JPS61134606A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS61134606A JPS61134606A JP59256793A JP25679384A JPS61134606A JP S61134606 A JPS61134606 A JP S61134606A JP 59256793 A JP59256793 A JP 59256793A JP 25679384 A JP25679384 A JP 25679384A JP S61134606 A JPS61134606 A JP S61134606A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特に投影転写によ
るレジストパターンニングに関する。
るレジストパターンニングに関する。
第２図に従来のレジストパターンニングにおいてマスク
パターンをウェハへ転写する装置の基本的な構成を示す
、第２図において、１は、ウェハ、２ばウェハ１に形成
すべきパターン、３はウェハ１及びウェハ１上のパター
ン２に投影するレーザー光、４は４５°に反射されたレ
ーザー光を検出する暗視野検出器、５は信号波形整形回
路、６は増幅器である。なお各回路５．６の下部に該回
路５．６の信号波形を示す。
パターンをウェハへ転写する装置の基本的な構成を示す
、第２図において、１は、ウェハ、２ばウェハ１に形成
すべきパターン、３はウェハ１及びウェハ１上のパター
ン２に投影するレーザー光、４は４５°に反射されたレ
ーザー光を検出する暗視野検出器、５は信号波形整形回
路、６は増幅器である。なお各回路５．６の下部に該回
路５．６の信号波形を示す。
以下、従来例の動作について説明する。この従来の装置
において、パターン２を付着したウェハ１にレーザー光
３を走査させ、走査され入射したレーザー光に対しパタ
ーンのエツジから４５°に反射されたレーザー光を検出
器４で検出する。検出された信号は信号波形整形回路５
を通り、所望のパルス波とされ、次段の増幅器６を通っ
て出力され、所望のパターンエツジ検出信号となる。
において、パターン２を付着したウェハ１にレーザー光
３を走査させ、走査され入射したレーザー光に対しパタ
ーンのエツジから４５°に反射されたレーザー光を検出
器４で検出する。検出された信号は信号波形整形回路５
を通り、所望のパルス波とされ、次段の増幅器６を通っ
て出力され、所望のパターンエツジ検出信号となる。
しかるに従来のこの装置は、暗視野検出方式を用いてお
り、ウェハ１上に形成されたパターン２のエツジ部に対
し４５°角でレーザー光３が反射しなければならないか
ら、エツジ部の形状に規則性を持たせることが必要で、
エツジ形状の乱れによって出力に変動が生じ、エツジ検
出精度が低下するという欠点があった。
り、ウェハ１上に形成されたパターン２のエツジ部に対
し４５°角でレーザー光３が反射しなければならないか
ら、エツジ部の形状に規則性を持たせることが必要で、
エツジ形状の乱れによって出力に変動が生じ、エツジ検
出精度が低下するという欠点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、パターンエツジ部の形状が不規則な場合にも
、正確にパターンエツジを検出できる半導体製造装置を
得ることを目的としている。
たもので、パターンエツジ部の形状が不規則な場合にも
、正確にパターンエツジを検出できる半導体製造装置を
得ることを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体製造装置は、パターンのエツジ部の
検出に従来の暗視野方式による検出器だけでなく、１８
０°逆方向に反射された信号を検出する方式、即ち明視
野方式の検出器を設は両検出器の出力からパターンのエ
ツジを検出判定するようにしたものである。
検出に従来の暗視野方式による検出器だけでなく、１８
０°逆方向に反射された信号を検出する方式、即ち明視
野方式の検出器を設は両検出器の出力からパターンのエ
ツジを検出判定するようにしたものである。
この発明においては、暗視野検出器と明視野検出器の双
方の検出器を併用しているから、パターンエツジの形状
の乱れがあっても、エツジ検出出力に変動が生じず、エ
ツジ検出精度が向上する。
方の検出器を併用しているから、パターンエツジの形状
の乱れがあっても、エツジ検出出力に変動が生じず、エ
ツジ検出精度が向上する。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体製造装置を示す
。第１図において、第２図と同一符号は同一のものを示
し、１０はハーフミラ−１９はハーフミラ−１０によっ
て反射されたレーザー光３を検出する明視野検出器、５
ａ、５ｂはそれぞれ暗視野検出器４．明視野検出器９の
出力を波形整形する信号波形整形回路、７はインバータ
回路、８は信号波形整形回路５ａ及びインバータ回路７
からの出力の論理積をとる論理積回路であり、６は増幅
器である。なお各回路の下部又は上部に該回路の信号波
形を示す。
。第１図において、第２図と同一符号は同一のものを示
し、１０はハーフミラ−１９はハーフミラ−１０によっ
て反射されたレーザー光３を検出する明視野検出器、５
ａ、５ｂはそれぞれ暗視野検出器４．明視野検出器９の
出力を波形整形する信号波形整形回路、７はインバータ
回路、８は信号波形整形回路５ａ及びインバータ回路７
からの出力の論理積をとる論理積回路であり、６は増幅
器である。なお各回路の下部又は上部に該回路の信号波
形を示す。
次に動作について説明する。同図において、パターン２
を付着させたウェハ１上にレーザー光３１を走査させ、
レーザー光３のうちパターンエツジ部に当うたものは従
来とおり４５°角に反射し、暗視野検出器４で暗視野信
号として検出される。
を付着させたウェハ１上にレーザー光３１を走査させ、
レーザー光３のうちパターンエツジ部に当うたものは従
来とおり４５°角に反射し、暗視野検出器４で暗視野信
号として検出される。
そして本発明ではさらにパターン２上で正反射したレー
ザー光がハーフミラ−１０を通して明視野検出器９で明
視野信号として検出される。検出器４と検出器９で得た
両信号は信号波形整形回路５ａ、５ｂを通して波形整形
される。その結果、暗視野信号として検出される信号は
照射光がパターンエツジ部に照射されたときのみ暗視野
検出器４から出力され、°明視野検出器９ではパターン
エツジ部からの反射光は該検出器９には入らず、これが
負のパルス信号として検出される。そしてこの明視野検
出器９の検出信号はインバータ回路７を通って暗視野信
号と同じ正のパルス信号とされ、この両信号が同時に入
力されたときのみ、論理積回路８からのパターンエツジ
検出信号が増幅器６に送られ、増幅され出力される。
ザー光がハーフミラ−１０を通して明視野検出器９で明
視野信号として検出される。検出器４と検出器９で得た
両信号は信号波形整形回路５ａ、５ｂを通して波形整形
される。その結果、暗視野信号として検出される信号は
照射光がパターンエツジ部に照射されたときのみ暗視野
検出器４から出力され、°明視野検出器９ではパターン
エツジ部からの反射光は該検出器９には入らず、これが
負のパルス信号として検出される。そしてこの明視野検
出器９の検出信号はインバータ回路７を通って暗視野信
号と同じ正のパルス信号とされ、この両信号が同時に入
力されたときのみ、論理積回路８からのパターンエツジ
検出信号が増幅器６に送られ、増幅され出力される。
なお、上記実施例では投影転写によるレジストパターン
ニングの際、下地パターンエツジ検出を行なう装置とし
て説明したが、他にもパターンの寸法等を測定する装置
にも本発明は同様に実施できる。
ニングの際、下地パターンエツジ検出を行なう装置とし
て説明したが、他にもパターンの寸法等を測定する装置
にも本発明は同様に実施できる。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、パターンエツジ検出において、パターン照射したレー
ザー光の１反射検出を暗視野信号と明視野信号の両方を
同時に検出して行なうようにしたので、パターンエツジ
検出の検出精度の高い半導体製造装置が得られる効果が
ある。
、パターンエツジ検出において、パターン照射したレー
ザー光の１反射検出を暗視野信号と明視野信号の両方を
同時に検出して行なうようにしたので、パターンエツジ
検出の検出精度の高い半導体製造装置が得られる効果が
ある。
第１図は本発明の実施例による半導体製造装置を示す図
、第２図は従来の半導体製造装置を示す図である。 １・・・ウェハ、２・・・マスクパターン、３・・・レ
ーザー光、４・・・暗視野検出器、９・・・明視野検出
器、ｌＯ・・・ハーフミラ−０ なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図は従来の半導体製造装置を示す図である。 １・・・ウェハ、２・・・マスクパターン、３・・・レ
ーザー光、４・・・暗視野検出器、９・・・明視野検出
器、ｌＯ・・・ハーフミラ−０ なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体のパターンを検出する半導体製造装置にお
いて、パターンへの投影光源の照射光が照射する方向と
１８０°逆方向に反射されてくる反射光を検出する明視
野検出器と、上記反射光と異なる角度に反射する光を検
出する暗視野検出器と、上記両検出器の出力信号の論理
積をとる論理積回路とを備えたことを特徴とする半導体
製造装置。 - （２）上記照射光がレーザー光であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256793A JPS61134606A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256793A JPS61134606A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134606A true JPS61134606A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17297516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256793A Pending JPS61134606A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103887199A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59256793A patent/JPS61134606A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103887199A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-25 | 上海华力微电子有限公司 | 采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法 |
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