JPS61189065A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS61189065A JPS61189065A JP60027771A JP2777185A JPS61189065A JP S61189065 A JPS61189065 A JP S61189065A JP 60027771 A JP60027771 A JP 60027771A JP 2777185 A JP2777185 A JP 2777185A JP S61189065 A JPS61189065 A JP S61189065A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 241000276457 Gadidae Species 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
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- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
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- H04N1/0308—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array characterised by the design of the photodetectors, e.g. shape
-
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ファクシミリ送受信機や文字読取り装置、テ
レビ等の広汎な画像情報処理用固体撮像装置に用いられ
るイメージセンサのうち、個別電極と共通電極との間に
光電変換膜を有するサンドインチ型構造の密着型イメー
ジセンサに関する。
レビ等の広汎な画像情報処理用固体撮像装置に用いられ
るイメージセンサのうち、個別電極と共通電極との間に
光電変換膜を有するサンドインチ型構造の密着型イメー
ジセンサに関する。
従来固体逼像装置に用いられるイメージセンサとして、
ＣＣＤ、ＢＢＤ、ＣＩＤなどの素子を用イメージセンサ
をファクシミリ送受信機に使用した場合、送信する原稿
像を縮小する光学系を必要とするため、装置を小型化す
ることができなかった。そこで近年、原稿幅と同一幅を
持った密着型イメージセンサが注目されている。密着型
イメージセンサとしては現在のところＣＯＤを千鳥状に
並べたもの、あるいは薄膜材料を利用したものとしてＣ
ｄＳブレーナ型イメージセンサ、Ａｓ −Ｓｅ −Ｔｅ
フォトダイオードを用いたイメージセンサ、アモルファ
ス・シリコン（ａ−Ｓｔ）を用いたイメージセンサなど
が知られている。ａ−Ｓｌイメージセンサでは、ＣｄＳ
イメージセンサと同様にある一定の間隔で電極を並べた
プレーナ型と、Ａｓ −Ｓｅ −Ｔｅフ。 オドダイオード・イメージセンサと同様にａ −Ｓｉ膜
を共通電極と個別電極との間にはさんだサンドイッチ型
構造が開発されている。 従来サンドインチ型構造の場合、絶縁性基板の上に第一
の電極を形成し、この上に充電変換膜および第二の電極
を積層する。この第一の電極と第１Ｆ’ｌ轡侃バー士え
丑二ｉｌ！ＩＩｃＬＩ 鳳十九顔山１轡壱五とする。 また第一の電極または第二の電極の少なくとも一方は透
明導電膜を使用し、第一の電極を透明導電膜とする場合
は絶縁性基板も透光性である必要がある。第２図は第一
の電極を個別電極。 第二の電極を共通電極としたときの断面を示し、絶縁性
基板１の上に個別電極２が分割配置され、その上に全面
に、例えばａ −Ｓｉからなる光電変換膜３．共通電極
４が被覆している。このようなイメージセンサでは、個
別電極２に次々と順次パルスを送るスイッチングによっ
て充電出力を読み取っていた。しかし、この場合各画素
間で光電出力に相互の影響が出るという問題があった０
例えば、画像を読み取る際、画像の明るい部分に対応す
る画素と暗い部分に対応する画素が隣接した場合、「暗
」を読み取る画素の個別電極に「明」を読み取る画素の
光電変換膜で発生したキャリアの一部が流れ込み、「暗
」を読み取るべき画素の個別電極から得られる出力が増
大し、「明」と「暗」４判別する出力を超過してプリン
タやブラウン管などの画像表現装置において「明」と表
現されてしまうため、細線の読み出しが出来なかったり
、画像がぼやけたりするという欠点を有していた。 これを防止する目的で、光電変換膜を各個別電極に対応
して分割する方法が取られるが、フォトエツチングなど
の工程を経るために製造コストが高くなったり光電変換
膜に欠陥を生じ、短絡を起こすことにより歩留りが低下
するという欠点を有していた。
ＣＣＤ、ＢＢＤ、ＣＩＤなどの素子を用イメージセンサ
をファクシミリ送受信機に使用した場合、送信する原稿
像を縮小する光学系を必要とするため、装置を小型化す
ることができなかった。そこで近年、原稿幅と同一幅を
持った密着型イメージセンサが注目されている。密着型
イメージセンサとしては現在のところＣＯＤを千鳥状に
並べたもの、あるいは薄膜材料を利用したものとしてＣ
ｄＳブレーナ型イメージセンサ、Ａｓ −Ｓｅ −Ｔｅ
フォトダイオードを用いたイメージセンサ、アモルファ
ス・シリコン（ａ−Ｓｔ）を用いたイメージセンサなど
が知られている。ａ−Ｓｌイメージセンサでは、ＣｄＳ
イメージセンサと同様にある一定の間隔で電極を並べた
プレーナ型と、Ａｓ −Ｓｅ −Ｔｅフ。 オドダイオード・イメージセンサと同様にａ −Ｓｉ膜
を共通電極と個別電極との間にはさんだサンドイッチ型
構造が開発されている。 従来サンドインチ型構造の場合、絶縁性基板の上に第一
の電極を形成し、この上に充電変換膜および第二の電極
を積層する。この第一の電極と第１Ｆ’ｌ轡侃バー士え
丑二ｉｌ！ＩＩｃＬＩ 鳳十九顔山１轡壱五とする。 また第一の電極または第二の電極の少なくとも一方は透
明導電膜を使用し、第一の電極を透明導電膜とする場合
は絶縁性基板も透光性である必要がある。第２図は第一
の電極を個別電極。 第二の電極を共通電極としたときの断面を示し、絶縁性
基板１の上に個別電極２が分割配置され、その上に全面
に、例えばａ −Ｓｉからなる光電変換膜３．共通電極
４が被覆している。このようなイメージセンサでは、個
別電極２に次々と順次パルスを送るスイッチングによっ
て充電出力を読み取っていた。しかし、この場合各画素
間で光電出力に相互の影響が出るという問題があった０
例えば、画像を読み取る際、画像の明るい部分に対応す
る画素と暗い部分に対応する画素が隣接した場合、「暗
」を読み取る画素の個別電極に「明」を読み取る画素の
光電変換膜で発生したキャリアの一部が流れ込み、「暗
」を読み取るべき画素の個別電極から得られる出力が増
大し、「明」と「暗」４判別する出力を超過してプリン
タやブラウン管などの画像表現装置において「明」と表
現されてしまうため、細線の読み出しが出来なかったり
、画像がぼやけたりするという欠点を有していた。 これを防止する目的で、光電変換膜を各個別電極に対応
して分割する方法が取られるが、フォトエツチングなど
の工程を経るために製造コストが高くなったり光電変換
膜に欠陥を生じ、短絡を起こすことにより歩留りが低下
するという欠点を有していた。
本発明は、これに対して画素間の相互の光電出力の干渉
をなくし、従来より鮮明な画像を写し出すことが出来、
しかも充電変換膜を分割する工程を必要とせず、低いコ
ストで製造できるサンドインチ型構造のイメージセンサ
を提供することを目的とする。
をなくし、従来より鮮明な画像を写し出すことが出来、
しかも充電変換膜を分割する工程を必要とせず、低いコ
ストで製造できるサンドインチ型構造のイメージセンサ
を提供することを目的とする。
本発明によるイメージセンサは光電変換膜を介して共通
電極に対向する多数の個別電極の各々の間にそれぞれ互
いに接続されて同一電位が印加できる境界電極が配置さ
れていることによって上記の目的を達成する。この境界
電極には、個別電極から順次光電出力を読み取る際に、
常に適当な電位を与えておき、被写体の明るい部分に対
応する画素と暗い部分に相当する画素が隣接した場合に
も、従来は明るい部分を読み取る画素の光電変換膜で発
生し暗い部分を読み取る画素の個別電極に流れ込んでい
たキャリアの大部分を吸収させるようにしたものである
。境界電極に与える電位は、読み取り時に個別電極に与
える電位が共通電極よりも低い場合は共１Ｊ１１電掻よ
りも低くし、またその逆の場合境界電極の電位を共通電
極よりも高くする。しかし、境界ｔｉの電位が個別電極
と異なる場合、境界電極と個別電極との電位差から、両
電極間にある光電変換膜がプレーナ型構造の光電変換素
子として働くため、サンドインチ型構造部分の出力応答
速度とプレーナ型光電変換素子の出力応答速度とのかね
合いで読み取り時間が制約される。また、境界電極専用
のＴ！ｌ源を要したり個別電極と電位差を与えるための
抵抗を要したりするた望ましい０例えば境界電極も読み
取り時の個別電極も接地する。
電極に対向する多数の個別電極の各々の間にそれぞれ互
いに接続されて同一電位が印加できる境界電極が配置さ
れていることによって上記の目的を達成する。この境界
電極には、個別電極から順次光電出力を読み取る際に、
常に適当な電位を与えておき、被写体の明るい部分に対
応する画素と暗い部分に相当する画素が隣接した場合に
も、従来は明るい部分を読み取る画素の光電変換膜で発
生し暗い部分を読み取る画素の個別電極に流れ込んでい
たキャリアの大部分を吸収させるようにしたものである
。境界電極に与える電位は、読み取り時に個別電極に与
える電位が共通電極よりも低い場合は共１Ｊ１１電掻よ
りも低くし、またその逆の場合境界電極の電位を共通電
極よりも高くする。しかし、境界ｔｉの電位が個別電極
と異なる場合、境界電極と個別電極との電位差から、両
電極間にある光電変換膜がプレーナ型構造の光電変換素
子として働くため、サンドインチ型構造部分の出力応答
速度とプレーナ型光電変換素子の出力応答速度とのかね
合いで読み取り時間が制約される。また、境界電極専用
のＴ！ｌ源を要したり個別電極と電位差を与えるための
抵抗を要したりするた望ましい０例えば境界電極も読み
取り時の個別電極も接地する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共
。 通の部分には同一の符号が付されている。まず、絶縁性
基板としてのガラス板１にＣｒ膜を２０００人の厚さに
被着し、フォトエツチングにより、１００Ｉ！１ａｘ
ｔｏｏ−の正方形の個別電極２を１７２６個およびそれ
ぞれに連結された個別端子部２１と、各個別電極２と５
−の間隔ｄを置き、１５Ｉｔｍの幅Ｗを有する境界電極
５とを形成した。この上に水素で希釈したシランガスの
高周波グロー放電分解によっＣ厚さ約１ｎのａ−Ｓｉ膜
３を形成し、さらにＩＴＯよりなる厚さ７００人の透明
導電膜によって共通電極４を点線で示した境界６を端と
して形成した。このようにして作成したイメージセンサ
を、５００−の幅の黒いラインを１鶴のピッチで配した
被写体に密着させ、第３図に概念的に示すようにモデル
の測定回路で出力電流を測定した。すなわち、各個５１
＋１ ｆｆ ｊｌｉ Ｌ７ ｔはすふう１１漁葺竿３１
庵１謂々スイ、、壬３３を介して電源３４により電圧を
印加し、ピコアンメータ３５により出力電流を測定する
。各境界電極に対応する光電変換素子３２に接続された
スイッチ３６をオフにしたまま、スイッチ３３を順次オ
ンにし、各個別電極の出力電流を測定したところ、５０
０ ｎの黒いラインに対応する領域の個別電極の出力は
第４図のようになった０次に、スイッチ３６をオンにし
、スイッチ３３を同様に順次オンに切り換え、個別電極
、境界電極双方を接地して測定した結果第５図に示すよ
うな出力が得られた。第５図では、個別電極Ｎｏ３〜６
の出力電流がＮｏｔ、２．７．８に比べ１〜２割程度に
なっている０個別電極の幅は１００μ、個別電極の間隔
は２５−であるため、ここで使用したライン幅５００−
は個別電極を４個遮蔽する幅に相当し、被写体と良（一
致した出力を得た。一方、第４図では個Ｎｏ３．６がＮ
ｏ１．２゜７．８の出力の中間レベルを示し、隣接する
ビットの影響を受けていることがわかる。 【発明の効果］ 本発明は、サンドインチ型構造を有するイメージセンサ
の個別電極のビット間に境界電極を設け、読み取り時に
個別電極に印加する電位と同電位または近い電位を常時
境界電極に与えながら個別電極を順次スイッチングして
出力を読み取ることができるようにすることによって、
被写体の「暗」の部分に対応する個別電極と「明」の部
分に対応する個別電極が隣接した場合でも、相互の影響
を引きおこすキャリアを境界電極に吸収させるものであ
る。このような境界電極は、個別電極と同一工程で形成
できるので、低いコストで鮮明な画像を得ることのでき
るイメージセンサを得ることが可能となった。 本発明は、光電変換膜が光導電型の場合に限らず光起電
力型の場合にも適用でき、またその材料の種類も限定さ
れることなく効果を有する。
。 通の部分には同一の符号が付されている。まず、絶縁性
基板としてのガラス板１にＣｒ膜を２０００人の厚さに
被着し、フォトエツチングにより、１００Ｉ！１ａｘ
ｔｏｏ−の正方形の個別電極２を１７２６個およびそれ
ぞれに連結された個別端子部２１と、各個別電極２と５
−の間隔ｄを置き、１５Ｉｔｍの幅Ｗを有する境界電極
５とを形成した。この上に水素で希釈したシランガスの
高周波グロー放電分解によっＣ厚さ約１ｎのａ−Ｓｉ膜
３を形成し、さらにＩＴＯよりなる厚さ７００人の透明
導電膜によって共通電極４を点線で示した境界６を端と
して形成した。このようにして作成したイメージセンサ
を、５００−の幅の黒いラインを１鶴のピッチで配した
被写体に密着させ、第３図に概念的に示すようにモデル
の測定回路で出力電流を測定した。すなわち、各個５１
＋１ ｆｆ ｊｌｉ Ｌ７ ｔはすふう１１漁葺竿３１
庵１謂々スイ、、壬３３を介して電源３４により電圧を
印加し、ピコアンメータ３５により出力電流を測定する
。各境界電極に対応する光電変換素子３２に接続された
スイッチ３６をオフにしたまま、スイッチ３３を順次オ
ンにし、各個別電極の出力電流を測定したところ、５０
０ ｎの黒いラインに対応する領域の個別電極の出力は
第４図のようになった０次に、スイッチ３６をオンにし
、スイッチ３３を同様に順次オンに切り換え、個別電極
、境界電極双方を接地して測定した結果第５図に示すよ
うな出力が得られた。第５図では、個別電極Ｎｏ３〜６
の出力電流がＮｏｔ、２．７．８に比べ１〜２割程度に
なっている０個別電極の幅は１００μ、個別電極の間隔
は２５−であるため、ここで使用したライン幅５００−
は個別電極を４個遮蔽する幅に相当し、被写体と良（一
致した出力を得た。一方、第４図では個Ｎｏ３．６がＮ
ｏ１．２゜７．８の出力の中間レベルを示し、隣接する
ビットの影響を受けていることがわかる。 【発明の効果］ 本発明は、サンドインチ型構造を有するイメージセンサ
の個別電極のビット間に境界電極を設け、読み取り時に
個別電極に印加する電位と同電位または近い電位を常時
境界電極に与えながら個別電極を順次スイッチングして
出力を読み取ることができるようにすることによって、
被写体の「暗」の部分に対応する個別電極と「明」の部
分に対応する個別電極が隣接した場合でも、相互の影響
を引きおこすキャリアを境界電極に吸収させるものであ
る。このような境界電極は、個別電極と同一工程で形成
できるので、低いコストで鮮明な画像を得ることのでき
るイメージセンサを得ることが可能となった。 本発明は、光電変換膜が光導電型の場合に限らず光起電
力型の場合にも適用でき、またその材料の種類も限定さ
れることなく効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示し、ｆａｌは断面図。
山）は平面図、第２図は従来例の断面図、第３図は本発
明の効果を実証するためのモデル測定回路図、第４図は
第３図の回路により測定された本発明を実施しない時の
出力線図、第５図は本発明を実施したときの出力線図で
ある。 １ニガラス板、２：個別電極、２１：個別端子部、３：
ａ−３ｉ膜、４：共通電極、５：境界電極。 第１図 第２図 １２３４５６７Ｂ 個別電極 Ｎｏ。 第４図 ７２３４５６７ｇ イ固別電オセ Ｎｏ。
明の効果を実証するためのモデル測定回路図、第４図は
第３図の回路により測定された本発明を実施しない時の
出力線図、第５図は本発明を実施したときの出力線図で
ある。 １ニガラス板、２：個別電極、２１：個別端子部、３：
ａ−３ｉ膜、４：共通電極、５：境界電極。 第１図 第２図 １２３４５６７Ｂ 個別電極 Ｎｏ。 第４図 ７２３４５６７ｇ イ固別電オセ Ｎｏ。
Claims (1)
- １）光電変換を介して共通電極に対向し、順次スイッチ
ングされて出力検出部に接続される多数の個別電極を有
するものにおいて、各個別電極の間にそれぞれ互いに接
続されて同一電位が印加できる境界電極が配置されたこ
とを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027771A JPS61189065A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | イメ−ジセンサ |
| US06/828,288 US4679089A (en) | 1985-02-15 | 1986-02-11 | Solid state image sensor having an anti-blooming isolation electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027771A JPS61189065A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189065A true JPS61189065A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12230240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027771A Pending JPS61189065A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | イメ−ジセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679089A (ja) |
| JP (1) | JPS61189065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0294833A2 (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact photoelectric conversion device |
| US9422133B2 (en) | 2011-02-28 | 2016-08-23 | Otis Elevator Company | Elevator car control in a landing zone using a machine brake in response to undesired car movement |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894700A (en) * | 1985-04-09 | 1990-01-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor |
| US4855802A (en) * | 1986-10-20 | 1989-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Contact type image sensor |
| JPS63153857A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | Toshiba Corp | ライン状光検出器 |
| US6800870B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-10-05 | Michel Sayag | Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2813254C2 (de) * | 1978-03-28 | 1979-12-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Eindimensionaler CCD-Sensor mit Überlaufvorrichtung |
| US4242700A (en) * | 1979-01-22 | 1980-12-30 | Rca Corporation | Line transfer CCD imagers |
| FR2501943B1 (fr) * | 1981-03-13 | 1986-01-17 | Thomson Csf | Dispositif photosensible solide a deux dimensions et dispositif d'analyse d'image, utilisant le transfert de charges electriques, comportant un tel dispositif |
| JPS58207766A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP60027771A patent/JPS61189065A/ja active Pending
-
1986
- 1986-02-11 US US06/828,288 patent/US4679089A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4679089A (en) | 1987-07-07 |
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