JPS5952517B2 - コネクタ−の製造方法 - Google Patents
コネクタ−の製造方法Info
- Publication number
- JPS5952517B2 JPS5952517B2 JP13361277A JP13361277A JPS5952517B2 JP S5952517 B2 JPS5952517 B2 JP S5952517B2 JP 13361277 A JP13361277 A JP 13361277A JP 13361277 A JP13361277 A JP 13361277A JP S5952517 B2 JPS5952517 B2 JP S5952517B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- rubber
- metal
- forming
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度化が可能な新規コネクターの製造方法
に関するものである。
に関するものである。
最近、電子部品の高密度化が進んでおり、それに伴なつ
て、容易に電子部品の接続を可能にするファインコネク
ターの開発が要請されているが、現在用いられている導
電性ゴムと絶縁性ゴムを交互に積層したコネクターは、
高密度化に限界がある。
て、容易に電子部品の接続を可能にするファインコネク
ターの開発が要請されているが、現在用いられている導
電性ゴムと絶縁性ゴムを交互に積層したコネクターは、
高密度化に限界がある。
本発明者らは、上記要請に答えるべく鋭意研究した結果
、基板上にファインライン導体回路を、ポリマー層を介
して積層状に形成した後、所望の寸法に切断することに
より、多層の回路が密に積層された高信頼性のファイン
コネクターが得られる事を見い出し、本発明を完成する
に到つた。
、基板上にファインライン導体回路を、ポリマー層を介
して積層状に形成した後、所望の寸法に切断することに
より、多層の回路が密に積層された高信頼性のファイン
コネクターが得られる事を見い出し、本発明を完成する
に到つた。
即ち、本発明は、基板上又はポリマー層を塗布した基板
上に、金属薄層を形成し、該金属薄層にパターンを生じ
させるに充分な量のエネルギーを印加してパターンを形
成し、次いでパターン化された金属薄層上に導電性金属
をメッキした後、更にポリマー塗布（この際、導体回路
パターンの凸部がなくなり塗布表面が実用上平になるや
う塗布する）と、金属薄層形成と、エネルギ印加パター
ン形成と、導電性金属メッキとからなる導体回路形成工
程を繰り返して積層し、該積層物を所望の寸法に切断す
ることを特徴とするコネクターの製造方法を提供するこ
とにより、上記目的を達成しようとするものである。本
発明に使用できる基板は広範囲に求めることができる。
上に、金属薄層を形成し、該金属薄層にパターンを生じ
させるに充分な量のエネルギーを印加してパターンを形
成し、次いでパターン化された金属薄層上に導電性金属
をメッキした後、更にポリマー塗布（この際、導体回路
パターンの凸部がなくなり塗布表面が実用上平になるや
う塗布する）と、金属薄層形成と、エネルギ印加パター
ン形成と、導電性金属メッキとからなる導体回路形成工
程を繰り返して積層し、該積層物を所望の寸法に切断す
ることを特徴とするコネクターの製造方法を提供するこ
とにより、上記目的を達成しようとするものである。本
発明に使用できる基板は広範囲に求めることができる。
基板としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
、酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリパラパン酸な
どのフィルムでもよいが、天然ゴム、スチレンブタジエ
ンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニト
リルゴム、ブチルゴム、エピクロルヒドリンゴム、ハイ
スチレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、アク
リルゴム、フッ素ゴム、塩素化ポリエチレン、ウレタン
ゴム、エチレンプロピレンゴム、ポリイソプレンゴム、
アルフィンゴム、シリコーンゴムなどのゴム弾性を有す
るものが特に好ましい。本発明に使用されるポリマー層
としては、熱分解し難い特性を有するものが好ましい。
、酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリパラパン酸な
どのフィルムでもよいが、天然ゴム、スチレンブタジエ
ンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ニト
リルゴム、ブチルゴム、エピクロルヒドリンゴム、ハイ
スチレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、アク
リルゴム、フッ素ゴム、塩素化ポリエチレン、ウレタン
ゴム、エチレンプロピレンゴム、ポリイソプレンゴム、
アルフィンゴム、シリコーンゴムなどのゴム弾性を有す
るものが特に好ましい。本発明に使用されるポリマー層
としては、熱分解し難い特性を有するものが好ましい。
また使用する基板および金属薄層に対する密着性の優れ
たものが特に好適である。上記ポリマーは熱可塑性でも
あるいは熱硬化性でも使用し得るが、特に熱硬化性のも
のが好ましい。本発明に好適に使用され得るポリマーと
しては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリウレタン
、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、シリコンゴムなどを挙げることができ、熱硬化
型の場合は適宜の開始剤或いは硬化剤を配合するとよい
。これらは適当な溶媒に溶解して塗布され、所望の膜厚
を得ることができる。膜厚としてはより好ましい範囲は
１〜１００μである。本発明に使用され得る金属薄膜は
、ニツケル、銅、チタン、スズ、インジウム、パラジウ
ム、鉛、亜鉛、ビスマス、テルル、鉄、コバルト、アン
チモン、ゲルマニウム、金、銀、アルミニウム、クロム
などの金属およびこれらの合金などを、任意の便宜的装
置によつて、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイングなどの方法により形成することができ、
これらは一層でもよく、また必要に応じ二層以上の多層
構造としてもよい、膜厚としては、５０人〜１μ特に１
００〜５０００人が好ましい範囲である。
たものが特に好適である。上記ポリマーは熱可塑性でも
あるいは熱硬化性でも使用し得るが、特に熱硬化性のも
のが好ましい。本発明に好適に使用され得るポリマーと
しては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリウレタン
、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ステル、シリコンゴムなどを挙げることができ、熱硬化
型の場合は適宜の開始剤或いは硬化剤を配合するとよい
。これらは適当な溶媒に溶解して塗布され、所望の膜厚
を得ることができる。膜厚としてはより好ましい範囲は
１〜１００μである。本発明に使用され得る金属薄膜は
、ニツケル、銅、チタン、スズ、インジウム、パラジウ
ム、鉛、亜鉛、ビスマス、テルル、鉄、コバルト、アン
チモン、ゲルマニウム、金、銀、アルミニウム、クロム
などの金属およびこれらの合金などを、任意の便宜的装
置によつて、例えば真空蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイングなどの方法により形成することができ、
これらは一層でもよく、また必要に応じ二層以上の多層
構造としてもよい、膜厚としては、５０人〜１μ特に１
００〜５０００人が好ましい範囲である。
本発明に使用される金属薄層０こパターンを形成する方
法としては、マスクを用いて露光する方法或いは画像状
に変調されたエネルギーを走査させる方法などがあり、
露光部の金属薄層が分散除去されるに充分な量のエネル
ギーを印加せしめる。
法としては、マスクを用いて露光する方法或いは画像状
に変調されたエネルギーを走査させる方法などがあり、
露光部の金属薄層が分散除去されるに充分な量のエネル
ギーを印加せしめる。
エネルギーの種類としては、輻射エネルギーおよび粒子
エネルギーがあり、これらはパルス型がより好ましい。
たとえば、フラツシユランプ、赤外線ランプ、レーザー
、電子ビーム等を挙げることができる。本発明に使用さ
れる導電性金属のメツキ法としては、無電解メツキ法或
いは電気メツキ法などがあり、これらは単独或いは併用
して用いることができる。
エネルギーがあり、これらはパルス型がより好ましい。
たとえば、フラツシユランプ、赤外線ランプ、レーザー
、電子ビーム等を挙げることができる。本発明に使用さ
れる導電性金属のメツキ法としては、無電解メツキ法或
いは電気メツキ法などがあり、これらは単独或いは併用
して用いることができる。
導電性金属としては銅、銀、金、ニツケル、スズなどが
あり、通常公知の方法によつてメツキが行なわれる。こ
のように、基板上に導体回路を積層状に形成した後、所
望の寸法に切断する方法としては、従来公知の方法が用
いられる。
あり、通常公知の方法によつてメツキが行なわれる。こ
のように、基板上に導体回路を積層状に形成した後、所
望の寸法に切断する方法としては、従来公知の方法が用
いられる。
また、より信頼性を向上する為に、切断後端子部の個々
の端子に導電性金属をメツキしても良く、更に必要に応
じて熱処理などの処理を施しても良い。
の端子に導電性金属をメツキしても良く、更に必要に応
じて熱処理などの処理を施しても良い。
以下に本発明の態様を一層明確にするために、実施例を
挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではなく、種々の変形が可能である。
挙げて説明するが、本発明は以下の実施例に限定される
ものではなく、種々の変形が可能である。
実施例
３００μのシリコンゴムシート上に、ボスチツク社製エ
ポキシ系接着剤「ＸＡ−５６４−４」を乾燥後１０μ厚
になるように塗布して、１５０℃で１０分間加熱した後
に、銅を１００人厚に、次いでチタンを１００人厚に蒸
着した。
ポキシ系接着剤「ＸＡ−５６４−４」を乾燥後１０μ厚
になるように塗布して、１５０℃で１０分間加熱した後
に、銅を１００人厚に、次いでチタンを１００人厚に蒸
着した。
Claims (1)
- １ 基板上又はポリマー層を塗布した基板上に、金属薄
層を形成し、該金属薄層にパターンを生じさせるに充分
な量のエネルギーを印加してパターンを形成し、次いで
パターン化された金属薄層上に導電性金属をメッキした
後、更にポリマー塗布と、金属薄層形成と、エネルギ印
加パターン形成と、導電性金属メッキとからなる導体回
路の形成工程を繰り返して積層し、該積層物を所望の寸
法に切断することを特徴とするコネクターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13361277A JPS5952517B2 (ja) | 1977-11-09 | 1977-11-09 | コネクタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13361277A JPS5952517B2 (ja) | 1977-11-09 | 1977-11-09 | コネクタ−の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5467690A JPS5467690A (en) | 1979-05-31 |
| JPS5952517B2 true JPS5952517B2 (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=15108870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13361277A Expired JPS5952517B2 (ja) | 1977-11-09 | 1977-11-09 | コネクタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952517B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175613U (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-07 | ||
| JPS6370622U (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-12 |
-
1977
- 1977-11-09 JP JP13361277A patent/JPS5952517B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175613U (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-07 | ||
| JPS6370622U (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5467690A (en) | 1979-05-31 |
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