JPS61221362A - イオン蒸着薄膜形成装置 - Google Patents
イオン蒸着薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61221362A JPS61221362A JP6276285A JP6276285A JPS61221362A JP S61221362 A JPS61221362 A JP S61221362A JP 6276285 A JP6276285 A JP 6276285A JP 6276285 A JP6276285 A JP 6276285A JP S61221362 A JPS61221362 A JP S61221362A
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- Japan
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- ion
- vapor deposition
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で基板に対してイオン照射と蒸着と
を行うことによって基板表面に薄膜を形成するイオン蒸
着薄膜形成装置に関し、特に、イオン照射と蒸着とを基
板の上方から行うようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
を行うことによって基板表面に薄膜を形成するイオン蒸
着薄膜形成装置に関し、特に、イオン照射と蒸着とを基
板の上方から行うようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
第3図は従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図で
あり、第4図は第3図の装置のカバーの開口部付近を下
から見た図である。例えば10−3〜10−’Pa (
10−S〜10−’T o r r)程度に真空引きさ
れる真空室9内の上方に、搬送ベルト71を有する搬送
機構7が設けられており、これによって基板(ウェハ)
3が真空室9内の所定位置(膜形成のための位置)に搬
送される。当該搬送機構7の下方、即ち基板3の下方に
は、イオンビーム(例えばN゛)4を基板3に照射する
ためのイオン源1及び蒸発物(例えばTi)5を基板3
に蒸着させるための蒸発源2が設けられている。
あり、第4図は第3図の装置のカバーの開口部付近を下
から見た図である。例えば10−3〜10−’Pa (
10−S〜10−’T o r r)程度に真空引きさ
れる真空室9内の上方に、搬送ベルト71を有する搬送
機構7が設けられており、これによって基板(ウェハ)
3が真空室9内の所定位置(膜形成のための位置)に搬
送される。当該搬送機構7の下方、即ち基板3の下方に
は、イオンビーム(例えばN゛)4を基板3に照射する
ためのイオン源1及び蒸発物(例えばTi)5を基板3
に蒸着させるための蒸発源2が設けられている。
蒸発源2は、例えば電子ビーム蒸発源である。更に搬送
機構7の下方には、イオンビーム4及び蒸発物5が基板
3以外に当たるのを防止するためのカバー8が設けられ
ており、このカバー8に設けられた開口部81を通して
、基板3の下面に対してイオンビーム4の照射と蒸発物
5の蒸着とが行われ、これによって基板3の下面の所定
領域に薄膜(例えばTiNFjJ膜)が形成される。尚
この例では、例えば1〜10−’P a (10−”〜
10−3To r r)程度に真空引きされる予備室1
0がゲートバルブ11を介して真空室9に隣接されてお
り、そこに設けられた搬送機構12によって真空室9内
の搬送機構7への基板3の供給、回収が行われる。
機構7の下方には、イオンビーム4及び蒸発物5が基板
3以外に当たるのを防止するためのカバー8が設けられ
ており、このカバー8に設けられた開口部81を通して
、基板3の下面に対してイオンビーム4の照射と蒸発物
5の蒸着とが行われ、これによって基板3の下面の所定
領域に薄膜(例えばTiNFjJ膜)が形成される。尚
この例では、例えば1〜10−’P a (10−”〜
10−3To r r)程度に真空引きされる予備室1
0がゲートバルブ11を介して真空室9に隣接されてお
り、そこに設けられた搬送機構12によって真空室9内
の搬送機構7への基板3の供給、回収が行われる。
上述のようなイオン蒸着薄膜形成装置においては、基板
3の下方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような問題点がある。即ち、■基板3を搬送ベルト7
1上に乗せた状態で下方からイオン照射と蒸着とを行う
ので、下からのイオンビーム4と蒸発物5が搬送ベルト
71に当たらないようにするためカバー8の開口部81
を基板3よりもかなり小さくする必要があり、そのため
基板3に対する膜形成領域が狭い(第4図参照)。
3の下方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような問題点がある。即ち、■基板3を搬送ベルト7
1上に乗せた状態で下方からイオン照射と蒸着とを行う
ので、下からのイオンビーム4と蒸発物5が搬送ベルト
71に当たらないようにするためカバー8の開口部81
を基板3よりもかなり小さくする必要があり、そのため
基板3に対する膜形成領域が狭い(第4図参照)。
■イオン源1が基板3のほぼ真下に配置されているので
、膜形成時に基板3から発生するコンタミ(剥離物)が
イオン源1中に落下してイオン源1に故障を生じさせる
場合がある。■基板3の搬送途中に基板3の膜面が搬送
ベルト71に接触して、搬送ベルト71に付着している
コンタミが基板3の膜面に付着する場合がある。
、膜形成時に基板3から発生するコンタミ(剥離物)が
イオン源1中に落下してイオン源1に故障を生じさせる
場合がある。■基板3の搬送途中に基板3の膜面が搬送
ベルト71に接触して、搬送ベルト71に付着している
コンタミが基板3の膜面に付着する場合がある。
従ってこの発明は、上述のような問題点を解決すること
ができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを目的
とする。
ができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを目的
とする。
この発明のイオン蒸着薄膜形成装置は、蒸発源としてア
ーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発源
を用い、イオン源及びアーク放電蒸発源を基板の上方に
配置し、基板に対してその上方からイオン照射と蒸着と
を行うようにしている。
ーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発源
を用い、イオン源及びアーク放電蒸発源を基板の上方に
配置し、基板に対してその上方からイオン照射と蒸着と
を行うようにしている。
アーク放電蒸発源は、上から下方に向けての蒸発が可能
である。このアーク放電蒸発源とイオン源とを基板の上
方に配置することにより、基板に対してその上方からイ
オン照射と蒸着とを行うことができる。これによって、
基板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への
落下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコン
タミ付着を防止することができる。
である。このアーク放電蒸発源とイオン源とを基板の上
方に配置することにより、基板に対してその上方からイ
オン照射と蒸着とを行うことができる。これによって、
基板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への
落下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコン
タミ付着を防止することができる。
第1図はこの発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形成
装置を示す概略図であり、第2図は第1図の装置のカバ
ーの開口部付近を上から見た図である。第3図及び第4
図に示した従来の装置との相違点を主に説明する。
装置を示す概略図であり、第2図は第1図の装置のカバ
ーの開口部付近を上から見た図である。第3図及び第4
図に示した従来の装置との相違点を主に説明する。
このイオン蒸着薄膜形成装置においては、蒸発源として
アーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発
源6を′用いている。そして、アーク放電蒸発源6は上
から下方に向けての蒸発が可能であるので、イオン源l
及びアーク放電蒸発源6を基板3の上方に配置して、基
板3に対してその上方からイオン照射と蒸着とを行うよ
うにしている。
アーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発
源6を′用いている。そして、アーク放電蒸発源6は上
から下方に向けての蒸発が可能であるので、イオン源l
及びアーク放電蒸発源6を基板3の上方に配置して、基
板3に対してその上方からイオン照射と蒸着とを行うよ
うにしている。
即ち、このイオン蒸着薄膜形成装置においては、真空室
9内の下方に基板3を所定位置に搬送する搬送機構7を
設け、当該搬送機構7の上方に開口部81を有するカバ
ー8を設け、更にその上方にイオン源1及びアーク放電
蒸発源6を下向きに設けている。またこれに伴って、予
備室10内の搬送機構12及びゲートバルブ11もその
下方に設けている。アーク放電蒸発源6は、この例では
、ターゲットとしての蒸発材(例えばTi)61と、フ
ィードスルー13によって保持されたトリガピン(また
はトリガロッド)62とを備えており、蒸発材61とト
リガピン62との間にアーク電源(図示省略)から例え
ば数十V程度の電圧を印加して、電流が例えば70〜1
00Aのアーク放電を起こさせるようにしている。この
時の局部放電によって、蒸発材61は局部的に溶解して
そこから蒸発物5が下方に向けて蒸発される。そしてカ
バー8の開口部81を通して、基板3に対してイオンビ
ーム4の照射と蒸発物5の蒸着とが行われ、これによっ
て基板3の上面の所定領域に薄膜が形成される。ちなみ
に、従来の蒸発源2として用いられている電子ビーム蒸
発源は、るつぼ中の蒸発材を電子ビームによって加熱溶
解させて蒸発させるものであって、下から上方に向けて
の蒸発しかできず、そのため基板の下方にしか蒸発源を
配置することができない。
9内の下方に基板3を所定位置に搬送する搬送機構7を
設け、当該搬送機構7の上方に開口部81を有するカバ
ー8を設け、更にその上方にイオン源1及びアーク放電
蒸発源6を下向きに設けている。またこれに伴って、予
備室10内の搬送機構12及びゲートバルブ11もその
下方に設けている。アーク放電蒸発源6は、この例では
、ターゲットとしての蒸発材(例えばTi)61と、フ
ィードスルー13によって保持されたトリガピン(また
はトリガロッド)62とを備えており、蒸発材61とト
リガピン62との間にアーク電源(図示省略)から例え
ば数十V程度の電圧を印加して、電流が例えば70〜1
00Aのアーク放電を起こさせるようにしている。この
時の局部放電によって、蒸発材61は局部的に溶解して
そこから蒸発物5が下方に向けて蒸発される。そしてカ
バー8の開口部81を通して、基板3に対してイオンビ
ーム4の照射と蒸発物5の蒸着とが行われ、これによっ
て基板3の上面の所定領域に薄膜が形成される。ちなみ
に、従来の蒸発源2として用いられている電子ビーム蒸
発源は、るつぼ中の蒸発材を電子ビームによって加熱溶
解させて蒸発させるものであって、下から上方に向けて
の蒸発しかできず、そのため基板の下方にしか蒸発源を
配置することができない。
この実施例のイオン蒸着薄膜形成装置においては、基板
3の上方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような効果が得られる。即ち、■搬送ベルト71は基
板3の下側になるので、カバー8の開口部81をほぼ基
板3と同程度の大きさにすることができ、これによって
基板3の上面のほぼ全面に膜を形成することができる(
第2図参照)。■イオン源1は基板3の上方に配置され
ているので、基板3からのコンタミがイオン源1中に落
下することはない。■搬送ベルト71は基板3の膜面で
なくて下面(即ち、膜形成されていない面)に接してい
るので、搬送ベルト71によってコンタミが基板3の膜
面に付着されることはない。
3の上方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような効果が得られる。即ち、■搬送ベルト71は基
板3の下側になるので、カバー8の開口部81をほぼ基
板3と同程度の大きさにすることができ、これによって
基板3の上面のほぼ全面に膜を形成することができる(
第2図参照)。■イオン源1は基板3の上方に配置され
ているので、基板3からのコンタミがイオン源1中に落
下することはない。■搬送ベルト71は基板3の膜面で
なくて下面(即ち、膜形成されていない面)に接してい
るので、搬送ベルト71によってコンタミが基板3の膜
面に付着されることはない。
尚、上述した搬送機構7は上述以外の構造のものでも良
く、また予備室10及びその内部のゲートパルプ11、
搬送機構12等は必ずしも必要なものではない。
く、また予備室10及びその内部のゲートパルプ11、
搬送機構12等は必ずしも必要なものではない。
以上のようにこの発明においては、基板に対してその上
方からイオン照射と蒸着とを行うことができるので、基
板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への落
下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコンタ
ミ付着を防止することができる。
方からイオン照射と蒸着とを行うことができるので、基
板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への落
下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコンタ
ミ付着を防止することができる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形
成装置を示す概略図である。第2図は、第1図の装置の
カバーの開口部付近を上から見た図である。第3図は、
従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
4図は、第3図の装置のカバーの開口部付近を下から見
た図である。
成装置を示す概略図である。第2図は、第1図の装置の
カバーの開口部付近を上から見た図である。第3図は、
従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
4図は、第3図の装置のカバーの開口部付近を下から見
た図である。
Claims (1)
- (1)イオン源と蒸発源とを有していて、真空中で基板
に対してイオン照射と蒸着とを行うイオン蒸着薄膜形成
装置において、蒸発源としてアーク放電によって蒸発材
を蒸発させるアーク放電蒸発源を用い、イオン源及びア
ーク放電蒸発源を基板の上方に配置し、基板に対してそ
の上方からイオン照射と蒸着とを行うようにしているこ
とを特徴とするイオン蒸着薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062762A JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60062762A JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61221362A true JPS61221362A (ja) | 1986-10-01 |
JPH0635653B2 JPH0635653B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13209723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60062762A Expired - Fee Related JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0635653B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
JPS583033A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 木構造検索処理装置 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60062762A patent/JPH0635653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
JPS583033A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 木構造検索処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0635653B2 (ja) | 1994-05-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |