JPS61180128A - 物体表面検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、物体表面上に存在する好しくない異物を検出
するための光学検査装置に関するもので、特Ｋ、半導体
ウェハ表面の外観検査に適した光学検査装置に関する。

半導体装置のパッシベーション膜の形成、或いは金属配
線層の形成などの製造工程において、半導体ウェハ表面
の不所望の部分く、絶縁物質、金属物質、ホコリなどの
異物が付着することが多い。

そして、その異物が半導体装置の歩留りを著しく低下さ
せる原因となる。このため、その異物の大きさ、数等を
把握しておくことが工程管理上必要となり、従りて、実
際の半導体装置の製造工程間において半導体ウェハ上の
異物についての検査が要求される。

従来における異物検査は一般に金属顕微鋺（例えば１倍
率１００〜２００倍）を使用した目視による検査法によ
り行われていた。ところでこの方法には、異物か否かの
判断に検査員の主観が入りやすく、検査員によって検査
結果が異なるという問題と検査に時間（一枚の半導体ウ
エノ・に２〜３時間）がかかるという問題があった。こ
のため。

工程間の検査結果を正確に、かつ迅速に出力させて、適
確な工程管理を行なうことができず、従って１歩留りの
低下を有効に防止し得ないという問題があった。

一方１本発明の課題として取上げられた異物検査方法に
は関係していないが、半導体装置の金属膜の蒸着状態を
検査する方法として、半導体装置の表百に平行光を照射
し、金属膜の乱反射光と。

金属膜が蒸着されるべき、半導体装置の絶縁被膜の反射
光との方向性の相違を利用して、蒸着された金属パター
ンの乱反射光を電気信号に変換することによって、金属
パターンの良否を判定するものが１日本特許出願公告公
報５１−３２５３９号に提案されている。かかる金属膜
のパターン検査方法は、飽くまで、金属が被着されるべ
き酸化シ、リコン膜のような絶縁被膜と蒸着されるべき
金属膜との異なる物質の組合せにおいてはじめて達成さ
れるものである。このような方法を異物検査の自動化に
応用しようとした場合、検査しようとする半導体装置は
１例えば金属配線層が形づくる正常なパターンの突出部
と、金属の蒸着工程などによって生じた好しからぬ異物
の突出部とを持っているので、半導体装置の表面に平行
光を照射してその反射光を電気信号に変換する場合、正
常なパターンの突出部の検出電気信号が異物の突出部の
検出電気信号に対し雑音信号となるので、異物と正常パ
ターンとの判別が困難となるという欠点を生じる。また
、異物が、それと同じ物質から成る基板上に形成された
場合１例えば気相成長（ＣＶ”Ｄ）プロ七スによって形
成させられたリンガラスから成ルパッシベーション膜の
正常パターンの上に。

そのプロセス中に発生した好しからぬリンガラスの異物
がその正常パターンの上に存在した場合。

異物と正常パターンとの光学的性質が同一となるため、
異物の判別は極めて困難となるという問題点も生じる。

従って１本発明の主目的は、異物の検出を容易に行なう
ことが可能な検査方法及びその装置を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、正常なパターンを形成する物質と
同じ物質の異物に対しても検出可能な検査方法及びその
装置を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、異物の検出結果を電気信号
に変換する異物検査において、信号対雑音比を改善する
ことにある。

本発明の上述せる目的、他の目的、特徴および利益は、
以下の図面を参照した本発明の実施例によって、よく理
解されるであろう。

第１図は本発明を成す前に本発明者によって考えられた
異物検査装置を示す構成図である。

１は半導体ウェハ収納するだめのカートリッジ２を上下
方向に移動させるカートリッジ送り駆動部、３はカート
リッジ２とウニノー載置台４との間における半導体ウェ
ハの移送を行うウエノ・送り部。

５は半導体ウェハ載置台に回転を与えるための回転駆動
機構部、６は載置台４を水平方向に移動させるための送
り駆動部、７は平行光線発生用光源。

８は斜面を有する２枚の透明ガラス板を鋼面どうしを相
互にはり合わすことにより構成された偏光板で、半導体
ウェハ載置台４からの光に対し、一定の振幅方向の光波
を遮断する機能を有する。ニコルプリズムまたはそのほ
かの偏光プリズム、人造偏光板、適当に傾けたガラス板
なども偏光板として用いられる。９および１０は対物レ
ンズ、１１は目視検査のための照明光を投下するための
鏡、１２は目視検査用の鏡、１３はリレーレンズ、１４
はアパーチャー、１５は光を電気信号に変換する光電変
換器、１６は光電変換器の出力情報を処理し、検査結果
を得るための電子回路装置、１７は反射光を接眼レンズ
１８に向けて反射するための劇視観察用鏡、１９は目視
観察用の照明光を発生するランプ、２０はレンズ、２１
は被検査半導体ウェハである。鐘１１．１２，１７．レ
ンズ１８゜２０、ランプ１９は目視検査ができるように
するためのもので不可欠のものではない。

この異物検査装置による検査は次のように行う。

カートリッジ２内の半導体ウェハを載置台４に移送し、
載置台４の中央部に固定した状態で、半導体ウェハ２１
の側面からレーザ光線をウェハ表面に平行し照射し、載
置台４を回転させながら反射光を光電変換器１５を通じ
て検出し、偏光光が偏光板８でカットされ非偏光のみが
検出できるような回転角に偏光板８を設置した状態にお
ける反射光に基づいて異物の大きさ、数を検出する。な
お、ウェハ表面をレンズ９，１０．１３により拡大（例
えば２０倍の倍率に拡大）して反射光の検出を行うので
視野が狭いから、レンズ９．１０等からなる光検出系忙
対して相対的に載置台４を移動（５，６の送り駆動部に
よる）させることにより検出部を移動させ、半導体ウェ
ハを全面にわたってくまなく検査する。１枚の半導体ウ
ェハについて検査が完了したら、その半導体ウェハをカ
ートリッジ２に戻し、次の半導体ウェハについて検査を
する。

光源７の光は、必ずしもレーザ光でなくても良い。この
光は自然光でもよい。レーザ光線を使用する場合は波長
と位相とが規則的に変化するので。

照射エネルギーが高くなり、高い検出感度を得ることが
できる。

本発明は、光の波動方向性の性質を利用し、この性質と
偏光板との組合せとによって、目的を達成するもので１
本発明の原理は以下のように考えられる。

光の振幅は、厳密には、スカラー量としてではなくベク
トル量として表わされるべき性質のもので、大きさのみ
ならず方向性も有する。そして光は、電磁波の一種であ
りマックスウェルの学説が明らかにしたように、電場の
波と磁場の波が光の進行方向に直角の平面内に振動しつ
つ進行し、そのベクトルの方向が相互に直角であるとい
う性質を有する。したがって、少なくとも、光源から発
射されたままの全く偏りのない光すなわち自然光は、第
２図の実線２２に示すように、垂直波と第２図の破線２
３に示すように、水平波（これは。

紙面に対して垂直方向の振幅を有するので本図では示す
ことができないが１便宜上垂直波と同様に示した。）と
の成分に分けることができる。

そして、第２図に示すように、屈折率の異なる媒質の境
界面に照射された自然光は、境界面に対する入射角が垂
直波と水平波とで異なるので、垂直波がほとんど屈折し
、水平波がほとんど反射するという偏光反射現象が生じ
得る。この現象は。

物体で反射する光は入射角により反射光の偏光量が異な
り、入射角がその物体の偏光角のときに偏光量が最大と
なるというプリュスターの法則の現われでもある。すな
わち１反射光は、入射角に従って、その水平波と垂直波
との２つの光波に偏光される割合が異なってくる。そし
て入射角が偏光角の時、完全な平面偏光（水平波）とな
る。

本発明は、そのような偏光現象に着目してなされたもの
で、検査すべき半導体ウェハにおける正常なパターン面
での反射光の偏光量と、好しくない異物面での反射光の
偏光量との割合が異なることを利用したものと考えるこ
とができる。

第３図に示した被検査半導体ウェハ２１の部分的拡大図
を参照するに、いま、光２４が半導体ウェハ２１の側面
に、平行光線（例えば、レーザ光線）の状態で照射され
た場合において、リンガラスから成るパッシベーション
護２８が正常なパターンを形成し、そのパターンの蝕刻
面をＡとし。

また、バクシベーション膜２８の生成時に、その膜上に
付着したガラス異物２７０表面なりとする。

正常なパターンの蝕刻面Ａは、ある一定方向に傾けられ
た反射面を持つのに対し、異物２７０表面Ｂは、あらゆ
る方向に傾けられた粗面を持つ。

エツチング処理によってガラスバッシペーショｙ［２８
のＡ面が約６０°の傾斜角を似って形成されたとすれば
、この場合における光２４０入射角が蝕刻面では約３０
０（θ、）となるのく対し、異物の表面ＢではＯ〜９０
’のあらゆる角度の面となり一定でない。

このような状態において、ガラスパッシベーション膜２
８の偏光角は約５５°（θ）であり、また異物２７の表
面における偏光角も、パッシベーション膜２７と同様に
約５５°（θ）となる。

したがって、パッシベーション膜２８の蝕刻面Ａで反射
した光２５は、入射角が比較的偏光角に近似しているの
で、その８０％が偏光となるのに対して、異物表面Ｂで
反射した光２６は入射角が５５°（θ）を持つ表面にの
みにおいて反射した光の８０％のみ偏光し、大部分を成
すその他の光はすべて非偏光である。すなわち蝕刻面で
反射した光はその大部分（上述の例では８０％）が偏光
し。

一定の方向性を有するのに対して、異物の表面で反射し
た光は極（一部の光のみが偏光するだけで大部分が偏光
せず一定の方向性を有しない。

したがって、偏光板８（第３図では図示されていない）
を介して半導体ウェハ表面を観察すると偏光光がカット
され、非偏光のみが見えるという状態をつくることがで
きる。つまり、異物から反射された非偏光のみ検知され
、その他が全く見えない（あるいは見ても光が極めて微
弱で無視できる）という状態が得られ、その状態におけ
る検知光はすべて異物からのものであるから、検知光を
光電変換して得た電気信号を電子回路装置において処理
することにより自動的に異物検査ができるのである。

この本発明の原理は次のようＫも説明することができる
。

すなわち、半導体ウェハ２１における蝕刻部２８の斜面
Ａの角度が６０’であり、側面から照射される平行光線
はその垂直波がほとんど屈折現象を生じ半導体ウェハ内
に吸収されるのに対し、水平波が反射する。この反射は
事実上蝕刻面Ａが鏡面（平面）といえるものであるから
鏡面（平面）反射であり１反射光の方向は概ね等しい。

それに対して、異物に照射された光は異物表面が勿論非
鏡面（曲面）であることから入射角がバラバラであり、
そのため、水平波のみが反射するということはなく水平
波も垂直波も反射する（もちろん一部の水平波、垂直波
は屈折現象を起して内部に吸収される。）、。

すなわち、蝕刻面において反射する光はすべて一定の方
向性を有するものであるのに対し、異物において反射す
る光は別個の方向に乱反射した光であり、一定の方向性
を有しない。

故に、偏光板８によって蝕刻面で反射する光をカットす
ることができ、それによって異物での乱反射光のみが検
知されるようにすることができろ。

検査において偏光板８を回転させるのは、偏光板８によ
ってカットする光の角度を実際に蝕刻面で反射する光の
方向に適合させるためである。

この発明の原理は、さらに次のようにも説明することが
できる。

すなわち、この検査に用いられるレーザ光は元来一定方
向の光であり、一定角度の斜面ではそのまま反射するか
ら、第２図に示すように、得られるのは水平波のみであ
るのに対し、異物はさまざまな角度の微小斜面を無数に
有するものであるから異物表面からは垂直波の反射光も
得られるので偏光板を介在させても異物からの光が検知
され。

逆にいえばその検知光によって異物の存在が確認できる
。

第４ｅ図は、第１図に示した光電変換器１５に電気的忙
結合された電子回路装置１６によりて得られた。検量し
た電気信号波形の一例を示す。第４ａ図および第４ｂ図
に示すように、被検査半導体ウェハ２１が、正常なパタ
ーンに従って形成されているバンプ２８を有し、そのバ
ンプ２Ｂは。

その両端部を規定している壁部２９を有するものとする
。さらに、２つのバンプ２８の上には好しからぬ異物２
７が付着されているものとする。このような半導体ウェ
ハ２１を、本発明に従う第１図に示した異物検査装置に
載置し、第４ａ図〜第４ｅ図に示したように、各図の右
手方向から光を照射する。いま、偏光板８（第１図）が
、半導体ウェハ２１からの反射光の特定方向の光波（例
えば水平波）をカットしないよ５な位置に置かれていれ
ば、第４ｃ図に示すように、光電変換器１５の位置にお
いて観測できる。光って見えるパターンは、異物２７の
形に対応している異物パターン２７′と、右手方向から
の光を受ける壁部２９の形に対応している壁部パターン
２９′となる。この場合においては、偏光板８は、異物
２７および壁部２９の両者の反射光を通過するように位
置されているので、異物パターン２７′と正常パターン
２９との区別を付けることができない。

偏光板８を、載置台４と平行するある水平平面内におい
て、第１図に示した装貨の光学系の光の通路を中心に左
右に回転調整させることＫよって。

偏光板８によって、正常なパターンを持つ壁部２９から
反射した光をカットし、異物２７かも反射した光のみを
通過させることができる。これは上述した原理に基づ（
ものと考えられる。その結果、第４ｃ図に示した観測パ
ターンから、第４ｄ図に示した観測パターンとすること
ができる。すなわち、第４ｄ図に示すように、異物２７
に対応する異物パターン２７′のみを、あたかも、星く
ずのように観測することができる。

電子回路装置１６は、第４ｅ図に示すように。

光電変換器１５によって、異物パターンに対応して得ら
れた電気信号３０を、スレッシュホールド電圧Ｅｔと比
較して、ある異物パターンに対応したパルス信号を形成
する。

例えば、第５図に示すように１円形の単導体ウェハ２１
の異物を検査する場合、その半導体ウェハ２１を第１図
に示す載置台４の上に置き１回転駆動機構部５の作用に
よって、半導体ウェハ２１を回転させることによって、
光源７からの光をそのウェハ２１の外周部３１より内心
部に向って同心円状に光を走査させることによって各部
の半導体ウニ八表面の状態を連続的に電気信号に変換す
ることができる。すなわち、１度の観測範囲を、例えば
５０μ×１００μの面積として、この範囲をくり返し、
走査することＫよって、半導体ウェハ全表面に対応する
連続した電気信号を得ることができる。１度に観測でき
る範囲（５０μＸＩ　００μ）は、第１図におけるアパ
ーチャー１４の穴の大きさを変えることによって調整す
ることができる。もちろん、光学系のレンズ（９，１０
，１３）の倍率を変化させることによっても調整するこ
とができる。

上述せる実施例の説明では、検査すべき半導体ウェハの
正常パターンに従うバンプの壁部（２９）が光の照射方
向に対し、一定のある特定の方向に傾けられている場合
について説明したが、第６図に示すよ５ＩＣ１壁部２９
の両路端部３３において。

他の方向を持つ場合においても、バンプ２８が光２４を
受ける受光面積Ｓ、が、異物２７が光２４を受ける受光
面積Ｓ２より、小さいものであれば。

偏光板８０回転調整によって、異物２７に対応するパタ
ーンのみを観測することができる。

以上説明した如き検量方法を実際の半導体ウェハの異物
検査に適用すれば、この発明を適用しない場合には蝕刻
面において反射した光までが検知されるので異物検査を
することが困難であるのに対し、上記検査方法において
は蝕刻面において反射する光が検知されず、異物で乱反
射した光のみが検知されているので、その検知結果に基
づいて容易に異物を検査することができる。

特に、上記検査方法に従えば、半導体ウニ／％ｌＣ処理
された配線層、保護層などによって形成された正常なパ
ターンに基づいて反射される光を、偏光板によってカッ
トするので、異物パターンとの判別を光感度を悪化させ
ることなく可能圧させる。

その結果、異物のパターンを電気信号に変換した時のＳ
／Ｎ比（信号対雑音比）を良くすることができる。例え
ば、第４ｃ図のパターンに示すように、偏光板を使用し
ない状態で異物パターン２７のみを検出しようとした場
合は、正常パターン２９部が検出されないように、異物
の検出パターンの光感度に合せて、全体の光感度を低下
させることによって、検査することも考えられるが、異
物パターンの検出信号が弱くなり、異物パターンが小さ
い場合は、その検出が不可能となる。

第７図は、本発明の実施例を示す要部拡大図である。こ
の図面は１本発明の要旨を容易に理解するために、第１
図に示された。レンズ９，１０゜１３およびアパーチャ
１４．並びにその他の部分を図示することを省略してい
るけれども、この図面に図示されなかったその他の部分
は、第１図に示されたものと同様に装着されている。

この実施例は、異物２７０反射光のＳ／Ｎ比を改善する
ために、第２の偏光板３４が追加されている。光源７は
、特にレーザ光２４を発生する。

偏光板３４は、レーザ光のＳ軸方向に振動する光波（水
平波）３５を通して、ｐ軸方向に振動する光波（垂直波
）３６を阻止する偏光板で、特Ｋ。

この偏光板は、レーザ光源７と被検査半導体ウェハ２１
との間に設置される。半導体ウェハからの反射光を受光
する偏光板８は、偏光板３４とは逆にＳ軸方向に振動す
る水平波３５を阻止して、ｐ動方向に振動する垂直波３
６を通すように作用する。

このような装置とすることにより、被検査半導体ウェハ
のバンプ２８の壁部２９からの反射光の光波を一定方向
のものとすることができるので。

偏光板８によって不要な光波をより完全に遮断すること
ができる。

一方、異物２７からは、異物の粗面に従５乱反射によっ
て、Ｓ軸方向の光波及びｐ軸方向の光波が発生するので
、偏光板８によってＳ細光波３５を遮断すれば、異物２
７から発生したｐ軸方向の光波３６のみを光電変換器１
５に受光することができる。

従って、被検査ウェハ２１の異物パターンからの反射光
と、正常パターンからの反射光とに基づいて決定される
ところの信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を改善することがで
き、これＫよって、より微小な異物を検出することを可
能にする。例えば、この方式の採用により数μの大きさ
を持つ異物の検出が可能となった。

第８図は、本発明の他の実施例に係る異物検査装置を示
す。

第８図にて、３７および３８は、被検査物体の載置台（
図示されていない）をＸ方向に移動せしめるための移送
テーブル、３９は、載置台にθ方向の回転を与えるため
の駆動部、４０は載置台の上に載せられた検査すべき半
導体ウェハ、４１゜４１．４２および４２は、レーザ光
発生装置、４３は対物レンズ、４４は光路分離装置で、
偏光板から成る。４５および４６は、特定の光波を遮断
するための偏光板、４７および４８は光電変換装置をそ
れぞれ示す。

この装置においては、特に、２台のレーザ光発生装置１
４１および４２を使用し、直角に近い状態の反射面を持
つ異物の検出を容易圧したものである。

この装置において、光の径路を、第９図および第１０図
を参照にして説明する。第９図の要部拡大図において、
被検査半導体ウェハ４０は、ガラスのバンプ５３（予め
設計されたバンプ）およびバンプ５３と同質の好しから
ぬ異物５４を持っているものとする。先ずレーザ発生装
置によって、Ｂ−Ｈの方向において異物５４に対し、Ｓ
方向に振動する光波（水平波）４９および５０を照射す
る。この光波によって、異物５４から反射光５５および
５６を生じる。この反射光５５および５６は異物５４か
らの乱反射によりｐ方向の振動光波（垂直波）成分を含
むようになる。第１０図に示すように、この反射光を光
路分離装置ｆ４４に導入すると、垂直波５９および６０
は、直進して、偏光板４５を通して、光電変換装置４７
の中に導入される。一方１反射光５５および５６の水平
波６１および６２は、光電変換装置４４によって側路さ
れて、光電変換装置４７に導入されない。すなわち、レ
ーザ発生装置４１および４２から発生させられた水平波
成分は、光電変換装置４７に導入されることなく、光電
変換装置４７が受光する成分は、異物からの垂直波成分
のみとなる。従って。

異物５４の存在を、正常パターンに従うバンプ５３の壁
部からの反射光と区別して、検査することができる。

第９図を再び参照するに、さらに、異物５４のパターン
をより正確に検査するために、Ｂ　−Ｂ’方向と直交す
るＡ　−Ａ’方向からも異物５４を検査する場合、上記
と同様になし得る。レーザ発生装置４１および４２は、
８方向に振動する水平光波５１および５２を異物５４に
対して導入する。第１０図に示されるよう忙、水平光波
５１および５２の異物５４への照射に基づく１反射光５
７および５８は、上述の反射光５５および５６と同様に
、水平光波成分および垂直光波成分を含んでいる。

この場合、異物５４から反射した光の水平波成分は、第
９図に示したＢ−Ｂ方向に振動する光波となり、これは
、上で述べたレーザ発生装置４１および４２から異物５
４に対して向けられた光による反射光のＡ−Ａ方向に振
動する水平波成分と直交する方向において振動する。一
方、異物５４から反射した垂直波成分は、第９図に示し
たＡ−Ａ方向に振動する光波となり、これは上で述べた
レーザ発生装置４１および４２からの光が異物５４に反
射して発生した垂直波成分ＣＢ−Ｂ方向に振動する）と
直交する方向に振動する。この理由は。

レーザ発生装置４１および４２は、レーザ発生装置４１
および４２に対し、幾可的に９０°ずれた位置に存在し
ているためである。

従って、異物５４からの反射光５７および５８を、光路
分離族＃４４に導入すると、第１０図に示すように水平
波６５および６６は直進し、光電変換装置４８には導入
されない。他方、垂直波６３および６４は、進路が変更
されて、光源４１および４２に対する垂直波のみを通過
せしめる偏光板４６に導入される。偏光板４６を通った
垂直波６３および６４は、光電変換装置４８に導入され
て。

電気信号に変換される。このようにして、異物５４から
発生した垂直波のみが検知され、異物パターンが認識さ
れる。

この実施例に従えば、偏光板から成る光路分離族［１４
４の使用によって、簡単に４方向における異物検出をな
し得る。この実施例の説明は、４つのレーザ発生装置を
使用した場合について行なわれたが、１つまたは２つの
レーザ発生装置によって、それらをシーケンシャルに移
動することによって、４方向からの検査を可能ならしめ
る。

また、上述した実施例において、Ａ−Ａ’Ｐ５向におい
てレーザ発生装置４１および４２′から発生するレーザ
光線に、ｐ方向に振動する垂直波を使用する場合は、こ
れによって異物５４から発生する反射光の水平波成分（
第９図のＢ−Ｂ′ｙ５向に振動する成分）は、レーザ発
生装置４１および４２のレーザ光線（水平波）に基づく
異物５４からの反射光の垂直波成分（第９図のＢ−Ｂ方
向に振動する成分）と同一方向に振動する光波となるの
で、光路分離装置４４．偏光板４６および光電変換装置
４８を省略して、偏光板４５および光電変換装置４７の
一対のみによって、異物の検出をすることができる。

、さらに、送りテーブル３７および３８．並びに駆動部
３９によって第５図に示した場合と同様に。

ある規定されたピッチを以って、同心円状に半導体ウェ
ハ全面にわたって連続的に検査することができる。

このように、本発明によれば、異物での反射光のみを検
知できるので、半導体ウェハ表面に施された保護膜又は
配線層などによる突出部が存在しても、それらから異物
のみを区別して検出できるので、Ｓ／Ｎ比を改善するこ
とができる・また１本発明に従えば、異物のパターンを
、電気信号に連続的に変換することができるので、コノ
ピエータなどの電子回路の導入により、自動的に異物検
査を行なうことを可能にする。また、異物の発生原因な
どの不良解析のためのデータを容易に作成することもで
きる。

以上の本発明の実施例は、異物がガラス物質の場合に述
べたが１本発明は、半導体ウェハに対する、窒化シリコ
ン膜（Ｓｉ、Ｎ、膜）、ポリシリコン配線膜、リンガラ
スなどのその他のバッジベージ胃ン膜などの形成時に生
ずる。好しくない、それらと同一の物質或いは異なる物
質から成る異物についての検出にも適用できる。さらに
２本発明は。

半導体ウェハの異物検査のみならずフォトマスクに対す
る検査にも適用することができる。

本発明は、その精神を逸脱しない範囲内において種々の
変形が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に先だって本発明者により考えられた
異物検査装置を示す略式的図面。 第２図は、物体に対して一定の範囲の入射角で゛照射さ
れた光の垂直成分が屈折し、水平成分が反射することを
示す説明図。 第３図は、被検査半導体ウェハの表面における蝕刻面Ａ
での反射光と、異物の表面における反射光との違いを説
明するための図面、 第４ａ図ないし第４ｅ図は、半導体ウェハ表面の異物が
電気信号に変換される過程を説明するための図面、 第５図は、半導体ウェハ表面の異物を表面全面疋わだっ
て検査する方法を説明するための図面。 第６図は、被検査用半導体ウェハの正常な突出部と、異
物の突出部との関係を説明するための図面。 第７図は５本発明の実施例に係る異物検査装置の要部拡
大図面、 第８図は１本発明の他の実施例に係る異物検査装置を示
す図面、。 第９図は、第８図に示した本発明の異物検査装置の動作
を説明するための半導体ウェハと照射光との関係を示す
図面、および 第１０図は、第８図に示した本発明の異物検査装置の動
作を説明するための光路分離菌蓋に対する反射光の導入
状態を示す図面である。 １・・・カートリッジ送り駆動部、２・・・カートリッ
ジ、３・・・ウェハ送り部、４・・・載置台、５・・・
回転駆動機構部、６・・・水平方向送り駆動部、８・・
・偏光板、９・・・対物レンズ、１０・・・リレーレン
ズ、１１・・・照明投下用鏡、１２・・・目視検査用鏡
、１３・・・レンズ。 １４・・・アパーチャー、１５・・・光電変換器、１６
・・・電子回路装置、１９・・・ランプ、２０・・・レ
ンズ、２１・・・被検査半導体ウェハ・。 代理人　弁理士　　小　川　勝　男、　　パ〜４．−一 第１図 治 第３図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、板状物に光を照射するための光発生装置と、前記板
   状物から反射した光を偏光するための第１の偏光装置と
   、前記偏光装置を通過して得られた前記反射光を検出す
   るための検出装置と、前記光発生装置と前記板状物との
   間に、板状物へ照射する光を偏光するための第２の偏光
   装置とから成る物体表面検査装置。 ２、前記光発生装置から照射される前記光は、レーザ光
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の物
   体表面検査装置。 ３、前記検出装置は、前記偏光装置からの光を受光し、
   それを電気信号に変換するための光電変換装置を含んで
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の物体
   表面検査装置。 ４、前記光学検査装置は、さらに板状物と前記光発生装
   置との間の相対的位置関係を変化させるための駆動装置
   を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
   載の物体表面検査装置。 ５、前記光発生装置は、前記板状物の少なくとも異なる
   ２つの側面から光を照射させるための装置を含んでいる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の物体表面
   検査装置。 ６、前記被検査物体は、半導体ウェハであることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載の光学検査装置。