JP2672535B2 - 露光装置 - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明はガラス基板上に液晶カラーテレビなどの画
素や回路パターンを転写する露光装置に関する。 （従来の技術） 第６図に従来の露光装置の露光部を示す。転写すべき
画素又は回路パターンが描かれたマスク１は支持枠20上
に設置されている。一方、ベース40上に置かれたガラス
基板３上にはレジストが塗布されている。マスク１とガ
ラス基板３は対向して平行に置かれ、さらに両者の間隔
ｇは20〜100μｍに保たれる。この間隔は転写すべきパ
ターンの線幅により規定され、その解像力Ｌは、おおよ
そ で表わせる。ここでλは露光光の波長、ｇはマスクと基
板のギャップＬは解像力（転写可能なパターンの線幅）
である。例えばλ＝0.436μｍ（水銀ランプ）、ｇ＝50
μｍとすると転写可能な線幅はＬ＝10μｍとなる。従っ
て、露光すべき線幅が細くなればなるほど、解像力を良
くする必要があり、露光光の波長を短かくするか、ギャ
ップｇを小さくする必要がある。 ところで、液晶テレビのように大型のガラス基板を露
光する必要がある場合には、マスクも大型になる。一方
マスクが直方形のとき、その対角線の長さｌとマスクの
自重によるマスク中央部のたわみ量の関係はマスクの材
質を石英ガラス、そしてマスクの板厚を5mmとして計算
してみると第７図のように表わされる。この結果より20
インチ以上で急激にたわみ量が増加することがわかる。 このように、たわみ量が増大するとマスク１とガラス
基板３とが平行にならず、周辺部と中央部で解像度が異
なり、均一なパターンが基板３上に転写されない。最悪
の場合にはマスク１と基板３が接触し、パターンが損傷
することもあり得る。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように、従来の露光装置で大型の基板を露光し
ようとすると、マスクがたわんでしまい大型の基板の適
切な露光を行なうことができなかった。 本発明は、上記の欠点を除去し、大型の基板上にパタ
ーンを転写するときに生じるマスクの自重によるたわみ
を補正し、マスクと基板のギャップを均一にし、良好な
パターンを転写できる露光装置を提供することを目的と
する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 第１の発明の露光装置にあっては、密閉空間を形成す
るために露光時に第１の物体を外壁の一部に含んで成る
密閉容器と、露光時に第２の物体が前記第１の物体と所
定距離はなれて前記密閉容器内に配置され、該第２の物
体を保持するために前記密閉容器内に配設される移動台
と、前記第１の物体に描かれたパターンを前記第２の物
体に転写するための光を照射する照明源と、前記第１の
物体と前記第２の物体とを平行に保持するべく、前記第
１の物体のたわみ量を零に近づけるように前記密閉容器
内を加圧もしくは減圧するための圧力調整手段とを具備
することを特徴としている。 第２の発明の露光装置にあっては、密閉空間を形成す
るために露光時に第１の物体を外壁の一部に含んで成る
密閉容器と、 露光時に第２の物体が前記第１の物体と所定距離はなれ
て前記密閉容器外に配置され、該第２の物体を保持する
ために前記密閉容器外に配設される移動台と、前記第１
の物体に描かれたパターンを前記第２の物体に転写する
ための光を照射する照明源と、前記第１の物体のたわみ
量に基づいて該たわみ量が所定の値となるように前記密
閉容器内を加圧もしくは減圧するための圧力調整手段と
を具備することを特徴としている。 （作用） このように構成された第１および第２の発明の露光装
置においては、密閉容器の一部として第１物体のみを用
い、第２の物体は密閉容器の形成に利用していないた
め、密閉容器内の圧力制御を行うことにより第１の物体
のたわみを高精度に制御することが可能となる。 また、第２の物体は密閉容器の形成に関与していない
ため、第２の基板交換は密閉空間に影響を与えずに行う
ことも可能である。 第１の物体が密閉容器の上面壁として構成された場合
には密閉容器を所定の圧力に加圧（押圧）することによ
って第１の物体のたわみ量が補正でき、一方、第１の物
体が密閉容器の下面壁として構成された場合には密閉容
器を所定の圧力に減圧（吸引）することによって第１の
物体のたわみ量が補正できる。 したがって、第１の物体が大型化し、たわみ易い場合
にもたわみ量を零に近づけることができ、精度の良い露
光が行える。 （実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。 第１図は、本発明の第１の実施例を示すものである。
第１図において、マスク１は保持枠２に例えば真空吸着
され、ガラス基板３は図中X,Y,Z軸方向に位置決め機能
を有する移動台４上に例えば真空チャックにて保持さ
れ、マスク１と対向して配置される。 水銀ランプ等の照明源５から発射された光はコリメー
タレンズ６、照明強度を均一にするフライヤレンズ７及
び反射鏡８を経て、コンデンサレンズ９に入り、平行光
線としてマスク１にほぼ直角に入射し露光が行なわれ
る。 ところでガラス基板３は、マスク１、保持枠２及び保
持台10にて形成される密閉容器11内に収納されている。
そして、この密閉容器11には加圧装置12が接続ポート13
を介して接続されている。 この加圧装置12は、マスク１とたわみ量が所定の値と
なるようにあらかじめ定められた圧力で密閉容器11内を
加圧する。 このようにマスク１をその一部とする密閉容器11内を
所定圧力に加圧することによりマスク１の自重によるた
わみを正確に補正することができ、高精度な転写を行な
うことができる。 ここで、マスク１のたわみ量の測定方法の一例につい
て述べる。 ｉ）マスクが直方形でその４辺を支持（マスクの４辺を
枠上に載置した場合等）した場合。 最大たわみ量はマスクの中央で生じその大きさWmaxは Wmax＝α１（P1a4/Eh3）（mm） …… となる。 ただし、α1:たわみ係数 a:辺の長さ（mm）「マスクの辺の長さをa,bとしｂ＞ａ
の場合 E:マスク材質の縦弾性係数（kg f/mm2） h:マスクの板厚（mm） P1:マスクへの単位面積あたりの加重（kg f/mm2） P1＝マスク材質の密質（kg f/mm2）×マスクの板厚（m
m） たわみ係数α１はマスクの両辺の比によって決定され
るもので第８図に示す。（機械工学便覧、改訂第６版
日本機械学会編第４編第78頁より抜粋） ii）マスクが直方形でその４辺を固定した場合最大たわ
み量はマスクの中央で生じその大きさＷ′maxは式と
同様の条件及び第２図より Ｗ′max＝α２（P1a4/Eh3）（mm） …… となる。 このようにたわみ量を求めることができるが、たわみ
量を補正するための加圧力は、マスクの形状、マスクの
支持方法等によらずマスクの板厚の関数となる。 つまり、たわみの原因はマスク１の自重による加重の
みである。したがって、マスク１の自重に対応する加圧
力を自重による加重と逆方向から加えればよいことにな
る。 したがって、加圧力Ｐは次のようにして求まる。 マスク１が厚さ5mmの石英ガラスであれば、石英ガラ
スの密度を2.2×10-6kg f/mm3とすると、 Ｐ＝2.2×10-6kg f/mm3×5mm ＝1.10×10-5kg f/mm2 ＝0.83Torr つまり、厚さ5mmの石英ガラス製マスクであれば0.83Tor
rだけ加圧すればたわみ量を零とすることができる。 ただし、特殊な方法でマスク１を支持する場合、例え
ばマスク１を水平方向に引張り加重をかけて支持するよ
うな場合には、マスクのたわみ量は、マスクの自重によ
る加重以外の加重を受けることになり、前述の加圧力で
はたわみを補正できない。 このような場合には、まずマスク１のたわみ量を直接
測定する。測定方法には、例えば電気マイクロメータを
基準面に沿ってマスク１の下部を接触移動させる。又、
静電容量型のマスクロセンス等をマスクに非接触で基準
面に沿って移動させる。さらに、回折格子、二重回折格
子等を用いて基準面とのギャップを測定する等、周知の
種々の方法を用いることができる。 このようにしてたわみ量を測定した後に、式、式
等のたわみを求める手段から逆にマスクの厚さを計算
し、この計算された仮のマスクの厚さで近似して加圧力
を前述と同様に測定すればよい。 以上のようにして求めた加圧をあらかじめ、マスクの
材質（密度）、マスクの厚さとの関係で記憶させておけ
ば容易にたわみ量を補正することができる。 さらに、第１図においては、保持台10の側面にガラス
基板３を交換のために出入れするための出入口17が設け
られている。この出入口17は、ガラス基板３の出し入
れ、搬送時に開口し、露光時には出入口が密閉される。 次に第２図を参照して本発明の第２の実施例について
説明する。この実施例が先の実施例と異なる箇所は、密
閉容器11内の圧力をモニターする圧力センサー14を設け
たことである。 この圧力センサー14で密閉容器11内の圧力を検知し、
マスク１のたわみ量が所定の値となるように制御部15に
より加圧装置12を制御する。 このように圧力センサー14及び制御部15を設けること
によりマスク１の厚さが変化した場合にも各々のマスク
１の厚さによって適正な加圧力とすることができる。ま
たマスク１の厚さ以外にも、マスク１の材質等によって
も適正な加圧力に制御することが可能となりすべてのマ
スクに対して適応可能である。 なお、制御部15には、マスク１の材質、厚さ（大き
さ）等によるたわみ量の関係をあらかじめ求めておいた
データ（例えば第７図に示すような曲線関係）とこのデ
ータに基づく適正な圧力のデータを記憶させておき、こ
の適正圧力を目標として与えて密閉容器11内の圧力を制
御すればよい。 次に第３図を参照して本発明の第３の実施例について
説明する。この実施例が、先の第１及び第２の実施例と
異なる箇所は、マスク１とガラス基板３の上下位置を逆
にして照明光を下方から入射させる構成とし、密閉容器
11内を減圧したことにある。 上記構成では、マスク１がたわむことにより、マスク
１とガラス基板３の間隔ｇは所定の値よりも大きくな
る。したがって、密閉容器11内を減圧装置12aによっ
て、マスク１のたわみ量が所定の値となるように減圧す
れば、先の実施例と同様に精度の良い露光が行なえる。 次に第４図を参照して本発明の第４の実施例について
説明する。この実施例が先の第１乃至第３の実施例と異
なる箇所は、密閉容器11をマスク１、保持枠２及び透明
板16で形成し、マスク１とコンデンサレンズ９の間に配
置したことにある。このようにコンデンサレンズ９とマ
スク１の間に石英ガラス（又は石英ガラスよりも縦弾性
係数が大きく、屈折率の小さい透明板）等から成る透明
板16を配置して密閉容器11を形成すれば露光を妨げな
い。 そして、加圧装置12又は減圧装置12aで先の実施例と
同様に密閉容器11内を所定圧力に保持し、マスク１のた
わみ量を補正すればよい。 なお、上記実施例においては、加圧手段として例え
ば、空気又はヘリウム等のガスを密閉容器11内に供給し
て圧力を調整するようにしてもよい。 第５図は、マスク１のたわみ量の補正の他の手段を示
すものである。先の実施例と同一部分又は相当する部分
には同一符号を付して説明は省略する。この手段は、圧
力を調整するものではなく、マスク１をたわみ量が少な
く、露光に影響を与えにくい透明板19にならわせるよう
にし、たわみを防止するものである。透明板19は縦弾性
係数が石英ガラスの74000kg f/mm2よりもかなり大き
く、光の屈折率はそれよりもかなり小さな値を有するも
のである。 このように透明板19にマスク１をならわせるようにす
れば構成が簡単でマスク１のたわみの影響もある程度防
止することができる。 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明によれば第１の物体のた
わみを正確に補正することができ、高精度の転写を行な
うことができる。
素や回路パターンを転写する露光装置に関する。 （従来の技術） 第６図に従来の露光装置の露光部を示す。転写すべき
画素又は回路パターンが描かれたマスク１は支持枠20上
に設置されている。一方、ベース40上に置かれたガラス
基板３上にはレジストが塗布されている。マスク１とガ
ラス基板３は対向して平行に置かれ、さらに両者の間隔
ｇは20〜100μｍに保たれる。この間隔は転写すべきパ
ターンの線幅により規定され、その解像力Ｌは、おおよ
そ で表わせる。ここでλは露光光の波長、ｇはマスクと基
板のギャップＬは解像力（転写可能なパターンの線幅）
である。例えばλ＝0.436μｍ（水銀ランプ）、ｇ＝50
μｍとすると転写可能な線幅はＬ＝10μｍとなる。従っ
て、露光すべき線幅が細くなればなるほど、解像力を良
くする必要があり、露光光の波長を短かくするか、ギャ
ップｇを小さくする必要がある。 ところで、液晶テレビのように大型のガラス基板を露
光する必要がある場合には、マスクも大型になる。一方
マスクが直方形のとき、その対角線の長さｌとマスクの
自重によるマスク中央部のたわみ量の関係はマスクの材
質を石英ガラス、そしてマスクの板厚を5mmとして計算
してみると第７図のように表わされる。この結果より20
インチ以上で急激にたわみ量が増加することがわかる。 このように、たわみ量が増大するとマスク１とガラス
基板３とが平行にならず、周辺部と中央部で解像度が異
なり、均一なパターンが基板３上に転写されない。最悪
の場合にはマスク１と基板３が接触し、パターンが損傷
することもあり得る。 （発明が解決しようとする問題点） 以上のように、従来の露光装置で大型の基板を露光し
ようとすると、マスクがたわんでしまい大型の基板の適
切な露光を行なうことができなかった。 本発明は、上記の欠点を除去し、大型の基板上にパタ
ーンを転写するときに生じるマスクの自重によるたわみ
を補正し、マスクと基板のギャップを均一にし、良好な
パターンを転写できる露光装置を提供することを目的と
する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 第１の発明の露光装置にあっては、密閉空間を形成す
るために露光時に第１の物体を外壁の一部に含んで成る
密閉容器と、露光時に第２の物体が前記第１の物体と所
定距離はなれて前記密閉容器内に配置され、該第２の物
体を保持するために前記密閉容器内に配設される移動台
と、前記第１の物体に描かれたパターンを前記第２の物
体に転写するための光を照射する照明源と、前記第１の
物体と前記第２の物体とを平行に保持するべく、前記第
１の物体のたわみ量を零に近づけるように前記密閉容器
内を加圧もしくは減圧するための圧力調整手段とを具備
することを特徴としている。 第２の発明の露光装置にあっては、密閉空間を形成す
るために露光時に第１の物体を外壁の一部に含んで成る
密閉容器と、 露光時に第２の物体が前記第１の物体と所定距離はなれ
て前記密閉容器外に配置され、該第２の物体を保持する
ために前記密閉容器外に配設される移動台と、前記第１
の物体に描かれたパターンを前記第２の物体に転写する
ための光を照射する照明源と、前記第１の物体のたわみ
量に基づいて該たわみ量が所定の値となるように前記密
閉容器内を加圧もしくは減圧するための圧力調整手段と
を具備することを特徴としている。 （作用） このように構成された第１および第２の発明の露光装
置においては、密閉容器の一部として第１物体のみを用
い、第２の物体は密閉容器の形成に利用していないた
め、密閉容器内の圧力制御を行うことにより第１の物体
のたわみを高精度に制御することが可能となる。 また、第２の物体は密閉容器の形成に関与していない
ため、第２の基板交換は密閉空間に影響を与えずに行う
ことも可能である。 第１の物体が密閉容器の上面壁として構成された場合
には密閉容器を所定の圧力に加圧（押圧）することによ
って第１の物体のたわみ量が補正でき、一方、第１の物
体が密閉容器の下面壁として構成された場合には密閉容
器を所定の圧力に減圧（吸引）することによって第１の
物体のたわみ量が補正できる。 したがって、第１の物体が大型化し、たわみ易い場合
にもたわみ量を零に近づけることができ、精度の良い露
光が行える。 （実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。 第１図は、本発明の第１の実施例を示すものである。
第１図において、マスク１は保持枠２に例えば真空吸着
され、ガラス基板３は図中X,Y,Z軸方向に位置決め機能
を有する移動台４上に例えば真空チャックにて保持さ
れ、マスク１と対向して配置される。 水銀ランプ等の照明源５から発射された光はコリメー
タレンズ６、照明強度を均一にするフライヤレンズ７及
び反射鏡８を経て、コンデンサレンズ９に入り、平行光
線としてマスク１にほぼ直角に入射し露光が行なわれ
る。 ところでガラス基板３は、マスク１、保持枠２及び保
持台10にて形成される密閉容器11内に収納されている。
そして、この密閉容器11には加圧装置12が接続ポート13
を介して接続されている。 この加圧装置12は、マスク１とたわみ量が所定の値と
なるようにあらかじめ定められた圧力で密閉容器11内を
加圧する。 このようにマスク１をその一部とする密閉容器11内を
所定圧力に加圧することによりマスク１の自重によるた
わみを正確に補正することができ、高精度な転写を行な
うことができる。 ここで、マスク１のたわみ量の測定方法の一例につい
て述べる。 ｉ）マスクが直方形でその４辺を支持（マスクの４辺を
枠上に載置した場合等）した場合。 最大たわみ量はマスクの中央で生じその大きさWmaxは Wmax＝α１（P1a4/Eh3）（mm） …… となる。 ただし、α1:たわみ係数 a:辺の長さ（mm）「マスクの辺の長さをa,bとしｂ＞ａ
の場合 E:マスク材質の縦弾性係数（kg f/mm2） h:マスクの板厚（mm） P1:マスクへの単位面積あたりの加重（kg f/mm2） P1＝マスク材質の密質（kg f/mm2）×マスクの板厚（m
m） たわみ係数α１はマスクの両辺の比によって決定され
るもので第８図に示す。（機械工学便覧、改訂第６版
日本機械学会編第４編第78頁より抜粋） ii）マスクが直方形でその４辺を固定した場合最大たわ
み量はマスクの中央で生じその大きさＷ′maxは式と
同様の条件及び第２図より Ｗ′max＝α２（P1a4/Eh3）（mm） …… となる。 このようにたわみ量を求めることができるが、たわみ
量を補正するための加圧力は、マスクの形状、マスクの
支持方法等によらずマスクの板厚の関数となる。 つまり、たわみの原因はマスク１の自重による加重の
みである。したがって、マスク１の自重に対応する加圧
力を自重による加重と逆方向から加えればよいことにな
る。 したがって、加圧力Ｐは次のようにして求まる。 マスク１が厚さ5mmの石英ガラスであれば、石英ガラ
スの密度を2.2×10-6kg f/mm3とすると、 Ｐ＝2.2×10-6kg f/mm3×5mm ＝1.10×10-5kg f/mm2 ＝0.83Torr つまり、厚さ5mmの石英ガラス製マスクであれば0.83Tor
rだけ加圧すればたわみ量を零とすることができる。 ただし、特殊な方法でマスク１を支持する場合、例え
ばマスク１を水平方向に引張り加重をかけて支持するよ
うな場合には、マスクのたわみ量は、マスクの自重によ
る加重以外の加重を受けることになり、前述の加圧力で
はたわみを補正できない。 このような場合には、まずマスク１のたわみ量を直接
測定する。測定方法には、例えば電気マイクロメータを
基準面に沿ってマスク１の下部を接触移動させる。又、
静電容量型のマスクロセンス等をマスクに非接触で基準
面に沿って移動させる。さらに、回折格子、二重回折格
子等を用いて基準面とのギャップを測定する等、周知の
種々の方法を用いることができる。 このようにしてたわみ量を測定した後に、式、式
等のたわみを求める手段から逆にマスクの厚さを計算
し、この計算された仮のマスクの厚さで近似して加圧力
を前述と同様に測定すればよい。 以上のようにして求めた加圧をあらかじめ、マスクの
材質（密度）、マスクの厚さとの関係で記憶させておけ
ば容易にたわみ量を補正することができる。 さらに、第１図においては、保持台10の側面にガラス
基板３を交換のために出入れするための出入口17が設け
られている。この出入口17は、ガラス基板３の出し入
れ、搬送時に開口し、露光時には出入口が密閉される。 次に第２図を参照して本発明の第２の実施例について
説明する。この実施例が先の実施例と異なる箇所は、密
閉容器11内の圧力をモニターする圧力センサー14を設け
たことである。 この圧力センサー14で密閉容器11内の圧力を検知し、
マスク１のたわみ量が所定の値となるように制御部15に
より加圧装置12を制御する。 このように圧力センサー14及び制御部15を設けること
によりマスク１の厚さが変化した場合にも各々のマスク
１の厚さによって適正な加圧力とすることができる。ま
たマスク１の厚さ以外にも、マスク１の材質等によって
も適正な加圧力に制御することが可能となりすべてのマ
スクに対して適応可能である。 なお、制御部15には、マスク１の材質、厚さ（大き
さ）等によるたわみ量の関係をあらかじめ求めておいた
データ（例えば第７図に示すような曲線関係）とこのデ
ータに基づく適正な圧力のデータを記憶させておき、こ
の適正圧力を目標として与えて密閉容器11内の圧力を制
御すればよい。 次に第３図を参照して本発明の第３の実施例について
説明する。この実施例が、先の第１及び第２の実施例と
異なる箇所は、マスク１とガラス基板３の上下位置を逆
にして照明光を下方から入射させる構成とし、密閉容器
11内を減圧したことにある。 上記構成では、マスク１がたわむことにより、マスク
１とガラス基板３の間隔ｇは所定の値よりも大きくな
る。したがって、密閉容器11内を減圧装置12aによっ
て、マスク１のたわみ量が所定の値となるように減圧す
れば、先の実施例と同様に精度の良い露光が行なえる。 次に第４図を参照して本発明の第４の実施例について
説明する。この実施例が先の第１乃至第３の実施例と異
なる箇所は、密閉容器11をマスク１、保持枠２及び透明
板16で形成し、マスク１とコンデンサレンズ９の間に配
置したことにある。このようにコンデンサレンズ９とマ
スク１の間に石英ガラス（又は石英ガラスよりも縦弾性
係数が大きく、屈折率の小さい透明板）等から成る透明
板16を配置して密閉容器11を形成すれば露光を妨げな
い。 そして、加圧装置12又は減圧装置12aで先の実施例と
同様に密閉容器11内を所定圧力に保持し、マスク１のた
わみ量を補正すればよい。 なお、上記実施例においては、加圧手段として例え
ば、空気又はヘリウム等のガスを密閉容器11内に供給し
て圧力を調整するようにしてもよい。 第５図は、マスク１のたわみ量の補正の他の手段を示
すものである。先の実施例と同一部分又は相当する部分
には同一符号を付して説明は省略する。この手段は、圧
力を調整するものではなく、マスク１をたわみ量が少な
く、露光に影響を与えにくい透明板19にならわせるよう
にし、たわみを防止するものである。透明板19は縦弾性
係数が石英ガラスの74000kg f/mm2よりもかなり大き
く、光の屈折率はそれよりもかなり小さな値を有するも
のである。 このように透明板19にマスク１をならわせるようにす
れば構成が簡単でマスク１のたわみの影響もある程度防
止することができる。 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明によれば第１の物体のた
わみを正確に補正することができ、高精度の転写を行な
うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は、本発明の露光装置の実施例を示す
ための構成図、第５図は、マスクのたわみ量補正の他の
手段を示す構成図、第６図は、従来の露光装置を示す構
成図、第７図は、長方形のマスクを水平に支持したとき
の対角線方向の長さとたわみ量との関係を示す図、第８
図は、長方形板の両辺の比と最大たわみ係数を示す関係
図である。 １……マスク（第１の物体）、２……保持枠 ３……ガラス基板（第２の物体）、４……移動台 ５……照明源、９……コンデンサレンズ 10……保持台、11……密閉容器 12……加圧装置（圧力調整手段） 12a……減圧装置（圧力調整手段） 13……接続ポート 14……圧力センサー（圧力検知手段） 15……制御部（制御手段）、16,20……透明板。
ための構成図、第５図は、マスクのたわみ量補正の他の
手段を示す構成図、第６図は、従来の露光装置を示す構
成図、第７図は、長方形のマスクを水平に支持したとき
の対角線方向の長さとたわみ量との関係を示す図、第８
図は、長方形板の両辺の比と最大たわみ係数を示す関係
図である。 １……マスク（第１の物体）、２……保持枠 ３……ガラス基板（第２の物体）、４……移動台 ５……照明源、９……コンデンサレンズ 10……保持台、11……密閉容器 12……加圧装置（圧力調整手段） 12a……減圧装置（圧力調整手段） 13……接続ポート 14……圧力センサー（圧力検知手段） 15……制御部（制御手段）、16,20……透明板。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．密閉空間を形成するために露光時に第１の物体を外
壁の一部に含んで成る密閉容器と、 露光時に第２の物体が前記第１の物体と所定距離はなれ
て前記密閉容器内に配置され、該第２の物体を保持する
ために前記密閉容器内に配設される移動台と、 前記第１の物体に描かれたパターンを前記第２の物体に
転写するための光を照射する照明源と、 前記第１の物体と前記第２の物体とを平行に保持するべ
く、前記第１の物体のたわみ量を零に近づけるように前
記密閉容器内を加圧もしくは減圧するための圧力調整手
段と を具備することを特徴とする露光装置。 ２．密閉空間を形成するために露光時に第１の物体を外
壁の一部に含んで成る密閉容器と、 露光時に第２の物体が前記第１の物体と所定距離はなれ
て前記密閉容器外に配置され、該第２の物体を保持する
ために前記密閉容器外に配設される移動台と、 前記第１の物体に描かれたパターンを前記第２の物体に
転写するための光を照射する照明源と、 前記第１の物体のたわみ量に基づいて該たわみ量が所定
の値となるように前記密閉容器内を加圧もしくは減圧す
るための圧力調整手段と を具備することを特徴とする露光装置。 ３．前記第１の物体はマスクであり、前記第２の物体は
ガラス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の露光装置。 ４．前記第１の物体はマスクであり、前記第２の物体は
ガラス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の露光装置。 ５．前記圧力調整手段は、予め求められた第１の物体の
たわみ補正量を記憶しておく記憶手段と、この記憶手段
の情報に基づいて前記密閉容器内を加圧もしくは減圧す
る加減圧装置とから成ることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の露光装置。 ６．前記圧力調整手段は、予め求められた第１の物体の
たわみ補正量を記憶しておく記憶手段と、この記憶手段
の情報に基づいて前記密閉容器内を加圧もしくは減圧す
る加減圧装置とから成ることを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の露光装置。 ７．前記圧力調整手段は、前記密閉容器内の圧力を検出
する圧力検出手段と、この圧力検出手段からの出力信号
と前記第１の物体が前記所定の値のたわみ量となるため
の目標圧力信号とを比較して圧力補正量を求める制御手
段と、前記圧力補正量に基づいて前記密閉容器内を加圧
もしくは減圧する加減圧装置とから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 ８．前記圧力調整手段は、前記密閉容器内の圧力を検出
する圧力検出手段と、この圧力検出手段からの出力信号
と前記第１の物体が前記所定の値のたわみ量となるため
の目標圧力信号とを比較して圧力補正量を求める制御手
段と、前記圧力補正量に基づいて前記密閉容器内を加圧
もしくは減圧する加減圧装置とから成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の露光装置。 ９．前記密閉容器には、前記第２の物体を出入れするた
めの出入口が設けられており、前記第２の物体の出入れ
の際には開口し、露光時には密閉されるように制御され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314227A JP2672535B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314227A JP2672535B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01155354A JPH01155354A (ja) | 1989-06-19 |
| JP2672535B2 true JP2672535B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=18050813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62314227A Expired - Fee Related JP2672535B2 (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672535B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009134005A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nsk Ltd | 近接露光装置及び近接露光方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE9704193D0 (sv) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | Micronic Laser Systems Ab | Device and method for flat holding of a substrate in microlithography |
| KR20020059045A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-12 | 안민혁 | 스캔형 노광장치 |
| JP4829006B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-11-30 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置 |
| JP2006350192A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Ono Sokki Co Ltd | 露光機の整合装置及び露光機の整合方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5754933A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-01 | Ricoh Co Ltd | Picture synthesizing auxiliary instrument |
| JPS60194332U (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-24 | 山形日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP62314227A patent/JP2672535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009134005A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nsk Ltd | 近接露光装置及び近接露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01155354A (ja) | 1989-06-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |