JPH03284857A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
- H01L2224/26122—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
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- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体チップをリードフレームのダイパッドにダイボン
ディングする工程が含まれる半導体装置の製造方法に関
し、 半導体チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且
つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、半導体チップの裏面に設け
た凹部をリードフレームのダイパッドに設けた凸部に導
電性の微粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂を介在さ
せて嵌合して、半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成
する。
ディングする工程が含まれる半導体装置の製造方法に関
し、 半導体チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且
つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、半導体チップの裏面に設け
た凹部をリードフレームのダイパッドに設けた凸部に導
電性の微粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂を介在さ
せて嵌合して、半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成
する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体チップを
リードフレームのダイパッドの所定位置に正確に搭載し
且つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方
法に関する。
リードフレームのダイパッドの所定位置に正確に搭載し
且つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方
法に関する。
リードフレームのダイパッドにダイボンディングされた
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
櫛状のリードとの電気的な接続は、自動ワイヤボンディ
ング装置を用いて金属細線、例えば金(Au)線をワイ
ヤボンディングして行うのが一般的となっている。
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
櫛状のリードとの電気的な接続は、自動ワイヤボンディ
ング装置を用いて金属細線、例えば金(Au)線をワイ
ヤボンディングして行うのが一般的となっている。
従って、自動ワイヤボンディング装置を使用してワイヤ
ボンディング作業を円滑に行うには、半導体チップをダ
イパッドの予め設定した所定の位置に正確に搭載するこ
とが必要である。
ボンディング作業を円滑に行うには、半導体チップをダ
イパッドの予め設定した所定の位置に正確に搭載するこ
とが必要である。
特に、ポンディングパッド数が多く且つその面積が小さ
くなっている昨今の半導体チップにおいては、尚更のこ
とである。
くなっている昨今の半導体チップにおいては、尚更のこ
とである。
第2図は、従来のダイボンディング方法を説明するため
の要部概略側断面図である。
の要部概略側断面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。
付与しである。
即ち、従来のダイボンディング方法は、第2図に示すよ
うに半導体チップ20の平坦な裏面とリードフレーム2
1の平坦なダイパッド22の表面との間に、導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂15を介在させ、
半導体チップ20をダイパッド22にダイボンディング
(樹脂ボンディング)して搭載した後、液状樹脂15を
150度C程度の温度で1時間前後加熱して硬化させる
ものであった。
うに半導体チップ20の平坦な裏面とリードフレーム2
1の平坦なダイパッド22の表面との間に、導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂15を介在させ、
半導体チップ20をダイパッド22にダイボンディング
(樹脂ボンディング)して搭載した後、液状樹脂15を
150度C程度の温度で1時間前後加熱して硬化させる
ものであった。
従来のダイボンディング方法は、前述したように半導体
チップ20の平坦な裏面とリードフレーム21の平坦な
ダイパッド22の表面との間に液状樹脂15を介在させ
て行っていた。
チップ20の平坦な裏面とリードフレーム21の平坦な
ダイパッド22の表面との間に液状樹脂15を介在させ
て行っていた。
従って、半導体チップ20とグイパッド22との間に介
在させた液状樹脂15が未硬化状態で流動性がある状態
で、半導体チップ20を搭載した直後のリードフレーム
21をハンドリングした際に、半導体チップ20がダイ
ボンディングした直後の位置から動いてしまう問題があ
った。
在させた液状樹脂15が未硬化状態で流動性がある状態
で、半導体チップ20を搭載した直後のリードフレーム
21をハンドリングした際に、半導体チップ20がダイ
ボンディングした直後の位置から動いてしまう問題があ
った。
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、
その目的は半導体チップをグイパッドの所定位置に正確
に搭載し且つそのまま固定することのできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
その目的は半導体チップをグイパッドの所定位置に正確
に搭載し且つそのまま固定することのできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
前記目的は、第1図に示すように半導体チップ10の裏
面に設けた凹部11をリードフレーム12のダイパッド
13に設けた凸部14に導電性の微粒子を分散させた熱
硬化性の液状樹脂15を介在させて嵌合して、半導体チ
ップ10をダイパッド13にダイボンディングする工程
が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
面に設けた凹部11をリードフレーム12のダイパッド
13に設けた凸部14に導電性の微粒子を分散させた熱
硬化性の液状樹脂15を介在させて嵌合して、半導体チ
ップ10をダイパッド13にダイボンディングする工程
が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
本発明の半導体装置の製造方法に於けるダイボンディン
グは、半導体チップ10の裏面に凹部11を設けるとと
もに、リードフレーム12のダイパッド13には凸部1
4を設け、半導体チップ10の凹部11とリードフレー
ム12のダイパッド13の凸部14との間に導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂15を介在させ、
半導体チップ10の凹部11にダイパッド13の凸部1
4を嵌込んで半導体チップ10をダイパット13に搭載
するものである。
グは、半導体チップ10の裏面に凹部11を設けるとと
もに、リードフレーム12のダイパッド13には凸部1
4を設け、半導体チップ10の凹部11とリードフレー
ム12のダイパッド13の凸部14との間に導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂15を介在させ、
半導体チップ10の凹部11にダイパッド13の凸部1
4を嵌込んで半導体チップ10をダイパット13に搭載
するものである。
従って、半導体チップ10は、ダイパッド13に液状樹
脂15及び凸部14と凹部11との機械的な嵌合により
確りとダイボンディングされた位置に保持されることと
なる。
脂15及び凸部14と凹部11との機械的な嵌合により
確りとダイボンディングされた位置に保持されることと
なる。
斯くして、半導体チップ10は、ダイボンディング直後
で液状樹脂15が未硬化状態においても動くことがない
ため、グイパッド13の所定位置に正確に固定されるこ
ととなる。
で液状樹脂15が未硬化状態においても動くことがない
ため、グイパッド13の所定位置に正確に固定されるこ
ととなる。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第1図は、本発明の一実施例の説明図で、同図(a)は
半導体チップの裏面図、同図(b)は半導体チップのA
−A線断面図、同図(c)はリードフレームの要部平面
図、同図(d)はリードフレームのB−B線断面図、同
図(e)は半導体チップをダイボンディングしたリード
フレームの要部側断面図である。
半導体チップの裏面図、同図(b)は半導体チップのA
−A線断面図、同図(c)はリードフレームの要部平面
図、同図(d)はリードフレームのB−B線断面図、同
図(e)は半導体チップをダイボンディングしたリード
フレームの要部側断面図である。
同図(a)及び同図(b)に示した半導体チップ10の
播鉢形をした凹部11は、半導体チップ10を分離前の
図示しない半導体ウェーハ表面に凹部11を形成される
部分を除いてレジストを被着した後、半導体ウェーハを
所定深さまでエツチングして形成したものである。
播鉢形をした凹部11は、半導体チップ10を分離前の
図示しない半導体ウェーハ表面に凹部11を形成される
部分を除いてレジストを被着した後、半導体ウェーハを
所定深さまでエツチングして形成したものである。
また、同図(c)及び同図(d)に示したリードフレー
ム12の台形状のダイパッド13の凸部14は、燐青銅
製のフープ材等を抜き金型を使用して抜き加工によりリ
ードフレーム12を形成する際、同時に押し加工を施す
ことで形成したものである。
ム12の台形状のダイパッド13の凸部14は、燐青銅
製のフープ材等を抜き金型を使用して抜き加工によりリ
ードフレーム12を形成する際、同時に押し加工を施す
ことで形成したものである。
上記のような半導体チップ10を斯かるリードフレーム
12のダイパッド13に搭載には、まず半導体チップ1
0を搭載するダイパッド13の所定領域に適量の液状樹
脂15、例えば銀(Ag)粉を分散させたエポキシ系樹
脂を滴下する。
12のダイパッド13に搭載には、まず半導体チップ1
0を搭載するダイパッド13の所定領域に適量の液状樹
脂15、例えば銀(Ag)粉を分散させたエポキシ系樹
脂を滴下する。
次いで、真空チャック(図示せず)により半導体チップ
10の表面を真空吸着した後、半導体チップ10の凹部
11がリードフレーム12のダイパッド13の凸部14
を一致させながら、半導体チップ10をリードフレーム
12に押圧する。
10の表面を真空吸着した後、半導体チップ10の凹部
11がリードフレーム12のダイパッド13の凸部14
を一致させながら、半導体チップ10をリードフレーム
12に押圧する。
すると、半導体チップ10は、液状樹脂15の接着力及
び半導体チップ10の凹部11とダイパッド13の凸部
14との機械的な嵌合により確りとダイパッド13に保
持される。
び半導体チップ10の凹部11とダイパッド13の凸部
14との機械的な嵌合により確りとダイパッド13に保
持される。
そして、斯かる状態で半導体チップ10を保持したリー
ドフレーム12を恒温槽(図示せず)に入れて、150
度C程度の温度で1時間程度加熱して液状樹脂15を硬
化させると半導体チップ10はリードフレーム12の定
位置に正確に固定されることとなる。
ドフレーム12を恒温槽(図示せず)に入れて、150
度C程度の温度で1時間程度加熱して液状樹脂15を硬
化させると半導体チップ10はリードフレーム12の定
位置に正確に固定されることとなる。
なお、半導体チップlOの凹部11は播鉢状に、またリ
ードフレーム12のダイパッド13の凸部14は台形状
(富士山形)に形成しているために、半導体チップ10
をリードフレーム12にダイボンディングする際の凹部
11と凸部14との多少位置ずれは、簡単に修正される
ように構成しである。
ードフレーム12のダイパッド13の凸部14は台形状
(富士山形)に形成しているために、半導体チップ10
をリードフレーム12にダイボンディングする際の凹部
11と凸部14との多少位置ずれは、簡単に修正される
ように構成しである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且つその
まま固定することのできる半導体装置の製造方法を提供
できる。
チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且つその
まま固定することのできる半導体装置の製造方法を提供
できる。
従って、本発明の半導体装置の製造方法により半導体チ
ップをリードフレームのダイパントに搭載することによ
り、半導体チップのポンディングパッドとリードフレー
ムのリードとのワイヤボンディングを円滑に実行するこ
とが可能となる。
ップをリードフレームのダイパントに搭載することによ
り、半導体チップのポンディングパッドとリードフレー
ムのリードとのワイヤボンディングを円滑に実行するこ
とが可能となる。
第1図は、本発明の一実施例の説明図、第2図は、従来
のダイボンディング方法を説明するための要部概略側断
面図である。 図において、 10と20は半導体チップ、 ・11は凹部、 12と21はリードフレーム、 13と22はダイパッド、 14は凸部、 15は液状樹脂をそれぞれ示す。
のダイボンディング方法を説明するための要部概略側断
面図である。 図において、 10と20は半導体チップ、 ・11は凹部、 12と21はリードフレーム、 13と22はダイパッド、 14は凸部、 15は液状樹脂をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 半導体チップ(10)の裏面に設けた凹部(11)を
リードフレーム(12)のダイパッド(13)に設けた
凸部(14)に導電性の微粒子を分散させた熱硬化性の
液状樹脂(15)を介在させて嵌合して前記半導体チッ
プ(10)を当該ダイパッド(13)にダイボンディン
グする工程が含まれていることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8613590A JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8613590A JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03284857A true JPH03284857A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13878273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8613590A Pending JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03284857A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6177729B1 (en) | 1999-04-03 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Rolling ball connector |
US6255208B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Selective wafer-level testing and burn-in |
JP2017103394A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP8613590A patent/JPH03284857A/ja active Pending
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CN107017217A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-08-04 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
CN107017217B (zh) * | 2015-12-03 | 2021-08-20 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
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