JPS61221362A - イオン蒸着薄膜形成装置 - Google Patents
イオン蒸着薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61221362A JPS61221362A JP6276285A JP6276285A JPS61221362A JP S61221362 A JPS61221362 A JP S61221362A JP 6276285 A JP6276285 A JP 6276285A JP 6276285 A JP6276285 A JP 6276285A JP S61221362 A JPS61221362 A JP S61221362A
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- Japan
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- ion
- vapor deposition
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で基板に対してイオン照射と蒸着と
を行うことによって基板表面に薄膜を形成するイオン蒸
着薄膜形成装置に関し、特に、イオン照射と蒸着とを基
板の上方から行うようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
を行うことによって基板表面に薄膜を形成するイオン蒸
着薄膜形成装置に関し、特に、イオン照射と蒸着とを基
板の上方から行うようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
第３図は従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図で
あり、第４図は第３図の装置のカバーの開口部付近を下
から見た図である。例えば１０−３〜１０−’Ｐａ （
１０−Ｓ〜１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ）程度に真空引きさ
れる真空室９内の上方に、搬送ベルト７１を有する搬送
機構７が設けられており、これによって基板（ウェハ）
３が真空室９内の所定位置（膜形成のための位置）に搬
送される。当該搬送機構７の下方、即ち基板３の下方に
は、イオンビーム（例えばＮ゛）４を基板３に照射する
ためのイオン源１及び蒸発物（例えばＴｉ）５を基板３
に蒸着させるための蒸発源２が設けられている。
あり、第４図は第３図の装置のカバーの開口部付近を下
から見た図である。例えば１０−３〜１０−’Ｐａ （
１０−Ｓ〜１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒ）程度に真空引きさ
れる真空室９内の上方に、搬送ベルト７１を有する搬送
機構７が設けられており、これによって基板（ウェハ）
３が真空室９内の所定位置（膜形成のための位置）に搬
送される。当該搬送機構７の下方、即ち基板３の下方に
は、イオンビーム（例えばＮ゛）４を基板３に照射する
ためのイオン源１及び蒸発物（例えばＴｉ）５を基板３
に蒸着させるための蒸発源２が設けられている。
蒸発源２は、例えば電子ビーム蒸発源である。更に搬送
機構７の下方には、イオンビーム４及び蒸発物５が基板
３以外に当たるのを防止するためのカバー８が設けられ
ており、このカバー８に設けられた開口部８１を通して
、基板３の下面に対してイオンビーム４の照射と蒸発物
５の蒸着とが行われ、これによって基板３の下面の所定
領域に薄膜（例えばＴｉＮＦｊＪ膜）が形成される。尚
この例では、例えば１〜１０−’Ｐ ａ （１０−”〜
１０−３Ｔｏ ｒ ｒ）程度に真空引きされる予備室１
０がゲートバルブ１１を介して真空室９に隣接されてお
り、そこに設けられた搬送機構１２によって真空室９内
の搬送機構７への基板３の供給、回収が行われる。
機構７の下方には、イオンビーム４及び蒸発物５が基板
３以外に当たるのを防止するためのカバー８が設けられ
ており、このカバー８に設けられた開口部８１を通して
、基板３の下面に対してイオンビーム４の照射と蒸発物
５の蒸着とが行われ、これによって基板３の下面の所定
領域に薄膜（例えばＴｉＮＦｊＪ膜）が形成される。尚
この例では、例えば１〜１０−’Ｐ ａ （１０−”〜
１０−３Ｔｏ ｒ ｒ）程度に真空引きされる予備室１
０がゲートバルブ１１を介して真空室９に隣接されてお
り、そこに設けられた搬送機構１２によって真空室９内
の搬送機構７への基板３の供給、回収が行われる。
上述のようなイオン蒸着薄膜形成装置においては、基板
３の下方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような問題点がある。即ち、■基板３を搬送ベルト７
１上に乗せた状態で下方からイオン照射と蒸着とを行う
ので、下からのイオンビーム４と蒸発物５が搬送ベルト
７１に当たらないようにするためカバー８の開口部８１
を基板３よりもかなり小さくする必要があり、そのため
基板３に対する膜形成領域が狭い（第４図参照）。
３の下方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような問題点がある。即ち、■基板３を搬送ベルト７
１上に乗せた状態で下方からイオン照射と蒸着とを行う
ので、下からのイオンビーム４と蒸発物５が搬送ベルト
７１に当たらないようにするためカバー８の開口部８１
を基板３よりもかなり小さくする必要があり、そのため
基板３に対する膜形成領域が狭い（第４図参照）。
■イオン源１が基板３のほぼ真下に配置されているので
、膜形成時に基板３から発生するコンタミ（剥離物）が
イオン源１中に落下してイオン源１に故障を生じさせる
場合がある。■基板３の搬送途中に基板３の膜面が搬送
ベルト７１に接触して、搬送ベルト７１に付着している
コンタミが基板３の膜面に付着する場合がある。
、膜形成時に基板３から発生するコンタミ（剥離物）が
イオン源１中に落下してイオン源１に故障を生じさせる
場合がある。■基板３の搬送途中に基板３の膜面が搬送
ベルト７１に接触して、搬送ベルト７１に付着している
コンタミが基板３の膜面に付着する場合がある。
従ってこの発明は、上述のような問題点を解決すること
ができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを目的
とする。
ができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを目的
とする。
この発明のイオン蒸着薄膜形成装置は、蒸発源としてア
ーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発源
を用い、イオン源及びアーク放電蒸発源を基板の上方に
配置し、基板に対してその上方からイオン照射と蒸着と
を行うようにしている。
ーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発源
を用い、イオン源及びアーク放電蒸発源を基板の上方に
配置し、基板に対してその上方からイオン照射と蒸着と
を行うようにしている。
アーク放電蒸発源は、上から下方に向けての蒸発が可能
である。このアーク放電蒸発源とイオン源とを基板の上
方に配置することにより、基板に対してその上方からイ
オン照射と蒸着とを行うことができる。これによって、
基板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への
落下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコン
タミ付着を防止することができる。
である。このアーク放電蒸発源とイオン源とを基板の上
方に配置することにより、基板に対してその上方からイ
オン照射と蒸着とを行うことができる。これによって、
基板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への
落下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコン
タミ付着を防止することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形成
装置を示す概略図であり、第２図は第１図の装置のカバ
ーの開口部付近を上から見た図である。第３図及び第４
図に示した従来の装置との相違点を主に説明する。
装置を示す概略図であり、第２図は第１図の装置のカバ
ーの開口部付近を上から見た図である。第３図及び第４
図に示した従来の装置との相違点を主に説明する。
このイオン蒸着薄膜形成装置においては、蒸発源として
アーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発
源６を′用いている。そして、アーク放電蒸発源６は上
から下方に向けての蒸発が可能であるので、イオン源ｌ
及びアーク放電蒸発源６を基板３の上方に配置して、基
板３に対してその上方からイオン照射と蒸着とを行うよ
うにしている。
アーク放電によって蒸発材を蒸発させるアーク放電蒸発
源６を′用いている。そして、アーク放電蒸発源６は上
から下方に向けての蒸発が可能であるので、イオン源ｌ
及びアーク放電蒸発源６を基板３の上方に配置して、基
板３に対してその上方からイオン照射と蒸着とを行うよ
うにしている。
即ち、このイオン蒸着薄膜形成装置においては、真空室
９内の下方に基板３を所定位置に搬送する搬送機構７を
設け、当該搬送機構７の上方に開口部８１を有するカバ
ー８を設け、更にその上方にイオン源１及びアーク放電
蒸発源６を下向きに設けている。またこれに伴って、予
備室１０内の搬送機構１２及びゲートバルブ１１もその
下方に設けている。アーク放電蒸発源６は、この例では
、ターゲットとしての蒸発材（例えばＴｉ）６１と、フ
ィードスルー１３によって保持されたトリガピン（また
はトリガロッド）６２とを備えており、蒸発材６１とト
リガピン６２との間にアーク電源（図示省略）から例え
ば数十Ｖ程度の電圧を印加して、電流が例えば７０〜１
００Ａのアーク放電を起こさせるようにしている。この
時の局部放電によって、蒸発材６１は局部的に溶解して
そこから蒸発物５が下方に向けて蒸発される。そしてカ
バー８の開口部８１を通して、基板３に対してイオンビ
ーム４の照射と蒸発物５の蒸着とが行われ、これによっ
て基板３の上面の所定領域に薄膜が形成される。ちなみ
に、従来の蒸発源２として用いられている電子ビーム蒸
発源は、るつぼ中の蒸発材を電子ビームによって加熱溶
解させて蒸発させるものであって、下から上方に向けて
の蒸発しかできず、そのため基板の下方にしか蒸発源を
配置することができない。
９内の下方に基板３を所定位置に搬送する搬送機構７を
設け、当該搬送機構７の上方に開口部８１を有するカバ
ー８を設け、更にその上方にイオン源１及びアーク放電
蒸発源６を下向きに設けている。またこれに伴って、予
備室１０内の搬送機構１２及びゲートバルブ１１もその
下方に設けている。アーク放電蒸発源６は、この例では
、ターゲットとしての蒸発材（例えばＴｉ）６１と、フ
ィードスルー１３によって保持されたトリガピン（また
はトリガロッド）６２とを備えており、蒸発材６１とト
リガピン６２との間にアーク電源（図示省略）から例え
ば数十Ｖ程度の電圧を印加して、電流が例えば７０〜１
００Ａのアーク放電を起こさせるようにしている。この
時の局部放電によって、蒸発材６１は局部的に溶解して
そこから蒸発物５が下方に向けて蒸発される。そしてカ
バー８の開口部８１を通して、基板３に対してイオンビ
ーム４の照射と蒸発物５の蒸着とが行われ、これによっ
て基板３の上面の所定領域に薄膜が形成される。ちなみ
に、従来の蒸発源２として用いられている電子ビーム蒸
発源は、るつぼ中の蒸発材を電子ビームによって加熱溶
解させて蒸発させるものであって、下から上方に向けて
の蒸発しかできず、そのため基板の下方にしか蒸発源を
配置することができない。
この実施例のイオン蒸着薄膜形成装置においては、基板
３の上方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような効果が得られる。即ち、■搬送ベルト７１は基
板３の下側になるので、カバー８の開口部８１をほぼ基
板３と同程度の大きさにすることができ、これによって
基板３の上面のほぼ全面に膜を形成することができる（
第２図参照）。■イオン源１は基板３の上方に配置され
ているので、基板３からのコンタミがイオン源１中に落
下することはない。■搬送ベルト７１は基板３の膜面で
なくて下面（即ち、膜形成されていない面）に接してい
るので、搬送ベルト７１によってコンタミが基板３の膜
面に付着されることはない。
３の上方からイオン照射と蒸着とを行っているため、次
のような効果が得られる。即ち、■搬送ベルト７１は基
板３の下側になるので、カバー８の開口部８１をほぼ基
板３と同程度の大きさにすることができ、これによって
基板３の上面のほぼ全面に膜を形成することができる（
第２図参照）。■イオン源１は基板３の上方に配置され
ているので、基板３からのコンタミがイオン源１中に落
下することはない。■搬送ベルト７１は基板３の膜面で
なくて下面（即ち、膜形成されていない面）に接してい
るので、搬送ベルト７１によってコンタミが基板３の膜
面に付着されることはない。
尚、上述した搬送機構７は上述以外の構造のものでも良
く、また予備室１０及びその内部のゲートパルプ１１、
搬送機構１２等は必ずしも必要なものではない。
く、また予備室１０及びその内部のゲートパルプ１１、
搬送機構１２等は必ずしも必要なものではない。
以上のようにこの発明においては、基板に対してその上
方からイオン照射と蒸着とを行うことができるので、基
板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への落
下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコンタ
ミ付着を防止することができる。
方からイオン照射と蒸着とを行うことができるので、基
板の膜形成領域を広くし、コンタミのイオン源中への落
下を防止し、更に搬送機構による基板の膜面へのコンタ
ミ付着を防止することができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形
成装置を示す概略図である。第２図は、第１図の装置の
カバーの開口部付近を上から見た図である。第３図は、
従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
４図は、第３図の装置のカバーの開口部付近を下から見
た図である。
成装置を示す概略図である。第２図は、第１図の装置の
カバーの開口部付近を上から見た図である。第３図は、
従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。第
４図は、第３図の装置のカバーの開口部付近を下から見
た図である。
Claims (1)
- （１）イオン源と蒸発源とを有していて、真空中で基板
に対してイオン照射と蒸着とを行うイオン蒸着薄膜形成
装置において、蒸発源としてアーク放電によって蒸発材
を蒸発させるアーク放電蒸発源を用い、イオン源及びア
ーク放電蒸発源を基板の上方に配置し、基板に対してそ
の上方からイオン照射と蒸着とを行うようにしているこ
とを特徴とするイオン蒸着薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062762A JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062762A JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221362A true JPS61221362A (ja) | 1986-10-01 |
| JPH0635653B2 JPH0635653B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13209723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062762A Expired - Fee Related JPH0635653B2 (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635653B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
| JPS583033A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 木構造検索処理装置 |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60062762A patent/JPH0635653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
| JPS583033A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | 木構造検索処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0635653B2 (ja) | 1994-05-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |