JPS61115302A - シ−トコイル - Google Patents
シ−トコイルInfo
- Publication number
- JPS61115302A JPS61115302A JP23668184A JP23668184A JPS61115302A JP S61115302 A JPS61115302 A JP S61115302A JP 23668184 A JP23668184 A JP 23668184A JP 23668184 A JP23668184 A JP 23668184A JP S61115302 A JPS61115302 A JP S61115302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- coil
- coils
- ion beam
- organic compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/042—Printed circuit coils by thin film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F5/00—Coils
- H01F5/003—Printed circuit coils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Windings For Motors And Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イオンビームをパターン照射することにより
形成されるシートコイルに関するものである。さらに詳
しくは、単位空間当りの導体の占積率が大きい精密シー
トコイルを提供することにある。
形成されるシートコイルに関するものである。さらに詳
しくは、単位空間当りの導体の占積率が大きい精密シー
トコイルを提供することにある。
シートコイルは、例えば、ブラシレスフラットモータや
トランジスタモータなどの駆動コイル等に用いられる。
トランジスタモータなどの駆動コイル等に用いられる。
（従来の技術）
従来、この種のコイルとしては、巻線コイルあるいは絶
縁基板上に設は九導体板に対するフォトエツチングによ
り形成されるシートコイルが用いられている。
縁基板上に設は九導体板に対するフォトエツチングによ
り形成されるシートコイルが用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の巻線によるコイルは、コイル断面における導体の
占積率がコイルの小型化に伴って小さくなシ、モータに
使用した場合、その電気的効率が低くなる。また、フォ
トエツチングによシ形成されるシートコイルは、コイル
導体間の間隔ｔ−３０〜１００μｍと小さくすることに
よシ、占積率の向上２図ってはいるものの、エツチング
の幅は、導体である銅箔の厚みの数倍もしくは同程度ま
でしか小さくできず、コイルのパターンの精密化に限度
かあつｍ、さらにその構成上、絶縁基板が必要であシ、
コイル断面の導体占積率をより低下させてしまっている
。
占積率がコイルの小型化に伴って小さくなシ、モータに
使用した場合、その電気的効率が低くなる。また、フォ
トエツチングによシ形成されるシートコイルは、コイル
導体間の間隔ｔ−３０〜１００μｍと小さくすることに
よシ、占積率の向上２図ってはいるものの、エツチング
の幅は、導体である銅箔の厚みの数倍もしくは同程度ま
でしか小さくできず、コイルのパターンの精密化に限度
かあつｍ、さらにその構成上、絶縁基板が必要であシ、
コイル断面の導体占積率をより低下させてしまっている
。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、従来使用されているコイルの欠点を除い友電
気的効率の高いシートコイルを提供するものである。す
なわち、本発明は、有機化合物薄膜もしくは高分子化合
物薄膜に、イオンビームを平面うずまき状にパターン照
射することにより、平面うずまき状の導電部を形成して
いること全特徴とするシートコイルである。
気的効率の高いシートコイルを提供するものである。す
なわち、本発明は、有機化合物薄膜もしくは高分子化合
物薄膜に、イオンビームを平面うずまき状にパターン照
射することにより、平面うずまき状の導電部を形成して
いること全特徴とするシートコイルである。
本発明に用いる有機化合物薄膜としては、多環縮合系芳
香族ｆヒ合物の誘導体および金属フタロシアニンが挙げ
られる。具体的には、ジインデノペリレン、ニッケルフ
タロシアニｙ、 ３，４，９，１０一ベリレンテトラ
カルボキシリツクジイミド％ ’１４．９．１０−ペ
リレンテトラカルボキシリックジアンハイトライド、フ
タロシアニン、コロネン、ペリレ／、１．８−ナフタリ
ツクア／ハイドライド、１．４，５．８−ナフタレンテ
トラカルボキシリックジアンハイドライド、ｐ−ジェチ
ニルベンゼン、または５，４，９．１０−ナフタセンテ
トラチオール等であり、ま之、イオンビームの照射によ
り導電性を発現する有機化合物の蒸着薄膜−！友は塗布
膜がある。本発明に用いる高分子薄膜としては、上記有
機化合物の低温熱分Ｍ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）薄膜、ポリイ
ミドフィルム、ポリアセチレン、ポリ−ｐ−フェニレン
スルフィド１友はイオンビームの照射により導電性を発
現する低温熱分解ＣＶＤ薄膜ま友はポリマーフィルムが
ある。これらの？Ｖ膜は、それ自体では絶縁体もしくは
半絶縁体であるが、Ａｒ＋やＮ＋、Ａｓ＋、Ｂ−などの
イオンビームを照射することにより、導電性を賦与する
ことができる。
香族ｆヒ合物の誘導体および金属フタロシアニンが挙げ
られる。具体的には、ジインデノペリレン、ニッケルフ
タロシアニｙ、 ３，４，９，１０一ベリレンテトラ
カルボキシリツクジイミド％ ’１４．９．１０−ペ
リレンテトラカルボキシリックジアンハイトライド、フ
タロシアニン、コロネン、ペリレ／、１．８−ナフタリ
ツクア／ハイドライド、１．４，５．８−ナフタレンテ
トラカルボキシリックジアンハイドライド、ｐ−ジェチ
ニルベンゼン、または５，４，９．１０−ナフタセンテ
トラチオール等であり、ま之、イオンビームの照射によ
り導電性を発現する有機化合物の蒸着薄膜−！友は塗布
膜がある。本発明に用いる高分子薄膜としては、上記有
機化合物の低温熱分Ｍ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）薄膜、ポリイ
ミドフィルム、ポリアセチレン、ポリ−ｐ−フェニレン
スルフィド１友はイオンビームの照射により導電性を発
現する低温熱分解ＣＶＤ薄膜ま友はポリマーフィルムが
ある。これらの？Ｖ膜は、それ自体では絶縁体もしくは
半絶縁体であるが、Ａｒ＋やＮ＋、Ａｓ＋、Ｂ−などの
イオンビームを照射することにより、導電性を賦与する
ことができる。
本発明においては、イオンビーム照射全平面うずまき状
く施すことにより、絶縁体もしくは半絶縁体の薄膜に平
面うずまき状の導電部分を形成する。イオンビームとし
ては、Ａｒ イオンビームま九はＮ＋イオンビーム、
ＡＳ イオンビーム、Ｂ イオンビーム等が用いられ
る。ｔとえは、ジインデノベリレンの蒸着薄膜に、２Ｍ
ｅＶのＡｒ＋イオンビームをイオンドーズ着１０”／ｄ
ｌだけ照射すると、電導度は１０−” Ｓ／ｃｒｎ以下
から２，５ Ｘ １０８ Ｓ／ａｎにまで上昇する。
く施すことにより、絶縁体もしくは半絶縁体の薄膜に平
面うずまき状の導電部分を形成する。イオンビームとし
ては、Ａｒ イオンビームま九はＮ＋イオンビーム、
ＡＳ イオンビーム、Ｂ イオンビーム等が用いられ
る。ｔとえは、ジインデノベリレンの蒸着薄膜に、２Ｍ
ｅＶのＡｒ＋イオンビームをイオンドーズ着１０”／ｄ
ｌだけ照射すると、電導度は１０−” Ｓ／ｃｒｎ以下
から２，５ Ｘ １０８ Ｓ／ａｎにまで上昇する。
このイオンビーム照射では、有機化合物薄ＩＪＩＸまた
は高分子ｆヒ合物＃膜の表面Ｊ−のみにイオンの浸透を
施すことができる。ま几、薄膜が一枚のフィルムとして
得られれば、そのフィルムの両面に導体のパターンコイ
ルを対向させて形成することができる。これら両コイル
は、コイルの内側の一端どうしを、フィルムを貫通して
電気的に直列に接続させることができる。さらに、従来
技術のフォトエツチングによるシートコイルに比べて、
パターン金より精密化することができる。さらにま友、
従来技術のフォトエツチングによるシートコイルは、接
着剤の絶縁膜層を挾んで、その両面に金属の平面状コイ
ルが設けられてｂるのに対し、本発明のシートコイルは
接着剤層はなく、一枚の絶縁体もしくは半絶縁体の薄膜
の両面ま友は片面に導電パターンを形成している。
は高分子ｆヒ合物＃膜の表面Ｊ−のみにイオンの浸透を
施すことができる。ま几、薄膜が一枚のフィルムとして
得られれば、そのフィルムの両面に導体のパターンコイ
ルを対向させて形成することができる。これら両コイル
は、コイルの内側の一端どうしを、フィルムを貫通して
電気的に直列に接続させることができる。さらに、従来
技術のフォトエツチングによるシートコイルに比べて、
パターン金より精密化することができる。さらにま友、
従来技術のフォトエツチングによるシートコイルは、接
着剤の絶縁膜層を挾んで、その両面に金属の平面状コイ
ルが設けられてｂるのに対し、本発明のシートコイルは
接着剤層はなく、一枚の絶縁体もしくは半絶縁体の薄膜
の両面ま友は片面に導電パターンを形成している。
（発明の効果）
本発明によれば、従来のシートコイルに比較して、単位
空間当シのより高い占積率、よシ精密な微細パターンコ
イルが得られ、ま九、導電部と絶縁体部分とが一枚の薄
膜として一体化しているので、従来のシートコイルのよ
うに、絶縁層がコイル導体に沿って裂けたりすることが
ない。
空間当シのより高い占積率、よシ精密な微細パターンコ
イルが得られ、ま九、導電部と絶縁体部分とが一枚の薄
膜として一体化しているので、従来のシートコイルのよ
うに、絶縁層がコイル導体に沿って裂けたりすることが
ない。
（実施例）
本発明のシートコイルの一例を第１図に示す。
この例は、有機化合物薄膜（ジインデノベリレン）１０
両面に、市販の集束イオンビーム照射装置を使用して、
２＠ｅＶのＡｒ＋イオンビームをうずまき状ニハターン
照射することにより、パターンコイル２，３を形成し友
ものである。この例においては、表裏両面のコイル２．
３は磁気的中心が一致するようだ対向して設けられ、各
コイルの内側端５．６がスルーホール４で薄膜１の絶縁
性部を貫通して電気的に導通化され、直列に接続されて
いる。第２図はコイルの断面図に示すよう和、絶縁性の
有機化合物薄膜１にＡｒ＋が侵入し、導電性のコイル部
分２．３が形成されている。
両面に、市販の集束イオンビーム照射装置を使用して、
２＠ｅＶのＡｒ＋イオンビームをうずまき状ニハターン
照射することにより、パターンコイル２，３を形成し友
ものである。この例においては、表裏両面のコイル２．
３は磁気的中心が一致するようだ対向して設けられ、各
コイルの内側端５．６がスルーホール４で薄膜１の絶縁
性部を貫通して電気的に導通化され、直列に接続されて
いる。第２図はコイルの断面図に示すよう和、絶縁性の
有機化合物薄膜１にＡｒ＋が侵入し、導電性のコイル部
分２．３が形成されている。
第１図は本発明のシートコイルの一例を示す平面図、第
２図はその断面図である。
２図はその断面図である。
Claims (1)
- 有機化合物薄膜もしくは高分子化合物薄膜に、イオン
ビームを平面うずまき状にパターン照射することにより
、平面うずまき状の導電部を形成していることを特徴と
するシートコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23668184A JPS61115302A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シ−トコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23668184A JPS61115302A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シ−トコイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115302A true JPS61115302A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=17004198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23668184A Pending JPS61115302A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | シ−トコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115302A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044033A (ja) * | 1999-05-25 | 2001-02-16 | Hitachi Metals Ltd | 積層型コモンモードチョークコイル |
| EP1168442A2 (fr) * | 2000-06-20 | 2002-01-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit intégré incluant un élément inductif de facteur de qualité élevé et présentant une grande compacité |
| JP2003532285A (ja) * | 1998-07-06 | 2003-10-28 | ミッドコム インコーポレーテッド | 磁心の内部に電気接続を有する多層変成器 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23668184A patent/JPS61115302A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003532285A (ja) * | 1998-07-06 | 2003-10-28 | ミッドコム インコーポレーテッド | 磁心の内部に電気接続を有する多層変成器 |
| JP2001044033A (ja) * | 1999-05-25 | 2001-02-16 | Hitachi Metals Ltd | 積層型コモンモードチョークコイル |
| JP4678563B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2011-04-27 | 日立金属株式会社 | 積層型コモンモードチョークコイル |
| EP1168442A2 (fr) * | 2000-06-20 | 2002-01-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit intégré incluant un élément inductif de facteur de qualité élevé et présentant une grande compacité |
| EP1168442A3 (fr) * | 2000-06-20 | 2002-05-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Circuit intégré incluant un élément inductif de facteur de qualité élevé et présentant une grande compacité |
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