JPS61192334A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPS61192334A
JPS61192334A JP3279985A JP3279985A JPS61192334A JP S61192334 A JPS61192334 A JP S61192334A JP 3279985 A JP3279985 A JP 3279985A JP 3279985 A JP3279985 A JP 3279985A JP S61192334 A JPS61192334 A JP S61192334A
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JP
Japan
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substrate
chamber
holder assembly
drum jig
jig
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JP3279985A
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JPH0480734B2 (ja
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Haruo Sugiyama
春男 杉山
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜の形成に用いられる真空蒸着装fit 
’? x ノzツタリング装置等のような真空処理装置
に関するものである。
従来、例えばス/4ツタ装置においては、処理すべき基
板の形状をあまり問わないこと、構造が簡単で多層膜の
形成に有利であること、カソードの大きさに3じてドラ
五治具を大きくする事により枚葉式のものに比ベバッチ
内で処理できることや生産性が高いことなどの理由によ
ってドラム治具方式のものが広く応用されている。そし
て最近の電子部品の薄膜品質等の観点でバッチ方式に代
って、基板の仕込み・取出し室とス・fツタ成膜室とを
分離したLOAD/LOCK方式が各種の成膜装置で一
般化してきている@そのような装置の一例を添附図面の
第3図に概略的に示す。
第3図に示すようにス・臂ツタ室Aと基板仕込み・取出
し室Bとを仕切パルプCで分離し、この仕切−パルfC
を開放することによって基板の装着されるドラ五治具り
はスノヤツタ室A内の処理位置と基板仕込み・取出し室
Bにおける基板仕込み・取出し位置との間で移動できる
ようにされており。
基板の仕込みや取出しは前面扉Eを開けて行なわれる。
表お第3図においてFはカソードを示しているO ところで、図示したような従来装置では1回転ドラム治
具全体を基板仕込み・取出し室とスパッタ成膜室との間
で移動させるようにしているため次のような問題点があ
る。すなわち。
(1)  通常回転ドラム治具は外径が約500$〜。
高さが500H程度で相当大型でかさばるためこの回転
ドラム治具を通過させるためには大型の仕切バルブを用
いる必要があり、その結果全体のシステム系が相当大き
くなり、装置が全体的にコスト高となる。
(2)  回転ドラム治具内は中空であるため、基板仕
込み・取出し室内のデッドスペースとなり、その結果排
気系の負荷が大きくなり、従って排気系も大容量、高性
能のものが要求される。
(3)  回転ドラム治具の取出し時に外気に触れるた
め治具に水蒸気等が付着し、排気やス・fツタリングに
悪影響を及ぼすことになる。
L41  vL子装置の製作に用いる場合にはスフ4ツ
タ成膜中に冷却する必要があるが、回転ドラム治具が移
動するため冷却機構を実質的に組込むことができない。
その結−果このようなスi’?ツタ装置で成膜できる対
象物が必然eこ制限されることになったり、膜特性等に
悪影響を及はしたりすることになる◎(5) ドラム治
具全体が移動するため、インライン化ができず、大量生
産比に不向きである・(6)  不純物の拡散防止やス
テップカバレージの向上等のためにバイアススミ4ツタ
方式が有利に用いられるが、しかしこの種の装置では回
転ドラム治具が移動するため設計上電力供給を安定にで
きず。
従ってバイアススフ4ツタ方式を採用することは実質的
に困難である。
そこで、本発明は、処理すべき基板の形状を問わず、構
造が簡単で多層膜形成に有利であり、また一度の多数の
基板処理ができるという特徴を有するドラム治具方式の
真空処理装置において全体装置の小型化、冷却機構の導
入、RFまたはDCバイアスの印加、インライン比等を
可能にすることを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 上記の目的を達成するために1本発明による真空処理装
置は、処理室内に処理すべき基板の装着される回転ドラ
ム治具を固定配置し、処理室内の上記回転ドラム治具に
対して処理すべき基板・ホルダ組立体を着脱するための
基板・ホルダ組立体着脱機構を設け、処理室に対して基
板・ホルダ組立体を搬入、搬出できるように構成したこ
とを特徴としている。
作   用 このように構成した本発明による真空処理装置において
は、回転ドラム治具を処理室内に固定配置しているため
1回転ドラム治具に冷却機構およびRFまたはDCバイ
アス印加機構を容易に組込むことができる。これにより
基板の温度制御を十分かつ適切に行なうことができ、ま
た不純物の拡散防止、ステップカバレージの向上を容易
に達成することができる。
またドラム治具を処理案内に固定配置し、しかも基板・
ホルダ組立体着脱機構を設けたことにより、各室の仕切
バルブは基板・ホルダ組立体を通過させ得る開口部をも
つだけで十分であり、従って装置を小型比することがで
き、当然排気系の負荷も軽減させることができる。
さらに本発明の装置においては、処理室を複数個設けて
多層膜の製作や生産性の向上を図ることができると共に
、インライン1ヒすることも可能となる。
なお、基板・ホルダ組立体の移送機構は信頼性や生産性
を考慮して任意の適当な型式例えばレール、ベアリング
、チェーン等を用いることができ。
そして基板・ホルダ組立体着脱機構と連動するように組
合され得る。
また本発明による真空処理装置は基板の仕込みおよび取
出しに同一真空室を使用する片側ローrロック式或いは
基板の仕込みと取出しとをそれぞれ別個の専用の真空室
で行なう両側ロードロック式で実施することができる口 実  施  例 以下、添附図面中の第1図および第2図を参照して本発
明の実施例について説明する@第1図には本発明の一夾
施例であるス・fツタ成膜装置を概略的に示し、1はス
フ9ツタ成膜室で。
その内部には多面体(通常6面〜10面をもつ)の回転
ドラ五治具2が配置されている。この回転ドラム治具2
と同心円周上で回転ドラ五治具2の各基板装着面2aと
対向し得る位置にカソード3が配置されている。回転ド
ラム治具2は図示してない駆動装置によって制御された
予定の速度で回転駆動される◎ スパッタ成膜室1の両側にはそれぞれ基板仕込み室4お
よび基板取出し室5が連結通路6.7を介して連続され
ており、各室と連結通路との間には符号8.9.10.
iiで示すように仕切パルプが設けられている。また基
板仕込み室4および基板取出し室5はそれぞれ図示した
ように開閉扉4a、5aを備えている。図面には示して
ないが当然各室1.4.5は適当な排気系に連結され、
所要なレベルに排気できるようにされている。そしてま
たスノ臂ツタ成膜室1と基板仕込み室4との間には基板
を加熱したりスフ4ツタリングするための前処理室が挿
置され得る。なお第1図において符号12は基板・ホル
ダ組立体を示す。各基板・ホルダ組立体12は第2図に
符号16で示すような搬送装置によって基板仕込み室4
からスパッタ成膜室1へ搬入し、そしてスノ臂ツタ成膜
室1から基板取出し室5へ搬出するようにされている。
さらに、スパッタ成膜室1には、搬送装置によって搬入
されてきた基板・ホルダ組立体12を回転ドラム治具2
の各基板装着面2aに装着しそして処理の終った基板・
ホルダ組立体12を装着面2aからはずして基板取出し
室5への搬送装置へ移す基板・ホルダ組立体着脱装置1
4が設けられており、この装置t14は回転ドラ五治具
2に対して近接したり離れたりするように作動する。
次に第2図を参照して回転ドラム治具に対する基板・ホ
ルダ組立体の着脱機構の一例を説明する。
なお第2図において第1図と対応する部分は同じ符号で
示す◎ 第2図において搬送装置13は基板・ホルダ組立体12
の両側部を滑動案内するようにされた複数個の案内ロー
ラ15aと駆動ローラ13bとを有し、駆動ローラta
bは駆動機構150によって駆動される。基板・ホルダ
組立体着脱装[14は二つのシリンダ作動機構14a、
14bから成り、その一方14aは前進すなわち伸長位
置に、また他方14bは後退位置に示されているが、実
際には筒機構14a、14bは同時に同一動作を行なう
ように作動される。各シリンダ作動機構14a、14k
lは図示したようにその先端部にホルダチャック部材1
5a、15bを備えており。
これらのホルダビック部材は各基板・ホルダ組立体12
0ホルダ12a(基板はt2bで示す)fc設けられた
握り部12eを握持できるようにされている。またホル
ダ12aは回転ドラム治具2の各装着面2aに設けられ
た係止穴2Cに係止する突子12dを備えている。なお
第2図において符号16は回転ドラム治具2を所定の位
置(すなわち基板・ホルダ組立体12の着脱位lt)で
停止させる停止案内装置である。
このように構成された基板・ホルダ組立体120着脱機
構の動作において、搬送装置16によって基板仕込み室
4から搬入されてきた基板・ホルダ組立体12は仮想線
で示す位置においてシリンダ作動機構14a、14bの
ホルダチャック部材15a、i5bで受けられ、搬送装
置15の案内ローラ13aおよび駆動ローラt5bは基
板・ホルダ組立体12から離され、そして各シリンダ作
動機構14a、14bは、所定の位置に停止されている
回転ドラム治具2の装着面2&Vc対して基板・ホルダ
組立体12を押し当て各突子12dを治具2における係
止穴2cに係止させる。こうして基板・ホルダ組立体1
2は治具2に装着され。
この操作を繰返して治具2の全装着面2aに処理すべき
基板を装着する。こうして準備をした後所要のスパッタ
成膜動作が行なわれる。成膜の終了した基板は上述の装
着動作と逆にして取り外すされる。
なお、基板・ホルダ組立体のドラ五治具への装着手段は
図示例に限定されず、任意の他の固定手段を用いてもよ
く、また着脱機’1flt 14も任意適当に設計する
ことができる。
効   果 以上、説明してきたように、本発明による真空処理装置
においては、回転ドラム治具を処理室内に固定配置し、
着脱機構を用いて基板・ホルダ組立体だけを搬入装着、
*外し搬出するように構成しているので、ドラ五治具自
体に必要な装置1例えば冷却機構やバイアス印加手段を
組込むことができ、また各室の仕切パルプも小型化でき
、デットスは−スの縮小と共に装置自体を小型比でき、
そして排気系の負荷も軽減させることができる。
さらに装置をインターバック方式でもインライン方式で
も必要に応じて任意に実施することができ、種々の目的
に使用することができしかも高い処理能力はもちろんの
こと処理特性も十分に高く維持することができる。
偶因面の簡単な説明 第1図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第2図は
第1図の装置の一部の具体例を示す部分断面図、第3図
は従来例を示す概略断面図である。
図中、1:処理室、 2:回転ドラム治具、4:基板仕
込み室、  5:基板取出し室、  8゜9.10,1
1:仕切バルブ、  12二基根・ホルダ組立体、  
1is:搬送装置、  14:着脱機構。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 処理室内に、処理すべき基板の装着される回転ドラム治
    具を固定配置し、処理室内の上記回転ドラム治具に対し
    て処理すべき基板・ホルダ組立体を着脱するための基板
    ・ホルダ組立体着脱機構を設け、処理室に対して基板・
    ホルダ組立体を搬入、搬出できるように構成したことを
    特徴とする真空処理装置。
JP3279985A 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置 Granted JPS61192334A (ja)

Priority Applications (1)

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JP3279985A JPS61192334A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置

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JP3279985A JPS61192334A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置

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JPS61192334A true JPS61192334A (ja) 1986-08-26
JPH0480734B2 JPH0480734B2 (ja) 1992-12-21

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ID=12368890

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JP3279985A Granted JPS61192334A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置

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