JPH0528758Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0528758Y2 JPH0528758Y2 JP1985028518U JP2851885U JPH0528758Y2 JP H0528758 Y2 JPH0528758 Y2 JP H0528758Y2 JP 1985028518 U JP1985028518 U JP 1985028518U JP 2851885 U JP2851885 U JP 2851885U JP H0528758 Y2 JPH0528758 Y2 JP H0528758Y2
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- JP
- Japan
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- wafer
- semiconductor wafer
- nozzle
- water
- susceptor
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体ウエハ表面処理装置、より詳し
くは半導体ウエハの前処理に用いる装置に関す
る。
くは半導体ウエハの前処理に用いる装置に関す
る。
半導体装置の製造行程においては、シリコンウ
エハ（以下ウエハという）の前処理をしなければ
ならない。その理由は、ウエハ上には重金属が付
着しており、ウエハ表面には自然に二酸化シリコ
ン（SiO2）膜が作られており（かかる酸化膜は
ネイテイブ（native）酸化膜と呼称される）、ま
たこのネイテイブ酸化膜の上には有機系汚染が付
着しているからである。かかるウエハは第３図の
部分的拡大断面図が模式的に示され、同図におい
て、２１はウエハ、符号２２を付した×印は重金
属粒子、２３はネイテイブ酸化膜、符号２４を付
した○印は有機系汚染を示す。そして、ウエハに
対し処理（ウエハプロセス）を進める前に、これ
らの重金属粒子、ネイテイブ酸化膜、有機系汚染
を除去しウエハ表面をきれいな状態すなわち前記
した付着物がない状態にすることが要求される。
エハ（以下ウエハという）の前処理をしなければ
ならない。その理由は、ウエハ上には重金属が付
着しており、ウエハ表面には自然に二酸化シリコ
ン（SiO2）膜が作られており（かかる酸化膜は
ネイテイブ（native）酸化膜と呼称される）、ま
たこのネイテイブ酸化膜の上には有機系汚染が付
着しているからである。かかるウエハは第３図の
部分的拡大断面図が模式的に示され、同図におい
て、２１はウエハ、符号２２を付した×印は重金
属粒子、２３はネイテイブ酸化膜、符号２４を付
した○印は有機系汚染を示す。そして、ウエハに
対し処理（ウエハプロセス）を進める前に、これ
らの重金属粒子、ネイテイブ酸化膜、有機系汚染
を除去しウエハ表面をきれいな状態すなわち前記
した付着物がない状態にすることが要求される。
従来のウエハ前処理は次の順序でなされた。
有機系汚染除去：
先ず、H2O2，NH4OHなどを用いて有機系
汚染を除去し、ウエハを水洗する。
汚染を除去し、ウエハを水洗する。
次に、HFを用いてネイテイブ酸化膜を除去
し、しかる後にウエハを水洗する。
し、しかる後にウエハを水洗する。
HNO3を用いて重金属粒子を除去し、ウエハ
を水洗し乾燥する。
を水洗し乾燥する。
以上の行程で前処理は終るが、各工程の後にな
される水洗には純水を用いる。
される水洗には純水を用いる。
従来の工程は上述の如く工程数が多く時間がか
かりそれが製品価格を上昇させる原因の一つであ
つた。また数種の薬品を用いるので、コストが高
くなるだけでなく、薬品の管理、作業における薬
品対策および排水処理などが難しく、使用する薬
品の純度も高度のものでなければならない。最近
は特に薬品中に含まれる粒子がウエハに取り込ま
れる逆汚染が問題となつてきている。
かりそれが製品価格を上昇させる原因の一つであ
つた。また数種の薬品を用いるので、コストが高
くなるだけでなく、薬品の管理、作業における薬
品対策および排水処理などが難しく、使用する薬
品の純度も高度のものでなければならない。最近
は特に薬品中に含まれる粒子がウエハに取り込ま
れる逆汚染が問題となつてきている。
本考案は上記問題点を解消したウエハ表面処理
装置を提供するもので、その手段は、試料となる
半導体ウエハを該半導体ウエハの表面が突出する
ように配置できるサセプタと、水のジエツト流を
噴射でき、該半導体ウエハ表面と略平行に、該半
導体ウエハ表面に吹き付けて、該半導体ウエハ表
面を削るように配置されるノズルとを有する構成
としたことを特徴とする半導体ウエハ表面処理に
よつてなされる。
装置を提供するもので、その手段は、試料となる
半導体ウエハを該半導体ウエハの表面が突出する
ように配置できるサセプタと、水のジエツト流を
噴射でき、該半導体ウエハ表面と略平行に、該半
導体ウエハ表面に吹き付けて、該半導体ウエハ表
面を削るように配置されるノズルとを有する構成
としたことを特徴とする半導体ウエハ表面処理に
よつてなされる。
上記装置においては、純水のジエツト流によつ
て前記した有機系汚染、ネイテイブ酸化膜、重金
属などを除去するだけでなく、ウエハ表面を削り
取つてきれいなウエハ面を露出するのである。
て前記した有機系汚染、ネイテイブ酸化膜、重金
属などを除去するだけでなく、ウエハ表面を削り
取つてきれいなウエハ面を露出するのである。
以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
第１図に本考案実施例が断面図で示され、同図
において、１１はウエハ、１２はウエハサセプタ
（支持部材）、１３はノズル、１４はこれら部分を
収納したカツプを示す。ノズルはそれから出る水
のジエツト流がウエハ表面に衝突するようウエハ
とほぼ同一平面にあるよう配置する。
において、１１はウエハ、１２はウエハサセプタ
（支持部材）、１３はノズル、１４はこれら部分を
収納したカツプを示す。ノズルはそれから出る水
のジエツト流がウエハ表面に衝突するようウエハ
とほぼ同一平面にあるよう配置する。
ウエハは一般に10cmφ以上のものであり、サセ
プタ１２はウエハが内部で動くことのないように
ウエハの寸法に合せた凹部１５が形成されてお
り、ウエハ１１が凹部材１５に納まつた状態でウ
エハ表面はサセプタ１２の上表面よりも上に（高
く）突出する構造とする。
プタ１２はウエハが内部で動くことのないように
ウエハの寸法に合せた凹部１５が形成されてお
り、ウエハ１１が凹部材１５に納まつた状態でウ
エハ表面はサセプタ１２の上表面よりも上に（高
く）突出する構造とする。
操作においては、ブロツク式に図示したポンプ
２０からノズル１３に純水を５Kg／cm2の圧力で供
給し、ウエハ表面に対してほぼ平行にジエツト流
（噴流）１６を加え、ウエハの表面を50〜100Å削
り、前記した有機系汚染、ネイテイブ酸化膜、重
金属粒子などが除去された汚染のないきれいな表
面を露出し、以後の処理が汚染のない単結晶のシ
リコンに対してなされるようにする。
２０からノズル１３に純水を５Kg／cm2の圧力で供
給し、ウエハ表面に対してほぼ平行にジエツト流
（噴流）１６を加え、ウエハの表面を50〜100Å削
り、前記した有機系汚染、ネイテイブ酸化膜、重
金属粒子などが除去された汚染のないきれいな表
面を露出し、以後の処理が汚染のない単結晶のシ
リコンに対してなされるようにする。
カツプ１４には排水管１７を設けて使用ずみの
純水を回収、再処理する。そのためには、以下ブ
ロツクで示す回収部１８で水を回収し、次いで再
処理部１９に送つて再処理して汚染のない純水を
ポンプ２０に供給し、このポンプ２０にノズル１
３を連結して前記した如くにジエツト水流を噴出
する。本考案実施例においては薬品は全く使用し
ないのであるから、使用ずみの水の回収および再
処理は通常の技術を用い従来の排水処理に比べて
比較的容易になされ、また大量の水を使用したと
してもそれは前記の如くにして再使用されるので
あるから、コストの大幅な上昇をもたらすことは
ない。
純水を回収、再処理する。そのためには、以下ブ
ロツクで示す回収部１８で水を回収し、次いで再
処理部１９に送つて再処理して汚染のない純水を
ポンプ２０に供給し、このポンプ２０にノズル１
３を連結して前記した如くにジエツト水流を噴出
する。本考案実施例においては薬品は全く使用し
ないのであるから、使用ずみの水の回収および再
処理は通常の技術を用い従来の排水処理に比べて
比較的容易になされ、また大量の水を使用したと
してもそれは前記の如くにして再使用されるので
あるから、コストの大幅な上昇をもたらすことは
ない。
作業自体も薬品を用いないから管理が容易であ
り、また、ウエハのサセプタへの装置、除去は自
動的になしうるので、作業性と共に安全性が向上
する。
り、また、ウエハのサセプタへの装置、除去は自
動的になしうるので、作業性と共に安全性が向上
する。
ノズル１３は、第２図ａの平面図に示される如
くウエハの直径よりやや大なる幅のものを用意し
てもよく、または同図ｂに示される如く、幅の小
なるノズルを用い、それを同図の矢印方向に移動
させまたは往復運動をなしてジエツト流がウエハ
全面を平均して走査する構成としてもよい。
くウエハの直径よりやや大なる幅のものを用意し
てもよく、または同図ｂに示される如く、幅の小
なるノズルを用い、それを同図の矢印方向に移動
させまたは往復運動をなしてジエツト流がウエハ
全面を平均して走査する構成としてもよい。
以上説明したように本考案によれば、ウエハの
表面を純水のジエツト流で削ることによつてウエ
ハの前処理が行われ、薬品を使用しないですみ、
薬品の管理、安全上の問題がなくなるので、作業
性の改善と製造歩留りの向上に効果大である。
表面を純水のジエツト流で削ることによつてウエ
ハの前処理が行われ、薬品を使用しないですみ、
薬品の管理、安全上の問題がなくなるので、作業
性の改善と製造歩留りの向上に効果大である。
第１図は本考案実施例の断面図、第２図ａとｂ
はそれぞれ第１図の装置のノズルとウエハを示す
平面図、第３図は前処理をなす前のウエハの部分
的拡大断面図である。 図中、１１はウエハ、１２はサセプタ、１３は
ノズル、１４はカツプ、１５はサセプタの凹部、
１６はジエツト流、１７は排水管、１８は水の回
収部、１９は再処理部、２０はポンプ、をそれぞ
れ示す。
はそれぞれ第１図の装置のノズルとウエハを示す
平面図、第３図は前処理をなす前のウエハの部分
的拡大断面図である。 図中、１１はウエハ、１２はサセプタ、１３は
ノズル、１４はカツプ、１５はサセプタの凹部、
１６はジエツト流、１７は排水管、１８は水の回
収部、１９は再処理部、２０はポンプ、をそれぞ
れ示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 試料となる半導体ウエハを該半導体ウエハの表
面が突出するように配置できるサセプタと、 水のジエツト流を噴射でき、該半導体ウエハ表
面と略平行に、該半導体ウエハ表面に吹き付け
て、該半導体ウエハ表面を削るように配置される
ノズルと を有する半導体ウエハ表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028518U JPH0528758Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985028518U JPH0528758Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144636U JPS61144636U (ja) | 1986-09-06 |
| JPH0528758Y2 true JPH0528758Y2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=30526465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985028518U Expired - Lifetime JPH0528758Y2 (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528758Y2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999480A (ja) * | 1973-01-02 | 1974-09-19 | ||
| JPS5493972A (en) * | 1978-01-06 | 1979-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | Etching unit of semiconductor element |
| JPS5580319A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-17 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5844838B2 (ja) * | 1979-08-06 | 1983-10-05 | 鈴木シヤツタ−工業株式会社 | シャツタ−の随時閉鎖手動操作箱 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5844838U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | 三菱電機株式会社 | ウエ−ハ洗浄乾燥装置 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP1985028518U patent/JPH0528758Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999480A (ja) * | 1973-01-02 | 1974-09-19 | ||
| JPS5493972A (en) * | 1978-01-06 | 1979-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | Etching unit of semiconductor element |
| JPS5580319A (en) * | 1978-12-12 | 1980-06-17 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5844838B2 (ja) * | 1979-08-06 | 1983-10-05 | 鈴木シヤツタ−工業株式会社 | シャツタ−の随時閉鎖手動操作箱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144636U (ja) | 1986-09-06 |
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