JPS61159657A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

口、従来技術 従来、電子写真感光体として、３ｅ又はＳｅにＡｇ２Ｔ
ｅ％　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−３ｉは、５ｔ−３ｉの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗が小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
）（＞で補償してＳｉにＨを結合させることによって、
ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：）［と称する。）の暗所での抵抗率は、１０１′〜
１０９Ω−ｃＩＩ＋であって、アモルファスｓｅと比較
すれば約１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：）（の
単層からなる感光体は表面電位の暗減衰速度が太き（、
初期帯電電位が低いという問題点を有している。

しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。

第９図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。

この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原積載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介、して像担持体
としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよう
になっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０
、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング
部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロ
ーラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９
のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレ
イ３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を
内臓した加しかしながら、ａ−５ｉ：Ｈを表面とする感
光体は、長期に亘って大気や湿気に曝されることによる
影響、コロナ放電で生成される化学種の影響等の如き表
面の化学的安定性に関して、これまで十分な検討がなさ
れていない。例えば１力月以上放置したものは湿気の影
響を受け、受容電位が著しく低下することが分っている
。一方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−
３ｉＣ：Ｈと称する。）について、その製法や存在が”
　Ｐｈ１１．　　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”　（１９
７８）等に記載されており、その特性として、耐熱性や
表面硬度が高いこと、ａ−３ｔ：Ｈと比較して高い暗所
抵抗率（１０”〜１Ｑ１２Ω−（Ｊ）を有すること、炭
素量により光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８
ｅＶの範囲に亘って変化すること等が知られている。

但、炭素の含有によりバンドギャップが拡がるために長
波長感度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−５ｉＣ：）ｌとａ−３ｉ：ｌ（とを組合せ
た電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号
公報において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ
ｓＨ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下
にａ−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−Ｓｉ：Ｈにより
広い波長域での光感度を得、かつａ−５ｉ：Ｈ層とへテ
ロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位
の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の
暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であ
って実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−５
ｉｓＨ層が存在していることにより化学的安定性や機械
的強度、耐熱性等が不良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣｓＨ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−３ｉＣ：Ｈ層を形成している。

また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−５ｉＣｓＨ層との間に傾斜層
（ａ−３ｉ　ｌ’−ｘ　Ｃ，：　Ｈ）を設け、この傾斜
層においてａ−３ｉｓＨ側でＸ＝０とし、ａ−８ｉＣ：
８層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。

しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。

ハ９発明の目的 本発明の目的は、感光体表面層の耐剛性を向上させて機
械的損傷に強く、白スジ等の発生による画像劣化を防止
し、更に耐光疲労、画像流れ、特性の安定性、接着強度
等を改良した感光体を提供することにある。

二３発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンから
なる電荷輸送層が設けられている感光体において、前記
電荷発生層と前記表面改質層との間に、アモルファス水
素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからなる中間層が
設けられ、前記表面改質層が５０ａｔｏｍｉｃ％をこえ
る炭素原子を含有しく但、シリコン原子と炭素原子との
合計原子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）、かつ
前記中間層が５Ｑａ　ｔｏＩｌｌｉ　ｃ％以下の炭素原
子を含有することを特徴とするものである。

本発明によれば、上記表面改質層を ａ−８ｉＩ−ＸＣＸで表わしたときにｘ　＞０．５（＝
５０ａｔｏｍｉｃ％：以下、ａｔｏｍｉｃ％を単に「％
」で表わす。）とし、上記中間層をａ−８ｉＩ−ｙＣｙ
で表わしたときにｙ≦０．５（＝５０％）としているの
で、表面改質層の炭素原子含有量（ｘ　＞０．５）は従
来のそれ（Ｘ≦０．５）よりも高く、かつ電荷発生層と
の間に設ける中間層の炭素原子含有量は表面改質層より
も低く（即ち、Ｙ＜Ｘ）なっている。

このように、本発明の表面改質層は炭素原子含有量がＸ
　＞０．５と多いために、機械的損傷に対しう て強くなり、白スジ発生等によ４画質の劣化がなく、耐
剛性が優れたものとなる。この表面改質層による効果を
充二分に発揮させるには、０．５＜Ｘ≦０．８更には０
．５５Ｑｘ≦０６７とするのが望ましい。また、本発明
においては、表面改質層と電荷発生層との間に、表面改
質層より炭素原子含有量の少ない（即ち、ｙ≦０．５の
）中間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層と
の接着性が向上する。

この中間層の炭素原子含有量は更に０．３≦ｙ≦０．５
、特に０．４≦ｙ≦０．５とするのが望ましい。また、
この中間層は２層以上とし、このうち、表面改質層側の
中間層の炭素原子含有量を電荷発生層側の中間層のそれ
よりも多くするのがよい。

本発明による感光体は上記の如く、ｘ　＞０．５の表面
改質層とｙ≦０．５の中間層とを電荷発生層上に設けて
いるので、上記に加えて、繰返し使用時の耐光疲労に優
れ、また画像流れもなく、電気的・光学的特性が常時安
定化して使用環境に影響を受けないことが確認さている
。

ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第１図は、本実施例による正帯電用のａ−５ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡ６
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｍａ族
元素（例えばホウ素）がヘビードープされたａ−５ｉＣ
：ＨからなるＰ型電荷ブロフキング層４４と、周期表第
ｍａ族元素（例えばホウ素）がライトドープされたａ−
ＳｉＣ：Ｈからなる電荷輸送層４２と、ａ−３ｉ：Ｈか
らなる電荷発生層（光導電層）４３と、炭素原子含有量
が５０％以下（例えば４０％）のアモルファス水素化炭
化シリコン（ａ　　Ｓ　１Ｉ−ｙ　Ｃｙ　　：　Ｈ）か
らなる中間層４６と、炭素原子含有量が５０％を越える
（例えば６０％の）アモルファス水素化炭化シリコン（
ａ　−ｓ　ｔ　Ｈ−ｘ　Ｃ，：　Ｈ）からなる表面改質
層４５とが積層された構造からなっている。光導電層４
３は暗所抵抗率ρ８と光照射時の抵抗率ρ、との比が電
子写真感光体として充分大きく光感度（特に可視及び赤
外領域の光に対するもの）が良好である。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、ＳｉとＣとの合計原子数
に対して５０％を越える炭素を含有せしめ、かつそれら
両層間に、ＳｉとＣとの合計原子数に対して５０％以下
の炭素原子を含有する中間層４６を設けている。

上記構成の感光体は正帯電用としての機能分離型のもの
であるが、負帯電用に変更することができる。この場合
、電荷ブロッキング層４４には周期表第Ｖａ族元素（例
えばリン）をヘビードープし、同層をＮ型化、更にはＮ
　型化すればよい。

また、第２図に示すように、電荷ブロッキング層４４を
設けない構成としてよいし、第３図に示すように、中間
層を２層以上、例えば４６ａ、４６ｂの２層とし、層４
６ｂの炭素原子含有量を層４６ａよりも多（する（前者
を例えば５０％、後者を３０％とする）のがよい。この
ように中間層を複数の層で形成すると、本発明の作用効
果が更に充分に発揮される。なお、上記の各ａ−５ｉＣ
：Ｈ層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲では、第４
図に示す〆如くに光学的エネルギーギャップ（Ｅｇ、ｏ
ρｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素原子含有量
を光学的エネルギーギャップに置き換えて規定すること
ができる。

また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第５図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第５図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−５ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−ｃ＋ｍ以上に
なる。

従って、上記のように、表面改質層の炭素原子含有量を
Ｑ、５＜ｘ≦０．８とし、中間層の炭素原子含有量を０
．３≦ｙ≦０．５としたとき、両層の比抵抗は充分大き
く保持できる。

上記のａ−３ｉＣ：８層４５は感光体の表面を改質して
ａ−３ｉ系感光体を実用的に優れたものとするために必
須不可欠なものである。即ち、表面での電荷保持と、光
照射による表面電位の減衰という電子写真感光体として
の基本的な動作を可能とするものである。従って、帯電
、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり、長期間（例
えば１力月以上）放置しておいても良好な電位特性を再
現できる。これに反し、ａ−５ｉ：Ｈを表面とした感光
体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響を受
は易（、電位特性の経時変化が著しくなる。

また、ａ−３ｉＣ：８層４５は表面硬度が高いために、
現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性が
あり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を
付与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−５ｉＣ：８層４５の炭素組成を選択することが極めて
重要である。即ち、炭素原子含有量がＳｉ＋Ｃ＝１００
％としたとき５０〜８０％であることが望ましい、Ｃ含
有量が５０％を越えることが、上記した理由から必須不
可欠であり、また上記した比抵抗が所望の値となり、か
つ光学的エネルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上とな
り、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効
果により照射光はａ−５ｉｓＨ層（電荷発生層）４３に
到達し易くなる。しかし、Ｃ含有量が５０％以下では、
機械的損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下
となり易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が８
０％を越えると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失
われ易い上にａ−５ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成す
るときの堆積速度が低下し易いので、Ｃ含有量は８０％
以下とするのがよい。

また、ａ−５ｉＣ：８層４５の膜厚を４００１　ｓ　ｔ
　≦５ｏｏｏスの範囲内（特に４００Ｘ≦ｔ＜２００ｏ
Ｘに選択することも重要である。即ち、その膜厚が５０
００人を越える場合には、残留電位ｖＲが高くなりすぎ
かつ光感度の低下も生じ、ａ−３ｉ系感光体としての良
好な特性を失い易い。また、膜厚を４００　Ｘ未満とし
た場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電
されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じ
てしまう。

中間層４６（更には４６ａ、４６ｂ）の炭素原子含有量
は、上記した理由から５０％以下とすることが必須不可
欠であり、かつ電荷発生層４３との接着性を保持しなが
ら比抵抗等の特性を良好にするには、３０％以上とする
のが望ましい し易＜、５０Ｘ未満では中間層としての効果が乏しくな
る。

また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
電子の注入を充分に防ぐには、周期表第ｍａ族元素（例
えばボロン）を流量比ＢｚＨ６／５ｉＨ４＝１００〜５
０００容ｌｐｐｍにしてグロー放電分解でドープして、
Ｐ型（更にはＰ＋型）化するとよい。

また、電荷輸送層４２への不純物ドープ量は流量比でＢ
ｚ　Ｈｂ　／Ｓ　ｉ　Ｈ，＝２〜２０容量ｐｐｍとする
とよい。感光体を負帯電使用する場合、ブロッキング層
にドープする不純物は、例えば流量比Ｐ　Ｈ３／Ｓ　ｉ
　Ｈ４＝　１００〜１０００容量ｐｐｍにしてグロー放
電分解でドープしてよい。

また、電荷発生層４２は４〜８μｍ、好ましくは５〜７
μｍとするのがよい。電荷発生層４３が４μｍ未満であ
ると光感度が充分でな（、また８μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。

電荷輸送層４２は１０〜３０μｍとするのがよい。ブロ
ッキング層４４はｓｏｏ　Ｘ未満であるとブロッキング
効果が弱く、また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くな
り易い。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、光導電層４３中の水素含有量は、ダングリングボ
ンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させるた
めに必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望°
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、ブロ
ッキング層４４の導電型を制御するための不純物として
、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡｇ、Ｇａ、Ｉ　ｎ、
Ｔ１等の周期表ｍａ族元素を使用できる。Ｎ型化のため
にはリン以外にも、Ａｓ、Ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素
を使用できる。

なお、上記電荷輸送層４２及び電荷ブロッキング層４４
の炭素含有量は５〜３０％、好ましくは１０〜２０％と
するのがよい。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第６図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨａ等の炭化水素ガスの供給源、６４はＡｒ
等のキャリアガス供給源、６５は不純物ガス（例えばＢ
Ｚ　Ｈ＆　）供給源、６７は各流量計である。このグロ
ー放電装置において、まず支持体である例えばＡ２基板
４１の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真
空槽５２内のガス圧が１Ｏ−ｈＴｏｒｒとなるように調
節して排気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜
３５０℃（望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持す
る。次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして
、Ｓ　ｉ　Ｈ，又はガス状シリコン化合物、ＣＨ，等を
適宜真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔ
　ｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧
（例えば１３．５６　ＭＨｚ）を印加する。これによっ
て、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロ
ー放電分解し、Ｐ型ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｈｌ
ａ−５ｉ　：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−５ｉＣ：Ｈを上
記の層４４．４２．４３．４６．４５として基板上に連
続的に（即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させ
る。

上記製造方法においては、支持体上にａ−Ｓｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−３ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフ。

素をＳｉＦ、等の形で導入し、ａ　　Ｓ　ｉ　：　Ｆ　
％ａ−３ｉ　　：Ｈ：Ｆ、　　ａ−５ｉＮ：Ｆ。

ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、　　ａ−５ｉＣ：Ｆ。

ａ−３ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ッ素量は０．５〜１０％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スバ・ツタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願
人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａβ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状Ａ２基板４１の表面を清浄化した後に、第６図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基ｖｉ４１
を所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５
０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純度のＡ
ｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒ
の背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの高周波電
力を印加し、１０分間の予備放電を行った。

次いで、ＳｉＨ４とＢｚＨｔ、又はＰＨ３とからなる反
応ガスを導入し、流量比１　：　１　：　Ｉ　：　（１
，５Ｘ１０−３）の（Ａｒ＋Ｓ　ｉＨ４＋ＣＨ４＋Ｂｚ
　Ｈ６又はＰＨ：＋）混合ガスをグロー放電分解するこ
とにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ型又はＮ型の
ａ−３ｉＣ：Ｈ層４４と電荷輸送層４２とを６μｍ／ｈ
ｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き続き、Ｂ
ｚ、Ｈｈ及びＣＨ，を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈａを放電
分解し、所定厚さのａ−５ｉ：Ｈ層４３を形成した。引
続いて、流量比４：１：６の（Ａｒ＋ＳｉＨ，＋ＣＨ，
）混合ガスをグロー放電分解し、所定厚さの中間層４６
を形成し、更に同流量比を４：１：１０にしてａ−３ｉ
Ｃ：Ｈ表面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完
成させた。

こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。

（３）、　　ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生層：膜厚＝５ｐ
ｍ（４）、ａ−３ｉＣ：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１４μｍ
炭素含有量＝１２ａｔｏｍｉｃ％ 正帯電用二Ｂドープ有り グロー放電分解法で 負帯電用：ドープ無し く５１．　　ａ−３ｉＣ：　Ｈ電荷ブロッキング層：膜
厚＝１μｍ 炭素含有量＝　１２ａｔｏｍｉｃ％ 正帯電用二Ｂドープ有り グロー放電分解法で 負帯電用：Ｐドープ有り グロー放電分解法で （６）、支持体：ＡＩｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）
次に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のよう
に行なった。

狙ユ血皇欠皮 第８図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３Ｒダイヤ針７ｏに荷重Ｗを加え、感光体をモータ７１
で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ　−
Ｂ　ｉｘ　１６００（小西六写真工業社製）改造機にて
画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現わ
れるかで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。

■鬼策並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。

◎：画画像流が全くなく　、５．５ポイントの英字や細
線の再現性が良い。

○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。

△：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。

Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。

留電位ｖ＊（’Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　１６００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３ＱＩ！　ｕ　ｘ　−
ｓｅｃを照射した後も残っている感光体表面電位。

２０　　コピ一時の画 ◎二画像上に白スジ、白ポチがなく、解像度、階調性が
よく、鮮明。

Ｏ：画像上に白スジや画像流れによるにじみがごく一部
のみに発生。

△：画像上に白スジ、白ポチが部分的に発生。

画像流れにより文字も部分的に読みづらい。

×：画像上に白スジ、白ポチ、画像流れが全面的に発生
。

結果を第７図にまとめて示した。この結果を含めて次の
ことが明らかとなった。

（１）、中間層、表面改質層共に無しの場合：白スジ等
が発生する。また、画像流れを起こし、画像ボケが発生
する。従って、耐刷性は極めて低い。

（２）、中間層無し、ａ−３ｉＣ：Ｈ表面改質層（膜厚
＝１５００人）の場合： 引っかき強度、画像流れ防止弁不十分であり、耐刷性低
い。

（３）、中間層無し、ａ−５ｉＣ：Ｈ表面改質層（（Ｃ
）　＝６０ａｔ、％）の膜厚を変えた場合：引っかき強
度不十分、画像流れ防止不十分、膜厚と共に残留電位が
上昇する。

ｆ４）、ａ−５ｉＣ：Ｈ中間層（［Ｃ］　＝３０〜５０
ａｔ、％）とａ−３ｉＣ：Ｈ表面改質層（（Ｃ）　＝５
０〜８０ａｔ、％）の積層： 引っかき強度が向上し、画像流れも発生せず、高画質の
画像が数十力コピー得られる　（高耐剛性）。

（５１，ａ−５ｉＣ：Ｈ中間層とａ−３ｉＣ：Ｈ表面改
質層の厚さが薄いときは引っかき強度が弱く、画像流れ
防止の効果も少なくなる傾向あり。また、膜厚が厚すぎ
ると、残留電位が上昇し易い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図、第２図、第３図はａ−３ｉ系感光体の各断面図
、 第４図はａ−３ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめ
ずグラフ、 第５図はａ−ＳｉＣの比抵抗を示すグラフ、第６図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第７図は各感光体の層構成
とその特性を比較して示す表、 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・ａ−３ｉ系感光体 ４１・・・・支持体（基板） ４２・・・・電荷輸送層 ４３・・・・電荷発生層 ４４・・・・電荷ブロッキング層 ４５・・・・表面改質層 ４６．４６ａ１４６ｂ・・・・中間層 ５５・・・・ヒーター ５６・・・・高周波電源 ５７・・・・電極 ６２〜６５・・・・各ガス供給源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第１図 第２図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化炭化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化シリコンからなる電荷輸送層が設けられ
   ている感光体において、前記電荷発生層と前記表面改質
   層との間に、アモルファス水素化及び／又はフッ素化炭
   化シリコンからなる中間層が設けられ、前記表面改質層
   が５０ａｔｏｍｉｃ％をこえる炭素原子を含有し（但、
   シリコン原子と炭素原子との合計原子数を１００ａｔｏ
   ｍｉｃ％とする。）、かつ前記中間層が５０ａｔｏｍｉ
   ｃ％以下の炭素原子を含有することを特徴とする感光体
   。