JPS61156741A - リンケイ酸膜の形成方法 - Google Patents
リンケイ酸膜の形成方法Info
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- JPS61156741A JPS61156741A JP59274521A JP27452184A JPS61156741A JP S61156741 A JPS61156741 A JP S61156741A JP 59274521 A JP59274521 A JP 59274521A JP 27452184 A JP27452184 A JP 27452184A JP S61156741 A JPS61156741 A JP S61156741A
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- JP
- Japan
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- film
- phosphosilicate glass
- torr
- pinholes
- reaction chamber
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造、より詳しくは、半導体装
置の構成要素となるリンケイ酸ガラス膜（Ｐｈｏｓｐｈ
ｏｓｉｌｌｃａｔｅ Ｇｌａｍｓ：ＰＳＧ）のＣＶＤ法
による形成方法に関するものである。
置の構成要素となるリンケイ酸ガラス膜（Ｐｈｏｓｐｈ
ｏｓｉｌｌｃａｔｅ Ｇｌａｍｓ：ＰＳＧ）のＣＶＤ法
による形成方法に関するものである。
従来の技術
リンケイ酸ガラス膜はノ臂、シペーシ、ン膜、リンの拡
散源、あるいは眉間絶縁膜として使用されており、この
膜を形成大るちめのＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒｐＤｅｐｏ ｓ ｉ ｔ ｌ ｏｎ ）技術も公知
である（例えは、前田和夫著：最近ＬＳＩプロセス技術
、第６章ＣＶＯ技術、（１９８３）、工業調査会）。
散源、あるいは眉間絶縁膜として使用されており、この
膜を形成大るちめのＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒｐＤｅｐｏ ｓ ｉ ｔ ｌ ｏｎ ）技術も公知
である（例えは、前田和夫著：最近ＬＳＩプロセス技術
、第６章ＣＶＯ技術、（１９８３）、工業調査会）。
リンケイ酸ガラス膜は５ＩＨ４−０□−ＰＨ３系での熱
分解のＣＶＤ法によって所定の基板上に形成される。
分解のＣＶＤ法によって所定の基板上に形成される。
そのためには、反応室温度および基板の温度を３００〜
７００℃程度にし、反応ガスとしてＰＨ。
７００℃程度にし、反応ガスとしてＰＨ。
ガス、５ＩＨ４ガスおよび０２ｔ！スそして希釈ガスか
つキャリガスとしてＮ２ガスを反応室内へ流し、所定反
応室内圧力（成長圧力）状態を保って所定厚さのリンケ
イ酸ガラス膜を成長させている。
つキャリガスとしてＮ２ガスを反応室内へ流し、所定反
応室内圧力（成長圧力）状態を保って所定厚さのリンケ
イ酸ガラス膜を成長させている。
発明が解決しようとしている問題点
上述のようにしてリンケイ酸ガラス膜を形成する際に、
反応室内圧力を常圧（７６０Ｔｏｒｒ）Ｑように比較的
高い圧力で成長させると、成長膜にピンホールが生じて
場合によりてはそれがクラックの発生を招く。一方、反
応室内圧力を減圧状態、特に、数Ｔｏｒｒ以下の低い圧
力状態で成長させると、成長膜の段差部（例えばアルミ
ニウム配線のあるような平坦でない表面を覆うために生
じる段差）において膜質に異状があることがわかった。
反応室内圧力を常圧（７６０Ｔｏｒｒ）Ｑように比較的
高い圧力で成長させると、成長膜にピンホールが生じて
場合によりてはそれがクラックの発生を招く。一方、反
応室内圧力を減圧状態、特に、数Ｔｏｒｒ以下の低い圧
力状態で成長させると、成長膜の段差部（例えばアルミ
ニウム配線のあるような平坦でない表面を覆うために生
じる段差）において膜質に異状があることがわかった。
すなわち、リンケイ酸ガラス膜が後工程で弗酸（弗化水
素酸）の工、チンダ液と接触する場合Ｋ（例えば、リン
ケイ酸ガラス膜にコンタクトホールをあける場合、各プ
ロセス処理ごとの表面洗浄の場合など）、段差部のエツ
チング速度が平坦部よシも大幅に大きいために空洞ある
いは巣が発生 。
素酸）の工、チンダ液と接触する場合Ｋ（例えば、リン
ケイ酸ガラス膜にコンタクトホールをあける場合、各プ
ロセス処理ごとの表面洗浄の場合など）、段差部のエツ
チング速度が平坦部よシも大幅に大きいために空洞ある
いは巣が発生 。
することがある。このことは半導体装置の信頼性を低下
させる要因となる。
させる要因となる。
問題点を解決するための手段
ＣＶＤ法によって形成するリンケイ酸ガラス膜に生じる
であろうピンホールおよび膜質の異状をなくすために、
成長時の反応室内圧力を５ないし５０Ｔｏｒｒにして膜
形成を行なう。
であろうピンホールおよび膜質の異状をなくすために、
成長時の反応室内圧力を５ないし５０Ｔｏｒｒにして膜
形成を行なう。
実施例
以下、本発明の実施態様を含んだ実験例でもって本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
従来の減圧ｃｖｎ装置を使用して反応室内圧力を変動パ
ラメータとして下記成長条件にて半導体基板上にリンケ
イ酸ガラス膜を形成する。なお、半導体基板は第１図に
示すようにシリコンウェハ（基板）１０表面に二酸化ケ
イ素５１０２膜を熱酸化法（又はＣＶＤ法）で形成し、
その上にアルミニウム配線３を形成したものを用いる。
ラメータとして下記成長条件にて半導体基板上にリンケ
イ酸ガラス膜を形成する。なお、半導体基板は第１図に
示すようにシリコンウェハ（基板）１０表面に二酸化ケ
イ素５１０２膜を熱酸化法（又はＣＶＤ法）で形成し、
その上にアルミニウム配線３を形成したものを用いる。
そして、リンケイ酸ガラスＪｌｌＩ４（第１図）が段差
部を有するようく形成される。
部を有するようく形成される。
基板温度（成長温度）：４００℃
反応ガス
ＰＨ３：２ＣＣ／ｍｉｎ （ＰＨ３ハ２＝１４）ＳｉＨ
２：２０ＣＣ／ｍ１ｎ（ＳＩＨ４／Ｎ２＝１ ％ ）０
２ ：２００ＣＣ／ｆｆｌ １ ｎ Ｎ２：２ｔ／ｒｎ１ｎ 得られたリンケイ酸ガラス膜のピンホールを調べてその
結果を第２図の実線に示した。また、リンケイ酸ガラス
膜の弗化水素酸液によるエツチング速度を平坦部分（第
１図中矢印Ａ）および段差部分（第１図矢印Ｂ）につい
て調べてその結果をエッチレート比ＣＢ／Ａ）として第
２図の破線にて示した。
２：２０ＣＣ／ｍ１ｎ（ＳＩＨ４／Ｎ２＝１ ％ ）０
２ ：２００ＣＣ／ｆｆｌ １ ｎ Ｎ２：２ｔ／ｒｎ１ｎ 得られたリンケイ酸ガラス膜のピンホールを調べてその
結果を第２図の実線に示した。また、リンケイ酸ガラス
膜の弗化水素酸液によるエツチング速度を平坦部分（第
１図中矢印Ａ）および段差部分（第１図矢印Ｂ）につい
て調べてその結果をエッチレート比ＣＢ／Ａ）として第
２図の破線にて示した。
第２図かられかるように、−ンホールについては反応室
内圧力が５０Ｔｏｒｒを越えるとその数が大幅に増加す
るようになシ、一方、エッチレート比については５ Ｔ
ｏｒｒ７１Ｅ満で大きくなる（すなわち、段差部のエッ
チ速度が平坦部よシも大きい）ので、適正反応室内圧力
は５ないし５０ Ｔｏｒｒである。
内圧力が５０Ｔｏｒｒを越えるとその数が大幅に増加す
るようになシ、一方、エッチレート比については５ Ｔ
ｏｒｒ７１Ｅ満で大きくなる（すなわち、段差部のエッ
チ速度が平坦部よシも大きい）ので、適正反応室内圧力
は５ないし５０ Ｔｏｒｒである。
発明の効果
本発明に係るＣＶＤ法によるリンシリケイ酸ガス膜の形
成方法によって得られる膜はピンホールが非常に少なく
かつ膜の段差部が異状に早くエツチングされることもな
いので、リンケイ酸膜自体には問題なく、結果として半
導体装置の信頼性向上に寄与する。
成方法によって得られる膜はピンホールが非常に少なく
かつ膜の段差部が異状に早くエツチングされることもな
いので、リンケイ酸膜自体には問題なく、結果として半
導体装置の信頼性向上に寄与する。
第１図はアルミニウム配線を有する半導体基板上にリン
ケイ酸ガラス膜を形成したときの概略断面図であり、 第２図は反応室内圧力とリンケイ酸ガラス膜のピンホー
ルおよび工、テレートとの関係を示す図でち′る。 １・・・半導体基板、３・・・アルミニウム配線、４・
・・リンケイ酸ガラス膜、Ａ・・・平坦部、Ｂ・・・段
差部。
ケイ酸ガラス膜を形成したときの概略断面図であり、 第２図は反応室内圧力とリンケイ酸ガラス膜のピンホー
ルおよび工、テレートとの関係を示す図でち′る。 １・・・半導体基板、３・・・アルミニウム配線、４・
・・リンケイ酸ガラス膜、Ａ・・・平坦部、Ｂ・・・段
差部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体装置製造過程でＣＶＤ法によってリンケイ酸
ガラス膜を形成する方法において、反応室内圧力を５な
いし５０Ｔｏｒｒとすることを特徴とするリンケイ酸ガ
ラス膜の形成方法。 ２、反応ガスがＰＨ＿３、ＳｉＨ＿４およびＯ＿２であ
りおよび希釈かつキャリアガスがＮ＿２であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59274521A JPS61156741A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | リンケイ酸膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59274521A JPS61156741A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | リンケイ酸膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61156741A true JPS61156741A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17542857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59274521A Pending JPS61156741A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | リンケイ酸膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61156741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228332A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140274A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Pressure-reduction vapor growth method |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59274521A patent/JPS61156741A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52140274A (en) * | 1976-05-19 | 1977-11-22 | Hitachi Ltd | Pressure-reduction vapor growth method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228332A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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