JP2005244130A

JP2005244130A - 基板処理法及び基板処理装置

Info

Publication number: JP2005244130A
Application number: JP2004055464A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Sakamoto; 昌稔坂本
Original assignee: SES Co Ltd
Current assignee: SES Co Ltd
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-02-27
Publication date: 2005-09-08

Abstract

【課題】複数枚の基板の表面処理を効率よく均一に行うことができる基板処理法及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】次の各工程を含む基板処理法、
（１）起立し等間隔の隙間を空けて保持された複数枚の基板Ｗを薬液処理する工程、
（２）前記基板Ｗを前記薬液槽から引き上げ、洗浄槽３０へ搬送する工程、
（３）前記搬送に連動させて、前記洗浄槽３０の基板収容口の上部に、所定の間隔を空けて設けられた複数個の噴射口を有する第２噴射ノズル４１，４２からリンス液をほぼ水平方向へ噴射させ、上記基板収容口の上部にリンス液シャワーゾーンを形成する工程、
（４）前記搬送された基板Ｗを、基板表面が前記噴射されたリンス液に平行に接触するように前記シャワーゾーンを通過させて、前記洗浄槽３０へ浸漬する工程、
（５）前記基板Ｗを洗浄槽３０内に浸漬した後に、前記第１噴射ノズル３５_１〜４から更にリンス液を噴射させて洗浄する工程。
【選択図】図８

Description

この発明は、基板処理法及び基板処理装置に係り、詳しくは、複数枚の基板の表面処理を効率よく均一に行うことを可能にした基板処理法及び基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、記録ディスク用基板、或いはマスク用基板等の各種基板（以下、基板という。）は、その表面を清浄及び均一にするために、基板表面を各種の薬液によって処理した後に、純水によって洗浄し、更に有機溶剤を用いた乾燥が行われている。
このような基板処理法は、通常、枚葉方式とバッチ方式とに大別される。このうち枚葉方式は、基板一枚毎を個別に処理するので生産効率が低いもののきめ細かな洗浄ができ、またバッチ方式は、一回に多数枚の基板を処理でき、処理能力が高いという特徴をそれぞれ有している。

図１は、バッチ方式を採用した周知の基板処理装置を示す概略断面図である。
この基板処理装置１０は、複数個の基板処理槽（以下、処理槽という。）１１〜１７を備え、各処理槽には異なる種類の薬液Ａ〜Ｃ及びリンス液が貯留され、基板Ｗは、第１処理槽１１から第６処理槽１６に順に浸漬されて、基板表面の汚染物質の除去、酸化膜の除去、或いはレジスト膜剥離等の一連の処理が行われる。
すなわち、先ず、基板Ｗは、薬液Ａが貯留された第１処理槽１１に所定時間浸されて所定の表面処理が行われる。この薬液処理が終了した後に、基板Ｗは処理槽１１から引き上げられ、例えばロボットを用いた搬送機構等（図示省略）により、リンス液が貯留された第２処理槽１２へ搬送され、この処理槽１２に所定時間浸されて洗浄が行われる。
この洗浄が終了した後に、基板Ｗが処理槽１２から引き上げられ、搬送機構により、薬液Ｂが貯留された第３処理槽１３へ搬送され、この処理槽１３に所定時間浸されて所定の表面処理が行われる。
以下同様の順序で、基板Ｗは第４〜第６処理槽に順に浸漬され、リンス液による洗浄、薬液Ｃによる処理が繰り返し行われ、乾燥処理部である最終の第７処理槽１７において、乾燥処理が行われる。
薬液Ａ〜Ｃには、例えばアンモニアと過酸化水素との混合物、フッ酸（ＨＦ、ＤＨＦ）、塩酸と過酸化水素との混合物等が使用されている。また、リンス液には純水が使用されている。

ところが、バッチ方式を採用した基板処理装置は、一つの処理槽で基板の処理が終了すると、その基板は、この処理槽から引き上げられ搬送機構により隣接する次の処理槽へ順々に搬送される。このとき、基板は、薬液や純水（以下、処理液という。）が付着したまま空気に晒されながら搬送される。
このため、処理液が付着した基板Ｗが空気に晒されると、処理液と空気中の酸素とが反応し、基板表面が変質される。例えば、シリコンからなる基板は純水が付着したまま空気に晒されると、シリコンと空気中の酸素とが反応して純水の液滴と基板との境界に不要な自然酸化膜が生じる。その結果、基板に付着した純水を乾燥処理により取り除いても純水が付着していた痕跡がウォータマークとして残存してしまう。
そこで、ウォータマークの発生がないようにした基板洗浄装置が種々開発され、特許文献にも紹介されている。（例えば、下記特許文献１、２参照。）。

図１２は、下記特許文献１に記載された洗浄装置の概略正面図である。
この洗浄装置は、基板１１０を収容する基板カセット１１１と、薬品処理を行う薬液処理槽１１２と、薬液処理後の流水洗浄を行う流水洗浄槽１１４と、基板１１０の収納状態で基板カセット１１１を薬液処理槽１１２から流水洗浄槽１１４に搬送する搬送アーム１１５と、乾燥防止用のシャワー水１１７を吐出するシャワーノズル１１６とから構成されている。
この洗浄装置による基板の表面処理は、先ず、基板１１０が基板カセット１１１に収納されて薬液処理槽１１２に浸漬され有機物又は金属汚染等が取り除かれる。次いで、薬液処理槽１１２で処理された基板１１０は、搬送アーム１１５により流水洗浄槽１１４へ搬送される。このとき、搬送と同時にシャワーノズル１１６からシャワー水１１７が吐出され、基板１１０の表面をシャワー水で濡らしながら流水洗浄槽１１４へ搬送されるようになっている。

また、下記特許文献２に記載された基板処理装置は、処理槽から処理液が排液される際に、基板にリンス液が噴射されるようになっている。
更に、下記特許文献３に記載された基板処理装置では、複数処理部のうち、少なくとも２つの処理部間における搬送途上の基板に向けて純水が噴射されるようになっている。

これらの基板処理装置のうち、下記特許文献１に記載された装置によれば、基板が処理槽１１２から出た瞬間にシャワーノズル１１６からシャワー水１１７が吐出されるので、基板１１０の表面が乾燥されることなく、基板への付着異物を低減することができる。
また、下記特許文献２に記載された装置によれば、処理槽から処理液が排液される際に、基板にリンス液が噴射されるので、基板への付着異物を低減でき、乾燥しても表面にしみが生じることがなくなる。
更に、特許文献３に記載された装置によれば、基板は純水が流下することにより洗浄されつつ搬送されるので、基板の表面に純水の液滴が定常状態に付着することなく、基板表面にウォータマークが発生することがなくなる。

しかし、これらの基板処理装置は、何れも基板の搬送中において基板が乾燥し、この乾燥によりウォータマークの発生を防止するもので、薬液処理後における基板表面の均一化については何ら考慮されていない。
また、処理槽内において均一化を図るようにした基板処理法も知られている。例えば、処理液が処理槽内では円滑に還流せず、一部に滞留する、いわゆるよどみ現象が発生するので、処理槽内への処理液の供給を選択的に切換えて、処理液の様々な流れを形成することによって、よどみ発生を抑制する基板処理法が知られている。（例えば、特許文献４参照。）。
また、供給ノズルから処理槽内へ供給される処理液の流れが不均一になるので複数のスリット孔を有する板状部材を用いて処理槽内の処理液を整流させて、基板に対する薬液処理や洗浄処理等の不均一を抑制する基板処理法も知られている。（例えば、特許文献５参照。）。
ところが、これらの基板処理法においても、複数枚の基板の表面処理を効率よく均一に行うには十分でない。以下、この点を詳述する。

現在、洗浄工程において最も効率の良い洗浄方法としてＱＤＲ（quick dump rinse）方式の洗浄方法が知られている。この方式はバッチ式の基板処理工程において利用されるものであり、洗浄槽に搬入された複数枚の基板を一定時間洗浄槽で洗浄した後、洗浄槽内のリンス液を急速に排出し、排出終了後、再び洗浄槽内にリンス液を貯留し洗浄を行う方法であり、この方法を利用すると、搬送時に基板に付着して洗浄槽へ多量に持ち込まれた薬液をリンス液と同時に排出するため、この処理を複数回行う事により効率の良い基板表面の洗浄を行うことができる洗浄方式である。

ところが、このＱＤＲ方式により基板洗浄を行う場合、フッ酸系の薬液を使用すると、洗浄槽内のリンス液を急速排出する際にリンス液（例えば純水）が絶縁体であるために、基板表面に摩擦が発生し、それによって基板表面に静電気を生じることがある。基板表面に静電気が発生すると集塵現象が起こり、基板表面に微細な塵が付着し、それによって基板表面が汚染されてしまう危険性がある。更に、洗浄槽に貯留されたリンス液を下部排出口から急速排出するため、排出途中でリンス液の液面が基板表面を通過し、液面に浮遊した多数の塵等のゴミを排出過程で基板表面に付着してしまう可能性もある。そのため、ＱＤＲ方式による基板洗浄が行えない場合は、一般に急速排出を行わず、処理槽内にリンス液を供給しつづけ、処理槽内の薬液の混在したリンス液をオーバーフローさせることによりリンス液の循環を行って洗浄するようになっている。しかしながら、この方法により洗浄を行うと、ＱＤＲ方式に比べ処理液内の薬液濃度の低下速度が極端に遅く、特に複数枚の基板を搬入し、基板表面の洗浄を行う際には、個々の基板間の隙間が非常に狭く、リンス液がその隙間を十分に循環しないため、基板間の隙間でリンス液及び薬液が滞留し、基板の表面処理にムラが生じてしまうという問題点があった

図１３は、エッチング処理した基板表面の状態を模式的に示した正面図である。例えばフッ酸系のエッチング液を用いて基板表面のエッチングを行う場合、フッ酸の濃度に比例して処理スピードが速くなり、その基板表面は、図１３に示すように、中央部Ｘがその周辺の中間部Ｙに比べてエッチングがより進行し、外周部Ｚが中間部Ｙに比べてエッチングが抑制される。つまりエッチング液が高濃度であればあるほど基板表面が均一に処理されない。
この不均一性の原因のひとつは、基板表面に薬液が不均一に付着しており、この不均一に付着している薬液が洗浄工程において素早く取り除かれずに、基板表面に局部的に残留していることにある。

特に、多くの基板を一度に洗浄しようとすると、洗浄槽内におけるリンス液の循環流では所定間隔をおいて載置された基板の隙間部分をリンス液がスムーズに通過せずに滞留してしまい、短時間の洗浄では基板の隙間の特に中央部Ｘ付近に付着している薬液を洗い落とすまでに至らないため長時間の処理が必要となる。その間、前記隙間部分には薬液が滞留したまま放置された状態となるため、大量のリンス液を洗浄槽へ供給し洗浄を行っても、この間に基板中央部の薬液反応が進行し、結果として、中央部Ｘの薬液処理が中間部Ｙ及び外周部Ｚに比べて長く行われ、その処理がエッチングの場合は、エッチングにより削られる基板表面が必要以上に深くエッチングされてしまうことになる。反対に基板の外周部Ｚにおいては、洗浄槽が搬入等を行うために基板よりも大きく形成されており、その為処理槽内に載置される基板と処理槽の側壁との間隔が、前記基板間の隙間に比べて広く空いていることから、リンス液の循環が良好に行われている基板と洗浄槽の側壁との間隔部分に近接している外周部Ｚに付着した薬液は短時間で洗い落とされ、例えばエッチング処理の場合は、エッチングにより削られる基板表面が、中央部Ｘ及び中間部Ｙに比べて浅くエッチングされる傾向がある。
このような個々の基板に生じる表面処理の不均一性は、エッチング処理に限らず、他の薬液による処理でも同様に起っている。

ところが、最近では一度に大量の基板を処理するために、基板間の隙間は極めて狭くなって来ているので、この隙間に付着した薬液の除去は益々難しくなり、基板表面の不均一性が増大する傾向にある。また、基板に付着した薬液は、搬送中に基板の上部から下部領域に流れ落ち、下部領域に多く集中し、基板の上下領域でも付着薬液量が異なっている。そのため、薬液量が多い下部領域は、その他の領域、すなわち上部或いは中部領域より薬液反応がより一層進行し、基板表面を不均一にする要因ともなっている。
更に、この不均一性の課題は、複数枚が併設された基板列においても存在している。例えば、基板列の中央部と端部に位置する基板間でも基板表面の薬液処理の度合いに差が生じてしまう。

上述のような問題点に関しては、下記特許文献に記載された基板処理装置及び基板処理法では、これらの課題認識はされておらず、対策も示されていない。
なお、これらの基板処理装置のうち、下記特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板が処理槽から出た瞬間にシャワーノズルからシャワー水が吐出されるようになっているが、このシャワー水はあくまでも基板表面の乾燥防止を目的とするもので、乾燥防止用のシャワー水は、通常、霧状散布が普通であり、このような乾燥防止用のシャワー水によって、大量の薬液を洗い落とすことはできず、結局、この装置では、洗浄槽に大量の薬液を持ち込んでしまうことになる。

特開平４−２５９２２２号公報（図２、段落［００２４］〜［００２７］）特開平４−３３６４３０号公報（図１、段落［００１３］〜［００１５］）特開２０００−１００７６６号公報（図１、段落［００４３］、［００４４］）特開２００１−２７４１３３号公報（図３、段落［００３９］〜［００４２］）特開２００１−１１０６０７号公報（図１、段落［００２２］〜［００２７］）

ところで近年、半導体デバイスの高密度化及び高精細化が進展している。その一方で基板処理においては、処理性能及び効率の向上、並びに処理装置の小型化、低価格化が要求されている。
そこで、本発明者は、このような状況を踏まえ、処理性能及び効率の向上、装置の低価格化等の要求に対しては、これまでの基板処理法及び基板処理装置、例えば処理槽内において処理液のよどみ現象を抑制するだけではこれらに要求に対応できず、基板の搬送過程を含めた対応が必要であることに着目し、種々の対応策を検討した結果、搬送過程を含めた処理工程において、薬液とリンス液との置換を迅速に行うことにより、上記の各要求、特に、より高精度の均一化が達成できることを突き止め、本発明を完成するに至ったものである。

そこで、この発明の目的は、複数枚の基板の表面処理を効率よく均一に行うことができる基板処理法を提供することである。

この発明の他の目的は、簡単な構成で複数枚の基板の表面処理を効率よく均一に行うことができる基板処理装置を提供することである。

本願の請求項１に係る発明の基板処理法は、次の（１）〜（５）の各工程を含むことを特徴とする。
（１）起立した姿勢でほぼ等間隔の隙間を空けて保持された複数枚の基板を薬液槽内の薬液に浸漬して処理する薬液処理工程。
（２）前記処理が終了した後に、前記基板を前記薬液槽から引き上げ、予めリンス液が満たされ、更に槽内第１噴射ノズルからリンス液を供給することにより、リンス液がオーバーフローした状態の洗浄槽へ搬送する搬送工程。
（３）前記基板の搬送に連動させて、前記洗浄槽の基板収容口の上部に、所定の間隔を空けて設けられた複数個の噴射口を有する第２噴射ノズルからリンス液をほぼ水平方向へ噴射させ、上記基板収容口の上部にリンス液シャワーゾーンを形成するシャワーゾーン形成工程。
（４）前記搬送された基板を、それぞれの基板表面が前記噴射リンス液に平行に接触するように前記シャワーゾーンを通過させて、前記洗浄槽内のリンス液へ浸漬する槽外シャワー洗浄工程。
（５）前記基板を前記洗浄槽内のリンス液に浸漬した後に、前記第１噴射ノズルから更にリンス液を噴射させて洗浄する槽内洗浄工程。

本願の請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理法に係り、前記第２噴射ノズルの各噴射口は、所定間隔の複数の水平線上に、それぞれ前記基板の隙間とほぼ同一間隔に設けられていることを特徴とする。

本願の請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の基板処理法に係り，前記第２噴射ノズルは、前記洗浄槽の基板収容口の上方両側部に対向して設けられ、前記両側部の前記第２噴射ノズルから噴射されるリンス液によってシャワーゾーンが形成されることを特徴とする。

本願の請求項４の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の基板処理法に係り、前記洗浄槽の基板収容口の上部と前記第２噴射ノズルとの間で形成されるシャワーゾーンにおける垂直方向の幅長は、前記基板直径の二分の一以下の長さであることを特徴とする。

本願の請求項５の発明は、請求項１に記載の基板処理法に係り、前記洗浄槽の内槽には、前記洗浄槽の基板収容口部と底部との間の内周壁面に、前記基板の隙間に向けてリンス液を噴射する第３噴射ノズルが対向して設けられ、前記第３噴射ノズルは、前記（４）の工程において、前記基板の下端部が前記洗浄槽内のリンス液に浸漬された時点から、リンス液を前記基板に向けて噴射することを特徴とする。

本願の請求項６の発明は、請求項１に記載の基板処理法に係り、前記薬液は、フッ酸系のエッチング液であることを特徴とする。

本願の請求項７の発明は、請求項１に記載の基板処理法に係り、前記工程（２）における搬送速度は、２４０ｍｍ／ｓｅｃ以上であることを特徴とする。

本願の請求項８の発明は、請求項１に記載の基板処理法に係り、第１噴射ノズルは、前記洗浄槽の底部に複数個設けられ、これらの噴射ノズルから前記基板のほぼ中心部に向けてリンス液が噴射されることを特徴とする。

本願の請求項９に係る発明の基板処理装置は、起立した姿勢でほぼ等間隔の隙間を空けて保持された複数枚の基板を収容でき、底部に第１噴射ノズルを有する内槽と、前記内槽の上部周辺に設けられて内槽から溢流するリンス液を受け止める外槽とからなる洗浄槽を備えた基板処理装置において、
前記洗浄槽の基板収容口の上方側部に第２噴射ノズルを設け、前記第２噴射ノズルは、所定の太さ及び長さを有した中空の管状体に、その長手軸方向に前記基板の隙間とほぼ同一間隔に形成された小孔からなる複数個の噴射口を、前記長手軸方向と直交する方向に複数段有するものからなり、前記第２噴射ノズルは、それぞれ各噴射口が前記基板の隙間を向いて支持され、前記基板が洗浄槽へ収容される直前の位置まで下降したときに、前記各噴射口から前記基板の隙間に向かってほぼ水平方向の処理液を噴射することを特徴とする。

本願の請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置に係り、前記第２噴射ノズルは、前記洗浄槽の基板収容口の上方両側部に、対向して配設されていることを特徴とする。

本願の請求項１１の発明は、請求項９又は１０に記載の基板処理装置に係り、前記第２噴射ノズルは、前記外槽の上部からおよそ前記基板の直径の二分の一に相当する長さ上方に離れた位置に設置されていることを特徴とする。

本願の請求項１２の発明は、請求項９〜１１の何れか１項に記載の基板処理装置に係り、前記第２噴射ノズルは、噴射口の方向を変更できるように回動自在に支持されていることを特徴とする。

本願の請求項１３の発明は、請求項９に記載の基板処理装置に係り、前記洗浄槽の内槽には、前記洗浄槽の基板収容口部と底部との間の内周壁面に、前記基板の隙間に向けてリンス液を噴射する第３噴射ノズルが対向して配設されていることを特徴とする。

本願の請求項１４の発明は、請求項９に記載の基板処理装置に係り、前記第１噴射ノズルは、それぞれ前記基板のほぼ中心部に向けてリンス液を噴射することを特徴とする。

本願の請求項１５の発明は、請求項１４に記載の基板処理装置に係り、前記第１噴射ノズルは、噴射口の方向を変更できるように回動自在に支持されていることを特徴とする。

請求項１の発明によれば、薬液槽から引き上げられ、洗浄槽へ搬送される基板に大量の薬液が付着しているが、リンス液シャワーゾーンを通過する際に、第２噴射ノズルから噴射されるリンス液が基板間の隙間を通過し、基板に付着した薬液は大半、特に、大粒の薬液は殆ど洗い落され、洗い落とされた薬液は、直ちにオーバーフローされているリンス液と共に洗浄槽の外へ排出される。
その結果、洗浄槽へ持ち込まれる薬液量は極めて少なくなり、洗浄槽内のリンス液の濃度変化が僅少になる。このため、洗浄槽内では付着薬液量が少なくなった基板を理想的な状態で洗浄処理ができるので、薬液を洗い落す洗浄時間を短縮でき、同時に基板表面を均一に処理することが可能になる。

請求項２の発明によれば、複数個の噴射口から噴射されるリンス液が基板間の隙間にスムーズに入り込むようになり、効率よく基板をシャワー洗浄することが可能になる。

請求項３の発明によれば、洗浄槽の基板収容口の上方両側部に対向して設けられた第２噴射ノズルから噴射されるリンス液によってシャワーゾーンが形成されるので、複数枚の基板がこのシャワーゾーンを通過する際に、両側部の噴射口から噴射されたリンス液は、基板間にあって基板のほぼ垂直中心線上で衝突し、この衝突によりリンス液は放射状の散乱流となって基板面に接触して、基板に付着している薬液を効率よく洗い流すことが可能になる。また、この洗浄槽外に形成されるシャワーゾーンにおいて、洗浄槽内でリンス液が循環しにくい基板中央部に、より多くのリンス液が流れ落ちることにより、中央部の付着薬液がその周辺部より減少して、洗浄槽内の洗浄工程と合わせてトータル的により均一な洗浄処理が可能になる。

請求項４の発明によれば、基板に付着した薬液を効率よく洗い落とすことが可能になる。すなわち、薬液槽から引き上げられ、洗浄槽へ搬送される基板には、大量の薬液が付着しているが、洗浄槽への搬送過程においてリンス液を所定の幅長で噴射すれば、リンス液は基板表面に接触し、基板を伝って下部に流れるため、搬送過程で重力により下端部に集中して付着した薬液も良好に洗い落とせるようになり、リンス液の幅長を基板の直径の２分の１以下としたとしても、シャワーゾーンによるシャワー洗浄を良好に行うことができ、大量のリンス液の噴射を行う必要はない。

請求項５の発明によれば、上記のシャワー洗浄に引き続いて基板を洗浄できるので、シャワー洗浄で残った薬液をこの第３噴射ノズルの洗浄により効率的に洗い落とすことが可能になる。

請求項６の発明によれば、例えば薬液にエッチングスピードの速いフッ酸系のエッチング液を使用しても、洗浄槽内のリンス液に浸漬される前に、大半のエッチング液が洗い落とされているので、個々の基板表面の不均一性が僅少になり、基板間のバラツキも少なく均一な処理が可能となる。

請求項７の発明によれば、基板に付着した薬液は重力により基板の下端部へ流れ落ち、下端部に溜まり、基板の上部及び下部で薬液の付着量が異なっている。しかし、基板の搬送スピードを従来装置における２３０ｍｍ／ｓｅｃより速くすることにより、基板表面の上下間での薬液反応差を僅少にできる。したがって、基板表面の薬液の反応スピードもほぼ同じになり、個々の基板表面の不均一性がなくなり、基板間のバラツキもなく均一な処理が可能となる。

請求項８の発明によれば、予め洗浄槽に貯留されたリンス液は、洗浄槽の底部に設けられた第１噴射ノズルから噴射されるリンス液により、槽内で効率よく循環し、複数枚の基板を効率よく洗浄することができる。つまり、洗浄槽での洗浄過程でリンス液の循環が滞る基板中央部に向けてリンス液を噴射することにより基板中央部のリンス液の循環を促し、基板表面のより均一な処理を可能とする。

請求項９の発明によれば、洗浄槽の基板収容口の上方側部に第２噴射ノズルを設ける簡単な構成により、洗浄槽に収容される前に基板の洗浄を効率よく行うことができる。したがって、基板に付着している薬液によって起る基板表面の薬液反応を洗浄槽に収容する前に抑制することができる。また、洗浄槽に収容される前に薬液が洗浄されるので、洗浄槽へ持ち込まれる薬液が少なくなり、処理液が安定した状態で均一な処理を短時間で行うことが可能になる。
また、第２噴射ノズルは、所定の太さ及び長さを有する中空の管状体を加工することにより形成できるので、構造が簡単で安価に製作でき、既存の基板処理装置にも簡単に組み込むことができる。また、第２噴射ノズルにより、洗浄槽に搬入する前に個々の基板表面に付着した薬液を洗い落とすことにより、従来洗浄槽内でのよどみ発生の問題から所定の隙間を設ける必要があったものが、基板間の隙間を狭くできるようになり、装置の小型化が可能になる。
その結果、既存の基板処理装置に第２噴射ノズルを追加することにより、安価で且つ簡単に洗浄性能の向上を図ることが可能となる。

請求項１０の発明によれば、リンス液を基板の両端から基板の中心部に向けて、両端からほぼ水平に噴射させることが可能になる。これにより、噴射されたリンス液は基板の隙間に入り込み、基板のほぼ中心線部付近で衝突し、この衝突によりリンス液は放射状の散乱流となって、基板面に接触するため、基板に付着している薬液を効率よく洗い流すことが可能になる。

請求項１１の発明によれば、基板に付着した薬液を効率よく洗い落とすことが可能になる。すなわち、薬液槽から引き上げられ、洗浄槽へ搬送される基板には、大量の薬液が付着しているが、洗浄槽への搬送過程においてリンス液を所定の幅長で噴射すれば、リンス液は基板表面に接触し、基板を伝って下部に流れるため、搬送過程で重力により下端部に集中して付着した薬液も良好に洗い落とせるようになり、リンス液の幅長を基板の直径の２分の１以下としたとしても、シャワーゾーンによるシャワー洗浄を良好に行うことができ、大量のリンス液の噴射を行う必要はない。

請求項１２の発明によれば、基板が洗浄槽に収容される位置及び基板の保持状態等に応じて噴射ノズルの噴射口を変更できるので洗浄条件が異なっても速やかに対処でき、洗浄処理を効率よく行うことができる。

請求項１３の発明によれば、第３噴射ノズルを設けることにより、この噴射されるリンス液によって、洗浄槽に基板が収容された初期の段階から洗浄が可能となるので、基板に付着した薬液を効率よく迅速に洗い落とすことが可能になる。また、洗浄槽内のリンス液のオーバーフローを助けるため、シャワーゾーンを通過する基板に接触し、洗浄槽へ落下してくるリンス液あるいは薬液をより効率よく槽外へ流し出すことができるようになる。

請求項１４の発明によれば、予め洗浄槽に貯留されたリンス液は、洗浄槽の底部に設けられた第１噴射ノズルから供給されるリンス液により、槽内で効率よく循環し、基板支持機構に保持された複数枚の基板を効率よく洗浄することが可能になる。つまり、洗浄槽での洗浄過程でリンス液の循環が滞る基板中央部に向けてリンス液を噴射することにより基板中央部のリンス液の循環を促し、基板表面のより均一な処理を可能としている。

請求項１５の発明によれば、洗浄槽に収容される基板の状態に応じて、噴射ノズルの噴射口を変更できるので洗浄条件が異なっても速やかに対処でき、洗浄処理を効率よく行うことが可能になる。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面を参照しながら説明する。但し、以下に説明する実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための基板処理法及び基板処理装置を例示するものであって、本発明をこれらに限定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適用し得るものである。

図１は、本発明の基板処理装置の全体構成の概要を説明する概略図である。なお、この図は、前記背景技術の説明で用いた基板処理装置と概要は同じである。
図２は図１における一つの洗浄槽と基板集合体との関係を示した断面図、図３は図２の関係を別の角度からみた断面図、図４は図２の基板処理装置を上部から見た概略平面図、図５は噴射ノズルを示し、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は正面図、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す概略断面図、図６は処理槽へ基板が収容される過程を説明する断面図、図７は処理槽へリンス液を供給するタイミングを示すタイミングチャート、図８は処理槽に設けられた複数のノズルから噴射されるリンス液の噴射方向を説明する断面図である。

この基板処理装置１０は、図１に示すように、所定の間隔を空けて併設された複数個の処理槽１１〜１７と、付属機構とを備えている。付属機構は、例えば各処理槽への処理液供給機構、各処理槽に貯留された処理液を排出する排出機構、及び基板を搬送する搬送ロボット等からなる。なお、これらの付属機構は、この種の基板処理装置において既に公知であるので、図示及び説明を省略する。
これらの処理槽のうち、処理槽１１、１３、１５には、薬液Ａ、Ｂ、Ｃがそれぞれ貯留され、他の処理槽１２、１４、１６にはリンス液が貯留される。
基板Ｗは、各処理槽１１〜１６に順に浸漬され基板表面の汚染物質の除去、酸化膜の除去、或いはレジスト膜剥離等の一連の処理が行われる。

各処理槽間への基板Ｗの搬送及び浸漬等は、搬送ロボット（図示省略）によって行われる。この搬送ロボットは、従来のものよりより速いスピードが出せるものを使用することが好ましい。ちなみに、従来の装置に使用されている搬送ロボットは、概ね２３０ｍｍ／ｓｅｃ程度のものであるので、これより速い、例えば２４０ｍｍ／ｓｅｃ以上のものを使用する。
各処理槽１１〜１６への薬液、リンス液等の供給は、薬液及びリンス液供給源からの供給管を通して供給される。また、各処理槽１１〜１６に貯留された薬液、リンス液の排出は、排出管を通して行われる。図１では、これらの供給管及び排出管は省略されている。また、処理槽１７は、基板Ｗの乾燥を行う処理槽である。
上記薬液Ａ、Ｂ、Ｃには、アンモニアと過酸化水素との混合物、フッ酸（ＨＦ：Hydrofluoric Acid、ＤＨＦ：Diluted Hydrofluoric Acid）、塩酸と過酸化水素の混合物等が使用される。また、上記リンス液は、純水である。各処理槽１１〜１６には、これらの薬液、リンス液が貯留されて、基板表面の汚染物質の除去、酸化膜の除去、或いはレジスト膜剥離等の一連の処理が行われる。なお、以下の説明では、これらの薬液Ａ、Ｂ、Ｃを単に薬液と称して説明する。

基板Ｗは、各処理槽１１〜１７に基板支持機構２０で把持されて搬送ロボットＲによって搬送される。基板支持機構２０は図２に示すように、複数の基板Ｗ両側部を対向する２つのアームにより把持し、各処理槽へ搬送するチャック２１と、各処理槽内に設けられたガイド２２からなり、チャック２１及びガイド２２は複数枚の基板Ｗを所定ピッチで等間隔に併設され起立した姿勢で把持する。この基板支持機構２０は、例えば基板直径が２００ｍｍ或いは３００ｍｍを５０枚或いは５２枚、約５ｍｍピッチで併設した状態で把持する。また、基板支持機構２０のチャック２１は、昇降機構（図示省略）に連結され、各処理槽への挿入あるいは引上げを行う。この昇降機構は搬送ロボットＲに連結されている。

複数個の処理槽１１〜１７は、図２〜４に示すように、何れも薬液、又はリンス液が貯留した状態で複数枚の基板Ｗ及び基板支持機構２０を収容できる大きさを有している。その形状は、基板支持機構２０の外形形状に合わせて、細長な箱状の容器で形成される。この容器は、図３に示すように、上部に矩形状の収容口が形成され、有底であって、その底部中央部が若干底深になっている。
これらの処理槽のうち、リンス液が貯留される処理槽１２、１４、１６は、いずれも同一形状を有し、そのうちの１個の処理槽を以降の図面において洗浄槽３０として示す。なお、薬液が貯留される処理槽１１、１３、１５を薬液槽という。
洗浄槽３０は、例えば図２、３に示すように、リンス液を貯留する内槽３１と、この内槽３１の上部周辺に設けられて内槽の上端からオーバーフローするリンス液を受け止める外槽３２とで構成される。
内槽３１は、上部に基板等を収容できる大きさの収容口を有している。また、内槽３１の底部３１_１の底深な中央部及び外槽３２の底部３２_１の底深部には、それぞれリンス液を排出する排液口３１_２、３２_２が形成される。また、内槽３１の底部３１_１には、リンス液を供給する複数個の第１噴射ノズル３５_１〜３５_４が形成される。第１噴射ノズル３５_１〜３５_４は、リンス液を所定の方向へ噴射できる噴射口を複数個有し、洗浄槽３０にリンス液を供給するようになっている。この第１噴射ノズル３５_１〜３５_４は、回動自在なものを使用することが好ましい。回動自在にすることにより、収容された基板の状態に応じて適確にリンス液を噴射させることが可能となる。
これらの排液口３１_２、３２_２及び第１噴射ノズル３５_１〜３５_４には、それぞれ排出管３４及び供給管（図示省略）が連結され、これらの排液管３４及び供給管は、図示されていない排液処理設備及び処理液供給源に接続される。

洗浄槽３０上部の収容口の両側部には、図３、４に示すように、それぞれ第２噴射ノズル４１、４２が配設される。
これらの第２噴射ノズル４１、４２は、搬送される基板Ｗの基板面に対して直交する方向に設けられており、基板Ｗが昇降機構により下降され、基板Ｗの下端部が第２噴射ノズル４１、４２近傍に近づいたときにリンス液の噴射を開始し、洗浄槽３０の上部にシャワーゾーンを形成する。各第２噴射ノズル４１、４２が設けられる位置は、例えば基板Ｗの直径が２００ｍｍの場合は外槽３２の上部開口の先端部から１００ｍｍ離れた位置に設けることが好ましいが、外槽３２の上部開口の先端部から２０〜４０ｍｍ離れた位置であってもよい。

このシャワーゾーンの幅、すなわち、洗浄槽３０と各第２噴射ノズル４１、４２との間隙は、比較的狭くなっているが、基板Ｗが処理槽に収容される直前のＢ位置（図６参照）では、基板Ｗ表面に付着した薬液は、搬送中に重力により下端部に集中しているので、この薬液が集中している領域の幅があれば、効率よく基板に付着した薬液を洗い流すことが可能になるので、狭い幅長でも十分な効果を奏する。ただしこの幅長は、基板の大きさ、基板間の隙間、処理効率を勘案して決められる。
また、各第２噴射ノズル４１、４２は、回動自在に支持機構（図示省略）に固定される。この回動自在の固定により、基板間の隙間との調整、基板への噴射位置の変更等が容易になる。

各第２噴射ノズル４１、４２は、いずれも同一形状を有し、そのうちの１本の第２噴射ノズル４１（４２）を図５に示す。
第２噴射ノズル４１（４２）は、図５（ａ）に示すように、所定の直径を有する管状体からなり、外周面に複数個の小孔が長手軸方向に複数段整列して設けられる。
複数個の小孔４５_１１〜４５_ｍｎは、図５（ｂ）に示すように、長手軸方向、すなわち行方向に基板Ｗの隙間と同一間隔で基板Ｗの枚数より少なくとも１つ多く形成される。例えば基板を５０枚洗浄槽に搬入する際は、行方向に設ける小孔の個数ｍを５１個以上とする。行方向の間隔は、基板Ｗ間の間隔と同じ、例えば５．０ｍｍである。また、長手軸方向と直交する方向、すなわち列方向にも前記行方向に設けた小孔４５_１１〜４５_ｍｎを複数段設ける。ちなみに、列方向に設ける小孔４５_１１〜４５_ｍｎの個数ｎは３〜５個が好ましい。

列方向の小孔は、管状体の中心部から、所定の角度θをなす箇所に設けられる。その角度θはほぼ２０°が好ましい。また各小孔４５_１１〜４５_ｍｎの大きさは、直径１．０ｍｍ程度が好ましい。ちなみに図５においては、図５（ｃ）に示すように基板の通過する方向に向かって、水平方向を基準とし、上下に２０°おきに合計４個の小孔が形成されたものを示している。ただし、角度、直径はこれらの値に限定されず、また、第２噴射ノズルは洗浄槽の両側部に配設することが好ましいが、一側部に１本設けるようにしてもよい。

図６は、リンス液が貯留された洗浄槽３０に基板Ｗが浸漬される過程を示した断面図である。なお、この図では、搬送ロボット及び基板支持機構等は省略されている。
薬液による処理が終了した基板Ｗが洗浄槽３０へ搬送される前に、洗浄槽３０には、予め、リンス液が供給されて内槽３１が満杯にされ、且つ継続してリンス液が第１噴射ノズル３５_１〜３５_４から供給されて内槽３１からリンス液がオーバーフローした状態に準備されている。したがって、洗浄槽３０の基板収容口は、満杯になった状態でリンス液が溢流している。
リンス液の供給は、リンス液供給源（図示省略）から第１噴射ノズル３５_１〜３５_４へ供給される。その供給量は、例えば洗浄槽３０の内槽３１の容積を４０Ｌとすると１１Ｌ／ｍｉｎ程度である（図６参照）。この供給量は、洗浄処理時の量（５０Ｌ／ｍｉｎ）と比べると少なくなっているが、少ない量であっても基板から落下する薬液等を良好に内槽３１外へ排出できる。

以下に、図６及び図７を参照して、本発明の洗浄処理工程を分かりやすく説明する。薬液槽で薬液による処理が終了した基板Ｗは、この薬液槽から引き上げられ、搬送ロボットにより、リンス液がオーバーフローしている洗浄槽３０のほぼ真上（図６のＡ位置）まで搬送される。搬送スピードは、約３４０ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。
この搬送スピードを速くすることにより、次工程での純水による洗浄を速めることができ、同時に基板表面の均一化を図ることが可能になる。すなわち、搬送中の基板には、薬液が付着しており、この付着した薬液によって、基板表面の処理が進行しているので、搬送スピードを速くすれば、基板に付着している薬液と純水との置換を早く行うことが可能になる。また、付着している薬液は、搬送中に基板の上部から下部へ流れ落ちて下部へ集中し、上部と下部では薬液の付着量が異なるために基板上部と下部で薬液処理の進行度合いに差が生じる危険性があるが、搬送スピードを速くすることにより、この付着量の差が小さくなり、処理の進行度合いの差が上下部間で小さくなり、基板表面が平均して均一化される。

次いで、基板ＷはＡ位置からＢ位置へ下降される。このＢ位置は、基板Ｗの下端部がリンス液に接触しない位置であり、且つ第２噴射ノズル４１、４２が設けられた位置より若干上方の位置である。このＢ位置まで基板Ｗが搬送された段階で、第２噴射ノズル４１、４２よりリンス液の噴射を開始する。ちなみにこのとき、基板Ｗの表面には基板の搬送中に基板に付着した薬液が重力により下端部に集中して付着している。

図８は処理槽に設けられた複数のノズルから噴射されるリンス液の噴射方向を説明する断面図である。基板がＢ位置へ下降されたのち、更に下降すると、洗浄槽３０の両サイドの各第２噴射ノズル４１、４２からほぼ水平方向へ噴射されている線状のリンス液が、基板収容口３１_３の上部と各第２噴射ノズル４１、４２との間に数条のリンス液が連続して流れるゾーン、いわゆるリンス液シャワーゾーンに搬入される。ちなみに両第２噴射ノズル４１、４２から噴射されるリンス液の量は、例えば３０Ｌ／ｍｉｎ程度が好ましい。
第２噴射ノズル４１、４２に設けられた小孔４５_１１〜４５_ｍｎは、搬送される複数の基板Ｗの隙間位置に設けられることから、第２噴射ノズル４１、４２から噴射されたリンス液流は、基板間の隙間を通過して基板表面を洗浄する。基板間で対向している基板表面は、図８に示すように、対向する２本の第２噴射ノズル４１、４２から噴射されるリンス液が、各基板の垂直方向のほぼ中心部で衝突し、放射状に拡散されることにより基板表面に接触しながら流れ落ちる。この作用により、シャワーゾーンに搬入された複数の基板Ｗは、個々の基板の外周部はもちろん、中央部にも十分にリンス液が接触し、基板表面に付着した比較的大粒の薬液は、このシャワーゾーンを搬送する過程でほとんど洗い流される。また、洗浄槽３０内でリンス液が循環しにくい基板中央部により多くのリンス液が流れ落ちることにより中央部の付着薬液がその周辺（中間部及び外周部）より減少し、洗浄槽３０内での洗浄工程と合わせてトータル的により均一な洗浄処理が可能になる。

基板ＷがＡ位置に搬送されてから、洗浄槽３０内に搬送されるまで、基板Ｗから薬液或は薬液とリンス液が混じった混合液が洗浄槽３０へ落下する。しかし、洗浄槽３０は、リンス液が洗浄槽３０の基板収容口３１_３よりオーバーフローしているので、これらの薬液等が落下しても洗浄槽３０の深層まで侵入することなく、オーバーフローしているリンス液によって処理槽の内槽３１から外槽３２へ流れ込む。したがって、洗浄槽３０上方より薬液あるいは薬液とリンス液の混合液が落下してきても内槽３１内のリンス液の成分及び濃度はほとんど変化せず、よって以降の処理に支障を来たす心配がない。

次に、基板が図６のＣ位置にまで到達すると、第２噴射ノズル４１、４２からのリンス液の噴射を終了する。これ以降の処理は、第１噴射ノズル３５_１〜３５_４からの供給されるリンス液によって行われる。
次いで、基板ＷをＤ位置まで下降させてチャック２１に把持されて搬送された基板Ｗがガイド２２に載置され、第１噴射ノズル３５_１〜３５_４から供給されるリンス液により基板Ｗの洗浄が行われる。洗浄槽３０の内装３１内に取り付けられた第１噴射ノズル３５_１〜３５_４からは、常にリンス液が供給されているが、供給されるリンス液の量を増加させる。その増加量は、例えば約５０Ｌ／ｍｉｎである。

このとき、第１噴射ノズル３５_１〜３５_４から噴射されるリンス液は、ガイド１１に載置された基板Ｗの隙間に向けて設けられ、更に載置された基板Ｗの中央部に向けてリンス液を噴射するようになっており、これにより、通常は循環が悪く、リンス液が滞留しやすい基板Ｗの中央部周辺のリンス液の循環を促し、基板中央部のリンス液と混合した薬液を早急に洗浄槽３０から追い出すことができるようになり、基板表面の均一性を向上させることができるようになる。

この実施例の基板処理装置によれば、大量の薬液が付着した基板が洗浄槽へ搬送されて来ても、リンス液シャワーゾーンを通過する際に、リンス液シャワーゾーンでは、水平方向にリンス液が噴射されているので、基板がこのシャワーゾーンを通過する際に、噴射されているリンス液が基板の隙間に侵入し付着した薬液を洗い落とし、基板の付着した薬液の大半、特に大粒の薬液は殆ど洗い落とされる。また、この洗い落とされた薬液は洗浄槽の内槽に入りこむことなく、直ちにオーバーフローされているリンス液と共に洗浄槽の外槽へ排出される。

その結果、洗浄槽内へ持ち込まれる薬液量は極めて少なくなり、洗浄槽内のリンス液の濃度変化が僅少になる。このため、洗浄槽内では付着薬液量が少なくなった基板を理想的な状態で洗浄処理できるので、薬液を洗い落とす洗浄時間を短くでき、同時に洗浄槽内に持ち込まれる薬液の量が極めて少なくなったために、基板間に高濃度の薬液が滞留することがなくなるので、個々の基板表面の均一性が向上する。

更に、複数の基板Ｗを一度に洗浄する際に、洗浄槽内で形成されるリンス液の流路により洗浄槽内で載置される位置によって薬液処理に差が生じるという問題点に関しても、洗浄槽に搬入される前に、シャワーゾーンにより大半の薬液が洗浄されて搬入されるため、基板毎の薬液処理の差も小さくすることができる。

図９は第２の実施例の基板処理装置に使用する洗浄槽を示す断面図であり、図１０は第２の実施例の処理槽へリンス液を供給するタイミングを示すタイミングチャートであり、図１１は第２の実施例の処理槽に設けられた複数のノズルから噴射されるリンス液の噴射方向を説明する断面図である。本発明の第２の実施例に係る基板処理装置は、洗浄槽３０Ａ内に第３噴射ノズル４３、４４を形成した構成に特徴があり、他の構成は洗浄槽３０と同じである。そこで共通の構成には洗浄槽３０と同じ符号を付してその説明を省略し、異なる構成について以下に説明する。

この洗浄槽３０Ａは、処理槽の高さの中間部より上方の内壁面に対向するように第３噴射ノズル４３、４４が形成される。これらの第３噴射ノズル４３、４４は、上記第２噴射ノズル４１、４２と同じように複数個の小孔を備えたものからなる。各第３噴射ノズル４３、４４は、基板収容の際に邪魔にならないように内壁面を加工して凹ませた箇所に設けるのが好ましい。なお、これらの第３噴射ノズル４３、４４は、処理槽とは別体の管状体、例えば上記第２噴射ノズルとほぼ同じ構造のもので構成してもよい。

この洗浄槽３０Ａを用いた処理は、Ａ位置、Ｂ位置での処理は、洗浄槽３０と同じ処理が行われる。
次いで、基板Ｗは下降して洗浄槽３０Ａ内に収容され、ほぼ三分の一程度まで基板Ｗが浸漬された位置Ｂ’に達した時点で、第３噴射ノズル４３、４４からのリンス液の噴射が開始される。そして基板がリンス液に全部浸漬された位置Ｃに達した時点において、第２噴射ノズル４１、４２からのリンス液の噴射が停止される。ちなみにこの時点では、第３噴射ノズル４３、４４からは、リンス液が噴射され続けている。（図１０参照。）。
そして、基板Ｗが洗浄槽３０Ａの底部に達した位置、つまり基板Ｗがガイド２２に載置される位置Ｄにおいて、第３噴射ノズル４３、４４からのリンス液の噴射を停止し、第１噴射ノズル３５_１〜３５_４から大量（例えば５０Ｌ／ｍｉｎ）のリンス液を供給して、リンス液による処理を行う。
この基板処理装置によれば、第２噴射ノズル４１、４２により形成されたシャワーゾーンでの洗浄に引き続き、第３噴射ノズル４３、４４により基板表面が洗浄されるので、シャワーゾーンでの洗浄で残った薬液を第３噴射ノズル４３、４４の洗浄により洗い落とすことができる。同時に第３噴射ノズル４３、４４は、基板収容口に近い位置にあるので、前記シャワーゾーンで洗い落とされた薬液及びリンス液が洗浄槽の上部に落下してきても、薬液及びリンス液の内槽から外槽への排出を促進し、内槽３１内に混入する薬液量を更に減少させることができる。

図１は、本発明の基板処理装置の全体構成の概要を説明する概略図、図２は図１における一つの洗浄槽と基板集合体との関係を示した断面図、図３は図２の関係を別の角度からみた断面図、図４は図２の基板処理装置を上部から見た概略平面図、図５は噴射ノズルを示し、図５（ａ）は斜視図、図５（ｂ）は正面図、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す概略断面図、図６は処理槽へ基板が収容される過程を説明する断面図、図７は処理槽へリンス液を供給するタイミングを示すタイミングチャート、図８は処理槽に設けられた複数のノズルから噴射されるリンス液の噴射方向を説明する断面図、図９は第２の実施例の基板処理装置に使用する洗浄槽を示す断面図、図１０は第２の実施例の処理槽へリンス液を供給するタイミングを示すタイミングチャート、図１１は第２の実施例の処理槽に設けられた複数のノズルから噴射されるリンス液の噴射方向を説明する断面図、図１２は下記特許文献１に記載された洗浄装置の概略正面図、図１３はエッチング処理した基板表面の状態を模式的に示した正面図。

符号の説明

１０基板処理装置
２０基板支持機構
２１チャック
２２ガイド
３０洗浄槽
３１内槽
３２外槽
３５_１〜３５_４第１噴射ノズル
４１、４２第２噴射ノズル
４３、４４第３噴射ノズル
４５_１１〜４５_ｍｎ小孔

Claims

次の（１）〜（５）の各工程を含むことを特徴とする基板処理法。
（１）起立した姿勢でほぼ等間隔の隙間を空けて保持された複数枚の基板を薬液槽内の薬液に浸漬して処理する薬液処理工程。
（２）前記処理が終了した後に、前記基板を前記薬液槽から引き上げ、予めリンス液が満たされ、更に槽内第１噴射ノズルからリンス液を供給することにより、リンス液がオーバーフローした状態の洗浄槽へ搬送する搬送工程。
（３）前記基板の搬送に連動させて、前記洗浄槽の基板収容口の上部に、所定の間隔を空けて設けられた複数個の噴射口を有する第２噴射ノズルからリンス液をほぼ水平方向へ噴射させ、上記基板収容口の上部にリンス液シャワーゾーンを形成するシャワーゾーン形成工程。
（４）前記搬送された基板を、それぞれの基板表面が前記噴射されたリンス液に平行に接触するように前記シャワーゾーンを通過させて、前記洗浄槽内のリンス液へ浸漬する槽外シャワー洗浄工程。
（５）前記基板を前記洗浄槽内のリンス液に浸漬した後に、前記第１噴射ノズルから更にリンス液を噴射させて洗浄する槽内洗浄工程。
前記第２噴射ノズルの各噴射口は、所定間隔の複数の水平線上に、それぞれ前記基板の隙間とほぼ同一間隔に設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理法。
前記第２噴射ノズルは、前記洗浄槽の基板収容口の上方両側部に対向して設けられ、前記両側部の前記第２噴射ノズルから噴射されるリンス液によってシャワーゾーンが形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理法。
前記洗浄槽の基板収容口の上部と前記第２噴射ノズルとの間で形成されるシャワーゾーンにおける垂直方向の幅長は、前記基板直径の二分の一以下の長さであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の基板処理法。
前記洗浄槽の内槽には、前記洗浄槽の基板収容口部と底部との間の内周壁面に、前記基板の隙間に向けてリンス液を噴射する第３噴射ノズルが対向して設けられ、前記第３噴射ノズルは、前記（４）の工程において、前記基板の下端部が前記洗浄槽内のリンス液に浸漬された時点から、リンス液を前記基板に向けて噴射することを特徴とする請求項１記載の基板処理法。
前記薬液は、フッ酸系のエッチング液であることを特徴とする請求項１記載の基板処理法。
前記工程（２）における搬送速度は、２４０ｍｍ／ｓｅｃ以上であることを特徴とする請求項１記載の基板処理法。
第１噴射ノズルは、前記洗浄槽の底部に複数個設けられ、これらの噴射ノズルから前記基板のほぼ中心部に向けてリンス液が噴射されることを特徴とする請求項１記載の基板処理法。
起立した姿勢でほぼ等間隔の隙間を空けて保持された複数枚の基板を収容でき、底部に第１噴射ノズルを有する内槽と、前記内槽の上部周辺に設けられて内槽から溢流するリンス液を受け止める外槽とからなる洗浄槽を備えた基板処理装置において、
前記洗浄槽の基板収容口の上方側部に第２噴射ノズルを設け、前記第２噴射ノズルは、所定の太さ及び長さを有した中空の管状体に、その長手軸方向に前記基板の隙間とほぼ同一間隔に形成された小孔からなる複数個の噴射口を、前記長手軸方向と直交する方向に複数段有するものからなり、前記第２噴射ノズルは、それぞれ各噴射口が前記基板の隙間を向いて支持され、前記基板が洗浄槽へ収容される直前の位置まで下降したときに、前記各噴射口から前記基板の隙間に向かってほぼ水平方向の処理液を噴射することを特徴とする基板処理装置。
前記第２噴射ノズルは、前記洗浄槽の基板収容口の上方両側部に、対向して配設されていることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
前記第２噴射ノズルは、前記外槽の上部からおよそ前記基板の直径の二分の一に相当する長さ上方に離れた位置に設置されていることを特徴とする請求項９又は１０記載の基板処理装置。
前記第２噴射ノズルは、噴射口の方向を変更できるように回動自在に支持されていることを特徴とする請求項９〜１１の何れか１項に記載の基板処理装置。
前記洗浄槽の内槽には、前記洗浄槽の基板収容口部と底部との間の内周壁面に、前記基板の隙間に向けてリンス液を噴射する第３噴射ノズルが対向して配設されていることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
前記第１噴射ノズルは、それぞれ前記基板のほぼ中心部に向けてリンス液を噴射することを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
前記第１噴射ノズルは、噴射口の方向を変更できるように回動自在に支持されていることを特徴とする請求項１４記載の基板処理装置。