JPS6342527Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6342527Y2 JPS6342527Y2 JP1983035831U JP3583183U JPS6342527Y2 JP S6342527 Y2 JPS6342527 Y2 JP S6342527Y2 JP 1983035831 U JP1983035831 U JP 1983035831U JP 3583183 U JP3583183 U JP 3583183U JP S6342527 Y2 JPS6342527 Y2 JP S6342527Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nozzle
- tip
- coating device
- receiving groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
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- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案はレジスト塗布装置の改良に関するもの
である。
である。
(b) 技術の背景
IC・LSIなどの半導体装置を形成する際、微細
パターンを形成する工程で、写真蝕刻法を用いた
微細なレジスト膜のパターンが使用されるのは周
知である。
パターンを形成する工程で、写真蝕刻法を用いた
微細なレジスト膜のパターンが使用されるのは周
知である。
(c) 従来技術と問題点
たとえば半導体基板上にレジスト液を所定量噴
射して、該レジスト液を半導体基板上に均一に塗
布してレジスト膜を形成する場合に使用する従来
のレジスト塗布装置について、第１図を用いて説
明する。
射して、該レジスト液を半導体基板上に均一に塗
布してレジスト膜を形成する場合に使用する従来
のレジスト塗布装置について、第１図を用いて説
明する。
同図においてチヤツク機構を有する基板載置台
１上に半導体基板２が固定され、該基板２上の所
定位置に設けられた噴射用ノズル３より高圧窒素
などによつて加圧されたレジスト液４が所定量前
記基板２上に噴射された後、前記噴射用ノズル３
に付設された開閉ベルブ５によつてレジスト液４
の噴射が停止される。前記基板２上のレジスト液
４は基板載置台１を高速回転することによつて均
一な厚さに拡がつて基板２上に均一に塗布される
ことになる。そして基板載置台１の周囲にはレジ
スト液の飛散を防止するため容器６によつて囲わ
れている。
１上に半導体基板２が固定され、該基板２上の所
定位置に設けられた噴射用ノズル３より高圧窒素
などによつて加圧されたレジスト液４が所定量前
記基板２上に噴射された後、前記噴射用ノズル３
に付設された開閉ベルブ５によつてレジスト液４
の噴射が停止される。前記基板２上のレジスト液
４は基板載置台１を高速回転することによつて均
一な厚さに拡がつて基板２上に均一に塗布される
ことになる。そして基板載置台１の周囲にはレジ
スト液の飛散を防止するため容器６によつて囲わ
れている。
しかしながら均一に塗布された基板上に、レジ
スト液の噴射を防止した後の噴射用ノズル３の先
端より、残存せる液滴が滴下する場合があり、か
かる落下滴が均一に塗布された基板上に滴下した
場合には、基板上のレジスト膜を除去して再度塗
布をやり直すことになり手間のかかる問題があつ
た。
スト液の噴射を防止した後の噴射用ノズル３の先
端より、残存せる液滴が滴下する場合があり、か
かる落下滴が均一に塗布された基板上に滴下した
場合には、基板上のレジスト膜を除去して再度塗
布をやり直すことになり手間のかかる問題があつ
た。
(d) 考案の目的
本考案の目的はかかる問題点を解消して能率よ
く塗布可能なレジスト塗布装置の提供にある。
く塗布可能なレジスト塗布装置の提供にある。
(e) 考案の構成
その目的を達成するために本考案は、噴射ノズ
ルより加圧してレジスト液を噴射するレジスト塗
布装置において、該ノズルの下部に、該ノズル下
部の内径位置より外側で且つレジスト液の噴射を
停止した後に該ノズルの先端部に残存するレジス
トの液滴に接触する位置に、毛細管現象による液
滴誘引手段を備えた先端部を有し該ノズルの周辺
部下方側に向かつて延在するレジスト液滴の受溝
が固定されて配設されたことを特徴とする。
ルより加圧してレジスト液を噴射するレジスト塗
布装置において、該ノズルの下部に、該ノズル下
部の内径位置より外側で且つレジスト液の噴射を
停止した後に該ノズルの先端部に残存するレジス
トの液滴に接触する位置に、毛細管現象による液
滴誘引手段を備えた先端部を有し該ノズルの周辺
部下方側に向かつて延在するレジスト液滴の受溝
が固定されて配設されたことを特徴とする。
(f) 考案の実施例
以下本考案の実施例について図面を参照して説
明する。第２図は本考案の一実施例の要部斜視図
であり前図と同等の部分については同一符号を付
している。同図において噴射ノズル３の先端の後
述する所定の固定された位置に受溝１１が図示し
たように支持枠１２によつて設けられている。該
受溝１１の先端部には例えば２つの切片１３から
なる毛細管現象による液滴の誘引手段が付設され
ており第３図の受溝先端部の断面図に示すように
２つの切片１３は図示したように上方に向けて間
隙が除々にせまくなるように配設されている。と
ころで前述したレジスト液の噴射を停止した後の
残存する液滴が滴下する場合は前記噴射ノズル径
より落下滴の径が大きくなつて重力により滴下す
る現象である。そこで本考案の一実施例において
は前記落下滴径の内側の位置で、かつノズル径
（内径）より外側の位置に前記受溝１１の切片１
３を落下滴に接触するように配置（所定位置）す
る。このような所定位置に切片１３を固定配置す
れば、レジストの噴射を停止した後にノズル先端
部に残存するレジスト液滴は、２つの切片１３の
せまい間隙を毛細管現象によつて受溝１１へ容易
に吸い取られる。従つてレジスト噴射を停止した
後に、均一に塗布された半導体基板上へのノズル
先端部からのレジスト液滴の落下は完全に防止さ
れる。
明する。第２図は本考案の一実施例の要部斜視図
であり前図と同等の部分については同一符号を付
している。同図において噴射ノズル３の先端の後
述する所定の固定された位置に受溝１１が図示し
たように支持枠１２によつて設けられている。該
受溝１１の先端部には例えば２つの切片１３から
なる毛細管現象による液滴の誘引手段が付設され
ており第３図の受溝先端部の断面図に示すように
２つの切片１３は図示したように上方に向けて間
隙が除々にせまくなるように配設されている。と
ころで前述したレジスト液の噴射を停止した後の
残存する液滴が滴下する場合は前記噴射ノズル径
より落下滴の径が大きくなつて重力により滴下す
る現象である。そこで本考案の一実施例において
は前記落下滴径の内側の位置で、かつノズル径
（内径）より外側の位置に前記受溝１１の切片１
３を落下滴に接触するように配置（所定位置）す
る。このような所定位置に切片１３を固定配置す
れば、レジストの噴射を停止した後にノズル先端
部に残存するレジスト液滴は、２つの切片１３の
せまい間隙を毛細管現象によつて受溝１１へ容易
に吸い取られる。従つてレジスト噴射を停止した
後に、均一に塗布された半導体基板上へのノズル
先端部からのレジスト液滴の落下は完全に防止さ
れる。
尚通常の加圧によるレジスト噴射時においては
前記受溝１１の切片１３は噴射ノズル径の太さに
噴射されるレジスト液に接触しないため実用上何
ら影響を与えることはない。
前記受溝１１の切片１３は噴射ノズル径の太さに
噴射されるレジスト液に接触しないため実用上何
ら影響を与えることはない。
(g) 考案の効果
以上説明したように本考案に係るレジスト塗布
装置によれば、均一にレジスト塗布がなされた基
板上へのノズル先端部からのレジスト液滴の落下
が防止されるので、レジスト塗布のし直しが発生
することがなく、作業能率が向上する。
装置によれば、均一にレジスト塗布がなされた基
板上へのノズル先端部からのレジスト液滴の落下
が防止されるので、レジスト塗布のし直しが発生
することがなく、作業能率が向上する。
第１図は従来のレジスト塗布装置の概略構成断
面図、第２図は本考案の一実施例の要部斜視図、
第３図は受溝先端部の断面図である。 図において、３は噴射用ノズル、４はレジスト
液、１１は受溝、１２は支持枠、１３は切片を示
す。
面図、第２図は本考案の一実施例の要部斜視図、
第３図は受溝先端部の断面図である。 図において、３は噴射用ノズル、４はレジスト
液、１１は受溝、１２は支持枠、１３は切片を示
す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 噴射ノズルより加圧してレジスト液を噴射する
レジスト塗布装置において、 該ノズルの下部に、 該ノズル下部の内径位置より外側で且つレジス
ト液の噴射を停止した後に該ノズルの先端部に残
存するレジストの液滴に接触する位置に、 毛細管現象による液滴誘引手段を備えた先端部
を有し該ノズルの周辺部下方側に向かつて延在す
るレジスト液滴の受溝が固定されて配設されたこ
とを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3583183U JPS59143044U (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3583183U JPS59143044U (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143044U JPS59143044U (ja) | 1984-09-25 |
| JPS6342527Y2 true JPS6342527Y2 (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=30166518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3583183U Granted JPS59143044U (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143044U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632724A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Hitachi Ltd | Photoresist applying apparatus |
| JPS57135057A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Nozzle for dripping liquid |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP3583183U patent/JPS59143044U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632724A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Hitachi Ltd | Photoresist applying apparatus |
| JPS57135057A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-20 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Nozzle for dripping liquid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59143044U (ja) | 1984-09-25 |
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