JPS61121501A - 誘電体共振器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は高周波用誘電体共振器およびその製造方法に関
するものである。

■　先行技術およびその問題点 数百Ｘ）Ｉｚ−ＧＨｚ帯域のマイクロ波を用いる装置の
フィルタ等において、小型、高性能の共振器として誘電
体共振器が注目されている。

第１図は大発明が適用される一例としての同軸銹導体共
振器ｌの斜視図である。

この場合１円筒状の誘電体の一方の端面と外閤面と円周
面とには電極が形成されており、同軸騎電体線路の一方
を電気的を短絡面、もう一方を開放面とした電極が形成
されている。

このような誘電体共振器１の損失は、共振器上ｋＩｉ成
する誘電体の損失と電極導体に流れる高周波電流による
ジェール損失であり、無負荷Ｑとして下式のように表わ
される。

１／Ｑ＝　　１／Ｑｄ＋　　１／Ｑｃ ここで、Ｑｄは誦゛心体積でＱｃは４体積である。

上の式において通常Ｑｄは量適２００００ｊｉ度であり
、Ｑｃはｔｏｏｏ５度であるため、を極のＱｃがＱ債に
大きく影響することがわかる。

Ｑｃは次の式で表わされる。

１／ＱＣ−１δ（１／ａ−１／ｂ　）　／　２１　ｎｃ
ｂ／ａ＞ここで、ａは訪電体共４Ｉ！の内径であり、ｂ
は外径である。　　δはスキンデプスで金属の電気伝導
度をσ透Ｆｉｉ率をり、Ｊｑ波数をｆとしてδｓ　１／
ｆＦコア　　　　である。

この式より、を極のＱは、電極を構成する金属の導電率
が高いほど大きくなることがわかる。

スキンデプスδは、金属の導伝率σとともに周波数ｆに
より異なり１通常、を極厚みをδの数倍形成することに
より放射損を抑えている。

従来、マイクロ波等の高周波用誘電体上に電極を形成す
るには銀が用いられてきた。

すなわち、マイクロ波用誘電体の表面に賃ペースト状液
を浸みこませたスポンジなどで転写＃ｉ布し、！度７０
０〜９００℃にて加熱焼付けを行なうことによって表面
に導電性の頷被践を被着する。　頷ペースト状液は銀粉
末をガラススリットとともに有機バインダーを溶解した
溶剤に分散懸濁させたものである。

しかしながら、この方法によれば外周、内周、端面への
塗布に要する作業工数が多いこと、また塗りむらが起こ
り烏〈、塗履厚みを一定以上確保するために厚塗りする
ことを余ｆｆｌなくさ汽高価な銀の使用量が多いという
コスト上の問題があった・ また１本来ムクの縦は金属の中では最も電気伝１度が大
きく、比抵抗で１．６２Ｘ１０６ΩＣ箇であるが、＊ペ
ースト状液を塗布し、焼付けして得られる実際の焼結ｆ
ｌＨはムクの銀の１．１５〜１．８０倍の膜抵抗率を有
し、銅の比抵抗１．７２Ｘ’１０４ΩＣ■より大きいと
いう不十分さがあった。

銀ペースト状液にはまた１１通電体との接合をとるため
にガラススリットが含まれており、これが焼付により形
成されるｔＲ膜と誘電体の境界に介在するため、最も損
失に関与するスキンデプス層の−ＡＴＬ性を損なう欠点
をもっていた。

あるいはまた１回路ＪＪＩ成のｉｔ極の一部に半田付が
施される場合には銀喰れ現象が生じうる欠点をもってい
た。

上記のような高価な銀ペーストを使用する方法にかえて
、銅ペーストを用いる方法も考えられる。　この方法に
用いる鋼ペーストは、ｔｉ４粉末にガラススリット、有
機バインダーおよび溶剤１を混入し、混練して製造され
る。

しかし、この方法でも、材料コスト的なメリットはさて
おき、上記の銀ペーストを使用する方法の有していたさ
まざまな間開はほとんど解決されないばかりか、得られ
るＱはざらに低い。

モこで、セラミック上に、無電解めっきによす形成され
た銅被膜を形成する方法も行われている（特開昭５４−
１０８５４４号）。

ところで、スキンデプスδを考慮にいれると、５〜６−
以上の厚みとしなくてはならない。

しかし、無電解めっきにより、このような厚さの銅被ト
を形成した場合、緻密かつ均質な被閥が得られず、しか
も表面が粗く、膜厚が局所的に変化する。　また特に誘
電体共ｖｉ器の内周面において、いわゆるめっＳふくれ
が多発し易い。

このため、無電解めっ！１＃ｌ被膜を電極とすると５、
にはｔｉ伝導度σが低く、Ｑも低く、それらのばらつき
も大きく、密度強度も小さいという欠点がある。

そこで、この無電解めっＳにより形成されたＳｔ＋＋被
膜を１１素、アルゴンなどの不活性雰囲気中で熱処理す
ることにより、これらの欠点を解消することも試みられ
る（特開昭５８−１６６８０６号）。

この不活性雰囲気中の熱処理により、を極のＱｄが一定
程度改善され、誦電体共損１のＱも改善される。

しかし、Ｗｓの均質性、ｗｋ５！″性、平滑性が＆蓄さ
れるわけではなく、電気伝導度やＱのばらつき、そして
密度強度の向上は小さく、安定した訪を体共振器を提供
するに至っていない、■　発明の目的 大発明の目的は、膜の均一性、緻密性、平滑性にすぐれ
、Ｑ特性が良好で、を極の電気伝導度とＱのばらつＳが
少なく、電極の密度強度が高く、シかも材料として比較
的安価な銅を用い、少ない工程数により形成できる高周
波用誘電体共＃ｉ器およびその製造方法を提供すること
にある。

口　発明の開示 このような目的は下記の第１〜第５の発明によって達成
される。

すなわちヌ１の発明は、高周波用誘電体セラミック上に
。０．２〜０．５μｍの男１の銅被膜と、スキンデプス
の２倍以上の厚さの電解めっきにより形成した第２の銅
被膜とを有することを特徴とする誘電体共振器である。

烹た纂２の発明は、高周波用！４誘電セラミフク上に、
０．２〜０．５μｍのＭＬの銅被膜を形成し、この第１
の銅被股上に電解めっＳによりスキンデプスの２倍以上
の厚さの第２のｇ４被謹を形成することを特徴とする誦
電体共４［！ｌの製造方法である。

舊３の発明は、高周波用誘電体セラミック上　　　・に
、０，２〜０．５μｍの第１の銅被膜を形成し、この纂
１の銅被膜上に、！解めっきによりスキンデプスの２倍
以上の厚さの第２の銅被膜を形成し、その榛ざらに熱処
理をすることを特徴とする誘電体共振器の製造方法であ
る。

第４の発明は　高周波用誘電体セラミック上に、０．２
〜０．５μｍの第１の銅被膜と、スキンデプスの２倍以
上の厚さの電解めっさにより形成した第２の銅被膜を有
し、その上にさらに′＃機質の保護膜を有することを特
徴とする誘電体共振器である。

ｔｉＩＪ５の発明は、高周波用誘電体セラミック上に、
０．２〜０．５μｍの第１の銅被膜と、スキンデプスの
２倍以上の厚さの電解めっきにより形成した第２の銅被
膜を有し、その上にさらに！４を層を有することを特徴
とする誘電体共振器である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の高周波用の誘電体共振器およびその製造
方法について詳細に説明する。

本発明に供する高周波用誘電体セラミックとしては。

ＢａＯ−ＴｉＯ２系。

Ｂａ０ＩＩＴｉ０２−５：１０系。

５ｒ（Ｌｉ１１Ｎｂ）０３−５ｒＴｉＯコ系。

ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉ０３などを用いることができる
。

そしてその形状としては、ａ方体状、円柱状などであっ
てもよいが、第１図に示されるような円柱状のものが好
適である。　また、その寸法および電極配置は通常のも
のとすればよい。

このような高周波用誘電体セラミ、り上には、所定の配
置で０．２〜０．５μｍの厚さの第１の銅被膜が形成さ
れる。　第１の銅被膜は。

スパッタリング、真空蒸着、無電解めっきなどにより形
成する。

黒看、スパッタリング等の気相被着は常法に従えばよい
。

また、無電解めっきは、脱脂およびフッ酸を含む混酸等
による粗面化ののち、感受性化および活性化を行う、！
！！性化は７フ化Ｍ１スズなどを用い、活性化は塩化パ
ラジウムなどを用いる。

次いで、硫酸銅、ＥＤＴＡ−ホルヤルン、ＮａＯＨを含
むめっき洛中で無電解めっきを行う。

ｌＳ：お　第１のｔｉ４凌Ｎが０．２−厚程度未満と；
ると後の電解めっきによるｔ極形成が安定にで３なくな
る。　また、膜厚は、０．５−をこえる必１はない、　
これは、無電解銅めっき速度は電解に比べ遅＜、まため
っ３液を消耗するため、めっＳ時間が長くなり、めっき
液ライフちりの生産かが小さくなるといったコスト面の
不利と、スキンデプス暦は導電率の良い電解めっきでで
きるだけ被着するのが良いからである。

この第１銅被牧を形成した後、電解光沢銅めっ３により
スキンデプスの２倍以上の厚さの第２の銅被Ｍｔ−形成
する。　なお、無電解めっきによる第１銅被膜の形成を
行う際には、乾燥工程なしに次のめっき工程に鵡む連続
作業を行うことが好ましい。

このスキンデプスδは前述したとおり。

６ｍ　ｌ／２　ｇｃｒ　　　　　で与えられ、電ＩＪｉ
総体としての電気伝導度σおよび透Ｔｉｉ率終に従い、
使用する周波数ｆに応じ決定される。

男２の銅被膜の厚さが２δ未満となると、電極としての
十分な厚ざが得ら汽ないためＱが小さくなる。

なお、を極叱体としては２６以上、より好ましくは３６
以上の厚ざとすることが好ましい。

例えば、９００ＫＨｚの共振周波数となる誘導体では；
６．５ｓ繻以上とすることが望ましい。

また、を極総体の厚さ上限については、特に制限はない
。

このような第２の銅被膜はｔｉ！解めっきにより形成す
る。　電解めっきによらないとき、には、！８！の均質
性、緻密性が低下し、電気抵抗逼およびＱのばらつきが
大きくなる。

電解めっきは、Ｍ酸銅浴等を用いて行う。

電流密度は０．５〜２　Ａ／ｄ麿２．ｉ！解待時間２０
〜７０分程変とする。

めつき擾は、洗浄および乾燥を行う。

このように、第１および：ｊＳ２の銅被膜を形成した高
周波用誘電体セラミックは、このままでも高周波用誘電
体共振器に供することができるが、さらに、導体膜の電
気抵抗率を下げ、残留内部応力を減少させ、接着強度を
上げるために熱処理を施すことが望ましい。

この熱処理は、水素１．プロパン等の還元性ガスを含む
窒素やアルゴン等の不活性ガスなどの還元性′：を囲気
中で、１２０〜３００℃で行う。

還元性ガス濃度は０．２％以上程度とする。

なお、還元性ガスを使用しない場合、銅電極の表面が酸
化する。

あるいは、窒素、アルゴン等の不活性ガス中に酸素等の
酸化性ガスを２〜２５　ｐｐｍ程度混合した弱酸化性雰
囲気で７００〜１０８０℃で行う。

さらに、これらのお１および男２の１Ｒ被膜形成後、好
！シ〈は熱処理を施した後、ｇ４被膜上に耐腐食性を付
与することを目的として、有機負の保護膜を設けること
が好ましい。

保護膜としては、エバブライト〔国中貴金属（株）製〕
、エンチックＣＵ−５６（ジャ°パンメタルフィニシシ
ング（株）製〕などを使用する。

さらに、第１および第２の銅被閥上に耐腐食性を付与す
ることを目的として導電層を形成してもよい。

導電層厚さとしては、１〜２０ｇ程度がよい。

導電層としては公知の湿式めっき法による半田層が好適
である。

あるいは湿式めっき法によるニッケルで被着した１〜５
−程度の！＠ｌ導電層およびスズで接着した１〜２０＃
ＩａＪＩ炭の第２導電層も好適である。

このように形成された本発明の誘電体共振器は、３００
ＭＨｚ〜５Ｇ）ｌｚの共振周波数にて有効に使用される
。

なお、電極パターンに開放面を設けるには。

通常電極設歴後研８したりすればよい。

■　発明の具体的効果 第１８よび講２の発明によれば、十分な膜厚の電極を設
けても、膜の１＆密性、均質性、平滑性が良好で、＄９
＆伝４度およびＱのばらつきがきわめて少ない。

：ｊ４３の発明によれば、電気伝導度およびＱのばらつ
Ｓはより一暦減少し、電極の密着強度は高いものとなる
。　またＱはより一暦大さな値となる。

モしてｉ４の発明によれば、良好な電極保護効果かえら
れ、第５の発明によれば、さらに良好な耐腐食性がえら
れる。

■　発明の具体的実施例 次に実施例により１本発明をさらに詳細に説明する。

実施例１ 高周波用誘電体として、外径１ｏｓｓφ、内径２．７ｍ
ｍ６．　　長さ１　３ｍｍノＢ　ａＴ　Ｅ　Ｏｓ　　−
５ａ０２系の訪電逼４０のものを使った。

まず、これに無電解めっさにより、後の電解めっきを行
うために必要な最小厚みとして０゜４μｍの第１の銅被
膜を形成した。

無電解めっきは、脱脂、粗面化したのちＳ＋ｚＣ見２の
感受性化、ＰｂＣ見２の活性化後、１鹸銅−ＥＤＴＡ−
ホルマリン、とａＯＨ浴中で行った。

次に、これを洗浄後、硫酸銅浴を使用して電解光沢めっ
きを行った。　この誘電体の共振周波数は約９４０　Ｍ
Ｈｚであり、スキンデプスδは２．１８ｇである。　こ
のため電解銅めっき厚は最小となる孔内部が、３δの６
．５−以上となるようにめっｔ−ｔ　？Ｉｔ流密度、め
っき時間を選定した、　心待めつき後は洗浄、乾燥を行
なった。

この後、第１図に示すように、めっきした誘電体の一端
面を研磨して開放面とし、共振器として組立てた。　こ
のサンプルを闇、１とする。

このサンプル陽、１のＱｕを第１図に示す。

得られたＱｕは約７００と高く、そのバラツキも小さい
ことがわかる。

また、サンプルの電気抵抗率の試験を行い。

結果を表１に示した。

電気抵抗率の測定に用いた試料は、誘電体基数１μｍの
幅１ｍｓ長５８８膳膳の領域外にマスキングを施して、
第１の銅被膜を０．４終１形成し。

この上に電解光沢めっきにより第２の銅被膜を形成した
ものである・ そして、この試料の電気抵抗Ｒを測定し、Ｉた表面粗さ
計により平均膜厚ｔを測定し。

ρ＝ＬＲ／８８（０ｃｍ）にて、を気抵抗率を測定した
ものである。

す／プ／ｌ／ＮＯ，Ｌのρは１．６５Ｘ１０”ΩＣｍと
きわめて小さいことがわかる。

なお、第４ａ図およびｆｆｌＡｂ図には、ｌ−■輻のス
トライプ状に上記の試料と同様の股を形成したときの表
面粗さ計を走査して測定した表面粗度が示される。

１’ｉ’ｆＩ図から２本発明のサンプルは、膜がきわめ
て均ｍ、ｍ密かつ平滑であることがわかる。

さらに、得られた電極の接着強度の試験を次の手順で行
った。　すなわち一端をネールヘッド状に加工された０
、５１１φの銅線のネールヘッド状側をＸＡｔＡｔ面端
面側電極上に半田付した。　半Ｌｕ付面大Ｓざは２．０
〜２．５ｍｍφである。　　！を体側を固定し、半田付
した銅線をリード長方向に５０−ｍ／ｓｉｎの速度で引
張り。

破断強度を測定した。

結果は、０．５にぶてあり、８８強度が高いことがわか
る。

夫に例２ 実施例１において、無ｔｑめっＳ暦を蒸着膜とした他は
、同様にしてｔｉを形成し、サンプル間、２をえた。

電気抵抗率は、１．６３Ｘｌｏ（Ωｃｍ、接着強度は１
．２ｋｇであった。　ｔた。Ｑｕ８よびそのバラツキ、
そして表面粗ざともサンプル間、１と同様であった。

実施例３ 実施例１と同様のブイクロ波誘電体に同様の電解光沢銅
めっＳを行なった。

次いで銅が酸化を受けないように、１％の水素を混合し
た還元性雰囲気中で、１２０〜３００℃でアニールを行
なった。　その後、実施例１と同様に共振器として組立
てた。

なお、熱処理温度については、：ｆｓｚ図に示すような
各温度で実施した。　ｔた。第２図にはアニール温度に
よる誘電体共振器のＱｕの変化の他に銀ペーストを用い
た従来法によるＱｕも求めて示した。

第２図より、Ｑは１２０〜３００℃程度の温度で熱処理
することによって向上し、ｊ］めっＳ皮膜が７ニールさ
れることがわかる。　ｔた。

これは譲ペーストを用いた従来法′？得られるＱよりさ
らに向上した特性である。

アニール温度は１２０℃以上が望ましく、　　１２０℃
より低い場合は長時間を要する不都合がある。　一方３
００℃より高い場合還元雰１！！５＆であるために３Ａ
ｔ体材料！Ｉ成によっては、３Ａ電体が還元する恐れが
ある。　還元３囲気での７二一ル温度は１２０〜３００
℃で十分かつ最適で、ある。

一方、めっさしたままの皮膜は残留内？４応力をもつ、
　例えば前記電解銅めっきの内部応力の測定結Ｊｌ１０
．８にｇ・／−であった、　これを１２０１３時間熱％
理すると０．２にｇ／−とほぼ消滅した。　すなわち１
２０℃以上の熱処理を行なうことで殆んどアニールされ
るものである。

第２図から熱処理によりＱｕが向上し、そのバラツキが
減少することがわかる。

なお、！占処Ｊ１１ｊ温１＾２００℃のサンプル尚、３
の電気抵抗率は１．６５Ｘ１０（１０ｃｍ、接着強度は
０．７ｋｇであった。

また１表面粗さはサンプル出、１と同様であった。

実施例４ 実施例１と同様のマイクロ波誘電体に同様の電解光沢銅
めっさを行なったものを、窒素に酸素を５〜２５ＰＰに
混入し加湿した弱酸化性雰囲気で７００−１０００℃で
、１時間焼付を行い、さらに、１７１施例１と同様にし
て共振器に組ｔてた。

熱処理の温度については、第３図に示すように各条件で
焼付けを行い、Ｑｕで測定した。

その結果、それぞれの条件において銀ペーストを用いた
従来法の場合より高いＱ値が得られている。

ここで焼付の雰＆！！！％を弱酸化性とするのは。

誘電体と銅電極の界面に亜酸化銅Ｃｕ２Ｏの中間層を形
成するためであり、これによって電極の接着強度の向上
が期待できるからである。

実際接着強度は７ｋｇ以上を得ている。

なお、焼付温度としては銅の融点が１０８３℃であるこ
とより上限が１０８３℃となり、また７００℃以下であ
ると銅が酸化してしまう不都合がある。

なお、８００℃の熱処理温度でのサンプル階、４の？ｌ
ｔ％抵抗率は１．６３ＸＩＯ−１１０Ｃ−であった。

また１表面粗さもサンプルＮＯ，ｌと同様であった。

なお、この発明によって得られたこれら各銅電極プイク
ク波誘導体計３０ケを＃Ｉｉ肋試験、衝撃試験、温度サ
イクル、熱衝撃試験などの信頼性試験を行ったが、不良
の発生は全くなかった。

比較例１ 従来の電極形成法により、！［ペースト状液を用いて平
滑な誘電体基板にスクリーン印刷し、空気中８００℃で
焼付けたｌＩ！膜（厚さ７．２１１＆）をサンプル陽、
５とする。

電気抵抗率は２．１８Ｘ１０４ΩＣＩ−＋４あった。

また、Ｑｕ（ａは勇２図に示される。

さらに１表面粗さは第６＆図、第６ｂ図に表される。　
同図から、＊Ｑ＃４によれば、従来のものより平滑度が
良好となることがわかる。

比較例２ 銅粉末にガラススリット、有機バインダーおよび溶剤を
混入し混練してつくった銅ペーストを用いて、サンプル
５とｒ”１様のスクリーン印刷し、空気中４００℃の脱
バインダー処理後窒素ガス中８００℃で焼付けた１ｉｌ
Ｉ！１１（厚さ６．１Ｓ）をサンプル励、６とする。

電気抵抗率は２．６３Ｘ１０（１ΩＣ■と高いものであ
った。

また１表面粗さは、サンプル階、５と同等であった。

比較Ｎ３ 誦を面木板上全面に７μｍの無電解鋼めっきを行なった
ものを、サンプル陶、７とする。

を気抵抗墨は３．４３Ｘ１０４ΩＣＭと高いものであっ
た。

また、接着＋１度は０．５ｋｇであった。

さらに１表面粗さはｉｓａ図、第５図に示されるとおり
、Ｓわめて大Ｓ　＜　、履の緻密さ、均質性、平滑性に
劣り、Ｑ値のバラツキも大きかった。

比１ｆＨＦ１４ サンプル７に対し、Ｎ２中で７００℃にて熱処理したも
のをサンプル階、８とする。

電気抵抗率は２．８６Ｘ１０４Ωａｍと高いものであっ
た。

また、表面粗さはサンプル陶、７と変化がないものであ
った。

なお、各サンプルの電気抵抗率を表１に示す。

表１から明らかなように１本ＩＡ明による銅被には低い
抵抗率を示し、Ｔｉ４の比抵抗値にほとんど近似してお
り、小さい。

一方１本発明により形成された電極の接着強度も大３い
。

また、銅被膜上にざらに有機買保！ＩＮ、半田層、ニッ
ケルの第１４電暦とスズの導電層よりなるＩＥｔ暦を形
成すると本発明のこれらの長所がより一層効果的に発揮
される。

以上より１本発明によれば、膜抵抗率の小さい電解光沢
銅めっきによる銅被膜を、緻密、均質かつ平滑にマイク
ロ波用錦電体に形成するためＱを向上させることが可能
であり、′：４ｍ形成工数においても、めっき、アニー
ル、あるいは焼付は大量処理が可能であるため大幅は工
数低減が可能となり、ｔた材料として安価な銅を形成す
るため材料費の大幅な低減ができる。

この発明は誘電体共振器に限らず、マイクロ用セラミッ
ク基板などにも同様にして適用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、木ｉ＆明が適用されるマイクロ波用七テミッ
クの一例としての訝電体共振器の代表的な形状を示す斜
視図である。 第２図はこの発明による弱還元性雰囲気でのアニール温
度と共＊ａのＱｕとの関係を示すグラフである。 第３図はこの発明による弱酸化性雰囲気での焼付温度と
共振器のＱｕとの関係を示すグラフである。 第４ｍ５！ｉおよび第４ｂ図は本発明の電極の表面粗ざ
を測定したときの図である。 第５ａ図および第５ｂ図は、従来の無電解メッキを用い
た場合にその表面粗ざを測定したときの図である。 第６ａ図および第６ｂ図は、従来の頷メッキを用いた場
合にその表面粗さを測定したときの図である。 符号の説明 ｌ・・・話心体共振＝ ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、３ 、力先イ寸　温　度　（°Ｃ） ＦＩＧ、４ａ ＦＩＧ、４ｂ ＦＩＧ、５ａ Ｆ　Ｉ　Ｇ、　６ａ ＦＩＧ、６ｂ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）高周波用誘電体セラミック上に、０．２〜０．５
   μｍの第１の銅被膜と、スキンデプスの２倍以上の厚さ
   の電解めっきにより形成した第２の銅被膜とを有するこ
   とを特徴とする誘電体共振器。
2. （２）高周波用誘電体セラミック上に、０．２〜０．５
   μｍの第１の銅被膜を形成し、この第１の銅被膜上に電
   解めっきによりスキンデプスの２倍以上の厚さの第２の
   銅被膜を形成することを特徴とする誘電体共振器の製造
   方法。
3. （３）上記第１の銅被膜を無電解めっきまたは気相被着
   によって形成する特許請求の範囲第２項に記載の誘電体
   共振器の製造方法。
4. （４）高周波用誘電体セラミック上に、０．２〜０．５
   μｍの第１の銅被膜を形成し、この第１の銅被膜上に、
   電解めっきによりスキンデプスの２倍以上の厚さの第２
   の銅被膜を形成し、その後さらに熱処理をすることを特
   徴とする誘電体共振器の製造方法。
5. （５）上記熱処理を還元性雰囲気中にて１２０〜３００
   ℃で行う特許請求の範囲第４項に記載の誘電体共振器の
   製造方法。
6. （６）上記熱処理を、弱酸化性雰囲気中にて７００〜１
   ０８０℃で行う特許請求の範囲第４項に記載の誘電体共
   振器の製造方法。
7. （７）高周波用誘電体セラミック上に、０．２〜０．５
   μｍの第１の銅被膜と、スキンデプスの２倍以上の厚さ
   の電解めっきにより形成した第２の銅被膜を有し、その
   上にさらに有機質の保護膜を有することを特徴とする誘
   電体共振 器。
8. （８）高周波用誘電体セラミック上に、０．２〜０．５
   μｍの第１の銅被膜と、スキンデプスの２倍以上の厚さ
   の電解めっきにより形成した第２の銅被膜を有し、その
   上にさらに導電層を有することを特徴とする誘電体共振
   器。
9. （９）上記導電層が半田層である特許請求の範囲第８項
   に記載の誘電体共振器。
10. （１０）上記導電層がニッケルを被着した第１導電層お
    よびスズを被着した第２導電層から構成される、特許請
    求の範囲第８項に記載の誘電体共振器。