JPS61198723A - レジスト塗布装置 - Google Patents

レジスト塗布装置

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Publication number
JPS61198723A
JPS61198723A JP3925485A JP3925485A JPS61198723A JP S61198723 A JPS61198723 A JP S61198723A JP 3925485 A JP3925485 A JP 3925485A JP 3925485 A JP3925485 A JP 3925485A JP S61198723 A JPS61198723 A JP S61198723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
air
wafer
nozzle
supply line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3925485A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Sato
正憲 佐藤
Yuji Goto
後藤 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3925485A priority Critical patent/JPS61198723A/ja
Publication of JPS61198723A publication Critical patent/JPS61198723A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明はレジスト塗布装置に係り、特にポンプにより供
給ラインを通じてノズルからウェハ表面にレジストを滴
下し塗布するレジスト塗布装置に関する。
[発明の技術的背景及びその問題点1 一般に、レジスト塗布装置に於いては、レジストはポン
プによりレジスト容器の内から吸い上げられレジスト供
給ラインを通ってウェハ表面に滴下される。このレジス
トが滴下されたウェハは回転機構により回転し、これに
よりレジスト膜厚が均一化される。このとき、第4図に
示すようにノズル11内のレジスト12は粘度があり、
かつレジスト12を落下させた後矢印へ方向に少し吸い
戻す機構がついているため、殆ど下に落ちることはない
しかしながら、レジスト12中に気泡13.13・・・
があると、第5図に示すようにレジスト12がノズル1
1の先端に溜ってしまったり、悪くするとレジスト塗布
後のウェハ14表面に垂れてしまい2度落ちることがあ
る。このため、ウェハ14表面に均一に塗布することが
できなくなり、第6図(a)に示すように塗布ムラaが
発生する。このように塗布ムラaがあると、マスク合せ
て密着、パターンくずれ等が生じ、正常なP E P 
(P hoto  E ngraving  P ro
cess)ができなくなる。すなわち、同図(a)に示
すマスク寸法L1に対し、同図(b)に示すようにパタ
ーニング後の仕上り寸法で、L2  (Ll >12 
)となり、孔が精度良く開かないという現象が生じる。
このため、ウェハ14内の各所で不良ベレットが発生す
る。
このレジスト12中の気泡13は、レジスト12の粘度
の影響により必ず発生するものである。また、この気泡
13が溜ることにより、レジスト12を供給する際、ポ
ンプの吸い上げも手間がかかり、作業が滑らかにいかな
い欠点もあった。
[発明の目的] 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、レジスト中に含まれる気泡を自動的に抜取り、レジス
トをウェハ表面に均一に滴下することができ、正常なパ
ターンを形成することのできるレジスト塗布装置を提供
することにある。
[発明の概要] 本発明は、レジスト供給源からレジスト供給ラインを通
じて供給されたレジストを、ノズルからウェハ表面に滴
下し塗布するレジスト塗布装置に於いて、前記1シスト
供給ライン中の空気のΦを検出する空気量検出機構と、
前記レジスト供給ライン中の空気の量が所定値以上にな
ると、この空気を前記レジスト供給ラインの外部に排出
する排出機構とを設けるもので、これにより塗布膜の均
一化を図るものである。
[発明の実施例] 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
1図は本発明に係るレジスト装置の全体構成を示すもの
である。同図に於いて、21はレジスト容器であり、こ
のレジスト容器21内のレジスト22はレジスト供給ポ
ンプ23によりノズル24を通じてウェハ25の表面に
滴下されるようになっている。レジスト供給ポンプ23
とノズル24との間には空気抜き装置26が設けられて
いる。この空気抜き装置26には液量センサ27が設け
られ、空気抜き装置26内に溜った空気の量が規定以上
になるとこの液量センサ27が働き、当該塗布装置の動
作を停止させるため、例えばアラームが鳴り異常を知ら
せるようになっている。この液量センサ27が動作する
と、溜った空気28は排出ライン29を通じて排出され
る。この場合、空気28と同時にレジスト22が回収さ
れても良いように、排出ライン29は元のレジスト容器
21に連結されている。
すなわち、この塗布装置に於いては、レジスト容器21
内のレジスト22はレジスト供給ポンプ23によりノズ
ル24を通じてウェハ25の表面に滴下される。しかし
て、このレジスト22中の気泡が多くなり、空気抜き装
置26内に溜る量が多くなると液量センサ27が働く。
これにより、アラームが鳴り、異常を知らせると共に、
空気抜き装置26が働き、溜った空気28は排出ライン
29を通じてレジスト容fi21内に排出される。この
一連の動作が自動的になされるものである。
従って、このレジスト塗布装置に於いては、第2図に示
すようにノズル24内のレジスト22中には気泡がなく
なり、従来のようにレジスト22がウェハ25上に垂れ
ることがなくなる。このため、レジスト22の塗布ムラ
が減少し、その結果正常なPEPが行われる。すなわち
、第3図(a)に示すようなマスクのパターン寸法L1
と、同図(b)に示す現像後のレジスト膜30のパター
ン寸法L2が等しくなり、パターン精度が向上して不良
のベレットの発生を防止することができる。
[発明の効果] 以上のように本発明によれば、ウェハ表面にレジストを
均一に塗布することができ、パターニング精度が向上し
、製品の歩留りを向上させることのできるレジスト塗布
装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例に係るレジスト塗布装置の全
体構成図、第2図は第1図の装置に於けるレジスト塗布
状態を示す図、第3図は第1図の装置により得られたウ
ェハのパターニング工程を示す図、第4図及び第5図は
それぞれ従来の塗布装置を説明するための図、第6図は
従来の塗布装置により得られたウェハのバターニング工
程を示す図である。 21・・・レジスト容器、22・・・レジスト、23・
・・レジスト供給ポンプ、24・・・ノズル、25・・
・ウェハ、26・・・空気抜き装置、27・・・液量セ
ンサ、28・・・溜った空気、29・・・排出ライン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レジスト供給源からレジスト供給ラインを通じて供給さ
    れたレジストを、ノズルからウェハ表面に滴下し塗布す
    るレジスト塗布装置に於いて、前記レジスト供給ライン
    中の空気の量を検出する空気量検出機構と、前記レジス
    ト供給ライン中の空気の量が所定値以上になると、この
    空気を前記レジスト供給ラインから外部に排出する空気
    排出機構とを具備したことを特徴とするレジスト塗布装
    置。
JP3925485A 1985-02-28 1985-02-28 レジスト塗布装置 Pending JPS61198723A (ja)

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JP3925485A JPS61198723A (ja) 1985-02-28 1985-02-28 レジスト塗布装置

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JP3925485A JPS61198723A (ja) 1985-02-28 1985-02-28 レジスト塗布装置

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JPS61198723A true JPS61198723A (ja) 1986-09-03

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