JPS61239624A - ロ−デイング装置およびロ−デイング方法 - Google Patents

ロ−デイング装置およびロ−デイング方法

Info

Publication number
JPS61239624A
JPS61239624A JP60081080A JP8108085A JPS61239624A JP S61239624 A JPS61239624 A JP S61239624A JP 60081080 A JP60081080 A JP 60081080A JP 8108085 A JP8108085 A JP 8108085A JP S61239624 A JPS61239624 A JP S61239624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
temperature
magazine
image
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60081080A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Suzuki
章 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP60081080A priority Critical patent/JPS61239624A/ja
Publication of JPS61239624A publication Critical patent/JPS61239624A/ja
Priority to US07/296,277 priority patent/US4944645A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は、電子ビーム描画装置や電子ビーム寸法測定装
置において、被描画材であるマスク゛ガラスやウェハ等
の基板、この基板を保持したホルダ、或いは被測定材で
あるレチクル等の被処理材をステージに装填するための
ローディング装置およびそれによるローディング方法に
関する。
（従来技術） 電子ビーム描画装置を例にして従来のローディ！　　　
ング装置の一例を第６図により述べる。同図においてζ
＋１１は電子ビーム描画装置、１２はローディング装置
であって、電子ビーム描画装置１１の真空の処理室を形
成するハウジング】３の上部には電子ビーム鏡筒１４が
設けられている。ハウジング１３内のベース１５にはサ
ドル１６が左右動可能に載置され、サドル１６上にはス
テージ１７が紙面垂直方向へ移動可能に載置され、ステ
ージ１７上には不図示の基板を固定したホルダ１８Ｂが
支持されており、ホルダ１８Ｂは不図示の駆動機構によ
る前記サドル１６とステージ１７の移動によりＸおよび
Ｙ方向の移動および位置が制御されるようになっている
。またハウジング１３は天井板１３Ａ１側壁１３Ｂそし
て底板１３Ｃ等から構成され、それぞれに恒温水通路（
図示せず）を設けることによシ、ハウジング１３内のベ
ース１５ないしステージ１７等を恒温に保持するように
なっている。そして電子ビーム１４ａのＯＮ・ＯＦＦと
偏向等によ如前記ステージ１７上に設置されている基板
に描画を行なう。
一方、ローディング装置１２は密閉可能な空間２１Ａを
有するチャンバ２１を有し、チャンバ２１はバルブ２２
を介してハウジング１３に接続され、チャンバ２１内の
マガジン２３は昇降機構２４にロッド２５を介しそ接続
されている。マガジン２３内には上からホルダ１８Ａ・
１８Ｃそして１８Ｄ等が収納されており、これらのホル
ダ１８Ａ等は、ハウジング１゛３内のホルダ１８Ｂと同
一高上におるローダ２６によシスデージ１フ上八 にローディングされたシアンローディングされたすする
。なおマガジン２３の±から２番目が空になっているの
は、ここに収納されたいたホルダ１８Ｂがハウジング１
３内にローディングされたからであり、ホルダ１８Ｈの
基板が描画されるとマガジン２３にアンローディ□ング
され、次いでホルダ１８Ｃがローディングされるとと忙
なる。
このようなローディング装置において、描画ずミノホル
ダを取出し新しいホルダをマガジン２３に装填するには
、先づバルブ２２を閉じ空間２１Ａに不図示のリークバ
ルブからＮ２等のガスをリークさせた後、チャンバ２１
の不図示の扉を開いて描画ずみのホルダと新しいホルダ
を交換する。次いで上記したリークバルブと扉を閉じ、
不図示の真空ポンプにより空間２１Ａを真空にする。こ
の際空間２１Ａを満たしていたガスの断熱膨張によりマ
ガジン２３や新しいホルダ等が冷却されることになぁ。
従ってマガジン２３へ装填される前にホルダをステージ
１７の温度に合せておいてもその条件は崩れ、そのまま
該ホルダをステージ１７上へローディングした場合、ホ
ルダの温度がステージ１７上で変化し、正確な位置決め
ができないと同時にステージ１７の温度を変化させてし
まうなどの問題を生ずる。なお、マガジン２３は移動す
るため、これに恒温水を直接流すことなどによる高精度
の恒温化は困難であった。ちなみに−辺の長さｔが１７
０１８のアルミ材ホルダが０．５℃の温度（１）変化を
受けるとその熱変形景況はΔｔ＝ｔｘαＸ１＝１７０Ｘ
２３．５Ｘ１０　　Ｘｏ、５十〇、００２（ただし、α
はアルミニウムの線膨張係数）即ち約２μｍであ′シ、
仮９にホルダがステージ１７上にローディングされて描
画されている間にステージ１７からの伝熱によって０．
５℃だけ温度が変化したとすると、ホルダの一辺が約２
Ｉｒｎの寸法変化を生じることになシ、これは描画にと
って致命的な誤差となる。
（発明の目的） 本発明はこのような欠点を除去したものでその目的は、
チャンバ内を真空にすることなどによって生ずるホルダ
の温度降下などの温度変化をローディング装置内で修正
して所定温度に保持しもってステージにローディングし
たときの温度変化をなくすことによ多、精度の高い描画
や測定などの処理を可能にしたローディング装置および
ローディング方法を提供することにある。
（発明の要点） 本発明は、真空の処理室に通ずる密閉可能なチャンバと
、被処置材を載置すべくチャンバ内に設けられたマガジ
ンと、マガジンに載置されている被処理材に接触可能に
チャンバに設けられると共に温度制御される温度調整部
材とを有するロープ；　　　イング装置およびこのロー
ディング装置によるローディング方法。に饗３・ （発明の実施例） 以下本発明の一実施例を示した第１図および第２図につ
いて説明する。電子ビーム描画装置１１は従来例である
第６図の場合と同一であるから説明を省略する。ローデ
ィング装置３１は密閉可能な空間３２を有するチャンバ
３３がバルブ２２を介してハウジング１３に接続され、
チャンバ３３内のマガジン３４は昇降機構３５にロッド
３６を介して接続されている。マガジン３４には上下２
箇の被処置材であるホルダ（第１図では下側のホルダ１
８Ｅのみ示す）が載置可能になっておシ、マガジン３４
を下降させたとき上方のホルダ載置面はハウジング１３
内のステージ１７の上面に一致し、マガジン３４を上昇
させると下側のホルダ載置面がステージ１７の上面と一
致するようになされてお如、ホルダ１８Ｅはｎ−ダ３７
と昇降機構３５とによりステージ１７にローディングさ
れかつアンローディングされる。またマガジン３４は底
板はなく下側のホルダ１８Ｂは顎３４Ａにより支持され
ている。
また、前記チャンバ３３内には、第２図に示すように前
記マガジン３４と並列に、第６図に示したマガジン２３
と同じマガジン２３が設けてあシ、ローダ３８．第６図
に示したものと同じ昇降機構２４ならびに前記昇降機構
３５によりマガジン２３とマガジン３４との間でホルダ
１８Ｂ’などを移載するようになっている。チャンバ３
３の底部を構成する温度調整部材３９は流体通路４０を
有し、こζに恒温制御された水或いは空気等の流体を流
すことによシ温度調整部材３９の上面４１を、１ １　　　所定の温度に保持するように彦っている。なお
第２．．１　　２図における４２はホルダ交換のための
扉である。
１　　　　次に前述した実施例の動作を説明する。第６
図ｉ　　　に示したように、マガジン２３に収納された
４箇のホルダ（１８Ａ、１８０，１８Ｄ（１つ抜けてい
るのは第１図のホルダ１８Ｅ）を参照〕は１箇１　−７
’　（７／８　ｔＬ”Ｃｍｍ１ｓｔ’ｌ−＊＊、ｗ　ｉ
　９７３４　’ｔ）、づつマガジン３４にローダ３８と
昇降機構２４および３５によシ移され、次いでステージ
１７に口ら再びマガジン２３に戻され４箇のホルダが全
て層　　描画終了すると新しいホルダに交換する。この
交換は先づバルブ２２を閉じ、チャンバ３３の空間３２
に不図示のリークバルブを開いてガスをり−りさせ空間
３２を大気圧にした後、扉４２を開い　　　□てマガジ
ン２３内のホルダを交換する。このとき、新しいホルダ
は予じめ所定温度になされている。
次いでリークバルブと扉４２を閉じた後、マガジン２３
内の新しいホルダ１箇をマガジン３４の下側に符号１８
Ｅで示すように移し、このホルダ１８Ｂをマガジン３４
によ〕温度調整部材３９に接触、好ましくは適宜な圧力
をもって押圧する。　　　　パ□ここで不図示の真空ポ
ンプによシチャンバ３３の空間３２を真空にすると、従
来例で述べたように断熱膨張による温度降下が生ずるが
、ホルダ１８Ｅは温度調整部材３９に押圧され、かつ同
部材３９は流体通路４０を流れる流体により所定温度に
保持されているため、ホルダ１８Ｂは同部材空９から熱
を受けて短時間で所定温度になる。
所定温度になったホルダ１８Ｅはバルブ２２を開いた後
ステージ１７上にローディングされて描画される。描画
中に空となったマガジン３４の下ＩＯ− 側にはマガジン２３から次のホルダ（例えば第６図に示
されているホルダ１８Ｃ）が移載され、ホルダ１８Ｅが
描画されている間にホルダ１８Ｃが温度調整部材３９に
より所定温度になされる。描画の終了したホルダ１８Ｂ
はマガジン３４の上側にアンローディングされた後マガ
ジン２３に戻され、次のホルダ１８Ｃがステージ１７上
にローディングされる。以下この動作を繰り返す。
なお前述の説明ではマガジン２３からマガジン３４への
ホルダ１８Ｅなどの移載をチャンバ３３の真空引の前に
行ったが、これは真空引を行っているときでもよい。ま
た本実施例は電子ビーム描画装置を対象にしたが、この
ほか電子ビームによる寸法測定装置等の真空の処理室に
所定温度の被処理材をローディングする装置の全てに適
用可能であることはいうまでもない。さらに下側のホル
ダ１８Ｅは底板３９に押圧することが好ましいが１　　
　　必ずしも押圧する必要はなく載置するのみでもよい
。
さらにまた流体通路４０を有する温度調整部材３９はチ
ャンバ３３の底部に設けず、チャンバ３３の天井に設け
てもよい等、その設置場所は適宜に定め得る。なお、天
井に設けた場合には、昇降機構３５はチャンバ３３の下
面に取付けかつマガジン３４の下面にロッド３６が接続
される。
第３図は温度調整部材の他の実施例を示したもので、こ
の例の温度調整部材５１は通路５５を有する支柱５２の
ほかはチャンバ５３に接しておらず、外気温の影響を受
けることが少く流体通路４０の流体温度のみが面５４の
温度を支配するようになっている。なお、この支柱５２
を断熱材で形成すれば、一層好ましい。流体通路４０は
支柱５２内の通路５５に接続され、継手５６を介して外
部に接続されている。支柱５２の代りにベローズ（図示
せず）を用いて流体通路にするとホルダを温度調整部材
５１へ過大に押圧したとき同部材　　、が下方にたわん
で押圧力を制限するため好ましい。
第４図も本発明の他の実施例を示したもので、この例で
は熱電対等の温度計６１１一温度調整部材５１に取付は
ホルダ１８Ｂの温度を測定し、ホルダ１８Ｅが所定温度
になったときステージ１７に御をしてより短時間に所定
温度にできるようにしたりしてもよいし、流体通路４０
に流体を供給す石供給源の温度を温度計ｉ１とは異なる
他の温度計によ多制御するようにしてもよい。
第５図は、さらに本発明の他の実施例を示す本ので、こ
の例では第１の実施例に対しチャンバをバルブによシ２
つに分けたことのみ相違している。
即ちチャンバはバルブ７１によシ大気および真空を交互
に繰り返す密閉可能な空間７２を有する第１のチャンバ
７３と、常時真空を保っている密閉可能な空間７４を有
する第２のチャンバ７５とからなっており、第１実施例
の第２図におけるマガジン２３を第１のチャンバ７３内
に置き、マガジン３４を第２のチャンバ７５内に置いた
ものである。従って動作としては、ホルダの交換時に第
１実施例では先づバルブ２２を閉じたが、この例ではバ
ルブ２２は開いたままでもよく、バルブ７１を閉じる。
そしてマガジン２３のホルダを交換し　　　・た後バル
ブ７１を閉じた状態で第１のチャンバ　　　　□７３内
を真空にする。真空になった後バルブ７１を開いてマガ
ジン２３とマガジン３４との間でホルダの移送を行うが
、これらは第１実施例と同じ故説明を省略する。このよ
うにすることにより第１実施例では真空引のとき温度調
整部材３９が冷却されてしまうが、本実施例では該温度
調整部材３９が常に真空内にあるため熱外乱を受けない
利点を有する。
（発明の効果） 本発明のローディング装置は以上説明したように、ロー
ディングのだめの密閉可能なチャンバ内に置かれたホル
ダ等の被処置材はチャンバを真空　　□にする際、チャ
ンバ内のガスの断熱膨張によシ温　　　・度降下を生ず
るが、被処理材はチャンバ内に設置された温度調整部材
に接して温度をコントロールされるため短時間で所定温
度にすることができ、このため前記温度降下などの温度
変化に基づく寸法誤差の発生を押えて高精度な処理がで
き、また被処理材が所定温度になるまでの待ち時間を長
くする必要もなく、さらに温度調整部材は固定ないしは
比較的わずかに移動するだけでよいため、構造が簡単で
あると同時に十分な温度制御能力を容易に付与すること
ができるなどの効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の一実施例を示し第１図は
断面図、第２図は平面図、第３図および第４図は底板等
のそれぞれ異なる態様における他の実施例の断面図、第
５図は本発明のさらに他の実施例における平面断面図、
第６図は従来例の断面図である。 ３３・・・チャンバ、３４−　マガジン、３９．５１・
・・温度調整部材、６１・・・温度計、７３・・・第１
のチャンバ、７５・・・第２のチャンバ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空の処理室に対する被処理材のローディング装置
    において、前記処理室に通ずる密閉可能なチャンバと、
    被処理材を載置すべく前記チャンバ内に設けられたマガ
    ジンと、同マガジンに載置されている被処理材に接触可
    能に前記チャンバに設けられると共に温度制御される温
    度調整部材とを具備することを特徴とするローディング
    装置。 ２、マガジンが上下に移動可能で上下２段の被処理材収
    納部を有し、温度調整部材が被処理材の下面または上面
    に対向して設けられていることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載のローディング装置。 ３、チャンバが、バルブを介して別の密閉可能なチャン
    バに接続され、被処理材を大気側との間で交換する際に
    も真空に保ち得るように構成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１または２項記載のローディング装
    置。 ４、温度調整部材に接触している被処理材の温度が温度
    計によつて検出されるようになっていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１、２または３項記載のローディン
    グ装置。 ５、温度調整部材がチャンバに対して断熱的に取付けら
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第１、２、３
    または４項記載のローディング装置。 ６、温度調整部材中に恒温の流体を通すようになってい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１、２、３、４ま
    たは５項記載のローディング装置。 ７、温度調整部材が被処理材との接圧方向に移動可能に
    取付けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１
    、２、３、４、５または６項記載のローディング装置。 ８、真空の処理室に通ずる密閉可能なチャンバ内のマガ
    ジンに収納した被処理材を、該チャンバが真空状態にな
    されている状態で、該チャンバに設けられている温度調
    整部材に接触させ、被処理材の温度を処理室内にあって
    被処理材を設置するステージの温度と整合させた後、前
    記マガジンからステージへ移すことを特徴とするローデ
    ィング方法。
JP60081080A 1985-04-16 1985-04-16 ロ−デイング装置およびロ−デイング方法 Pending JPS61239624A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60081080A JPS61239624A (ja) 1985-04-16 1985-04-16 ロ−デイング装置およびロ−デイング方法
US07/296,277 US4944645A (en) 1985-04-16 1989-01-11 Method and apparatus for loading objects into evacuated treating chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60081080A JPS61239624A (ja) 1985-04-16 1985-04-16 ロ−デイング装置およびロ−デイング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61239624A true JPS61239624A (ja) 1986-10-24

Family

ID=13736409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60081080A Pending JPS61239624A (ja) 1985-04-16 1985-04-16 ロ−デイング装置およびロ−デイング方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4944645A (ja)
JP (1) JPS61239624A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137312A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
US7135676B2 (en) 2000-06-27 2006-11-14 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US7244932B2 (en) 2000-11-02 2007-07-17 Ebara Corporation Electron beam apparatus and device fabrication method using the electron beam apparatus
JP2008064694A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Canon Inc 干渉計測装置
US7417236B2 (en) 2000-07-27 2008-08-26 Ebara Corporation Sheet beam-type testing apparatus
JP2014030038A (ja) * 2007-07-13 2014-02-13 Mapper Lithography Ip Bv リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル
US9645511B2 (en) 2007-07-13 2017-05-09 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
USRE49488E1 (en) 2007-07-13 2023-04-11 Asml Netherlands B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3943478C2 (de) * 1989-05-08 1995-11-16 Philips Electronics Nv Werkstückträger für ein scheibenförmiges Werkstück, sowie Vakuumbehandlungsanlage
DE4425208C2 (de) * 1994-07-16 1996-05-09 Jenoptik Technologie Gmbh Einrichtung zur Kopplung von Be- und Entladegeräten mit Halbleiterbearbeitungsmaschinen
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US7241993B2 (en) * 2000-06-27 2007-07-10 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US6455821B1 (en) 2000-08-17 2002-09-24 Nikon Corporation System and method to control temperature of an article
EP1271605A4 (en) * 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
WO2002049065A1 (fr) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
DE102009016288B4 (de) * 2009-01-02 2013-11-21 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung für die Ausrichtung von Substraten
JP6151080B2 (ja) * 2013-04-26 2017-06-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630725A (en) * 1979-08-22 1981-03-27 Fujitsu Ltd Electronic exposing device
JPS57190318A (en) * 1981-05-19 1982-11-22 Toshiba Mach Co Ltd Electron beam exposure device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3407097A (en) * 1966-06-07 1968-10-22 Pyro Serv Instr Inc Thermocouple
US3521765A (en) * 1967-10-31 1970-07-28 Western Electric Co Closed-end machine for processing articles in a controlled atmosphere
US3656454A (en) * 1970-11-23 1972-04-18 Air Reduction Vacuum coating apparatus
US3756067A (en) * 1971-08-19 1973-09-04 Jade Corp Temperature measurement
JPS5354906A (en) * 1976-10-29 1978-05-18 Mitsubishi Electric Corp Optical receiving system
US4529869A (en) * 1979-12-31 1985-07-16 Ekstrom Jr R A Instrument for inducing heat into an elongated object whose temperature is to be measured
US4498833A (en) * 1982-05-24 1985-02-12 Varian Associates, Inc. Wafer orientation system
IT8222194V0 (it) * 1982-06-18 1982-06-18 Edwards Alto Vuoto Spa Dispositivo per il caricamento delle piastre porta-prodotto di una camera di liofilizzazione mediante impiego di contenitori preposizionati ad altezza costante.
JPS5950538A (ja) * 1982-09-17 1984-03-23 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
US4487675A (en) * 1983-01-31 1984-12-11 Meckel Benjamin B Magnetically-assisted sputtering method for producing vertical recording media
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5630725A (en) * 1979-08-22 1981-03-27 Fujitsu Ltd Electronic exposing device
JPS57190318A (en) * 1981-05-19 1982-11-22 Toshiba Mach Co Ltd Electron beam exposure device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02137312A (ja) * 1988-11-18 1990-05-25 Fujitsu Ltd 電子ビーム露光装置
US7135676B2 (en) 2000-06-27 2006-11-14 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US7297949B2 (en) 2000-06-27 2007-11-20 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US7601972B2 (en) 2000-06-27 2009-10-13 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US7829871B2 (en) 2000-07-27 2010-11-09 Ebara Corporation Sheet beam-type testing apparatus
US7417236B2 (en) 2000-07-27 2008-08-26 Ebara Corporation Sheet beam-type testing apparatus
US7439502B2 (en) 2000-11-02 2008-10-21 Ebara Corporation Electron beam apparatus and device production method using the electron beam apparatus
US7244932B2 (en) 2000-11-02 2007-07-17 Ebara Corporation Electron beam apparatus and device fabrication method using the electron beam apparatus
JP2008064694A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Canon Inc 干渉計測装置
JP2014030038A (ja) * 2007-07-13 2014-02-13 Mapper Lithography Ip Bv リソグラフィシステム、クランプ方法及びウェーハテーブル
US9645511B2 (en) 2007-07-13 2017-05-09 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
US9665013B2 (en) 2007-07-13 2017-05-30 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table
USRE49488E1 (en) 2007-07-13 2023-04-11 Asml Netherlands B.V. Lithography system, method of clamping and wafer table

Also Published As

Publication number Publication date
US4944645A (en) 1990-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61239624A (ja) ロ−デイング装置およびロ−デイング方法
US8376637B2 (en) Photoresist coating and developing apparatus, substrate transfer method and interface apparatus
US8748780B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium
US5872889A (en) Apparatus and method for rapid thermal processing
JP4478440B2 (ja) ロードロック装置および方法
KR20100015494A (ko) 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
US5680428A (en) Process for holding an object
CN108807193A (zh) 接合装置以及接合方法
US11295952B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating apparatus
JPS5815232A (ja) 荷電ビ−ム露光装置
US20020155364A1 (en) Method and system to achieve thermal transfer between a workpiece and a heated body disposed in a chamber
JP3286994B2 (ja) 露光方法、および露光装置
JPS58219735A (ja) ステップアンドリピート方式のプロキシミティ露光装置
JP2003229348A (ja) 半導体露光装置
WO2017188343A1 (ja) 保持装置、露光方法及び露光システム、並びに搬送システム
JP2672535B2 (ja) 露光装置
JP2022026290A (ja) 縁部平坦化デバイスおよび該デバイスを含む塗工乾燥システム
JP3291832B2 (ja) 基板保持部材、および、露光装置
JPH02156625A (ja) 直動案内装置
JP2007019279A (ja) 電子線描画装置
JP3214494B2 (ja) 保持装置および露光システム、デバイス
KR102037915B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH0274024A (ja) 投影光学装置
KR102403801B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치
US20220139738A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method