JPS61251186A - フツ素希ガス・レ−ザのための閉サイクル希ガス精製装置及びその方法 - Google Patents
フツ素希ガス・レ−ザのための閉サイクル希ガス精製装置及びその方法Info
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- JPS61251186A JPS61251186A JP61032065A JP3206586A JPS61251186A JP S61251186 A JPS61251186 A JP S61251186A JP 61032065 A JP61032065 A JP 61032065A JP 3206586 A JP3206586 A JP 3206586A JP S61251186 A JPS61251186 A JP S61251186A
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明はハロゲン化希ガス（エクサイマ）レーザに関す
るものであり、特に、フッ化希ガス・レーザの閉サイク
ル運転のための、再循環レーザ・ガス精製装置及びその
方法に関するものである。
るものであり、特に、フッ化希ガス・レーザの閉サイク
ル運転のための、再循環レーザ・ガス精製装置及びその
方法に関するものである。
Ｂ、従来技術
放電励起ハロゲン化希ガス（エクサイマ）レーザは、分
光および光化学適用業務に用いる高出力紫外線（ＵＶ）
の効率の良い発生源であり、市販されている。たとえば
、フッ化キセノン・レーザは、マイクロ回路製作分野に
おける紫外線フォトリソグラフィの紫外線発生源として
、注目されている。
光および光化学適用業務に用いる高出力紫外線（ＵＶ）
の効率の良い発生源であり、市販されている。たとえば
、フッ化キセノン・レーザは、マイクロ回路製作分野に
おける紫外線フォトリソグラフィの紫外線発生源として
、注目されている。
しかし、フッ化希ガス・レーザの操作における主な障害
は、レーザ・ガス混合物が急速に劣化することである。
は、レーザ・ガス混合物が急速に劣化することである。
この種のレーザを長期間連続運転するためには、レーザ
中の気体混合物を定期的、または連続的に交換する必要
がある。アルゴン混合物であれば、レーザに通した後廃
棄を考慮することは可能であるが、クリプトンやキセノ
ンは高価なため、これらの気体は再使用する必要がある
。
中の気体混合物を定期的、または連続的に交換する必要
がある。アルゴン混合物であれば、レーザに通した後廃
棄を考慮することは可能であるが、クリプトンやキセノ
ンは高価なため、これらの気体は再使用する必要がある
。
貴ガスを再使用するために再生する方法の１つに、バッ
チ方式で低温において混合物を分留することにより、混
合物の気体成分を分離する方法がある。この低温分留の
欠点として、高価であり、不便で、労働集約的なことが
あげられる。また、レーザを連続運転しようとすれば、
大量の希ガス混合物が必要となる。
チ方式で低温において混合物を分留することにより、混
合物の気体成分を分離する方法がある。この低温分留の
欠点として、高価であり、不便で、労働集約的なことが
あげられる。また、レーザを連続運転しようとすれば、
大量の希ガス混合物が必要となる。
これよシは便利なバッチ式または連続方の低温トラップ
法も提案されている。これは、低温トラップ温度または
それ以上の温度で凝縮する汚染物質を捕捉することを目
的とするものである。この低温トラップ法では、ハロゲ
ン、特にフッ素を通過させて、これにより好ましくない
汚染物質のみが理論上は除去される。ところが残念なこ
とに、凝縮温度が低温トラップ温度より気体汚染物質が
常に存在し、したがってこれらを除去することはできな
い。この糧の除去不能な汚染物質は蓄積して、低温トラ
ップ法で精製した混合物も、他の方法で精製しなければ
使用できなくなる傾向がある。
法も提案されている。これは、低温トラップ温度または
それ以上の温度で凝縮する汚染物質を捕捉することを目
的とするものである。この低温トラップ法では、ハロゲ
ン、特にフッ素を通過させて、これにより好ましくない
汚染物質のみが理論上は除去される。ところが残念なこ
とに、凝縮温度が低温トラップ温度より気体汚染物質が
常に存在し、したがってこれらを除去することはできな
い。この糧の除去不能な汚染物質は蓄積して、低温トラ
ップ法で精製した混合物も、他の方法で精製しなければ
使用できなくなる傾向がある。
さらに、冷温トラップ精製法は一般に冷却のため液体窒
素を必要とし、これは貯蔵および取扱いに不便である。
素を必要とし、これは貯蔵および取扱いに不便である。
他に、混合物中の汚染分質を化学反応にょシ除去する希
ガス・ハロゲン混合物の精製方法も実施されている。し
かし、残念ながら、ハロゲンは非常に反応性が強いため
、汚染物質を化学的に除去する際、またはそれ以前に、
ハロゲンも除去されてしまう。ハロゲンおよび汚染物質
を化学反応により除去した後、気体混合物に新しいハロ
ゲンを添加して、レーザに戻さなければならない。
ガス・ハロゲン混合物の精製方法も実施されている。し
かし、残念ながら、ハロゲンは非常に反応性が強いため
、汚染物質を化学的に除去する際、またはそれ以前に、
ハロゲンも除去されてしまう。ハロゲンおよび汚染物質
を化学反応により除去した後、気体混合物に新しいハロ
ゲンを添加して、レーザに戻さなければならない。
この種の化学反応による精製法では、フッ素および汚染
物質を共に除去するために、一般にチタンが用いられる
。Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３２゜２９１ （１
９７８）に掲載された「ハロゲン化希ガス・エクサイマ
・レーザの閉サイクル・ガス再循環装置（Ａ Ｃ１ｏｓ
ｅｄｃｙｃｌｅ ＧａｓＲｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｎｇ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｒａｒｅ−ｇａｓＨａｌｉｄｅ
Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ と題する
Ｐ。
物質を共に除去するために、一般にチタンが用いられる
。Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、３２゜２９１ （１
９７８）に掲載された「ハロゲン化希ガス・エクサイマ
・レーザの閉サイクル・ガス再循環装置（Ａ Ｃ１ｏｓ
ｅｄｃｙｃｌｅ ＧａｓＲｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｎｇ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｒａｒｅ−ｇａｓＨａｌｉｄｅ
Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ と題する
Ｐ。
Ｍ、Ｊｏｈｎｓｏｎ らの論文に、第１段階で５００℃
に加熱したチタンでフッ素を除去し、第２段階で８５０
℃に加熱したチタンで他の不純物を除去する、二段階化
学精製法が述べられている。しかし、この二段階精製装
置を用いても＝・汚染物質の中には除去されずに蓄積し
て、ついにはこの二段スクラバで精製したフッ素・希ガ
ス混合物は、他の精製法により精製しなければ使用不能
となるため、無制限に閉サイクル連続運転を行うことは
不可能である。
に加熱したチタンでフッ素を除去し、第２段階で８５０
℃に加熱したチタンで他の不純物を除去する、二段階化
学精製法が述べられている。しかし、この二段階精製装
置を用いても＝・汚染物質の中には除去されずに蓄積し
て、ついにはこの二段スクラバで精製したフッ素・希ガ
ス混合物は、他の精製法により精製しなければ使用不能
となるため、無制限に閉サイクル連続運転を行うことは
不可能である。
上記のほかにも、この分野での新技術に関して次のよう
な論文が発表されている。
な論文が発表されている。
Ｃｈｒｉｇｔｅｎｓｓｎ、’Ｈｉｇｈ−Ｒｅｐｅｔｉｔ
ｉｏｎ−Ｒａｔｅ ＸｅＦ Ｌａ５ｅｒ ｗｉｔｈ
Ｇａｓ Ｒｅｃｙｃｌｉｎｇ、’Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、
Ｌａｔｔ、 ５０． ４８５ （１９７７）Ｂｕｒｌａ
ｍａｃｃｈｉ ｅｔ ａｌ、、’Ｌｏｎｇ−Ｌｉｆ
ｅＯｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎ ＸｅＣＬ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒＬａｃｉｍｅｒ Ｌａ５ｅｒ、’Ａｐｐ
１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
ｉｏｎ−Ｒａｔｅ ＸｅＦ Ｌａ５ｅｒ ｗｉｔｈ
Ｇａｓ Ｒｅｃｙｃｌｉｎｇ、’Ａｐｐ１．Ｐｈｙｓ、
Ｌａｔｔ、 ５０． ４８５ （１９７７）Ｂｕｒｌａ
ｍａｃｃｈｉ ｅｔ ａｌ、、’Ｌｏｎｇ−Ｌｉｆ
ｅＯｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎ ＸｅＣＬ Ｅ
ｘｃｉｍｅｒＬａｃｉｍｅｒ Ｌａ５ｅｒ、’Ａｐｐ
１．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ。
５４．５５ （１’９７９）
Ｇｏｗｅｒ ｅｔ ａｌ、、 ’Ｇａｓ Ｃｏ
ｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ ５
ｔｕｄｉｅｓ 、ｏｆ ＤｉｓｃｈａｒｇｅｔＥｘ
ｃｉｔｅｄ Ｒａｒｅ−Ｇａｓ Ｈａｌｉｄｅ
Ｌａ５ｅｒｓ、 ’ＩＥＥＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ＱＥ−１６゜Ｔｅｎｎａｎｔ、
’Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ
ｓｉｎ Ｘｅｃｌ Ｌａ５ｅｒｔｒ、’ Ｌａｔ
ｔｅｒ Ｆｏｃｕｓ（Ｏｃｔ。
ｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ ５
ｔｕｄｉｅｓ 、ｏｆ ＤｉｓｃｈａｒｇｅｔＥｘ
ｃｉｔｅｄ Ｒａｒｅ−Ｇａｓ Ｈａｌｉｄｅ
Ｌａ５ｅｒｓ、 ’ＩＥＥＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ＱＥ−１６゜Ｔｅｎｎａｎｔ、
’Ｃｏｎｔｒｏｌ ｏｆ Ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ
ｓｉｎ Ｘｅｃｌ Ｌａ５ｅｒｔｒ、’ Ｌａｔ
ｔｅｒ Ｆｏｃｕｓ（Ｏｃｔ。
Ｋｕｔ！Ｉｃｈｋｅ ｅｔ ａｌ、、 ％Ｒａｒ
ｅ Ｇａ５Ｒｅｃｏｖｅｒｙ Ｓｙｓｔｅｍ ｆ
ｏｒ Ｒａｒｅ Ｇａ５Ｈａｌｉｄｅ Ｌａ５ｅ
ｒｓ、’ Ｒｅｖ、Ｓｃｉ、Ｉｎｓｔｒｕｍ。
ｅ Ｇａ５Ｒｅｃｏｖｅｒｙ Ｓｙｓｔｅｍ ｆ
ｏｒ Ｒａｒｅ Ｇａ５Ｈａｌｉｄｅ Ｌａ５ｅ
ｒｓ、’ Ｒｅｖ、Ｓｃｉ、Ｉｎｓｔｒｕｍ。
５２．１６５５（１９８１）
Ｍａｎｄｌ ｅｔ ａｌ、、 ’５ｅｌｅｃｔｉ
ｖｅ Ｒｅｍｏｖａｌｏｆ Ｆ２ Ｉｍｐｕｒｉ
ｔｙ ｆｒｏｍ ＮＦ５／Ｘｓ／Ｎｅ。
ｖｅ Ｒｅｍｏｖａｌｏｆ Ｆ２ Ｉｍｐｕｒｉ
ｔｙ ｆｒｏｍ ＮＦ５／Ｘｓ／Ｎｅ。
ＸｅＦ Ｌａ５ｅｒ Ｍｉｘｔｕｒｅｓ、’ Ｒ
ｅｖ、Ｓｃｉ。
ｅｖ、Ｓｃｉ。
Ｉｎｓｔｒｕｍ−５５，３０１（１９８２）Ｋｅａｒｓ
ｌｅｙ ｅｔ ａｌ、、’Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃ
Ｇａ５Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｌｉｆ
ｅｔｉｍｅ Ｅｘｔｓｎｔｉｏｎｏｆ ＡｒＦ、Ｋ
ｒＦ ａｎｄ ＸｅＦ Ｌａ５ｅｒ Ｇａ５Ｍ
１ｘｔｕｒｅｓ、’ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎ５ｔ
ｉｔｕｔｅｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｐｉｃａｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＥｘｅｉｍｅｒ Ｌａ５ｅ
ｒｓ、Ｉｎｅｌ ｉｎｅ Ｖｉ ｌ ｌａｇｅＮｅｖ
、、 ＵＳＡ （Ｊａｎ、 １９８５ ） 。
ｌｅｙ ｅｔ ａｌ、、’Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃ
Ｇａ５Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｌｉｆ
ｅｔｉｍｅ Ｅｘｔｓｎｔｉｏｎｏｆ ＡｒＦ、Ｋ
ｒＦ ａｎｄ ＸｅＦ Ｌａ５ｅｒ Ｇａ５Ｍ
１ｘｔｕｒｅｓ、’ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎ５ｔ
ｉｔｕｔｅｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｔｏｐｉｃａｌ
Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｎＥｘｅｉｍｅｒ Ｌａ５ｅ
ｒｓ、Ｉｎｅｌ ｉｎｅ Ｖｉ ｌ ｌａｇｅＮｅｖ
、、 ＵＳＡ （Ｊａｎ、 １９８５ ） 。
Ｃ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、フッ化希ガス、特にフッ化キセノンお
よびフッ化クリプトン・レーザの閉サイクル運転のため
の、改良された再循環レーザ・ガス精製装置を提供する
ことにある。
よびフッ化クリプトン・レーザの閉サイクル運転のため
の、改良された再循環レーザ・ガス精製装置を提供する
ことにある。
本発明の他の目的は、希ガス・フッ素混合物の連続精製
のための、改良された化学精製装置を提供することにあ
る。
のための、改良された化学精製装置を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、高価な高品質のチタンを用いず、
安価な工業用チタンを用い、しかもこれにより好ましく
ない汚染物質の蓄積を生ずることなく、フッ素を除去す
る、希ガス・フッ素混合物の閉サイクル化学精製装置を
提供することにある。
安価な工業用チタンを用い、しかもこれにより好ましく
ない汚染物質の蓄積を生ずることなく、フッ素を除去す
る、希ガス・フッ素混合物の閉サイクル化学精製装置を
提供することにある。
さらに本発明の他の目的は、フッ化希ガス・レーザ・ガ
ス混合物、特に、キセノンまたはクリプトン、ネオンま
たはヘリウム、およびフッ素の混合物から、四フッ化シ
リコンを連続除去する方法を提供することにある。
ス混合物、特に、キセノンまたはクリプトン、ネオンま
たはヘリウム、およびフッ素の混合物から、四フッ化シ
リコンを連続除去する方法を提供することにある。
Ｄ６問題点を解決するための手段
これらの目的は、本明細書に開示するフッ素希ガス・レ
ーザに用いる気体混合物の閉サイクル精製装置により達
成される。第１の反応ゾーンで、混合気体中のフッ素は
、１５０℃を超える温度、好ましくは約３００℃でチタ
ンと反応させ、四フッ化チタン蒸気に変換する。次にと
の四フッ化チタン蒸気を、別の分離凝縮ゾーン、好まし
くは室温近くに保った凝縮ゾーンで凝縮させることによ
り、チタンを不働態化せずに、混合気体から四フッ化チ
タンを除去する。混合気体から四フッ化チタンを除去し
た後、フッ素希ガス・レーザに通常見られる汚染物質の
１つである四フッ化シリコンを混合気体から選択的に除
去する。第２の反応ゾーンで、混合気体をアルカリ土金
属酸化物、好ましくは酸化カルシウムまたは酸化マグネ
シウムのいずれかに接触させて、ＳｉＦ４をすべて不揮
発性化合物、すなわちアルカリ土金属二フッ化物および
二酸化シリコンに化学的に変換させる。残留する汚染物
質（ＳｉＦ４以外の汚染物質）は、混合気体を約６００
℃１好ましくは約９００℃以上の温度で、金属ゲッタに
接触させることにより除去する。金属ゲッタは周期律表
の第ＩＶｂ族から選択することが好ましく、チタンが最
も好ましい。この高温金属ゲッタによる除去は、第２の
反応ゾーンにおいて、金属ゲッタをアルカリ土金属酸化
物と混合、または層を形成させ、第２の反応ゾーンを約
６００℃に加熱して行うことが好ましい。精製した希ガ
ス混合物に新しいハロゲン・ガスを添加してレーザに戻
す。
ーザに用いる気体混合物の閉サイクル精製装置により達
成される。第１の反応ゾーンで、混合気体中のフッ素は
、１５０℃を超える温度、好ましくは約３００℃でチタ
ンと反応させ、四フッ化チタン蒸気に変換する。次にと
の四フッ化チタン蒸気を、別の分離凝縮ゾーン、好まし
くは室温近くに保った凝縮ゾーンで凝縮させることによ
り、チタンを不働態化せずに、混合気体から四フッ化チ
タンを除去する。混合気体から四フッ化チタンを除去し
た後、フッ素希ガス・レーザに通常見られる汚染物質の
１つである四フッ化シリコンを混合気体から選択的に除
去する。第２の反応ゾーンで、混合気体をアルカリ土金
属酸化物、好ましくは酸化カルシウムまたは酸化マグネ
シウムのいずれかに接触させて、ＳｉＦ４をすべて不揮
発性化合物、すなわちアルカリ土金属二フッ化物および
二酸化シリコンに化学的に変換させる。残留する汚染物
質（ＳｉＦ４以外の汚染物質）は、混合気体を約６００
℃１好ましくは約９００℃以上の温度で、金属ゲッタに
接触させることにより除去する。金属ゲッタは周期律表
の第ＩＶｂ族から選択することが好ましく、チタンが最
も好ましい。この高温金属ゲッタによる除去は、第２の
反応ゾーンにおいて、金属ゲッタをアルカリ土金属酸化
物と混合、または層を形成させ、第２の反応ゾーンを約
６００℃に加熱して行うことが好ましい。精製した希ガ
ス混合物に新しいハロゲン・ガスを添加してレーザに戻
す。
高温のチタン、または高温のジルコニウム等の高温の金
属ゲッタでは、四フッ化シリコン蒸気は除去されない。
属ゲッタでは、四フッ化シリコン蒸気は除去されない。
この四フッ化シリコンは、はとんどのフッ素希ガス・レ
ーザ装置において、レーザ自体、または気体精製もしく
は処理装置、またはこれらの両方に使用されているシリ
コンを含有する材料とフッ素との反応により生成される
ものである。本明細書に開示する閉サイクル希ガス精製
装置は、アルカリ土金属酸化物との反応により四フッ化
シリコンを混合気体から選択的に除去し、この汚染物質
が許容量を超えて蓄積しないようにする。四フッ化シリ
コンが選択的に除去されるため、工業用チタンをフッ素
除去、および残留汚染物質のための高温金属ゲッタとし
て、使用することができる。
ーザ装置において、レーザ自体、または気体精製もしく
は処理装置、またはこれらの両方に使用されているシリ
コンを含有する材料とフッ素との反応により生成される
ものである。本明細書に開示する閉サイクル希ガス精製
装置は、アルカリ土金属酸化物との反応により四フッ化
シリコンを混合気体から選択的に除去し、この汚染物質
が許容量を超えて蓄積しないようにする。四フッ化シリ
コンが選択的に除去されるため、工業用チタンをフッ素
除去、および残留汚染物質のための高温金属ゲッタとし
て、使用することができる。
工業用チタンには相当量の不純物が含有されている。第
１の反応ゾーンで、これらの不純物のほとんどは、室温
では蒸気圧が小さいフッ化物に変換され、したがって凝
縮ゾーンよシ先には進まない（はとんどは第１の反応ゾ
ーンから出々い）。
１の反応ゾーンで、これらの不純物のほとんどは、室温
では蒸気圧が小さいフッ化物に変換され、したがって凝
縮ゾーンよシ先には進まない（はとんどは第１の反応ゾ
ーンから出々い）。
この例外で最も顕著なものはシリコン不純物で、これは
四フッ化シリコン蒸気に変換する。四フッ化シリコンは
約−９５℃にならなければ蒸気の状態を保つため、凝縮
ゾーンでは除去されない。四フッ化シリコン蒸気と反応
させる目的で、アルカリ土金属酸化物ゲッタを特に設け
るのである。
四フッ化シリコン蒸気に変換する。四フッ化シリコンは
約−９５℃にならなければ蒸気の状態を保つため、凝縮
ゾーンでは除去されない。四フッ化シリコン蒸気と反応
させる目的で、アルカリ土金属酸化物ゲッタを特に設け
るのである。
Ｅ、実施例
第１図にフッ素希ガス・レーザ１０のための閉サイクル
希ガス精製装置を示す。この種のレーザ１０に用いる混
合気体は通常バッファ性希ガス（ネオン、ヘリウム等）
、活性希ガス（クリプトン、キセノン等）およびフッ素
ガスからなる。フッ素希ガス・レーザ・ガス混合物には
、水蒸気、二酸化炭素（ＣＯ２）、二酸化窒素（Ｎ Ｏ
２）、およびフッ素と、酸素、窒素、炭素、水素または
シリコンとの各種化合物、たとえばＦ２Ｃ０１ＦＮＯ％
ＦＮ０２、ＮＦ Ｓ ｉ Ｆ ４等の好ましくない気
体汚染物を含有していることが多い。
希ガス精製装置を示す。この種のレーザ１０に用いる混
合気体は通常バッファ性希ガス（ネオン、ヘリウム等）
、活性希ガス（クリプトン、キセノン等）およびフッ素
ガスからなる。フッ素希ガス・レーザ・ガス混合物には
、水蒸気、二酸化炭素（ＣＯ２）、二酸化窒素（Ｎ Ｏ
２）、およびフッ素と、酸素、窒素、炭素、水素または
シリコンとの各種化合物、たとえばＦ２Ｃ０１ＦＮＯ％
ＦＮ０２、ＮＦ Ｓ ｉ Ｆ ４等の好ましくない気
体汚染物を含有していることが多い。
本発明による希ガス精製装量は、バッチ式（すなわち混
合気体を間欠的にのみ精製する方式）で運転することも
できるが、好ましい運転方法は気体を連続的に清浄化す
ることである。したがって、連続運転について説明する
。レーザ１０からのレーザーガスは導管１１を通シ、シ
ャットオフ・バルブ１２およびＳ逆止弁１３を経て、第
１の反応ゾーン１４に送られ、ここで気体は粒状チタン
床１６を通過する。粒状チタンは、ステンレス鋼または
ニッケル等の適当な材料で製作した反応槽１８の下部に
含まれる。反応槽１８の上部には銅ウール１９が充填さ
れ、凝縮ゾーン２０を形成する。
合気体を間欠的にのみ精製する方式）で運転することも
できるが、好ましい運転方法は気体を連続的に清浄化す
ることである。したがって、連続運転について説明する
。レーザ１０からのレーザーガスは導管１１を通シ、シ
ャットオフ・バルブ１２およびＳ逆止弁１３を経て、第
１の反応ゾーン１４に送られ、ここで気体は粒状チタン
床１６を通過する。粒状チタンは、ステンレス鋼または
ニッケル等の適当な材料で製作した反応槽１８の下部に
含まれる。反応槽１８の上部には銅ウール１９が充填さ
れ、凝縮ゾーン２０を形成する。
反応槽１８の下部はヒータ２２で加熱され、反応槽１８
の上部は水冷ジャケット２４により、下部の温度よシ低
い温度に冷却される。冷却水は導管２６を通ってジャケ
ット２４に入シ、導管２８を通って排出される。温度制
御装置５０は、所定の温度が保たれるようにヒータ２２
を電気的に制御する。ヒータ２２を囲む絶縁体３２Ｆｉ
、 ヒータを効率的にするだけでなく、ヒータにより冷
却ジャケット２４が加熱されるのを防止する。
の上部は水冷ジャケット２４により、下部の温度よシ低
い温度に冷却される。冷却水は導管２６を通ってジャケ
ット２４に入シ、導管２８を通って排出される。温度制
御装置５０は、所定の温度が保たれるようにヒータ２２
を電気的に制御する。ヒータ２２を囲む絶縁体３２Ｆｉ
、 ヒータを効率的にするだけでなく、ヒータにより冷
却ジャケット２４が加熱されるのを防止する。
制御装置３０は、粒状チタンの温度を１５０℃（かなシ
のＴ ｉ Ｆ ４が生成する最低温度）を超える温度に
維持するが、この温度は２００℃を超える温度であるこ
とが好ま七く、約３００℃が最も好ましい。これよシ高
い温度を用いることもできるが（反応槽１８およびチタ
ン１６の融点以下であれば）、混合気体中のフッ素を効
率良く気体の四フッ化チタンに変換するためには、これ
より高い温度は必要ない。さらに、温度が著しく高くな
ると、次の凝縮ゾーン２０で気体を冷却することが困難
になる。この冷却ゾーン２０では、気体の温度は、四フ
ッ化チタンの昇華温度（２８３℃）未満にまで下げなけ
ればならない。ジャケット２４に低温の水溝水を通せば
、凝縮ゾーンは十分に冷却され、四フッ化チタンは銅ウ
ール中で効率良く凝縮する。しかし、凝縮ゾーンを２８
３℃未満の温度にする他の方法、たとえば室温の空気に
よる空冷などで代用できることは明らかである。
のＴ ｉ Ｆ ４が生成する最低温度）を超える温度に
維持するが、この温度は２００℃を超える温度であるこ
とが好ま七く、約３００℃が最も好ましい。これよシ高
い温度を用いることもできるが（反応槽１８およびチタ
ン１６の融点以下であれば）、混合気体中のフッ素を効
率良く気体の四フッ化チタンに変換するためには、これ
より高い温度は必要ない。さらに、温度が著しく高くな
ると、次の凝縮ゾーン２０で気体を冷却することが困難
になる。この冷却ゾーン２０では、気体の温度は、四フ
ッ化チタンの昇華温度（２８３℃）未満にまで下げなけ
ればならない。ジャケット２４に低温の水溝水を通せば
、凝縮ゾーンは十分に冷却され、四フッ化チタンは銅ウ
ール中で効率良く凝縮する。しかし、凝縮ゾーンを２８
３℃未満の温度にする他の方法、たとえば室温の空気に
よる空冷などで代用できることは明らかである。
他の金属や化合物もフッ化物を生成するが、チタンの四
フッ化物は効率良く生成し、非常に好都合な温度（約３
００℃）で揮発しくすなわちチタンを不働態化せず）、
また非常に好都合な温度（室温）で容易に凝縮するため
、チタンが選択された。他の金属または化合物では、こ
れらの利点を生じないことが知られている。
フッ化物は効率良く生成し、非常に好都合な温度（約３
００℃）で揮発しくすなわちチタンを不働態化せず）、
また非常に好都合な温度（室温）で容易に凝縮するため
、チタンが選択された。他の金属または化合物では、こ
れらの利点を生じないことが知られている。
残念ながら、純粋なチタンは非常に高価であシ、安価な
工業用チタン（真空蒸着グレードのチタン等）は、かな
りの量の不純物を含有する。この不純物の最も重要なも
のはシリコンである。室温または室温以上では、チタン
中の不純物のシリコンは、容易にフッ素と化合して四フ
ッ化シリコンを点（−１０７℃）が５ｊＦ４の凝結点と
非常に近いので、キセノンとの混合物からＳ ｉ Ｆ４
を低温で分離することは実用的ではない。本発明の意義
深い点は、四フッ化シリコンを後で混合気体から化学的
に除去するため、安価な工業用チタンを反応シー７１４
で使用することができることがある。
工業用チタン（真空蒸着グレードのチタン等）は、かな
りの量の不純物を含有する。この不純物の最も重要なも
のはシリコンである。室温または室温以上では、チタン
中の不純物のシリコンは、容易にフッ素と化合して四フ
ッ化シリコンを点（−１０７℃）が５ｊＦ４の凝結点と
非常に近いので、キセノンとの混合物からＳ ｉ Ｆ４
を低温で分離することは実用的ではない。本発明の意義
深い点は、四フッ化シリコンを後で混合気体から化学的
に除去するため、安価な工業用チタンを反応シー７１４
で使用することができることがある。
次Ｋ、フッ素を除去した希ガスを導管５４を通して第２
の反応ゾーン５６に送り、ここで気体の汚染物質を除去
する。第１図では、反応ゾーン３６はステンレス鋼また
はニッケル等の適当な材料で製作した反応槽３８で示し
、ヒーター４０により適当な高温、たとえば約９００℃
に加熱される。
の反応ゾーン５６に送り、ここで気体の汚染物質を除去
する。第１図では、反応ゾーン３６はステンレス鋼また
はニッケル等の適当な材料で製作した反応槽３８で示し
、ヒーター４０により適当な高温、たとえば約９００℃
に加熱される。
第２の反応ゾーンは、元素周期表の第ＩＶｂ族中の少く
とも１つの元素からなる第１のゲッタを含む。第ＩＶｂ
族は、チタン、ジルコニウムおよ（ｉ ハフニウムから
なる。工業用チタンは第１のゲッタとして好ましいが、
ジルコニウム、またはチタンおよびジルコニウムの両方
またはいずれか一方を含むゲッタ合金、またはゲッタ混
合物を代シに使用することができる。ハウニウムも同様
に作用するが、高価で、入手が困難なため、考慮の対象
にはならない。
とも１つの元素からなる第１のゲッタを含む。第ＩＶｂ
族は、チタン、ジルコニウムおよ（ｉ ハフニウムから
なる。工業用チタンは第１のゲッタとして好ましいが、
ジルコニウム、またはチタンおよびジルコニウムの両方
またはいずれか一方を含むゲッタ合金、またはゲッタ混
合物を代シに使用することができる。ハウニウムも同様
に作用するが、高価で、入手が困難なため、考慮の対象
にはならない。
第２の反応ゾーンはまた、アルカリ土金属酸化物からな
る第２のゲッタを含む。このアルカリ土元素は元素周期
表の第１−族の元素で、ベリリウム、マクネシウム、カ
ルシウム、ストロンチウム。
る第２のゲッタを含む。このアルカリ土元素は元素周期
表の第１−族の元素で、ベリリウム、マクネシウム、カ
ルシウム、ストロンチウム。
バリウムおよびラジウムからなる。入手が容易なことと
、費用の点で、第１＆族のゲッタとしては酸化カルシウ
ムが好ましい。酸化マグネシウムも第１ｅａ族のゲッタ
として良好忙作用し、酸化カルシウムの代シに、または
酸化カルシウムと混合して用いることができる。他のア
ルカリ土金属の酸化物も用いるこ゛とは可能であるが、
いずれも経済的に見合わない。
、費用の点で、第１＆族のゲッタとしては酸化カルシウ
ムが好ましい。酸化マグネシウムも第１ｅａ族のゲッタ
として良好忙作用し、酸化カルシウムの代シに、または
酸化カルシウムと混合して用いることができる。他のア
ルカリ土金属の酸化物も用いるこ゛とは可能であるが、
いずれも経済的に見合わない。
第１および第２のゲッタ材料は、粒状とすることが好ま
しい。これは混合気体との反応が粒状材料床の間に混合
気体を流すことＫより、容易に行われるためである。ゲ
ッタの材料は、第１図に示すように混合しても、個別の
ゲッタ材料を２層以上に配列させてもよい。ゲッタを混
合しない場合は、いずれか一方を他方の前または上に配
置すればよい。
しい。これは混合気体との反応が粒状材料床の間に混合
気体を流すことＫより、容易に行われるためである。ゲ
ッタの材料は、第１図に示すように混合しても、個別の
ゲッタ材料を２層以上に配列させてもよい。ゲッタを混
合しない場合は、いずれか一方を他方の前または上に配
置すればよい。
第２の反応ゾーンは温度を９００℃以上に保つことが好
ましい。これは第１ＩＶｂ族のゲッタは、温度が高くな
る程効率が良くなるためである。第ＩＶｂ族のゲッタ６
００℃よシ低温では満足に作用することは不可能である
。第２の反応ゾーンが作動できる最高温度は、ゲッタ材
料の蒸気圧および反応槽５８の融点により決まる。ニッ
ケル槽３８の場合、第２の反応ゾーンの稼動温度は約１
５００”ＧＫまで上げることができる。ヒータ４０に接
続した温度制御装置４２により、槽５８Ｆｉ所定の温度
忙保たれる。絶縁体４４ｔｉヒーター４０の効率と、槽
３８内の温度の均一性を高める。
ましい。これは第１ＩＶｂ族のゲッタは、温度が高くな
る程効率が良くなるためである。第ＩＶｂ族のゲッタ６
００℃よシ低温では満足に作用することは不可能である
。第２の反応ゾーンが作動できる最高温度は、ゲッタ材
料の蒸気圧および反応槽５８の融点により決まる。ニッ
ケル槽３８の場合、第２の反応ゾーンの稼動温度は約１
５００”ＧＫまで上げることができる。ヒータ４０に接
続した温度制御装置４２により、槽５８Ｆｉ所定の温度
忙保たれる。絶縁体４４ｔｉヒーター４０の効率と、槽
３８内の温度の均一性を高める。
槽５８内では、希ガス混合物を通すことにより、混合物
に含まれる汚染物質が除去される。アルカリ土金属の酸
化物が汚染物質の四フッ化シリコン（主として、工業用
チタンを使用する第１の反応ゾーンで生成する）と反応
して、アルカリ土金属のニフツ化物および二酸化シリコ
ンを生成する。
に含まれる汚染物質が除去される。アルカリ土金属の酸
化物が汚染物質の四フッ化シリコン（主として、工業用
チタンを使用する第１の反応ゾーンで生成する）と反応
して、アルカリ土金属のニフツ化物および二酸化シリコ
ンを生成する。
四フッ化シリコンは下記の式により、好ましいアルカリ
土金属酸化物と反応する。
土金属酸化物と反応する。
Ｓ ｉ Ｆ ａ ＋ ２ ＣａＯ＝２ Ｃａ Ｆ ２
＋ Ｓ ｉ ０２同様な式は、他のアルカリ土金属酸化
物についても存在する。
＋ Ｓ ｉ ０２同様な式は、他のアルカリ土金属酸化
物についても存在する。
第２の反応ゾーンにおける第ＩＶｂ族の元素は、高温金
属ゲッタとして作用する。混合気体中の他の汚染物質（
たとえばＨ２Ｏ，Ｃｏ２．ＮＯ２，Ｆ２Ｃｏ。
属ゲッタとして作用する。混合気体中の他の汚染物質（
たとえばＨ２Ｏ，Ｃｏ２．ＮＯ２，Ｆ２Ｃｏ。
ＦＮＯＩＦＮＯ２，ＮＦ５．ＣＩ！０２．残留Ｆ２等）
はすべて第ＩＶｂ族のゲッタにより捕集される。
はすべて第ＩＶｂ族のゲッタにより捕集される。
精製された高温の希ガス混合物は、導管４６から冷却ゾ
ーン４８を通り、コンプレッサ５０へ送られる。冷却シ
ー７４８は、水ジャケット５２により冷却される。この
水ジャケット５２には、もう一方の水ジャケット２４で
使用した水を、導管２８を通じて供給し、冷却後は導管
５６から排出させる。冷却シー７４８で、精製希ガス混
合物は、コンプレッサ５０、圧力調整装置５８、逆止弁
５９、および流量計６０に適する温度にまで冷却される
。水冷の代シに空冷を用いてもよい。このあと、ガスの
流れの径路に沿った部品が、高温の精製希ガスに耐える
ものであれば、特に冷却する必要はない。
ーン４８を通り、コンプレッサ５０へ送られる。冷却シ
ー７４８は、水ジャケット５２により冷却される。この
水ジャケット５２には、もう一方の水ジャケット２４で
使用した水を、導管２８を通じて供給し、冷却後は導管
５６から排出させる。冷却シー７４８で、精製希ガス混
合物は、コンプレッサ５０、圧力調整装置５８、逆止弁
５９、および流量計６０に適する温度にまで冷却される
。水冷の代シに空冷を用いてもよい。このあと、ガスの
流れの径路に沿った部品が、高温の精製希ガスに耐える
ものであれば、特に冷却する必要はない。
コンプレッサ５０は、所定の流量が得られるように、希
ガス混合物の圧力を上けることＫよシ。
ガス混合物の圧力を上けることＫよシ。
流れの工程全体を制御する。希ガス混合物の圧力は、調
整装置５８により制御し、流量計６０Ｖｃよシ監視する
。新しいフッ素は、フッ素源６２から、流量制御装置６
４．逆止弁６６およびカットオフ・バルブ６７を通じて
供給される。新しいフッ素と希ガス混合物とけ混合され
、導管６８によりレーザ１０に送られる。
整装置５８により制御し、流量計６０Ｖｃよシ監視する
。新しいフッ素は、フッ素源６２から、流量制御装置６
４．逆止弁６６およびカットオフ・バルブ６７を通じて
供給される。新しいフッ素と希ガス混合物とけ混合され
、導管６８によりレーザ１０に送られる。
新しいパックァ拳ガス（通常ネオンまたはべりラム）は
、バッファ拳ガス源７２から、流量制御装置７４、逆止
弁７６およびカットオフ・バルブ７７を通じて送られる
。新しい活性ガス（通常キセノン、クリプトンまたはア
ルゴン）は、活性ガス源８２から、流量制御装置８４、
逆止弁８６、およびカットオフ・バルブ８７を通じて送
られる。
、バッファ拳ガス源７２から、流量制御装置７４、逆止
弁７６およびカットオフ・バルブ７７を通じて送られる
。新しい活性ガス（通常キセノン、クリプトンまたはア
ルゴン）は、活性ガス源８２から、流量制御装置８４、
逆止弁８６、およびカットオフ・バルブ８７を通じて送
られる。
新しいバッファおよび活性ガスは、最初は装置全体を満
たすため、その後はたとえばレーザ自体の清掃もしくは
交換、または前述の洗滌装置中の部品もしくは薬品の清
掃もしくは交換等により、故意に、または偶然に失われ
、または排出した活性ガス、およびバッファ・ガスを補
充するために必要となる。真空ポンプ９０Ｆｉ、保守の
ためレーザまたは精製装置を空にするために使用する。
たすため、その後はたとえばレーザ自体の清掃もしくは
交換、または前述の洗滌装置中の部品もしくは薬品の清
掃もしくは交換等により、故意に、または偶然に失われ
、または排出した活性ガス、およびバッファ・ガスを補
充するために必要となる。真空ポンプ９０Ｆｉ、保守の
ためレーザまたは精製装置を空にするために使用する。
吸引されたガスは理論的には再使用できるが、保守のた
め吸引されたガスは、新しいガスを用いて置換するほう
が実際的である。しかし、吸引したガスは希ガスである
ため、廃ガスは貯えておき、後で再生することが有利で
あろう。このため、真空ポンプの排出側を導管９２で、
廃ガス貯蔵手段９４に接続する。カットオフ・バルブ６
７．７７．８７．１２．９５．９６．９７はすべて、保
守機能を補助する。バルブ９５および９６は、レーザ中
のガスを吸引する場合（このときバルブ９５を開く）ま
たは精製装置中のガスを吸引する場合（このときバルブ
９６を開く）以外は、常時閉である。バルブ１２および
９７は、レーザ中のガスを吸引する場合で、精製装置内
にガスを充填したままにする場合以外は常時開である。
め吸引されたガスは、新しいガスを用いて置換するほう
が実際的である。しかし、吸引したガスは希ガスである
ため、廃ガスは貯えておき、後で再生することが有利で
あろう。このため、真空ポンプの排出側を導管９２で、
廃ガス貯蔵手段９４に接続する。カットオフ・バルブ６
７．７７．８７．１２．９５．９６．９７はすべて、保
守機能を補助する。バルブ９５および９６は、レーザ中
のガスを吸引する場合（このときバルブ９５を開く）ま
たは精製装置中のガスを吸引する場合（このときバルブ
９６を開く）以外は、常時閉である。バルブ１２および
９７は、レーザ中のガスを吸引する場合で、精製装置内
にガスを充填したままにする場合以外は常時開である。
バルブ６７は、レーザ中のガスを吸引する場合、または
フッ素源を交換する場合以外は常時開とする。バルブ７
７は、バッファ・ガスまたは活性ガスをそれぞれ装置に
供給する場合以外は常時閉とする。逆止弁１５．５９．
６６．７６および８６ｉ１ｔすべて、汚染性または有害
ガスが装置内忙逆流するのを防止する。
フッ素源を交換する場合以外は常時開とする。バルブ７
７は、バッファ・ガスまたは活性ガスをそれぞれ装置に
供給する場合以外は常時閉とする。逆止弁１５．５９．
６６．７６および８６ｉ１ｔすべて、汚染性または有害
ガスが装置内忙逆流するのを防止する。
上記は、フッ素と、元素周期表の０族に属する１ｓ類以
上の貴ガスの混合物の、閉サイクル再循環ガス洗滌また
は精製のための改良された装置に関するものである。第
１の反応ゾーンでは、フッ素を除去するために１安価な
工業用チタンが用いられ、第２の反応ゾーンでは、工業
用チタンに含有されるシリコンを除去するため、アルカ
リ出金属酸化物、好ましくは酸化カルシウムが用いられ
る。他の汚染物質は高温の金属ゲッタ、好ましくはチタ
ンにより除去される。
上の貴ガスの混合物の、閉サイクル再循環ガス洗滌また
は精製のための改良された装置に関するものである。第
１の反応ゾーンでは、フッ素を除去するために１安価な
工業用チタンが用いられ、第２の反応ゾーンでは、工業
用チタンに含有されるシリコンを除去するため、アルカ
リ出金属酸化物、好ましくは酸化カルシウムが用いられ
る。他の汚染物質は高温の金属ゲッタ、好ましくはチタ
ンにより除去される。
上記のガス精製装置は１本発明の趣旨および範囲を逸脱
することなく、変更または修正が可能であることは明ら
かである。たとえば、第１の反応ゾーンを十分高温にし
て、第１の反応ゾーン中のチタンが、フッ素を四フッ化
チタンに変換するだけでなく、前述の装置の第２の反応
ゾーンで、高温の金属ゲッタにより除去する汚染物質を
除去するための高−温金属ゲッタとしても作用するよう
Ｋすれば、第２の反応ゾーンにおける第ＩＶｂ族のゲッ
タは必要なくなる。このような場合、第２の反応ゾーン
では、四フッ化シリコンを除去するため、アルカリ出金
酸化物ゲッタのみが必要となり、第２の反応ゾーンの温
度をかなり低くすることができる。しかし、第１の反応
ゾーンの温度を高くす・ると、ＴｉＦ４を凝縮させるた
め、冷却装置を太きく、精巧なものにする必要があり、
見掛は上の利点が相殺されることもある。
することなく、変更または修正が可能であることは明ら
かである。たとえば、第１の反応ゾーンを十分高温にし
て、第１の反応ゾーン中のチタンが、フッ素を四フッ化
チタンに変換するだけでなく、前述の装置の第２の反応
ゾーンで、高温の金属ゲッタにより除去する汚染物質を
除去するための高−温金属ゲッタとしても作用するよう
Ｋすれば、第２の反応ゾーンにおける第ＩＶｂ族のゲッ
タは必要なくなる。このような場合、第２の反応ゾーン
では、四フッ化シリコンを除去するため、アルカリ出金
酸化物ゲッタのみが必要となり、第２の反応ゾーンの温
度をかなり低くすることができる。しかし、第１の反応
ゾーンの温度を高くす・ると、ＴｉＦ４を凝縮させるた
め、冷却装置を太きく、精巧なものにする必要があり、
見掛は上の利点が相殺されることもある。
Ｆ１発明の効果
以上のように、この発明によれば、フッ素希ガス・レー
ザにおいて効率的に希ガスを精製することができるので
、レーザの長時間の動作を可能ならしめるという効果が
得られる。
ザにおいて効率的に希ガスを精製することができるので
、レーザの長時間の動作を可能ならしめるという効果が
得られる。
第１図は本発明によるフッ化希ガス・レーザのための閉
サイクル精製装置を示す略図である。 １０・・・・フッ化希ガス・レーザ、１４・・・−第１
の反応ゾーン％ ２０・・・・凝縮ゾーン、３６・・・
・第２の反応ゾーン、１８．３８・・・・反応槽％ ３
０．４２・・・・温度制御装置。 出願人 インづｅＯ林・牛ンズ−ζし例ン代理人 弁理
士 山 本 仁 １ 朗（外１名）
サイクル精製装置を示す略図である。 １０・・・・フッ化希ガス・レーザ、１４・・・−第１
の反応ゾーン％ ２０・・・・凝縮ゾーン、３６・・・
・第２の反応ゾーン、１８．３８・・・・反応槽％ ３
０．４２・・・・温度制御装置。 出願人 インづｅＯ林・牛ンズ−ζし例ン代理人 弁理
士 山 本 仁 １ 朗（外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） （ａ）チタンを含み、フッ素と、少くとも１つの不活性
元素とからなる混合物を受け入れ、上記のフッ素を上記
のチタンとの化学反応により四フッ化チタン蒸気に変換
し、同時に上記のチタンに含まれる不純物のシリコンを
、四フッ化シリコン蒸気に変換するための第１の反応ゾ
ーンと、（ｂ）上記の第１の反応ゾーンの後にあり、上
記の気体混合物から、凝縮により、上記の四フッ化チタ
ンを除去するための凝縮ゾーンと、 （ｃ）上記の凝縮ゾーンの後にあり、アルカリ土金属酸
化物を含み、上記の気体混合物から、上記のアルカリ土
金属酸化物と、上記の四フッ化シリコン蒸気とを反応さ
せて、不揮発性のアルカリ土金属二フッ化物と、二酸化
シリコンとを生成させることにより、四フッ化シリコン
蒸気を除去するための第２の反応ゾーンと、 （ｄ）上記の気体混合物から、残留汚染物質を、金属ゲ
ツタと、上記の残留汚染物質とを６００℃を超える温度
で反応させて除去する手段 からなることを特徴とする、フッ素希ガス・レーザのた
めの閉サイクル希ガス精製装置。 （２）上記の残留汚染物質を除去するための上記の手段
が、上記の第２の反応ゾーン内に配置した金属ゲツタで
あることを特徴とする、特許請求範囲第（１）項記載の
閉サイクル希ガス精製装置。 （５）上記の第２の反応ゾーンが８００℃を越える温度
に保たれることを特徴とする、特許請求範囲第（２）項
記載の閉サイクル希ガス精製装置。 （４）上記の金属ゲツタがIVｂ族の金属からなることを
特徴とする、特許請求範囲第（２）項記載の閉サイクル
希ガス精製装置。 （５）上記のIVｂ族の金属がチタンであることを特徴と
する、特許請求範囲第（４）項記載の閉サイクル希ガス
精製装置。 （６）上記のアルカリ土金属酸化物が、酸化カルシウム
または酸化マグネシウムであることを特徴とする、特許
請求範囲第（１）項記載の閉サイクル希ガス精製装置。 （７） （ａ）希ガスとフッ素からなる混合気体を、１５０℃を
超える温度でチタンと接触させ、上記の混合気体中のフ
ッ素を四フッ化チタン蒸気に変換すると同時に、上記の
チタンに不純物として含有される可能性のあるシリコン
を、四フッ化シリコン蒸気に変換し、 （ｂ）上記の混合気体から、上記の四フッ化チタン蒸気
を除去し、 （ｃ）上気の混合気体から上記の四フッ化チタン蒸気を
除去した後、上記の混合気体をアルカリ土金属酸化物と
接触させて、四フッ化シリコン蒸気をアルカリ土金属フ
ッ化物および二酸化シリコンに変換することにより、上
記の混合気体から上記の四フッ化シリコン蒸気をすべて
除去し、（ｄ）上記の混合気体を６００℃を超える温度
で金属ゲツタに接触させることにより、上記の混合気体
から残留汚染物質を除去する、 ことを特徴とする、希ガス・フッ素混合物のための閉サ
イクル気体精製方法。 （８）上記の混合気体を８００℃を超える温度で金属ゲ
ツタに接触させることにより、上記の混合気体から上記
の残留汚染物質を除去することを特徴とする、特許請求
範囲第（７）項記載の閉サイクル気体精製方法。 （９）上記の金属ゲツタがIVｂ族の金属からなることを
特徴とする、特許請求範囲第（８）項記載の閉サイクル
気体精製方法。 （１０）上記のIVｂ族の金属がチタンであることを特徴
とする、特許請求範囲第（９）項記載の閉サイクル気体
精製方法。 （１１）上記のアルカリ土金属酸化物が、酸化カルシウ
ムまたは酸化マグネシウムであることを特徴とする、特
許請求範囲第（７）項記載の閉サイクル気体精製方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/728,121 US4629611A (en) | 1985-04-29 | 1985-04-29 | Gas purifier for rare-gas fluoride lasers |
| US728121 | 1985-04-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251186A true JPS61251186A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH0511436B2 JPH0511436B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=24925512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032065A Granted JPS61251186A (ja) | 1985-04-29 | 1986-02-18 | フツ素希ガス・レ−ザのための閉サイクル希ガス精製装置及びその方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4629611A (ja) |
| EP (1) | EP0199934B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61251186A (ja) |
| CA (1) | CA1251018A (ja) |
| DE (1) | DE3680940D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015075840A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | ギガフォトン株式会社 | ガス精製システム及びレーザ装置 |
| JP2023519552A (ja) * | 2020-04-06 | 2023-05-11 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 導管システム、放射源、リソグラフィ装置、及びそれらの方法 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4977571A (en) * | 1988-03-29 | 1990-12-11 | Candela Laser Corporation | Dye laser solution circulation system |
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| US4905249A (en) * | 1989-01-06 | 1990-02-27 | Applied Photonics, Inc. | Catalytic converter |
| GB8927209D0 (en) * | 1989-12-01 | 1990-01-31 | British Aerospace | Apparatus for controlling the composition of a laser gas or gas mixture |
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