JPH0448870B2 - - Google Patents
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- JPH0448870B2 JPH0448870B2 JP61111864A JP11186486A JPH0448870B2 JP H0448870 B2 JPH0448870 B2 JP H0448870B2 JP 61111864 A JP61111864 A JP 61111864A JP 11186486 A JP11186486 A JP 11186486A JP H0448870 B2 JPH0448870 B2 JP H0448870B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、イオン照射と真空蒸着を併用する
ことによつて基板上に薄膜を形成するイオン蒸着
薄膜形成装置に関する。
ことによつて基板上に薄膜を形成するイオン蒸着
薄膜形成装置に関する。
第4図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置の一
例を示す側面図である。この装置は、真空容器2
と、真空容器2内に下向きに収納されたデイスク
状のものであつてその表面に複数枚の基板6を保
持可能なホルダ4と、当該ホルダ4を真空容器2
外からフイールドスルー8を介して例えば矢印A
のように回転させるモータ10と、ホルダ4の下
方に設けられていてホルダ4上の基板6に向けて
下側からイオン(例えば窒素イオン)14を照射
するイオン源12と、ホルダ4の下方に設けられ
ていてホルダ4上の基板6に向けて下側から蒸発
粒子(例えばTi)26を蒸発させる蒸発源16
とを備えている。蒸発源16は電子ビーム式の蒸
発源であり、電子銃18からの電子ビーム20に
よつてるつぼ22内の蒸発材料24を加熱・溶解
させて蒸発粒子26を蒸発させる。
例を示す側面図である。この装置は、真空容器2
と、真空容器2内に下向きに収納されたデイスク
状のものであつてその表面に複数枚の基板6を保
持可能なホルダ4と、当該ホルダ4を真空容器2
外からフイールドスルー8を介して例えば矢印A
のように回転させるモータ10と、ホルダ4の下
方に設けられていてホルダ4上の基板6に向けて
下側からイオン(例えば窒素イオン)14を照射
するイオン源12と、ホルダ4の下方に設けられ
ていてホルダ4上の基板6に向けて下側から蒸発
粒子(例えばTi)26を蒸発させる蒸発源16
とを備えている。蒸発源16は電子ビーム式の蒸
発源であり、電子銃18からの電子ビーム20に
よつてるつぼ22内の蒸発材料24を加熱・溶解
させて蒸発粒子26を蒸発させる。
上記のような構成によつて、ホルダ4上の各基
板6に対して蒸発粒子26の蒸着とイオン14の
照射とが交互に行われ、それによつて基板6上に
イオン14と蒸発粒子26との化合物である薄膜
(例えばTiN薄膜)が被着形成される。
板6に対して蒸発粒子26の蒸着とイオン14の
照射とが交互に行われ、それによつて基板6上に
イオン14と蒸発粒子26との化合物である薄膜
(例えばTiN薄膜)が被着形成される。
ところが上記のようなイオン蒸着薄膜形成装置
においては、蒸発源16内の蒸発材料24が溶解
された時にそれがるつぼ22からこぼれ出さない
ようにする必要があるため、下から上方に向けて
の蒸発しかできない、即ち基板6の下方にしか蒸
発源16を配置することができないという問題が
ある。
においては、蒸発源16内の蒸発材料24が溶解
された時にそれがるつぼ22からこぼれ出さない
ようにする必要があるため、下から上方に向けて
の蒸発しかできない、即ち基板6の下方にしか蒸
発源16を配置することができないという問題が
ある。
従つてイオン源12もそれに伴つて基板6の下
方に配置する必要があり、基板6の下方のスペー
スには自ずと制限があるため、蒸発源16および
イオン源12複数台設けるには大きな制約があ
る。そのため、基板6に対する成膜面積や成膜レ
ートが大きくとれず生産性が悪い。また、基板6
に対して異種膜から成る多層膜を形成することに
自ずから制限がある。更に、基板6に対して複数
方向からの蒸着やイオン照射が難しいため、基板
6への立体的な膜形成が難しい。
方に配置する必要があり、基板6の下方のスペー
スには自ずと制限があるため、蒸発源16および
イオン源12複数台設けるには大きな制約があ
る。そのため、基板6に対する成膜面積や成膜レ
ートが大きくとれず生産性が悪い。また、基板6
に対して異種膜から成る多層膜を形成することに
自ずから制限がある。更に、基板6に対して複数
方向からの蒸着やイオン照射が難しいため、基板
6への立体的な膜形成が難しい。
そこでこの発明は、上記のような問題点を解決
することを主たる目的とする。
することを主たる目的とする。
この発明のイオン蒸着薄膜形成装置は、真空容
器と、真空容器内に収納された基板保持用のホル
ダと、真空容器に取付けられていてホルダ上の基
板に向けてイオンを照射する複数のイオン源と、
真空容器に取付けられていてアーク放電によつて
カソードを局部的に溶解させてホルダ上の基板に
向けて蒸発粒子を蒸発させる複数のアーク式の蒸
発源とを備えることを特徴とする。
器と、真空容器内に収納された基板保持用のホル
ダと、真空容器に取付けられていてホルダ上の基
板に向けてイオンを照射する複数のイオン源と、
真空容器に取付けられていてアーク放電によつて
カソードを局部的に溶解させてホルダ上の基板に
向けて蒸発粒子を蒸発させる複数のアーク式の蒸
発源とを備えることを特徴とする。
この発明における蒸発源は、アーク放電を利用
したものがあつて任意の向きに取り付けることが
できるため、上記のような蒸発源およびイオン源
の複数台配置が実現可能であり、それゆえ基板に
対する成膜面積や成長レートを大きくとることが
できると共に、立体的な膜形成や多層膜形成も可
能である。
したものがあつて任意の向きに取り付けることが
できるため、上記のような蒸発源およびイオン源
の複数台配置が実現可能であり、それゆえ基板に
対する成膜面積や成長レートを大きくとることが
できると共に、立体的な膜形成や多層膜形成も可
能である。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン蒸
着薄膜形成装置を示す平面図であり、第2図は第
1図の線−に沿う縦断面図であり、第3図は
第1図の線−に沿う縦断面図である。第4図
と同一または同等部分には同一符号を付してい
る。この実施例の装置においては、真空容器2内
に四面体のホルダ28が収納されており、当該ホ
ルダ28は、その4側面に基板6をそれぞれ保持
可能であり、しかも真空容器2外のモータ10に
よつてフイードスルー8を介して例えば矢印Bの
ように回転させられる。そしてホルダ28の対向
する面上に取り付けられた二つの基板6に向け
て、側方からイオン(イオンビーム)14をそれ
ぞれ照射するように二つのイオン源12が配置さ
れており、かつ残りの対向する面上の二つの基板
6に向けて、側方から蒸発粒子34をそれぞれ蒸
発させるように二つのアーク式の蒸発源30が配
置されている。
着薄膜形成装置を示す平面図であり、第2図は第
1図の線−に沿う縦断面図であり、第3図は
第1図の線−に沿う縦断面図である。第4図
と同一または同等部分には同一符号を付してい
る。この実施例の装置においては、真空容器2内
に四面体のホルダ28が収納されており、当該ホ
ルダ28は、その4側面に基板6をそれぞれ保持
可能であり、しかも真空容器2外のモータ10に
よつてフイードスルー8を介して例えば矢印Bの
ように回転させられる。そしてホルダ28の対向
する面上に取り付けられた二つの基板6に向け
て、側方からイオン(イオンビーム)14をそれ
ぞれ照射するように二つのイオン源12が配置さ
れており、かつ残りの対向する面上の二つの基板
6に向けて、側方から蒸発粒子34をそれぞれ蒸
発させるように二つのアーク式の蒸発源30が配
置されている。
上記各蒸発源30は、トリガ(図示省略)とカ
ソード32との間にアーク放電を起こさせて当該
カソード32を局部的に溶解させて蒸発粒子34
を蒸発させるものである。この場合、従来の電子
ビーム蒸発源と異なり、カソード32は、電流密
度が例えば20A/mm2と大きいので、放電点のみが
局部的に溶解されるだけであるため、蒸発源30
の向きがどのようなものであつても溶解金属が落
下等する恐れはない。従つて蒸発源30はこの例
のような横向き以外に、下向き等の任意の向きに
取り付けることができる。また、カソード32か
らの蒸発粒子34には、従来の蒸発源と異なり、
アーク放電によつてイオン化されたものもある程
度含まれている。
ソード32との間にアーク放電を起こさせて当該
カソード32を局部的に溶解させて蒸発粒子34
を蒸発させるものである。この場合、従来の電子
ビーム蒸発源と異なり、カソード32は、電流密
度が例えば20A/mm2と大きいので、放電点のみが
局部的に溶解されるだけであるため、蒸発源30
の向きがどのようなものであつても溶解金属が落
下等する恐れはない。従つて蒸発源30はこの例
のような横向き以外に、下向き等の任意の向きに
取り付けることができる。また、カソード32か
らの蒸発粒子34には、従来の蒸発源と異なり、
アーク放電によつてイオン化されたものもある程
度含まれている。
各イオン源12から引き出すイオン14の種類
は、基板6上に形成しようとする薄膜の種類等に
応じて、例えば窒素イオン、炭素イオン、あるい
はアルゴンイオン等が選ばれる。また各蒸発源3
0のカソード32の種類も、当該薄膜の種類に応
じて、例えばTi、Hf、Zr、Cr等が選ばれる。
は、基板6上に形成しようとする薄膜の種類等に
応じて、例えば窒素イオン、炭素イオン、あるい
はアルゴンイオン等が選ばれる。また各蒸発源3
0のカソード32の種類も、当該薄膜の種類に応
じて、例えばTi、Hf、Zr、Cr等が選ばれる。
上記のような装置における膜形成手順の一例を
説明する。
説明する。
まず真空容器2内を図示しない真空ポンプに
よつて所定の真空度(例えば10-6Torr程度)
にまで真空引きする。
よつて所定の真空度(例えば10-6Torr程度)
にまで真空引きする。
そしてホルダ28を回転させながら(以降も
同様)、ホルダ28上の基板6にイオン源12
からイオン14を照射して、イオンボンバード
による加熱を行う。この時、基板6には負バイ
アスをかけても良いが、OVでもボンバードは
可能である。またイオン14の種類としては、
例えばアルゴン等の不活性ガスイオンあるいは
成膜に用いる窒素イオン等が彩り得る。加熱温
度は例えば数百〜500℃程度とする。
同様)、ホルダ28上の基板6にイオン源12
からイオン14を照射して、イオンボンバード
による加熱を行う。この時、基板6には負バイ
アスをかけても良いが、OVでもボンバードは
可能である。またイオン14の種類としては、
例えばアルゴン等の不活性ガスイオンあるいは
成膜に用いる窒素イオン等が彩り得る。加熱温
度は例えば数百〜500℃程度とする。
その後蒸発源30において例えば数十〜
100A程度の電流でアーク放電を起こさせて、
蒸発粒子34を基板6上に被着(蒸着)させ
る。
100A程度の電流でアーク放電を起こさせて、
蒸発粒子34を基板6上に被着(蒸着)させ
る。
上記と併せて、イオン源12からのイオン
14を基板6上に照射する。これによつて、回
転しているホルダ28上の各基板6に対して、
蒸発粒子34の蒸着とイオン14の照射とが交
互に行われる。その場合の蒸着膜厚は、蒸着粒
子34と注入イオン14とが十分にミキシング
する程度のものとするのが好ましく、例えばイ
オン14のエネルギーが40KeV程度であれば
1台当りの1回の蒸着薄膜は300Å程度にする
ことができる。以上の結果、各基板6上にイオ
ン14と蒸着粒子34との化合物である薄膜
(例えばTiN薄膜)が被着形成される。
14を基板6上に照射する。これによつて、回
転しているホルダ28上の各基板6に対して、
蒸発粒子34の蒸着とイオン14の照射とが交
互に行われる。その場合の蒸着膜厚は、蒸着粒
子34と注入イオン14とが十分にミキシング
する程度のものとするのが好ましく、例えばイ
オン14のエネルギーが40KeV程度であれば
1台当りの1回の蒸着薄膜は300Å程度にする
ことができる。以上の結果、各基板6上にイオ
ン14と蒸着粒子34との化合物である薄膜
(例えばTiN薄膜)が被着形成される。
尚、上記ホルダ28の構造・配置やイオン源1
2および蒸発源30の数量・配置等は一例であ
り、目的等に応じて以外に種々のものが彩り得
る。例えば、ホルダ28の形状は多面体、円柱
(円筒)等で良く、その向きは(即ち回転軸は)
横向きでも良い。しかもイオン源12および蒸発
源30はホルダ28の周囲に3台以上ずつ配置し
ても良く、また上下に複数段ずつ配置しても良
く、更にはこれらを組み合わせても良い。また、
イオン源12と蒸発源30を一対にして、基板6
に対して同一面になるように角度を付けてイオン
14および蒸発粒子34が来るようにして、交互
でなく同時にイオン照射および蒸着を行つても良
い。このときは、イオン源12と蒸発源30を対
にして、これを真空容器2の個々の面に取付け
る。また、基板6の数やイオン源12、蒸発源3
0の配置等によつては、ホルダ28を必ずしも回
転させなくても良い場合もある。
2および蒸発源30の数量・配置等は一例であ
り、目的等に応じて以外に種々のものが彩り得
る。例えば、ホルダ28の形状は多面体、円柱
(円筒)等で良く、その向きは(即ち回転軸は)
横向きでも良い。しかもイオン源12および蒸発
源30はホルダ28の周囲に3台以上ずつ配置し
ても良く、また上下に複数段ずつ配置しても良
く、更にはこれらを組み合わせても良い。また、
イオン源12と蒸発源30を一対にして、基板6
に対して同一面になるように角度を付けてイオン
14および蒸発粒子34が来るようにして、交互
でなく同時にイオン照射および蒸着を行つても良
い。このときは、イオン源12と蒸発源30を対
にして、これを真空容器2の個々の面に取付け
る。また、基板6の数やイオン源12、蒸発源3
0の配置等によつては、ホルダ28を必ずしも回
転させなくても良い場合もある。
上述の実施例によれば次のような特徴がある。
複数のイオン源12および蒸発源30による
イオン照射および蒸着が可能になるので、基板
6に対する成膜面積や成膜レートが大きくとれ
る。成膜レートは例えば、従来の装置では
1μ/hr程度のものが、図示装置では2〜3μ/
hr程度も可能である。
イオン照射および蒸着が可能になるので、基板
6に対する成膜面積や成膜レートが大きくとれ
る。成膜レートは例えば、従来の装置では
1μ/hr程度のものが、図示装置では2〜3μ/
hr程度も可能である。
複数のイオン源12および蒸発源30による
複数方向からイオン照射および蒸着が可能にな
るので、基板6に対する立体的な成膜が可能で
ある。
複数方向からイオン照射および蒸着が可能にな
るので、基板6に対する立体的な成膜が可能で
ある。
基板6の下方にイオン源12や蒸発源30を
配置する必要がないので、基板6からの剥離物
(コンタミ)がイオン源12や蒸発源30内に
落下混入して、例えばイオン源12にアーキン
グ現象等の不具合を起こすというようなトラブ
ルを防止することができる。
配置する必要がないので、基板6からの剥離物
(コンタミ)がイオン源12や蒸発源30内に
落下混入して、例えばイオン源12にアーキン
グ現象等の不具合を起こすというようなトラブ
ルを防止することができる。
複数のイオン源12を備えているので、それ
ぞれのイオン源12を制御することによりボン
バード時の基板6の加熱(温度上昇)制御が容
易であり、例えば基板6の形状等に応じて各場
所毎の加熱制御をしたりすることもできる。ま
た膜形成中においても、基板6はイオン14に
よる加熱に加えてイオン化した蒸発粒子34に
よる加熱が可能であるため、イオン源12や蒸
発源30のパワー、あるいは基板6のバイアス
電圧を制御することにより、成膜中の基板6の
温度制御も容易である。
ぞれのイオン源12を制御することによりボン
バード時の基板6の加熱(温度上昇)制御が容
易であり、例えば基板6の形状等に応じて各場
所毎の加熱制御をしたりすることもできる。ま
た膜形成中においても、基板6はイオン14に
よる加熱に加えてイオン化した蒸発粒子34に
よる加熱が可能であるため、イオン源12や蒸
発源30のパワー、あるいは基板6のバイアス
電圧を制御することにより、成膜中の基板6の
温度制御も容易である。
複数のイオン源12におけるイオン種や複数
の蒸発源30におけるカソード32の種類を
色々と選定することができ、従つて基板6上に
異なつた種類の膜から成る各種の多層膜を形成
することもできる。
の蒸発源30におけるカソード32の種類を
色々と選定することができ、従つて基板6上に
異なつた種類の膜から成る各種の多層膜を形成
することもできる。
蒸発源30がアーク式のものであつてそれか
らの蒸発粒子の34にはイオン化されたものも
含まれているため、これをイオン照射と併用し
て例えば化合物膜を形成する場合、比較的低温
で膜質が良くかつ密着性の高い膜を形成するこ
とができるようになる(その場合、基板6のバ
イアスはOVでも良いけれども、負のバイアス
(例えば−1000V程度)をかけても良い。)。こ
れは、次のような理由によるものと考えられ
る。
らの蒸発粒子の34にはイオン化されたものも
含まれているため、これをイオン照射と併用し
て例えば化合物膜を形成する場合、比較的低温
で膜質が良くかつ密着性の高い膜を形成するこ
とができるようになる(その場合、基板6のバ
イアスはOVでも良いけれども、負のバイアス
(例えば−1000V程度)をかけても良い。)。こ
れは、次のような理由によるものと考えられ
る。
例えば基板6上に窒化チタン(TiN)を形
成する場合、(a)蒸発チタン粒子と照射窒素イオ
ンとの反応によつて窒化チタンが形成されるだ
けでなく、(b)イオン源12から真空容器2内に
漏れ出た窒素ガスとイオン化したチタン粒子と
が基板6表面で反応することによつても窒化チ
タンが形成される。
成する場合、(a)蒸発チタン粒子と照射窒素イオ
ンとの反応によつて窒化チタンが形成されるだ
けでなく、(b)イオン源12から真空容器2内に
漏れ出た窒素ガスとイオン化したチタン粒子と
が基板6表面で反応することによつても窒化チ
タンが形成される。
そして、従来例の装置では蒸発粒子にイオン
化されたものが含まれていないため上記(a)の反
応だけであり、これによる成膜には組成比を理
論値に近づける制御が難しくそのため膜質に劣
る点がある。一方、上記(b)の反応の場合は、イ
オン化した蒸発粒子と雰囲気中のガスが基板表
面で反応して化合物を作り、かつ照射イオンに
よる注入によつて組成比が理論値に近い膜が容
易に得られる反面、この反応単独では照射イオ
ンの押し込みが期待できないので膜の密着性
(膜と基板間および膜の結晶同士間の密着性)
が(a)の反応によるものほどは高くない。
化されたものが含まれていないため上記(a)の反
応だけであり、これによる成膜には組成比を理
論値に近づける制御が難しくそのため膜質に劣
る点がある。一方、上記(b)の反応の場合は、イ
オン化した蒸発粒子と雰囲気中のガスが基板表
面で反応して化合物を作り、かつ照射イオンに
よる注入によつて組成比が理論値に近い膜が容
易に得られる反面、この反応単独では照射イオ
ンの押し込みが期待できないので膜の密着性
(膜と基板間および膜の結晶同士間の密着性)
が(a)の反応によるものほどは高くない。
これに対して、この実施例の装置によれば、
上記(b)の反応に対してもイオン照射を併用でき
るので、照射イオンの押し込み作用によるミキ
シング層の形成によつて膜と基板間および膜の
結晶同士間の密着性が向上すると共に、照射イ
オンのエネルギー利用による反応温度の低温化
が可能になり、それによつて比較的低温で膜質
が良くかつ密着性の高い膜を形成することがで
きるようになる。
上記(b)の反応に対してもイオン照射を併用でき
るので、照射イオンの押し込み作用によるミキ
シング層の形成によつて膜と基板間および膜の
結晶同士間の密着性が向上すると共に、照射イ
オンのエネルギー利用による反応温度の低温化
が可能になり、それによつて比較的低温で膜質
が良くかつ密着性の高い膜を形成することがで
きるようになる。
以上のようにこの発明によれば、基板に対する
成膜面積や成膜レートを大きくとることができる
と共に、立体的な膜形成や多層形成も可能であ
る。また、イオン源や蒸発源中への剥離物の落下
混入を防止することができ、基板の加熱制御も容
易であり、しかも比較的低温で膜質が良くかつ密
着性の高い薄膜を形成することができる。
成膜面積や成膜レートを大きくとることができる
と共に、立体的な膜形成や多層形成も可能であ
る。また、イオン源や蒸発源中への剥離物の落下
混入を防止することができ、基板の加熱制御も容
易であり、しかも比較的低温で膜質が良くかつ密
着性の高い薄膜を形成することができる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン蒸
着薄膜形成装置を示す平面図である。第2図は、
第1図の線−に沿う縦断面図である。第3図
は、第1図の線−に沿う縦断面図である。第
4図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置の一例を
示す側面図である。 2……真空容器、6……基板、12……イオン
源、14……イオン(イオンビーム)、28……
ホルダ、30……アーク式の蒸発源、34……蒸
発粒子。
着薄膜形成装置を示す平面図である。第2図は、
第1図の線−に沿う縦断面図である。第3図
は、第1図の線−に沿う縦断面図である。第
4図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置の一例を
示す側面図である。 2……真空容器、6……基板、12……イオン
源、14……イオン(イオンビーム)、28……
ホルダ、30……アーク式の蒸発源、34……蒸
発粒子。
Claims (1)
- 1 真空容器と、真空容器内に収納された基板保
持用のホルダと、真空容器に取付けられていてホ
ルダ上の基板に向けてイオンを照射する複数のイ
オン源と、真空容器に取付けられていてアーク放
電によつてカソードを局部的に溶解させてホルダ
上の基板に向けて蒸発粒子を蒸発させる複数のア
ーク式の蒸発源とを備えることを特徴とするイオ
ン蒸着薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11186486A JPS62267464A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11186486A JPS62267464A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32643287A Division JPS63317661A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62267464A JPS62267464A (ja) | 1987-11-20 |
JPH0448870B2 true JPH0448870B2 (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=14572078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11186486A Granted JPS62267464A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62267464A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5238546A (en) * | 1990-03-01 | 1993-08-24 | Balzers Aktiengesellschaft | Method and apparatus for vaporizing materials by plasma arc discharge |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126472A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Sony Corp | |
JPS6036468A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-02-25 | サンド・アクチエンゲゼルシヤフト | 新規アゾール化合物 |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP11186486A patent/JPS62267464A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5126472A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Sony Corp | |
JPS6036468A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-02-25 | サンド・アクチエンゲゼルシヤフト | 新規アゾール化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62267464A (ja) | 1987-11-20 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |