JPS61196544A - 半導体チツプのダイボンデイング方法 - Google Patents

半導体チツプのダイボンデイング方法

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JPS61196544A
JPS61196544A JP3704185A JP3704185A JPS61196544A JP S61196544 A JPS61196544 A JP S61196544A JP 3704185 A JP3704185 A JP 3704185A JP 3704185 A JP3704185 A JP 3704185A JP S61196544 A JPS61196544 A JP S61196544A
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JP
Japan
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semiconductor chip
die
bonded
bonding
gold
Prior art date
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JP3704185A
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Tetsukazu Inoue
哲一 井上
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １１上度机且分肪 この発明は、半導体チップのダイボンディング方法に係
り、特に半導体チップとろう材との密着性を高めるため
のスクラブに関する。
従来坐肢術 通常、半導体チップのダイボンディングでは、加熱した
リードフレーム等の被ダイボンディング部材のボンディ
ング面に金テープやシート状半田などのろう材を被着し
、この上に半導体チップを当てがいスクラブすることに
より半導体チップを構成するシリコン表面の薄い酸化膜
が破れろう材と密着し、半導体チップが固着される。そ
の際、半導体チップの裏面全面にわたりろう材との均等
な密着を得るため、従来では、特開昭５７−１５４２８
号公報に示されているように被ダイボンディング部材と
半導体チップとが相対的に２次元移動するようなスクラ
ブを行なっている。
□パ占 この従来の方法では、半導体チップの裏面全面にわたり
均等な密着を得ることが可能であるが、そのためには複
数回のスクラブ動作を必要とする。
そこで、スクラブのスピードを上げると、半導体チップ
の欠けや割れが発生するので、一つの半導体チップにつ
いてそのダイボンディングに要する時間を短縮できなか
った。特に大きなスクラブストロークを必要とする大型
の半導体チップの場合にこの弊害が著しい。
従って本発明の目的は、機械的及び電気的に満足できる
ろう材との密着を得るための時間を短縮し、ダイボンデ
ィングにおける生産性の向上を図ることにある。
占を”１するための 通常のスクラブ動作即ち、ろう材を挟んでボンディング
部材と被ダイボンディング部材とを相対的に移動させる
動作と微細振動を併用し、半導体チップとろう材との密
着を高めた。
皿 微細振動を加えながらボンディング部材と被ダイボンデ
ィング部材とを相対的に移動させるので単位時間当たり
の相対移動距離が増大し、ろう材と半導体チップおよび
被ダイボンディング部材との密着が促進される。
１蓋甜 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。この発明の方法を実施するダイボンディング装置
の一例を第２図に示している。
同図において、ダイボンディング装置１は、リードフレ
ーム等の被ダイボンディング部材２を平面支持する可動
ヒータブロック１０と、半導体チップ３を真空吸着支持
するコレット２０と、このコレット２０を矢印Ａの如く
往復運動させる第１の振動源３０と、前記コレット２０
に微細振動成分を与える第２の振動源４０とを備えてい
る。
具体的には、前記可動ヒータブロック１０は、スライダ
シャフト１１．１１に揺動自在に支持されており、図示
しない適宜モータにて矢印Ｂの如く往復運動されるもの
である。前記コレット２０は、その下端面に形成された
角錐状の凹部２１と、この凹部２１に連通しコレット２
０の軸心方向に穿設された通路２２と、この通路２２に
連通し図外の真空源と接続されたチューブ２３とを備え
、この凹部２１部分で半導体チップ３を真空吸着支持す
る。前記第１の振動源３０は、一端がコレット２０の上
端壁に固定されたアーム２４の他端側に配設されている
。したがってコレット２０を支えるアーム２４の矢印Ａ
方向の往復運動と可動ヒータブロック１０の矢印Ｂ方向
の往復運動を組み合せることにより従来より行われてい
る半導体チップと被ダイボンディング部材との相対的な
２次元スクラブが行える。そして本発明を実現するため
に新たに加えた前記第２の振動源４０は、例えば何重に
も巻回されたコイル４１と、このコイル４１と接続され
た図外の電源とで構成されており、前記コレット２０側
のアーム２４の側方に所定間隔をもって配設されている
。即ち、前記第２の振動源４０のオン・オフ動作により
所定のタイミングでアーム２４を微細に振動させている
。以上の構成により、第１図（ａ）乃至伽）に示す微細
に振動しながら半導体チップと被ダイボンディング部材
が相対的に移動するような軌跡を描くスクラブ動作が実
現できる。
次に、このダイボンディング装置１を用いて、本発明に
よる半導体チップのダイボンディング方法の一例を説明
する。
まず、リードフレーム等の被ダイボンディング部材２を
可動ヒータブロック３０の上面所定位置に載せて平面支
持し、この被ダイボンディング部材２のボンディング面
２ａの所定位置に金テープ４を貼着した後、図示しない
ヒータにて所定の温度（例えば４００〜５００℃）に加
熱する。同時にコレット２０は位置決めされた半導体チ
ップ３を、その凹部２１に真空吸着支持して、可動ヒー
タブロック３０上の被ダイボンディング部材２の上方位
置にまで搬送する。その後、上記半導体チップ３を被ダ
イボンディング部材２上の金テープ４に例えばチップ面
積当たり１００ｇ程度で押圧し、第２の振動源４０によ
る微細振動を付加しながらアーム２４と可動ヒータブロ
ック１０を相対的に移動させて金テープ４と半導体チッ
プ３を構成するシリコンとの間に金−シリコン共晶を形
成し半導体チップ３をボンディング面２ａに固着する。
いうまでもなくワイヤボンディング時の位置決めを容易
にするため半導体チップ３はボンディング面２ａの略中
央で固着完了されることが望ましく、そのため半導体チ
ップの大きさ、金テープの量などを考慮してスクラブの
方向は適宜選択される。
尚、微細振動はスクラブ動作の中に部分的に付加しても
よい。
発匪互勉工 以上詳説したようにこの発明によれば、従来におけるス
クラブに微細振動成分を混在させた独特のスクラブによ
り、少ないスクラブ回数にて接合強度を向上することが
できる。従って、作業能率が向上することにより、生産
コストが低減される。
具体的には前記作業能率を従来と比較して２０％程度向
上できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係るスクラブ特性を示す平面説明図
、第２図は第１図のスクラブ動作を起こすダイボンディ
ング装置の概略を示す斜視説明図である。 ２・・・被ダイボンディング部材、３・・・半導体チッ
プ、４・・・金テープ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体チップと被ダイボンディング部材とをスク
    ラブ動作により相対的に移動させる半導体チップのダイ
    ボンディング方法において、前記スクラブ動作に微細振
    動を付加することを特徴とする半導体チップのダイボン
    ディング方法。
JP3704185A 1985-02-25 1985-02-25 半導体チツプのダイボンデイング方法 Pending JPS61196544A (ja)

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