JPH0243353B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0243353B2 JPH0243353B2 JP55113979A JP11397980A JPH0243353B2 JP H0243353 B2 JPH0243353 B2 JP H0243353B2 JP 55113979 A JP55113979 A JP 55113979A JP 11397980 A JP11397980 A JP 11397980A JP H0243353 B2 JPH0243353 B2 JP H0243353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductor
- thickness
- plating
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- -1 etc. are preferred Chemical compound 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高密度、高信頼性の厚膜フアインパタ
ーンの製法に関するものである。 厚膜フアインパターンは、電流値が必要とされ
る小型コイル、高密度コネクター、高密度配線な
どの分野で要求されている。コイルの製造法とし
ては、通常、巻き線方式が用いられているが、こ
の方法では小型のコイルを製造する事は困難であ
り、かつ巻き線の状態にバラツキが生じる。ま
た、35μm銅箔をエツチングしたいわゆるプリン
トコイルは、サイドエツチングの為、導電体間隔
が10〜100μmの厚膜フアインパターンは得られ
ず、たかだか2〜3本/mmのパターンしか得られ
ず、この方法も小型のコイルを製造する事はむつ
かしい。しかしながら、近年モーターの小型化に
ともない、5〜25本/mmのフアインパターンを有
するフアインコイル即ち導電体間隔が10〜100μ
で厚膜のフアインパターンを有するコイルの開発
が要望されている。 しかしながら、厚膜フアインパターン(5本/
mm以上で膜厚58μmをこえるもの、特に68μmを
こえるもの)の所望する回路部の膜厚まで、無電
解メツキで厚付けすると、膜厚以上に幅方向に太
りが生じる為、フアインパターンは得られない。
また、電解メツキで厚付けを行う場合、通常の電
流密度で電解メツキを行うと、膜厚方向以上に幅
方向への太りが生じ、かつメツキ膜厚が不均一に
なつてしまい、フアインパターンを得る事はむつ
かしい。 この問題を解決する為に、鋭意研究した結果、
まず最初に陰極電流密度が大きい程、幅方向への
太りが少なくなり膜厚方向へのメツキの選択性が
向上することを見出した。しかしながら、余り陰
極電流密度を上げ過ぎると通常の電解メツキでは
メツキ厚を58μmをこえて厚くすると(特に68μ
mをこえると顕著に)やけが大きくなり、それ程
陰極電流密度が上げれなかつた。そこで、更に研
究した結果、例えばパルスメツキなどにより、や
けを生じる事なく従来より陰極電流密度が上げら
れる様になり、はじめて従来不可能とされていた
68μmをこえる膜厚を有する厚膜フアインパター
ンが得られることを見出し、本発明の新規で有用
な厚膜フアインパターンの製法を完成させた。 即ち、本発明は、基板上に、導電体膜厚0.1〜
10μmの薄膜導電体を形成した後、該薄膜導電体
上にピロリン酸銅メツキ液を用い陰極電流密度が
20A/dm2を超える値でパルス電解メツキにより
導体厚が58μmを超える厚付けを行うことを特徴
とする導電体の線密度5本/mm以上の厚膜フアイ
ンパターンの製法である。 このような厚膜フアインパターンの製法は、ま
ず、導電体間隔10〜100μmもしくはその近傍の
所定の巾に膜厚0.1〜10μmの薄膜導電体を形成し
た後、20A/dm2をこえる陰極電流密度で、パル
スメツキして厚付けすることにより、形成され
る。 本発明の厚膜フアインパターンの製法は、基板
の片面だけに形成しても良いが、必要に応じて両
面に形成しても良く、両面に形成する場合は基板
に穴あけし、スルーホール接続を必要に応じて行
う。1枚の基板の上に複数のパターンを形成する
場合は、基板の両面にパターンを形成し、スルー
ホール接続した方がつなぎ込みが容易であり好ま
しい。 本発明に使用される基板としては、フイルム状
のものが好ましく、例えばポリエステルフイル
ム、エポキシフイルム、ポリイミドフイルム、ポ
リパラバン酸フイルム、トリアジンフイルムなど
フイルム状のものはすべて使用出来るが、可撓
性、耐熱性の点からポリイミドフイルム、ポリパ
ラバン酸フイルム、トリアジンフイルムが好まし
い。基板の膜厚は、高密度化という意味では出来
るだけ薄いものが好ましいが、余り薄すぎると作
業性が悪くなり、膜厚としては5〜50μm、特に
10〜25μmが好ましい範囲である。 また必要に応じて、基板と導電体の接着性を向
上する為に、基板上に接着層を設けても良い。接
着剤としては、ポリエステル−イソシアネート
系、フエノール樹脂−ブチラール系、フエノール
樹脂−ニトリルゴム系、エポキシ−ナイロン系、
エポキシ−ニトリルゴム系などがあり、耐熱性、
耐湿性、接着性の優れたものが好ましく、特にフ
エノール樹脂−ニトリルゴム系、エポキシ−ニト
リルゴム系接着剤が好ましい。接着剤の膜厚は高
密度化、接着性の点から、1〜20μm、特に2〜
10μmが好ましい範囲である。 本発明に使用される薄膜導電体としては、導電
性のものであれば何でも良いが、銀、金、銅、ニ
ツケル、スズなどが好ましく、特に導電性、経済
性の点から銅が好ましい。本発明の厚膜フアイン
パターンを形成するための膜厚0.1〜10μmの薄膜
導電体を形成する方法としては、蒸着、スパツタ
リング、イオンプレーテイングなどの方法、無電
解メツキによる方法、銅薄膜を貼る方法などがあ
り、この薄膜導電体は、従来公知のフオトエツチ
ング法などにより、電解メツキ前にフアインパタ
ーン状にパターニングされていても良く、また薄
膜導電体上にフオトレジストでマスクを形成し
て、フアインパターンに電解メツキを行つた後、
フアインパターン以外の薄膜導電体をエツチング
などにより除去しても良い。 薄膜導電体の膜厚は、0.1μm以下ではメツキ時
電圧降下が起こり均一な電解メツキがむつかし
く、10μm以上ではエツチング時サイドエツチン
グの為フアインパターンの製造が困難であり、特
に0.2〜5μmが好ましい範囲である。 電解メツキの種類としては、銅が好ましい。銅
の電解メツキとしては、ピロリン酸銅メツキが好
ましい。フアインパターンを電解メツキする場合
重要なことは陰極の電流密度を20A/dm2を超え
る値で、かつ、パルスメツキを行うことであり、
これによつて膜厚方向に選択的にメツキされる。
電流密度が20A/dm2以下でのパルスメツキでは
線密度5本/mm以上で導体厚58μmを超える導体
を得ることが出来ない。電解メツキ膜厚は、設計
値により異るが、58μmをこえて200μm以下、特
に68μmをこえるものが好ましい範囲である。 また、より信頼性を向上する為に、必要に応じ
て、電解メツキ後熱処理或いはポリマーから成る
保護層を設けるなどの処理が行われる。 本発明により、厚膜フアインパターンの回路、
例えば5本/mm以上、58μmをこえる膜厚更には
68μmをこえる膜厚を有する今まで不可能視され
ていた回路を提供することができる。 以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実
施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではなく、種々の変形が可能で
ある。 実施例 1 デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)上に、表面処理、無電解銅メツキ
(膜厚5μm)、フオトエツチングで導体間隔約20μ
m、膜厚5μmの薄膜導電体パターンを形成し、
次いで、ハーシヨウ村田社製ピロリン酸銅メツキ
液を用いて、陰極電流密度25A/dm2の条件で銅
を75μm厚パルスメツキを行つて、膜厚80μmで
導体間隔15μmの12.5本/mmのフアインパターン
を得た。 実施例 2 エツソ化学社製ポリパラバン酸フイルム「トラ
ドロン」(膜厚25μm)の両面に、ボスチツク社
製エポキシ−ニトリルゴム系接着剤「XA−564
−9」を乾燥後、片面膜厚が5μm塗布し、穴あ
け、銅蒸着して得られた膜厚0.3μmの薄膜導電体
を、フオトレジスト(膜厚5μm)でパターン以
外をマスクし、次いで、ハーシヨウ村田社製ピロ
リン酸銅メツキ液を用いて、陰極電流密度30A/
dm2の条件で銅を150μm厚パルスメツキを行い、
その後、パターン以外の薄膜銅をエツチング除去
して、膜厚150μmで導体間隔55μmで10本/mmの
フアインパターンを得た。 比較例 1〜5 通電方法と陰極電流密度を下記表に示す如く変
化させる以外は、実施例1と同様の処理を行つ
た。その結果を下記表に示す。 【表】
ーンの製法に関するものである。 厚膜フアインパターンは、電流値が必要とされ
る小型コイル、高密度コネクター、高密度配線な
どの分野で要求されている。コイルの製造法とし
ては、通常、巻き線方式が用いられているが、こ
の方法では小型のコイルを製造する事は困難であ
り、かつ巻き線の状態にバラツキが生じる。ま
た、35μm銅箔をエツチングしたいわゆるプリン
トコイルは、サイドエツチングの為、導電体間隔
が10〜100μmの厚膜フアインパターンは得られ
ず、たかだか2〜3本/mmのパターンしか得られ
ず、この方法も小型のコイルを製造する事はむつ
かしい。しかしながら、近年モーターの小型化に
ともない、5〜25本/mmのフアインパターンを有
するフアインコイル即ち導電体間隔が10〜100μ
で厚膜のフアインパターンを有するコイルの開発
が要望されている。 しかしながら、厚膜フアインパターン(5本/
mm以上で膜厚58μmをこえるもの、特に68μmを
こえるもの)の所望する回路部の膜厚まで、無電
解メツキで厚付けすると、膜厚以上に幅方向に太
りが生じる為、フアインパターンは得られない。
また、電解メツキで厚付けを行う場合、通常の電
流密度で電解メツキを行うと、膜厚方向以上に幅
方向への太りが生じ、かつメツキ膜厚が不均一に
なつてしまい、フアインパターンを得る事はむつ
かしい。 この問題を解決する為に、鋭意研究した結果、
まず最初に陰極電流密度が大きい程、幅方向への
太りが少なくなり膜厚方向へのメツキの選択性が
向上することを見出した。しかしながら、余り陰
極電流密度を上げ過ぎると通常の電解メツキでは
メツキ厚を58μmをこえて厚くすると(特に68μ
mをこえると顕著に)やけが大きくなり、それ程
陰極電流密度が上げれなかつた。そこで、更に研
究した結果、例えばパルスメツキなどにより、や
けを生じる事なく従来より陰極電流密度が上げら
れる様になり、はじめて従来不可能とされていた
68μmをこえる膜厚を有する厚膜フアインパター
ンが得られることを見出し、本発明の新規で有用
な厚膜フアインパターンの製法を完成させた。 即ち、本発明は、基板上に、導電体膜厚0.1〜
10μmの薄膜導電体を形成した後、該薄膜導電体
上にピロリン酸銅メツキ液を用い陰極電流密度が
20A/dm2を超える値でパルス電解メツキにより
導体厚が58μmを超える厚付けを行うことを特徴
とする導電体の線密度5本/mm以上の厚膜フアイ
ンパターンの製法である。 このような厚膜フアインパターンの製法は、ま
ず、導電体間隔10〜100μmもしくはその近傍の
所定の巾に膜厚0.1〜10μmの薄膜導電体を形成し
た後、20A/dm2をこえる陰極電流密度で、パル
スメツキして厚付けすることにより、形成され
る。 本発明の厚膜フアインパターンの製法は、基板
の片面だけに形成しても良いが、必要に応じて両
面に形成しても良く、両面に形成する場合は基板
に穴あけし、スルーホール接続を必要に応じて行
う。1枚の基板の上に複数のパターンを形成する
場合は、基板の両面にパターンを形成し、スルー
ホール接続した方がつなぎ込みが容易であり好ま
しい。 本発明に使用される基板としては、フイルム状
のものが好ましく、例えばポリエステルフイル
ム、エポキシフイルム、ポリイミドフイルム、ポ
リパラバン酸フイルム、トリアジンフイルムなど
フイルム状のものはすべて使用出来るが、可撓
性、耐熱性の点からポリイミドフイルム、ポリパ
ラバン酸フイルム、トリアジンフイルムが好まし
い。基板の膜厚は、高密度化という意味では出来
るだけ薄いものが好ましいが、余り薄すぎると作
業性が悪くなり、膜厚としては5〜50μm、特に
10〜25μmが好ましい範囲である。 また必要に応じて、基板と導電体の接着性を向
上する為に、基板上に接着層を設けても良い。接
着剤としては、ポリエステル−イソシアネート
系、フエノール樹脂−ブチラール系、フエノール
樹脂−ニトリルゴム系、エポキシ−ナイロン系、
エポキシ−ニトリルゴム系などがあり、耐熱性、
耐湿性、接着性の優れたものが好ましく、特にフ
エノール樹脂−ニトリルゴム系、エポキシ−ニト
リルゴム系接着剤が好ましい。接着剤の膜厚は高
密度化、接着性の点から、1〜20μm、特に2〜
10μmが好ましい範囲である。 本発明に使用される薄膜導電体としては、導電
性のものであれば何でも良いが、銀、金、銅、ニ
ツケル、スズなどが好ましく、特に導電性、経済
性の点から銅が好ましい。本発明の厚膜フアイン
パターンを形成するための膜厚0.1〜10μmの薄膜
導電体を形成する方法としては、蒸着、スパツタ
リング、イオンプレーテイングなどの方法、無電
解メツキによる方法、銅薄膜を貼る方法などがあ
り、この薄膜導電体は、従来公知のフオトエツチ
ング法などにより、電解メツキ前にフアインパタ
ーン状にパターニングされていても良く、また薄
膜導電体上にフオトレジストでマスクを形成し
て、フアインパターンに電解メツキを行つた後、
フアインパターン以外の薄膜導電体をエツチング
などにより除去しても良い。 薄膜導電体の膜厚は、0.1μm以下ではメツキ時
電圧降下が起こり均一な電解メツキがむつかし
く、10μm以上ではエツチング時サイドエツチン
グの為フアインパターンの製造が困難であり、特
に0.2〜5μmが好ましい範囲である。 電解メツキの種類としては、銅が好ましい。銅
の電解メツキとしては、ピロリン酸銅メツキが好
ましい。フアインパターンを電解メツキする場合
重要なことは陰極の電流密度を20A/dm2を超え
る値で、かつ、パルスメツキを行うことであり、
これによつて膜厚方向に選択的にメツキされる。
電流密度が20A/dm2以下でのパルスメツキでは
線密度5本/mm以上で導体厚58μmを超える導体
を得ることが出来ない。電解メツキ膜厚は、設計
値により異るが、58μmをこえて200μm以下、特
に68μmをこえるものが好ましい範囲である。 また、より信頼性を向上する為に、必要に応じ
て、電解メツキ後熱処理或いはポリマーから成る
保護層を設けるなどの処理が行われる。 本発明により、厚膜フアインパターンの回路、
例えば5本/mm以上、58μmをこえる膜厚更には
68μmをこえる膜厚を有する今まで不可能視され
ていた回路を提供することができる。 以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実
施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例
に限定されるものではなく、種々の変形が可能で
ある。 実施例 1 デユポン社製ポリイミドフイルム「カプトン」
(膜厚25μm)上に、表面処理、無電解銅メツキ
(膜厚5μm)、フオトエツチングで導体間隔約20μ
m、膜厚5μmの薄膜導電体パターンを形成し、
次いで、ハーシヨウ村田社製ピロリン酸銅メツキ
液を用いて、陰極電流密度25A/dm2の条件で銅
を75μm厚パルスメツキを行つて、膜厚80μmで
導体間隔15μmの12.5本/mmのフアインパターン
を得た。 実施例 2 エツソ化学社製ポリパラバン酸フイルム「トラ
ドロン」(膜厚25μm)の両面に、ボスチツク社
製エポキシ−ニトリルゴム系接着剤「XA−564
−9」を乾燥後、片面膜厚が5μm塗布し、穴あ
け、銅蒸着して得られた膜厚0.3μmの薄膜導電体
を、フオトレジスト(膜厚5μm)でパターン以
外をマスクし、次いで、ハーシヨウ村田社製ピロ
リン酸銅メツキ液を用いて、陰極電流密度30A/
dm2の条件で銅を150μm厚パルスメツキを行い、
その後、パターン以外の薄膜銅をエツチング除去
して、膜厚150μmで導体間隔55μmで10本/mmの
フアインパターンを得た。 比較例 1〜5 通電方法と陰極電流密度を下記表に示す如く変
化させる以外は、実施例1と同様の処理を行つ
た。その結果を下記表に示す。 【表】
Claims (1)
- 1 基板上に、導電体膜厚が0.1〜10μmの薄膜導
電体を形成した後、該薄膜導電体上にピロリン酸
銅メツキ液を用い陰極電流密度が20A/dm2を超
える値でパルス電解メツキにより導体厚が58μm
を超える厚付けを行なうことを特徴とする導電体
の線密度5本/mm以上の膜厚フアインパターンの
製法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11397980A JPS5739598A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Thick film fine pattern |
US06/219,155 US4392013A (en) | 1979-12-27 | 1980-12-22 | Fine-patterned thick film conductor structure and manufacturing method thereof |
NLAANVRAGE8006987,A NL183380C (nl) | 1979-12-27 | 1980-12-22 | Van een patroon voorziene en een dikke laag omvattende geleiderconstructie en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
GB8041120A GB2066583B (en) | 1979-12-27 | 1980-12-23 | Thick film conductor |
DE3048740A DE3048740C2 (de) | 1979-12-27 | 1980-12-23 | Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11397980A JPS5739598A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Thick film fine pattern |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5739598A JPS5739598A (en) | 1982-03-04 |
JPH0243353B2 true JPH0243353B2 (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=14626002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11397980A Granted JPS5739598A (en) | 1979-12-27 | 1980-08-21 | Thick film fine pattern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5739598A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476871U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-06 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07101652B2 (ja) * | 1988-11-01 | 1995-11-01 | 株式会社村田製作所 | 高周波コイルの製造方法 |
US7852186B2 (en) | 2006-08-28 | 2010-12-14 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coil transducer with reduced arcing and improved high voltage breakdown performance characteristics |
US7791900B2 (en) * | 2006-08-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Galvanic isolator |
US8093983B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Narrowbody coil isolator |
US7948067B2 (en) | 2009-06-30 | 2011-05-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coil transducer isolator packages |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5439876A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-27 | Victor Company Of Japan | Method of manufacturing filmmlike pattern |
JPS5523919A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-20 | Nippon Carbide Kogyo Kk | Shooting preventing and cultivating method of ginger and agricultural covering material used therein |
-
1980
- 1980-08-21 JP JP11397980A patent/JPS5739598A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5439876A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-27 | Victor Company Of Japan | Method of manufacturing filmmlike pattern |
JPS5523919A (en) * | 1978-08-07 | 1980-02-20 | Nippon Carbide Kogyo Kk | Shooting preventing and cultivating method of ginger and agricultural covering material used therein |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0476871U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5739598A (en) | 1982-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4392013A (en) | Fine-patterned thick film conductor structure and manufacturing method thereof | |
US7132607B2 (en) | Wired circuit board | |
JP3154713B2 (ja) | 異方性導電膜およびその製造方法 | |
CN1976556B (zh) | 配线电路基板 | |
JPH0243353B2 (ja) | ||
JPS61124117A (ja) | プリントコイルの製造方法 | |
JP3442403B2 (ja) | 電気絶縁性支持体上に金属導体路パターンを形成させる方法 | |
JP4127213B2 (ja) | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 | |
JPH0154874B2 (ja) | ||
JPH0219992B2 (ja) | ||
JP4611075B2 (ja) | 配線回路基板 | |
WO2002098193A1 (en) | A method for applying thick copper on substrates | |
KR830002579B1 (ko) | 후막 파인 패턴 도전체(厚膜 fine patterned 導電體) | |
JPH0156557B2 (ja) | ||
JPS62174994A (ja) | 厚膜フアインパタ−ン | |
KR950003861B1 (ko) | 박형코일의 제조방법 | |
JP3733644B2 (ja) | 2層配線基板及びその製造方法 | |
JPS6037640B2 (ja) | プリント基板 | |
JP2023167062A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
JPS61254039A (ja) | 回路パタ−ン形成方法 | |
JPS6163088A (ja) | スル−ホ−ル配線板の製造方法 | |
JPS60167307A (ja) | プリントコイルの製造方法 | |
JPH10209593A (ja) | 2層配線基板、及びその製造方法 | |
JPH0765629A (ja) | 導電性透明体ならびにその製造方法 | |
JPS6167293A (ja) | プリント回路板の導通方法 |