JPS592226A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS592226A JPS592226A JP57110208A JP11020882A JPS592226A JP S592226 A JPS592226 A JP S592226A JP 57110208 A JP57110208 A JP 57110208A JP 11020882 A JP11020882 A JP 11020882A JP S592226 A JPS592226 A JP S592226A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic
- magnetic recording
- atoms
- layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空蒸着法により形成される金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。
気記録媒体に関するものである。
近年磁気記録分野は高密度記録化が進められている。こ
の高密度記録を行なうために、機器の開発と共に記録媒
体の改良も行なわれている。一般的に磁気記録媒体にお
いて高密度記録を行なうための記録媒体への要求には、
抗磁力（Ｈａ）を大きくすること、磁束密度を上げかつ
飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の比Ｂｒ
／Ｂ、 （角形比）を１．０に近づけること、反磁場
の影響を少なくする磁性層とすることなどが云われてい
る。これらを実現するために塗布型の記録媒体において
は磁性粉の改良、磁性層中の充填率の向上や表面性の改
良などがなされている。また他の方法としては磁性層が
１００％磁性体である金属薄膜による磁気記録媒体の研
究や開発も行なわれている。
の高密度記録を行なうために、機器の開発と共に記録媒
体の改良も行なわれている。一般的に磁気記録媒体にお
いて高密度記録を行なうための記録媒体への要求には、
抗磁力（Ｈａ）を大きくすること、磁束密度を上げかつ
飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の比Ｂｒ
／Ｂ、 （角形比）を１．０に近づけること、反磁場
の影響を少なくする磁性層とすることなどが云われてい
る。これらを実現するために塗布型の記録媒体において
は磁性粉の改良、磁性層中の充填率の向上や表面性の改
良などがなされている。また他の方法としては磁性層が
１００％磁性体である金属薄膜による磁気記録媒体の研
究や開発も行なわれている。
この金属薄膜による記録媒体は現状では磁性層厚が塗布
型の１〜３ミクロンに比べて極めて薄く１、０６０５〜
１．０ ミクロン程度であるので反磁場の影響が少なく
、短波長記録に適した高密度記録媒体となりうる。
型の１〜３ミクロンに比べて極めて薄く１、０６０５〜
１．０ ミクロン程度であるので反磁場の影響が少なく
、短波長記録に適した高密度記録媒体となりうる。
従来、金属薄膜の形成゛方法としては、メ・ツキ法、ス
パッター法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等が
知られている。これらのどの方法を用いても薄膜の形成
手法や条件によって金属薄膜型で高密度記録に適する媒
体を形成することが可能である。
パッター法、イオンブレーティング法、真空蒸着法等が
知られている。これらのどの方法を用いても薄膜の形成
手法や条件によって金属薄膜型で高密度記録に適する媒
体を形成することが可能である。
本発明は上述の金属薄膜の形成方法のうち真空蒸着法を
用い、特に真空槽内に長尺の高分子基板を巻出し、巻取
りなどを行なうための走行系と、蒸着用クーリングキャ
ン及び蒸着系を設け、長尺の高分子基板を連続的に走行
させながら高分子基板表面に金属を蒸着する連続式真空
蒸着法により金属簿膜型磁気記録媒体を形成したもので
あり、この連続式真空蒸着法による金属薄膜型磁気記録
媒体で高分子基板の長手方向（以下Ｍ、Ｄと称ずンと長
手方向に直角な方向（以下ＴＤと称す）の抗磁力（Ｈａ
）や残留磁化（Ｍｒ）などの緒特性のＭＤ／ＴＤ 比
をほぼ１．０にした磁気記録媒体である。
用い、特に真空槽内に長尺の高分子基板を巻出し、巻取
りなどを行なうための走行系と、蒸着用クーリングキャ
ン及び蒸着系を設け、長尺の高分子基板を連続的に走行
させながら高分子基板表面に金属を蒸着する連続式真空
蒸着法により金属簿膜型磁気記録媒体を形成したもので
あり、この連続式真空蒸着法による金属薄膜型磁気記録
媒体で高分子基板の長手方向（以下Ｍ、Ｄと称ずンと長
手方向に直角な方向（以下ＴＤと称す）の抗磁力（Ｈａ
）や残留磁化（Ｍｒ）などの緒特性のＭＤ／ＴＤ 比
をほぼ１．０にした磁気記録媒体である。
従来から知られている真空蒸着法は減圧された料を設置
し、この蒸着材料を加熱、溶融して原子となし、これを
蒸発させて蒸発原子が基板上に付着する手法である。近
年真空蒸着法も改良がなされ、長尺の基板に連続して蒸
着することが行なわれるようになって来た。
し、この蒸着材料を加熱、溶融して原子となし、これを
蒸発させて蒸発原子が基板上に付着する手法である。近
年真空蒸着法も改良がなされ、長尺の基板に連続して蒸
着することが行なわれるようになって来た。
第１図に連続式真空蒸着の略図を示す。長尺の高分子基
板２（以下基板という）はクーリングキャン１の外周に
密着してクーリングキャン１と共に矢印入方向に走行さ
れる。このときクーリングキャン１の下部に設置された
蒸発源３から蒸発した原子群４が基板表面に刺着して蒸
着層を成す。
板２（以下基板という）はクーリングキャン１の外周に
密着してクーリングキャン１と共に矢印入方向に走行さ
れる。このときクーリングキャン１の下部に設置された
蒸発源３から蒸発した原子群４が基板表面に刺着して蒸
着層を成す。
この蒸着層の断面形状は、鉄、ニッケル、コバルトなど
の場合第２図に示すように、基板２上に蒸着層６が形成
される。この鉄、ニッケル、コバルトなどの場合の蒸着
層形状は蒸着速度や蒸発原子４と基板２との入射角、蒸
発レートナどにより変化するが、基本的には第１図に示
す連続真空蒸着法では第２図に示すように成長する。鉄
、ニッケル、コバルトなどの単一もしくは合金のこのよ
うな結晶成長は、これらの磁性材料を用いて金属薄膜型
の磁気記録媒体を形成した場合、記録媒体の持つ磁気特
性に形状効果が影響することが知られている。連続式真
空蒸着法において、基板２に対する金属原子４の入射角
を最大θ１−＋９０°とし、最小入射角 θ２−−９０
°から約＋９０°寸で可変することにより形状効果によ
って磁気特性の抗磁力（Ｈｃ）や角形比を変えることが
できる。
の場合第２図に示すように、基板２上に蒸着層６が形成
される。この鉄、ニッケル、コバルトなどの場合の蒸着
層形状は蒸着速度や蒸発原子４と基板２との入射角、蒸
発レートナどにより変化するが、基本的には第１図に示
す連続真空蒸着法では第２図に示すように成長する。鉄
、ニッケル、コバルトなどの単一もしくは合金のこのよ
うな結晶成長は、これらの磁性材料を用いて金属薄膜型
の磁気記録媒体を形成した場合、記録媒体の持つ磁気特
性に形状効果が影響することが知られている。連続式真
空蒸着法において、基板２に対する金属原子４の入射角
を最大θ１−＋９０°とし、最小入射角 θ２−−９０
°から約＋９０°寸で可変することにより形状効果によ
って磁気特性の抗磁力（Ｈｃ）や角形比を変えることが
できる。
一方このような形状効果は基板２のＭＤとＴＤの特性差
を生じる結果となる。このＭＤとＴＤの特性差は記録媒
体全長尺のテープ状にして使用する場合は好ましいもの
であるが、記録媒体を円板状として回転使用する場合は
好１しくない。すなわち、円籾状にして回転使用する場
合、その円板の一回転に対してＭＤとＴＤが各２回検出
゛器部分を通過する毎に、入力及び出力特性が変化する
ことになり、この入出力特性の湯度の差は排除されなけ
れば円板状の回転用記録媒体としての使用は困難となる
。例えば、デジタルオーディオディスクやフロッピーデ
スクの記録媒体として使用する（Ａはトラック１個のう
ち最大出力を含む約２０００磁束反転の平均出力、Ｂは
同じく最小出力を含む平均出力うが小さい方が望ましい
。従って連続式真空蒸着法で形成された金属薄膜型磁気
記録媒体を円板状にして回転させて使用する場合には、
ＭＤとＴＤの特性をいかにしてＭＤ／ＴＤ ＝１．０に
近づけるかが課題であった。
を生じる結果となる。このＭＤとＴＤの特性差は記録媒
体全長尺のテープ状にして使用する場合は好ましいもの
であるが、記録媒体を円板状として回転使用する場合は
好１しくない。すなわち、円籾状にして回転使用する場
合、その円板の一回転に対してＭＤとＴＤが各２回検出
゛器部分を通過する毎に、入力及び出力特性が変化する
ことになり、この入出力特性の湯度の差は排除されなけ
れば円板状の回転用記録媒体としての使用は困難となる
。例えば、デジタルオーディオディスクやフロッピーデ
スクの記録媒体として使用する（Ａはトラック１個のう
ち最大出力を含む約２０００磁束反転の平均出力、Ｂは
同じく最小出力を含む平均出力うが小さい方が望ましい
。従って連続式真空蒸着法で形成された金属薄膜型磁気
記録媒体を円板状にして回転させて使用する場合には、
ＭＤとＴＤの特性をいかにしてＭＤ／ＴＤ ＝１．０に
近づけるかが課題であった。
本発明は上述のような諸問題を解決することができる金
属薄膜型の磁気記録媒体を提供するものである。以下そ
の一実施例について説明する。
属薄膜型の磁気記録媒体を提供するものである。以下そ
の一実施例について説明する。
第３図に本発明に用いた連続式真空蒸着装置の構成図を
示す。真空槽１１は排気管１２により排気装置１３に接
続されている。前記真空槽１１内には長尺のポリエチレ
ンテレフタレ＝！・フィルム等からなる基板２７を巻い
た巻出軸１６及び巻取東１ｊ１４が設けられている。こ
の巻出２巻取軸は基板２７の走行方向によって巻取軸１
巻出軸が入れ変わる。基板２７は巻出軸１６からクーリ
ングキャン１７の外周に密着してこのクーリングキャン
１７と共に回転走行した後巻取軸１４に巻取られる。ク
ーリングキャン１７の下部にはコバルト２４を入れた容
器２６及びアルミニウム２２を入れた容器２３が配置さ
れ、これらは加熱源２６により加熱されて蒸発されるよ
うになっている。各々の蒸発餘から金属原子１８．１９
が蒸発して基板２７上に付着し、金属薄膜層を形成する
。１６は金属原子１８．１９が巻出２巻取系に付着する
のを防止するための仕切板、２１はアルミニウムとコバ
ルトの原子が交わらないようにするとともに基板２７へ
の金属原子１８．１９の入射角を制限する制限板であり
、２０はガス導入口である。
示す。真空槽１１は排気管１２により排気装置１３に接
続されている。前記真空槽１１内には長尺のポリエチレ
ンテレフタレ＝！・フィルム等からなる基板２７を巻い
た巻出軸１６及び巻取東１ｊ１４が設けられている。こ
の巻出２巻取軸は基板２７の走行方向によって巻取軸１
巻出軸が入れ変わる。基板２７は巻出軸１６からクーリ
ングキャン１７の外周に密着してこのクーリングキャン
１７と共に回転走行した後巻取軸１４に巻取られる。ク
ーリングキャン１７の下部にはコバルト２４を入れた容
器２６及びアルミニウム２２を入れた容器２３が配置さ
れ、これらは加熱源２６により加熱されて蒸発されるよ
うになっている。各々の蒸発餘から金属原子１８．１９
が蒸発して基板２７上に付着し、金属薄膜層を形成する
。１６は金属原子１８．１９が巻出２巻取系に付着する
のを防止するための仕切板、２１はアルミニウムとコバ
ルトの原子が交わらないようにするとともに基板２７へ
の金属原子１８．１９の入射角を制限する制限板であり
、２０はガス導入口である。
この蒸着系でθ９ｏはコバルト原子１９の基板２７への
最大入射角（９０°Ｊを示し、θはその最小入射角を示
す。この最大入射角は図示していない他の遮へい板によ
り、また最小入射角θは制限板２１あるいは容器２６を
左右に移動させること等により任意に角度を設定するこ
とができるようになっている。なおこの入射角調整のた
めの具体的な機構は省略する。
最大入射角（９０°Ｊを示し、θはその最小入射角を示
す。この最大入射角は図示していない他の遮へい板によ
り、また最小入射角θは制限板２１あるいは容器２６を
左右に移動させること等により任意に角度を設定するこ
とができるようになっている。なおこの入射角調整のた
めの具体的な機構は省略する。
第４〜７図に第３図の連続式真空蒸着装置により得られ
た一般的なコバルト原子体とした合金の金属薄膜型磁気
記録媒体の抗磁力（Ｈａ）特性を示し、これらにおいて
真空槽１１の真空Ｉｆを５×＝５ １０ Ｔｏｒｒ とした。第４図は導入ガス酸素（０
２）を０．３ ｅ ／ ｍｉ ｎ、最大入射角＝９０°
として最小入射角を変えた場合のＭＤとＴＤの抗磁力（
Ｈａ）も太きくなるが、最小入射角に対する抗磁力（Ｈ
ｌｌ−）のＭＤ／ＴＤ比は約１゜５〜１．８であった。
た一般的なコバルト原子体とした合金の金属薄膜型磁気
記録媒体の抗磁力（Ｈａ）特性を示し、これらにおいて
真空槽１１の真空Ｉｆを５×＝５ １０ Ｔｏｒｒ とした。第４図は導入ガス酸素（０
２）を０．３ ｅ ／ ｍｉ ｎ、最大入射角＝９０°
として最小入射角を変えた場合のＭＤとＴＤの抗磁力（
Ｈａ）も太きくなるが、最小入射角に対する抗磁力（Ｈ
ｌｌ−）のＭＤ／ＴＤ比は約１゜５〜１．８であった。
また第５図には導入ガｘ ０２＝＝０．３１７ ｍｉｎ
、最小入射角を一２０°として最大入射角を変化させた
場合で、磁性層厚が１０００八でのＭＤ、ＴＤの抗磁力
（Ｈｃ ）特性を示す。この第５図においては最大入射
角が小さい領域においては抗磁力（Ｈａ）のＭＤ／ＴＤ
比はほぼ１．０に近づくが抗磁力（Ｈｃ）は約２０００
ｅと小さい。
、最小入射角を一２０°として最大入射角を変化させた
場合で、磁性層厚が１０００八でのＭＤ、ＴＤの抗磁力
（Ｈｃ ）特性を示す。この第５図においては最大入射
角が小さい領域においては抗磁力（Ｈａ）のＭＤ／ＴＤ
比はほぼ１．０に近づくが抗磁力（Ｈｃ）は約２０００
ｅと小さい。
第６図は最小入射角を一２０°、最大入射角を９００と
した場合の酸素導入量と抗磁力（Ｈａ）との関係を示し
たもので、酸素導入量がＯ（１／ ｍｉｎにおいては抗
磁力のＭＤ／ＴＤ比はほぼ１．０であるが抗磁力（Ｈｃ
）は約２０００ｅと小さい。酸素導入ガス量によりＭＤ
、ＴＤの抗磁力（Ｈａ）はともに大きくなるがこの場
合は抗磁力（Ｈａ）のＭＤ／ＴＤ比は１．○からずれる
。この場合の磁性層厚は酸素導入量にかかわらず１００
０八とした。
した場合の酸素導入量と抗磁力（Ｈａ）との関係を示し
たもので、酸素導入量がＯ（１／ ｍｉｎにおいては抗
磁力のＭＤ／ＴＤ比はほぼ１．０であるが抗磁力（Ｈｃ
）は約２０００ｅと小さい。酸素導入ガス量によりＭＤ
、ＴＤの抗磁力（Ｈａ）はともに大きくなるがこの場
合は抗磁力（Ｈａ）のＭＤ／ＴＤ比は１．○からずれる
。この場合の磁性層厚は酸素導入量にかかわらず１００
０八とした。
第７図に入射角を一２０〜９０°とし、酸素導入量を０
．３ｅ／ｍｉｎとして磁性層の膜厚を変えた場合の抗磁
力（Ｈａ）％性を示す。なお磁性層厚は蒸発レートを一
定にして基板の走行速度を変えて膜厚を制限Ｉ：た。こ
の場合磁性層が薄い領域で抗磁力（Ｈａ）が犬きくかつ
ＭＤ／ＴＤ比が１．０に近づいている。
．３ｅ／ｍｉｎとして磁性層の膜厚を変えた場合の抗磁
力（Ｈａ）％性を示す。なお磁性層厚は蒸発レートを一
定にして基板の走行速度を変えて膜厚を制限Ｉ：た。こ
の場合磁性層が薄い領域で抗磁力（Ｈａ）が犬きくかつ
ＭＤ／ＴＤ比が１．０に近づいている。
なお、第４〜７図において最小入射角全一２０゜とした
が−６０°の場合でも一２０°の場合とほとんど同一の
特性であった。これらの結果から、最小、最大入射角、
導入酸素量、磁性層厚を適当に制御することにより第３
図に示した連続式真空蒸着法により抗磁力のＭＤ／Ｔ
Ｄ比及び角形比のＭＤ／ＴＤがほぼ１．０に近い金属薄
膜型の磁気記録媒体の形成ができたものである。
が−６０°の場合でも一２０°の場合とほとんど同一の
特性であった。これらの結果から、最小、最大入射角、
導入酸素量、磁性層厚を適当に制御することにより第３
図に示した連続式真空蒸着法により抗磁力のＭＤ／Ｔ
Ｄ比及び角形比のＭＤ／ＴＤがほぼ１．０に近い金属薄
膜型の磁気記録媒体の形成ができたものである。
これまでの説明では各図とも基板上に磁性層を１層蒸着
した例を示したが、実用の記録媒体として使用する場合
は本説明中の１層厚では出方が低いため多層構造にする
。この場合１層当りの抗磁力（Ｈａ）は多層にすること
により減少するが使用上問題の範囲であった。
した例を示したが、実用の記録媒体として使用する場合
は本説明中の１層厚では出方が低いため多層構造にする
。この場合１層当りの抗磁力（Ｈａ）は多層にすること
により減少するが使用上問題の範囲であった。
次に多層構造にした場合の例を示す。この場合の共通条
件は次のとおりである。
件は次のとおりである。
連続式真空蒸着法：真空度５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ
、最小入射角−６０°、最大入射角９ｏｏ、酸素導入量
０・５１ ／ ｍｉｎ 、磁性材料：コバルト８０％、
ニッケル２０％の合金、非磁性材料ニアルミニウム９９
．９％、その他。、１％、蒸発レート：約１０００ Ａ
／ｓｅｃ、加熱源： 電子ヒー ム、基板：ボリエテ
レンテレフタレート、厚す：１０μｍ、長さ１０００．
ｒＬ。
、最小入射角−６０°、最大入射角９ｏｏ、酸素導入量
０・５１ ／ ｍｉｎ 、磁性材料：コバルト８０％、
ニッケル２０％の合金、非磁性材料ニアルミニウム９９
．９％、その他。、１％、蒸発レート：約１０００ Ａ
／ｓｅｃ、加熱源： 電子ヒー ム、基板：ボリエテ
レンテレフタレート、厚す：１０μｍ、長さ１０００．
ｒＬ。
金属薄膜層二基板上に非磁性層と磁性層の交互積層。
以下余白
この実施例における条件４のＢ−Ｈカーブを第８図に示
す。第８図（ａｌはＭＤのＢ−Ｈカーブであり、（ｂ）
はＴＤのＢ−Ｈカーブである。同様に条件５のＢ−Ｈカ
ーブを第９図に示し、゛第９図（ａ）はＭＤ、（ｂ）は
ＴＤのＢ−１（カーブケ示す。
す。第８図（ａｌはＭＤのＢ−Ｈカーブであり、（ｂ）
はＴＤのＢ−Ｈカーブである。同様に条件５のＢ−Ｈカ
ーブを第９図に示し、゛第９図（ａ）はＭＤ、（ｂ）は
ＴＤのＢ−１（カーブケ示す。
上記表に示すように非磁性層と磁性層から成る積層構造
による金属薄膜型磁気記録媒体は、条件により磁気的、
電磁変換的、物理的に特性が変化する。従って本発明で
は磁性層の１層当りの厚さを約６００八以下とし非磁性
層の１層当りの厚さを１０００八以下で約８Ｑ〇八以下
とし２００八以上とすることで、円板状の記録媒体とし
て十分な緒特性を有した金属薄膜型磁気記録媒体が得ら
れる。
による金属薄膜型磁気記録媒体は、条件により磁気的、
電磁変換的、物理的に特性が変化する。従って本発明で
は磁性層の１層当りの厚さを約６００八以下とし非磁性
層の１層当りの厚さを１０００八以下で約８Ｑ〇八以下
とし２００八以上とすることで、円板状の記録媒体とし
て十分な緒特性を有した金属薄膜型磁気記録媒体が得ら
れる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、（１）
連続式真空蒸着法により、金属薄膜型磁気記録媒体でほ
ぼ無配向の記録媒体が得られる。
連続式真空蒸着法により、金属薄膜型磁気記録媒体でほ
ぼ無配向の記録媒体が得られる。
（２） フロッピーディスク等の回転して使用する記
録装置の高密度記録媒体として使用できる。
録装置の高密度記録媒体として使用できる。
（本実施例の表中条件４ｉ／ｉ：示した金属薄膜型媒体
を５層インチに打抜き、５インチ型フロッピーディスク
の記録媒体として使用したところ、ｒ−Ｆｅ２０３磁性
体による塗布型の従来の６インチフロッピーディスク用
記録媒体に比べて磁束反転周波数が１２６匹及び２５０
ｋｌ（ｚの場合とも出力が約１．５〜１．８倍と大き
かった。〕（３）モジュレーイション特性が１．０〜７
．０％と優れている。
を５層インチに打抜き、５インチ型フロッピーディスク
の記録媒体として使用したところ、ｒ−Ｆｅ２０３磁性
体による塗布型の従来の６インチフロッピーディスク用
記録媒体に比べて磁束反転周波数が１２６匹及び２５０
ｋｌ（ｚの場合とも出力が約１．５〜１．８倍と大き
かった。〕（３）モジュレーイション特性が１．０〜７
．０％と優れている。
（４）工業性が高く量産効果が期待でき、安価な製品が
大量に供給できる。
大量に供給できる。
第１図は連続式真空蒸着法の概略図、第２図は蒸着層の
成長形状を示す図、第３は本発明に供する連続式真空蒸
着装置の概略構成図、第４図、第６図、第６図、第７図
は連続式真空蒸着法による金属薄膜型磁気記録媒体の抗
磁力特性を示す図、第８図（ａ） 、 （ｂｌおよび第
９図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の実施例のＢ
−Ｈ特性を示す図である。 ２．２７−・・・・・基板、１８，１９・・・・・・金
属原子。 第１図 ＠ ３ ！Ａ 第４図 第５図 政小入ｌＩＩ穎白 辰入λ財ＴＡ（
°）第６図 第７図 月黄、８ （Ａ） 第８図 鱈
成長形状を示す図、第３は本発明に供する連続式真空蒸
着装置の概略構成図、第４図、第６図、第６図、第７図
は連続式真空蒸着法による金属薄膜型磁気記録媒体の抗
磁力特性を示す図、第８図（ａ） 、 （ｂｌおよび第
９図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ本発明の実施例のＢ
−Ｈ特性を示す図である。 ２．２７−・・・・・基板、１８，１９・・・・・・金
属原子。 第１図 ＠ ３ ！Ａ 第４図 第５図 政小入ｌＩＩ穎白 辰入λ財ＴＡ（
°）第６図 第７図 月黄、８ （Ａ） 第８図 鱈
Claims (3)
- （１）真空槽内に長尺の高分子基板の巻取系、蒸着用ク
ーリングキャン等の蒸着系を設けた連続式真空蒸着法で
形成される金属薄膜型の磁気記録媒体であって、その金
属薄膜型の磁気記録媒体の抗磁ツバ残留磁化が高分子基
板の長手方向（ＭＤ）とその長手方向に直角方向（ＴＤ
）の比（ＭＤ／ＴＤ）が抗磁力、残留磁化ともに０．９
〜１．２以内としたことを特徴とする磁気記録媒体。 - （２） 高分子基板上に磁性層と非磁性層を少なくと
も２層以上積層し、磁性層は１層当り６００八以下、非
磁性層は１層当９８００Ａ以下で２００Å以上としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体。 - （３）母性材料がコバルト・ニッケルの単一もしくは合
金からなり、非磁性層がアルミニウムを主体とした金属
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110208A JPS592226A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57110208A JPS592226A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592226A true JPS592226A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14529791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57110208A Pending JPS592226A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592226A (ja) |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57110208A patent/JPS592226A/ja active Pending
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