JPS61264624A - 含浸形カソ−ド - Google Patents
含浸形カソ−ドInfo
- Publication number
- JPS61264624A JPS61264624A JP60105839A JP10583985A JPS61264624A JP S61264624 A JPS61264624 A JP S61264624A JP 60105839 A JP60105839 A JP 60105839A JP 10583985 A JP10583985 A JP 10583985A JP S61264624 A JPS61264624 A JP S61264624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron emission
- mainly composed
- cathode
- impregnated
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は高電流密度カソードとして電子管等に用いられ
る含浸形カソードに関する。
る含浸形カソードに関する。
従来この種の含浸形カソードは、タ／ゲステン局、モリ
ブデンＧ Ｍ ｏ ）等の高融点金属からなる多孔質性
の基体に、Ｂａ−Ｃａアルミネート等の電子放射物質を
含浸させて構成されるが、さらに電子放出特性を向上さ
せるために、カソード表面に主として貴金属からなる薄
膜を付着させる場合があシ、このような電子放出特性の
向上に有効な材料としてオスミウム（Ｏａ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒ・）な
どが知られている（バキューム第３巻第７１８頁（Ｖａ
ｃｕｕｍ。
ブデンＧ Ｍ ｏ ）等の高融点金属からなる多孔質性
の基体に、Ｂａ−Ｃａアルミネート等の電子放射物質を
含浸させて構成されるが、さらに電子放出特性を向上さ
せるために、カソード表面に主として貴金属からなる薄
膜を付着させる場合があシ、このような電子放出特性の
向上に有効な材料としてオスミウム（Ｏａ）、イリジウ
ム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒ・）な
どが知られている（バキューム第３巻第７１８頁（Ｖａ
ｃｕｕｍ。
Ｖｏｌ、３（１９８３）、ｐ７１８））。
これらの薄膜は、カソードの動作中に下地金属基体材料
と徐々に合金化して失われ、それに伴って電子放出特性
も劣化する。
と徐々に合金化して失われ、それに伴って電子放出特性
も劣化する。
したがって、良好な電子放出特性を長時間維持させるた
めには薄膜を十分厚く形成しておく必要がある。ところ
が、このように薄膜の膜厚を大きくすると、一般にその
電子放出特性を向上させる効果は低下し、著しい場合に
はむしろ薄膜を形成しないものより低下することもある
。
めには薄膜を十分厚く形成しておく必要がある。ところ
が、このように薄膜の膜厚を大きくすると、一般にその
電子放出特性を向上させる効果は低下し、著しい場合に
はむしろ薄膜を形成しないものより低下することもある
。
したがって本発明の目的は、長時間にわたって良好な電
子放出特性が得られる含浸形カソードを提供することに
ある。
子放出特性が得られる含浸形カソードを提供することに
ある。
このために本発明は、カソード材料表面に付着させる被
膜を、Ｏａｓ Ｉ ｒ−、Ｒｕｓ Ｒｅ の少なくと
も一種またはそれらを主体とする合金と、アルミナ（Ａ
ｔ２０ｇ ）、イツトリア（ＹｘＯｓ）、スカンジウム
・オキサイド（Ｓａｇｏｓ）の少なくとも一種またはそ
れらを主体とする化合物との混合物を主成分として構成
したものである。
膜を、Ｏａｓ Ｉ ｒ−、Ｒｕｓ Ｒｅ の少なくと
も一種またはそれらを主体とする合金と、アルミナ（Ａ
ｔ２０ｇ ）、イツトリア（ＹｘＯｓ）、スカンジウム
・オキサイド（Ｓａｇｏｓ）の少なくとも一種またはそ
れらを主体とする化合物との混合物を主成分として構成
したものである。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。同図におい
て、１はカソード材料としてのベレットである。このベ
レット１は、空孔率２０−２５％の多孔質Ｗ基体１１か
ら構成され、空孔１２中にはＢａ−Ｃａ アルミネート
が含浸されている。そしてこのベレット１はタンタル（
Ｔ１）カップ２に装着され、さらにとのＴａスリーブ３
にレーザ溶接によシ固定配置されている。
て、１はカソード材料としてのベレットである。このベ
レット１は、空孔率２０−２５％の多孔質Ｗ基体１１か
ら構成され、空孔１２中にはＢａ−Ｃａ アルミネート
が含浸されている。そしてこのベレット１はタンタル（
Ｔ１）カップ２に装着され、さらにとのＴａスリーブ３
にレーザ溶接によシ固定配置されている。
ここで、ベレット１の上には約４ｗｔ％の弯ｏ３を含む
Ｏｓ −Ａｔｘ Ｏｓ膜４が、スパッタリングによシ約
８００ＯＡの厚さに形成されている。そしてこのベレッ
ト１は、Ｗ芯線５１をアルミナ被膜５２で被覆してなる
ヒータ５によって加熱される。
Ｏｓ −Ａｔｘ Ｏｓ膜４が、スパッタリングによシ約
８００ＯＡの厚さに形成されている。そしてこのベレッ
ト１は、Ｗ芯線５１をアルミナ被膜５２で被覆してなる
ヒータ５によって加熱される。
このような構成を有するカソードを用い、カソード・ア
ノード２極管方式でアノードに幅約５μ蓼、周波数１ｏ
ｏａｚの高圧パルスを印加して飽和電流密度を測定し之
。
ノード２極管方式でアノードに幅約５μ蓼、周波数１ｏ
ｏａｚの高圧パルスを印加して飽和電流密度を測定し之
。
その結果、本実施例のカソードの電子放出特性はＡｔ雪
０３を含まないＯｓ膜を４００ＯＡの厚さに付着させた
カソードと同等ないしは１．２倍程度であシ、同様にｈ
ｔｘｏ＊を含まないＯｓ膜を６００ＯＡの厚さに付着さ
せたカソードの約１．５倍ないしはそれ以上であった。
０３を含まないＯｓ膜を４００ＯＡの厚さに付着させた
カソードと同等ないしは１．２倍程度であシ、同様にｈ
ｔｘｏ＊を含まないＯｓ膜を６００ＯＡの厚さに付着さ
せたカソードの約１．５倍ないしはそれ以上であった。
以上ＡＬｓＯｓ ’に含むＯｓ膜を付着した例について
説明したが、０畠の代夛に従来同様の目的で使用されて
いるＩｒ、Ｒｕ、Ｒｅを用いてもよいし、あるいはこれ
らを主体とする合金、例えばＯｓ −Ｒｕ、Ｏｓ −Ｉ
ｒ、０ｓ−Ｗ等を用いてもよい。また、酸化防止のため
に表面ｔ−Ｉｒで覆ったＯｓも用いられる。一方、Ａ４
０ｓの代シに、Ｙ！０３．５ｃ２０ｓ、ｈるいはこれら
を主体とする化合物を用いても同様の結果が得られる。
説明したが、０畠の代夛に従来同様の目的で使用されて
いるＩｒ、Ｒｕ、Ｒｅを用いてもよいし、あるいはこれ
らを主体とする合金、例えばＯｓ −Ｒｕ、Ｏｓ −Ｉ
ｒ、０ｓ−Ｗ等を用いてもよい。また、酸化防止のため
に表面ｔ−Ｉｒで覆ったＯｓも用いられる。一方、Ａ４
０ｓの代シに、Ｙ！０３．５ｃ２０ｓ、ｈるいはこれら
を主体とする化合物を用いても同様の結果が得られる。
なお、金属、すなわちＡｔ％ Ｙ％ Ｓｃ の状態で膜
を形成し、その後酸化物としたものでもよい。また、こ
れらは電子放出特性を十分に向上させるために０．１ｗ
ｔ＊以上入れることが望ましく、また抵抗値の上昇を抑
えるために２０ｖｒｔ％程度以下とすることが望ましい
。
を形成し、その後酸化物としたものでもよい。また、こ
れらは電子放出特性を十分に向上させるために０．１ｗ
ｔ＊以上入れることが望ましく、また抵抗値の上昇を抑
えるために２０ｖｒｔ％程度以下とすることが望ましい
。
さらに、このような被膜の厚さは、必要な寿命によって
異なるが、厚すぎるとコストが上昇するとともに活性化
に時間がかかることもあシ、２ｐＩｎ程度以下が望まし
い。
異なるが、厚すぎるとコストが上昇するとともに活性化
に時間がかかることもあシ、２ｐＩｎ程度以下が望まし
い。
以上説明したように、本発明によれば、カソード材料表
面に付着させる電子放出特性向上用の被膜にアルミナ、
イツトリア、スカンジウム・オキサイドの少なくとも一
種またはそれらを主体とする化合物を加えたことによシ
、油該被膜を、その電子放出特性向上の効果を落とすこ
となく厚くすることができる。このため、良好な電子放
出特性を長時間にわたり安定して維持できる。
面に付着させる電子放出特性向上用の被膜にアルミナ、
イツトリア、スカンジウム・オキサイドの少なくとも一
種またはそれらを主体とする化合物を加えたことによシ
、油該被膜を、その電子放出特性向上の効果を落とすこ
となく厚くすることができる。このため、良好な電子放
出特性を長時間にわたり安定して維持できる。
図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・−・六ソードペレット、４１１・ｉｌ ＠ ＯＢ
−Ａ ４０ｓ膜、１１・・・・多孔質Ｗ基体、１２・
・Φ・空孔。 、・・′−・、
−Ａ ４０ｓ膜、１１・・・・多孔質Ｗ基体、１２・
・Φ・空孔。 、・・′−・、
Claims (1)
- 高融点金属からなる多孔質性の基体に電子放射物質を含
浸させた含浸形カソードにおいて、表面に、オスミウム
、イリジウム、ルテニウム、レニウムの少なくとも１種
またはそれらを主体とする合金と、アルミナ、イツトリ
ア、スカンジウム・オキサイドの少なくとも１種または
それらを主体とする化合物との混合物を主成分とする被
膜を付着させたことを特徴とする含浸形カソード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105839A JPS61264624A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 含浸形カソ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105839A JPS61264624A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 含浸形カソ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264624A true JPS61264624A (ja) | 1986-11-22 |
Family
ID=14418192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105839A Pending JPS61264624A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 含浸形カソ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264624A (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60105839A patent/JPS61264624A/ja active Pending
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