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41を
所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150〜
300℃)に加熱保持する。次いで、高純度のArガス
をキャリアガスとして導入し、Q、5 T orrの背
圧のもとて周波数13.56 MHzの高周波電力を印
加し、10分間の予備放電を行った。 次いで、5iH,とBtH,からなる反応ガスを導入し
、流量比1 : 1 : 1 : (1,5xlO−
’)の(A r + S i H4+ CH4又はN
z + B z Hb )混合ガスをグロー放電分解す
ることにより、電荷ブロッキング機能を担うP+型のa
−3iC:H層44とa−3tNO:H電荷輸送層(但
、B z Hb / S i Ha =500容量%、
(N)=12%、(0) =1000 ppm (S
iに対し))42とを6pm/ h rの堆積速度で順
次所定厚さに製膜した。引き続き、Bz H,及びCH
4を供給停止し、S i H,を放電分解し、厚さ5μ
mのa−3i:)1層43を形成した。引続いて、不純
物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚も
変化させた中間層46を形成し、更に B、 H,/s t H4=100容量ppmとしてa
−5iCO:H又はa−3iNO:H表面保護層45を
更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 (1)0表面改質層: a−3iNO:H又はa−3iCO:H(Bz H&
/ S i Hs −100容iJppm )(2)、
中間層: ドープ量、膜厚変化(第5図参照) (3)、 a−3i : H電荷発生層:膜厚=5μ
m (4)、 a−3iNo : H電荷輸送層:膜厚=1
5μm N含有量=12% O含有量= 11000pp 正帯電用−Bドープ有り グロー放電分解法で (5)、a−3i C: H又は a−5iN:H電荷ブロッキング層: 膜厚=1μm 炭素含有量=12% 正帯電用:Bドープ有り (6)、支持体:Alシリンダー(鏡面研磨仕上げ)次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 ■二か工荒皮 第6図に示すように、感光体39面に垂直に当てた0、
3Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモーフ71
で回転させ、傷をつける0次に、電子写真複写機U −
B 1x1600 (小西六写真工業社製)改造機にて
画像出しを行ない、何gの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度(g)とする。 IL流並 温度33℃、相対湿度80%の環境下で、感光体を電子
写真複写機U −B 1x4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎:画像流れが全くなく、5.5ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○:5.5ポイントの英字がやや太くなる。 △:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 X:5,5ポイントの英字判読不能。 −立Vl (v) U −B 1x2500改造機を使った電位測定で、4
00nmにピークをもつ除電光301! ux−sec
を照射した後も残っている感光体表面電位。 Vo(v) U −B 1x2500改造機(小西六写真工業■製)
を用い、感光体流れ込み電流200μA、露光なしの条
件で360SX型電位計(トレック社製)で測定した現
像直前の表面電位。 ’ E l1zc l ux 0see)上記
の装置を用い、グイクロイックミラー(光伸光学社製)
により像露光波長のうち620nm以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を500vから250vに
半減するのに必要な露光量。 (露光量は550−1型光量計(EGandG社製)に
て測定) 結果を第7図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。
30%)がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層45を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をP又はN型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量(後述のグロー放電分解時)は
次の通りであってよい。 真性化: Bt H& / s i H4F 型: B
z Hb / S 1H4N 型:PH3/5iH4 1〜1000〃(好ましくは50〜500)(SiNO
:H(F) 、5iCO:H(F)共通)また、層45
はa−3ico、a−31NOsa−3iO1a−3i
Q2等からなっていてよく、その膜厚を400人≦t≦
5000人の範囲内(特に400人≦t<2000人に
選択することも重要である。 即ち、その膜厚が5000人を越える場合には、残留電
位■6が高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、a−5
t系悪感光としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を400人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。 中間層46については、残留電位低下の為には、電荷発
生層からの電荷の注入の可能とするのに中間層をP又は
N型としてもよい。4電型制御の為のドーピング量は、
表面改質層と同じでよい。 この中間層の膜厚は50〜5000人とするのがよいが
、5000人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
<、50人未満では中間層としての効果が乏し(なる。 好ましくは、100Å以上、1000Å以下とするのが
よい。 電荷発生N43については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、Bz
Hb /S iH* =1〜20容t p p mとす
るのがよい。 また、電荷発生層は1〜10μm、好ましくは、5〜7
μmとするのがよい。電荷発生層43が1μm未満であ
ると光感度が充分でなく、また10μmを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層42については、帯電能、感度を最適化する
為には、真性化する必要がある。真性化の為のドープ量
は、 CBZ Hb ) / (S i H4) = 1〜2
000容量ppmが最適である。但し、上記値はN濃度
に依存する為、必ずしも上記値に限定されるものではな
い。 電荷輸送層の膜厚は10〜30μmとするのがよい。 また、電荷輸送層の組成は、1%〈〔83530%、好
ましくは10%≦(N)530%がよく、0%く 〔O
〕 510%、好ましくは0%〈 〔O〕 61%がよ
い。 また、上記電荷プロ・7キング層44は、基板41から
の電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、周期表第ma族元素(例えばポロン)をグロー放
電分解でドープして、P型(更にはP+型)化する。ブ
ロッキング層の組成によって、次のようにドーピング量
を制御する。 a−3iC又はa−3iCO: P型(P” ) ; Bz Hb / S i H42
0〜5000容量ppm a−3iN又はa−3iNO: P型(P +) ; Bt H6/ S I H410
00〜5000容量ppm プロフ先ング層はS iOs S i Oz等の化合物
でもよい。 また、ブロッキング層44は膜厚500人〜2μmがよ
い。500人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た2μmを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキングFJ44の組成については、次のようにす
るのが望ましい。即ち、1%〈〔03590%、好まし
くは10%≦(C)570%とし、1%〈 〔N〕 5
90%、好ましくは10%く 〔N3570%とし、θ
%≦(0)570%、好ましくは0%≦(0)530%
とするのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生JW43中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、10〜30%であるのが
望ましい。この含有量範囲は表面改質層45、ブロッキ
ングM44及び電荷輸送層42も同様である。また、ブ
ロッキング層44の導電型を制御するための不純物とし
て、P型化のためにボロン以外にもAl、Ga、In、
TJ等の周期表ma族元素を使用できる。N型化のため
にはリン以外にもA S % S b等の周期表第Va
族元素を使用できる。 次に、上記した感光体(例えばドラム状)の製造方法及
びその装置(グロー放電装置)を第4図について説明す
る。 この装置51の真空槽52内ではドラム状の基板41が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター55で基板41
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板41に対向してその周囲に、ガス導出口53付きの円
筒状高周波電極57が配され、基板41との間に高周波
電源56によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の62はS i H4又はガス状シリコン化合物の供
給源、63はCH4等の炭化水素ガスの供給源、64は
N2等の窒素化合物ガスの供給源、65は0ffi等の
酸素化合物ガスの供給源、66はAr等のキャリアガス
供給源、67は不純物ガス(例えばBz Hb )供給
源、68は各流量計である。このグロー放電装置におい
て、まず支持体である例えばAj!基板41の表面を清
浄化した後に真空槽52内に配置し、真空槽52内のガ
ス圧が1O−6T orrとなるように調節して排気し
、かつ基板41を所定温度、特に100〜350℃(望
ましくは150〜300℃)に加熱保持する。次いで、
高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、S i H
a又はガス状シリコン化合物、CHa 、Nt 、Ox
等を適宜真空槽52内に導入し、例えばo、oi〜10
Torrの反応圧下で高周波電源56により高周波電圧
(例えば13.56 MHz)を印加する。これによっ
て、上記各反応ガスを電極57と基板41との間でグロ
ー放電分解し、pP型a−3iC:H,i型5tNO:
H。 a S i : H% P+又はNt型a−3t:H
。 a−5iC:Hを上記の層44.42.43.46.4
5として基板上に連続的に(即ち、例えば第1図の例に
対応して)堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にa−3t系の層を
製膜する工程で支持体温度を100〜350℃としてい
るので、感光体の膜質(特に電気的特性)を良(するこ
とができる。 なお、上記a−3i系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したHの
かわりに、或いはHと併用してフッ素をS i Fa等
の形で導入し、a−8i:F。 a−3i :H:F% a−5iN:F。 a−3iN:H:F、a−3iC:F。 a−3iC:H:Fとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は0.5〜10%が望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にもスパッタリング法、イオンブレー
ティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化された
水素導入下でSiを蒸発させる方法(特に、本出願人に
よる特開昭56−78413号(特願昭54−1524
55号)の方法)等によっても上記感光体の製造が可能
である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状、l支持体上に第1
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Al基板41の表面を清浄化した後に、第4図の真
空槽52内に配置し、真空槽52内のガス圧が10−’
Torrとなるように調節して排気し、かつ基板41を
所定温度、特に100〜350℃(望ましくは150〜
300℃)に加熱保持する。次いで、高純度のArガス
をキャリアガスとして導入し、Q、5 T orrの背
圧のもとて周波数13.56 MHzの高周波電力を印
加し、10分間の予備放電を行った。 次いで、5iH,とBtH,からなる反応ガスを導入し
、流量比1 : 1 : 1 : (1,5xlO−
’)の(A r + S i H4+ CH4又はN
z + B z Hb )混合ガスをグロー放電分解す
ることにより、電荷ブロッキング機能を担うP+型のa
−3iC:H層44とa−3tNO:H電荷輸送層(但
、B z Hb / S i Ha =500容量%、
(N)=12%、(0) =1000 ppm (S
iに対し))42とを6pm/ h rの堆積速度で順
次所定厚さに製膜した。引き続き、Bz H,及びCH
4を供給停止し、S i H,を放電分解し、厚さ5μ
mのa−3i:)1層43を形成した。引続いて、不純
物ガスの流量比を変化させてグロー放電分解し、膜厚も
変化させた中間層46を形成し、更に B、 H,/s t H4=100容量ppmとしてa
−5iCO:H又はa−3iNO:H表面保護層45を
更に設け、電子写真感光体を完成させた。 比較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 (1)0表面改質層: a−3iNO:H又はa−3iCO:H(Bz H&
/ S i Hs −100容iJppm )(2)、
中間層: ドープ量、膜厚変化(第5図参照) (3)、 a−3i : H電荷発生層:膜厚=5μ
m (4)、 a−3iNo : H電荷輸送層:膜厚=1
5μm N含有量=12% O含有量= 11000pp 正帯電用−Bドープ有り グロー放電分解法で (5)、a−3i C: H又は a−5iN:H電荷ブロッキング層: 膜厚=1μm 炭素含有量=12% 正帯電用:Bドープ有り (6)、支持体:Alシリンダー(鏡面研磨仕上げ)次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 ■二か工荒皮 第6図に示すように、感光体39面に垂直に当てた0、
3Rダイヤ針70に荷重Wを加え、感光体をモーフ71
で回転させ、傷をつける0次に、電子写真複写機U −
B 1x1600 (小西六写真工業社製)改造機にて
画像出しを行ない、何gの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度(g)とする。 IL流並 温度33℃、相対湿度80%の環境下で、感光体を電子
写真複写機U −B 1x4500 (小西六写真工業
社製)改造機内に24時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で1000コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎:画像流れが全くなく、5.5ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○:5.5ポイントの英字がやや太くなる。 △:5.5ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 X:5,5ポイントの英字判読不能。 −立Vl (v) U −B 1x2500改造機を使った電位測定で、4
00nmにピークをもつ除電光301! ux−sec
を照射した後も残っている感光体表面電位。 Vo(v) U −B 1x2500改造機(小西六写真工業■製)
を用い、感光体流れ込み電流200μA、露光なしの条
件で360SX型電位計(トレック社製)で測定した現
像直前の表面電位。 ’ E l1zc l ux 0see)上記
の装置を用い、グイクロイックミラー(光伸光学社製)
により像露光波長のうち620nm以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を500vから250vに
半減するのに必要な露光量。 (露光量は550−1型光量計(EGandG社製)に
て測定) 結果を第7図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分る。
第1図〜第7図は本発明の実施例を示すものであって、
第1図はa−3t系悪感光の各断面図、第2図はa−3
iCの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第3図はa−3iCO比抵抗を示すグラフ、第4図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第5図は各感光体の層構成
を示す表、 第6図は引っかき強度試験機の概略図、第7図は各感光
体の特性を示す表 である。 第8図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・・・・a−3L系悪感光 41・・・・支持体(基板) 42・・・・電荷輸送層 43・・・・電荷発生層 44・・・・電荷ブロッキング層 45・・・・表面改質層 46・・・・中間層 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 a−5ir−xCx : Hx 第3図 炭毫含葺量 (at□m1Co/、) 第6図 第4図 第7図
iCの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第3図はa−3iCO比抵抗を示すグラフ、第4図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第5図は各感光体の層構成
を示す表、 第6図は引っかき強度試験機の概略図、第7図は各感光
体の特性を示す表 である。 第8図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 39・・・・a−3L系悪感光 41・・・・支持体(基板) 42・・・・電荷輸送層 43・・・・電荷発生層 44・・・・電荷ブロッキング層 45・・・・表面改質層 46・・・・中間層 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1図 第2図 a−5ir−xCx : Hx 第3図 炭毫含葺量 (at□m1Co/、) 第6図 第4図 第7図
Claims (1)
- 1、周期表第IIIa族元素がドープされかつ炭素原子、
窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも1つを含有す
るアモルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンから
なる電荷ブロッキング層と;真性化されかつ窒素原子及
び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び/又はフ
ッ素化シリコンからなる電荷輸送層と;アモルファス水
素化及び/フッ素化シリコンからなる電荷発生層と;周
期表第IIIa族又は第Va族元素がドープされかつアモ
ルファス水素化及び/又はフッ素化シリコンからなる中
間層と;炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少な
くとも1つを含有しかつアモルファス水素化及び/又は
フッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層され
てなる感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13650285A JPS61294453A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13650285A JPS61294453A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61294453A true JPS61294453A (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15176659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13650285A Pending JPS61294453A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61294453A (ja) |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP13650285A patent/JPS61294453A/ja active Pending
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