JPS61112392A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61112392A JPS61112392A JP23316684A JP23316684A JPS61112392A JP S61112392 A JPS61112392 A JP S61112392A JP 23316684 A JP23316684 A JP 23316684A JP 23316684 A JP23316684 A JP 23316684A JP S61112392 A JPS61112392 A JP S61112392A
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- Japan
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- layer
- cladding layer
- semiconductor
- light absorption
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体レーザに係り、特に非点収差のない、
雑音特性の良好な素子に関する。
雑音特性の良好な素子に関する。
半導体レーザ光分布（横モード）をストライプ内部と外
縁部との間の屈折率差で閉じ込めたいわゆる屈折導波型
素子では発振スペクトル線（縦モード）が単一となる。
縁部との間の屈折率差で閉じ込めたいわゆる屈折導波型
素子では発振スペクトル線（縦モード）が単一となる。
このような素子を光デイスりに応用した場合には、ディ
スクから反射光による戻り光雑音が発生する。一方、屈
折率差が小さい素子では、縦モードがマルチ化し、戻り
光雑音は発生しないが、活性層に水星な方向と垂直な方
向のビー１１ウエストの位置が異なる。いわゆる非点収
差を生じ、レーザビー１１を絞り込めないという欠点が
ある。このため、縦モードがマルチモードで非点収差の
ない素子がのぞまれるにのためには、半導体レーザの光
軸方向にストライプ構造を変化させ、素子内部では屈折
率差を小さく、少なくとも一方の端面近傍で屈折率差を
大きくすれば、上記目的を達成することができる。この
ような素子については既に報告があるが、ＭＯＣＶＤや
ＭＢＥなどの熱非平衡状態での結晶成長技術を用いてこ
のような素子を形成するためには、活性層を平坦に作製
する事が望ましく、平坦な活性層よりも−ヒに設けた構
造によりこのような構造を得ることが必要である。以上
に関連する公知例として文献１）２）があげられる。
スクから反射光による戻り光雑音が発生する。一方、屈
折率差が小さい素子では、縦モードがマルチ化し、戻り
光雑音は発生しないが、活性層に水星な方向と垂直な方
向のビー１１ウエストの位置が異なる。いわゆる非点収
差を生じ、レーザビー１１を絞り込めないという欠点が
ある。このため、縦モードがマルチモードで非点収差の
ない素子がのぞまれるにのためには、半導体レーザの光
軸方向にストライプ構造を変化させ、素子内部では屈折
率差を小さく、少なくとも一方の端面近傍で屈折率差を
大きくすれば、上記目的を達成することができる。この
ような素子については既に報告があるが、ＭＯＣＶＤや
ＭＢＥなどの熱非平衡状態での結晶成長技術を用いてこ
のような素子を形成するためには、活性層を平坦に作製
する事が望ましく、平坦な活性層よりも−ヒに設けた構
造によりこのような構造を得ることが必要である。以上
に関連する公知例として文献１）２）があげられる。
１）島田他、″゛リブ光導波路モードフィルタ型ＧａＡ
ＱＡｓレーザの特性″、第３１回応物講演会（昭５７．
３．２９〜４．２） ２）特公昭５４−５２７３号 〔発明の目的〕 本発明の目的は、雑音特性の良好な、非点収差のない半
導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
ＱＡｓレーザの特性″、第３１回応物講演会（昭５７．
３．２９〜４．２） ２）特公昭５４−５２７３号 〔発明の目的〕 本発明の目的は、雑音特性の良好な、非点収差のない半
導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、第１図〜第２図に示すごと
く、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ＧａＡＱＡｓ系のダブル
ヘテロ構造を形成し、レーザストライプの外部において
このダブルヘテロ構造の活性層から光がしみだすに十分
に距離を隔てて、活性層の上側のクラッド層と光吸収と
第３のクラッド層よりなる、第２のダブルヘテロ構造を
形成し、第２のダブルヘテロの伝搬係数が活性層により
形成されるダブルヘテロよりも大きくなるように構成す
る。
く、Ｇ ａ Ａ ｓ基板上に、ＧａＡＱＡｓ系のダブル
ヘテロ構造を形成し、レーザストライプの外部において
このダブルヘテロ構造の活性層から光がしみだすに十分
に距離を隔てて、活性層の上側のクラッド層と光吸収と
第３のクラッド層よりなる、第２のダブルヘテロ構造を
形成し、第２のダブルヘテロの伝搬係数が活性層により
形成されるダブルヘテロよりも大きくなるように構成す
る。
このような構造における横方向の導波路形成の原
・°゛理については、たとえばＮ、Ｉｓｈｉｋａｗ
ａ ａｔ ａｌ、ＩＥＥＥＪ、ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃ、ＱＥ−１７（７） １２２６（１９８１）に
述べられている。
・°゛理については、たとえばＮ、Ｉｓｈｉｋａｗ
ａ ａｔ ａｌ、ＩＥＥＥＪ、ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃ、ＱＥ−１７（７） １２２６（１９８１）に
述べられている。
このような構造において、第３ツクラッド層の組成を、
レーザストライプの端面付近の領域と、素子内部の領域
で変化、することにより、ストライプ内部と外縁部との
間の屈折率差を、端面部では大きく、素子内部では小さ
くすることができる。
レーザストライプの端面付近の領域と、素子内部の領域
で変化、することにより、ストライプ内部と外縁部との
間の屈折率差を、端面部では大きく、素子内部では小さ
くすることができる。
以下１本発明の実施例を第１〜３図により説明する。第
１図は埋込み前のウェハの構造を示す斜視図、第２図は
端面付近の素子断面図、第３図は素子内部の断面図であ
る。なお、断面図はレーザ光の進行方向に垂直な而での
断面図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＩ）法
によりｎ−Ｇａ、、、、、Ａ Ｑｎ、４．Ａｓクラッド
層２（Ｓｅドープ、ｎ＝５ｘｌｏ”ロー３．１．５μｍ
）、アンドープＧ ａ ｎ、 Ｈ６Ａ Ｑ ６ 、 （
４ΔＳ活性層３（アンドープ、０．０６μｍ）、ｐ−Ｇ
ａ、、、、Ａ Ｑｏ、、 ＡｓクラッドＷＪ４（Ｚｎド
ープ、ｐ ＝ ３ ｘ ｌ Ｏ”ａ＋＋−’、０．４ｐ
ｍ）、ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５（Ｚｎドープ、Ｐ＝ ３
ｘ ｌ Ｏ１７ｃｉｎ−’、Ｏ，１５μｍ）、ｐ−Ｇ
ａｏ、 ６ Ａ Ｑ ６ 、４ Ａ １４層６ （
Ｚｎドープ、ｐ＝３ｘｌＯ１７０−３．０．２μｍ）、
ｎ−Ｇａ、、ｃＡ ｆｉｎ、＋Ａｓ層７（Ｓｅドープ、
ｎ＝５ ｘ ｌ ０１７ｄｌ−”、１．５μｒｎ）、ｎ
−ＧａＡｓ層８Ｊ８（Ｓｅドープ、 ｎ ＝ ５ ｘ
１０”ａｍ−’、１．５μｍ）、を順次成長した。次
に１通常のフォトリソグラフ技術を用い、レーザストラ
イプとなる領域以外の領域にＳｉｎ、保護膜を設けた後
、ｎ−ＧａＡｓ層８をストライプ状に取り除き、さらに
ＨＦ系のエツチング液によりｎ−Ｇａ、、、Ａ Ｑ、９
．Ａｓ層７．およびｐ−Ｇａｏ、、ＡＱ、、４Ａｓ層６
をエツチングすることにより光吸収層５までストライプ
を掘り下げた。ＨＦ系のエツチング液のＧ ａ Ａ ｓ
とＧａＡＱＡｓのエツチング選択性のため、このエツチ
ングは容易に光吸収層５で停止することができる。次に
リン酸系のエツチング液によりストライプ内部の光吸収
層５を取り除く。次にレーザ端面となるべき、第１図に
破線で示した壁かい線にそう１０〜２０μｍの領域にお
いてｎ−Ｇａ０．、Ａ Ｑｏ、４Ａｓ層７、およびｐ
Ｇ ａ、 、６ Ａ Ｑ ０ 、ｌ Ａｓ層６を取り
除く。
１図は埋込み前のウェハの構造を示す斜視図、第２図は
端面付近の素子断面図、第３図は素子内部の断面図であ
る。なお、断面図はレーザ光の進行方向に垂直な而での
断面図である。ｎ型ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＩ）法
によりｎ−Ｇａ、、、、、Ａ Ｑｎ、４．Ａｓクラッド
層２（Ｓｅドープ、ｎ＝５ｘｌｏ”ロー３．１．５μｍ
）、アンドープＧ ａ ｎ、 Ｈ６Ａ Ｑ ６ 、 （
４ΔＳ活性層３（アンドープ、０．０６μｍ）、ｐ−Ｇ
ａ、、、、Ａ Ｑｏ、、 ＡｓクラッドＷＪ４（Ｚｎド
ープ、ｐ ＝ ３ ｘ ｌ Ｏ”ａ＋＋−’、０．４ｐ
ｍ）、ｐ−ＧａＡｓ光吸収層５（Ｚｎドープ、Ｐ＝ ３
ｘ ｌ Ｏ１７ｃｉｎ−’、Ｏ，１５μｍ）、ｐ−Ｇ
ａｏ、 ６ Ａ Ｑ ６ 、４ Ａ １４層６ （
Ｚｎドープ、ｐ＝３ｘｌＯ１７０−３．０．２μｍ）、
ｎ−Ｇａ、、ｃＡ ｆｉｎ、＋Ａｓ層７（Ｓｅドープ、
ｎ＝５ ｘ ｌ ０１７ｄｌ−”、１．５μｒｎ）、ｎ
−ＧａＡｓ層８Ｊ８（Ｓｅドープ、 ｎ ＝ ５ ｘ
１０”ａｍ−’、１．５μｍ）、を順次成長した。次
に１通常のフォトリソグラフ技術を用い、レーザストラ
イプとなる領域以外の領域にＳｉｎ、保護膜を設けた後
、ｎ−ＧａＡｓ層８をストライプ状に取り除き、さらに
ＨＦ系のエツチング液によりｎ−Ｇａ、、、Ａ Ｑ、９
．Ａｓ層７．およびｐ−Ｇａｏ、、ＡＱ、、４Ａｓ層６
をエツチングすることにより光吸収層５までストライプ
を掘り下げた。ＨＦ系のエツチング液のＧ ａ Ａ ｓ
とＧａＡＱＡｓのエツチング選択性のため、このエツチ
ングは容易に光吸収層５で停止することができる。次に
リン酸系のエツチング液によりストライプ内部の光吸収
層５を取り除く。次にレーザ端面となるべき、第１図に
破線で示した壁かい線にそう１０〜２０μｍの領域にお
いてｎ−Ｇａ０．、Ａ Ｑｏ、４Ａｓ層７、およびｐ
Ｇ ａ、 、６ Ａ Ｑ ０ 、ｌ Ａｓ層６を取り
除く。
Ｇａｏ、ｅＡＱｎ、４Ａｓ層の除去は通常のフォトリソ
グラフ技術を用い、ＡＱＡｓの組成が小さなｐ −Ｇａ
１．．１．、、ＡＱｎ、７．、Ａｓクラッド層４（Ｇａ
、、、、Ａ Ｑ＋、、、、Ａｓ）をエツチングしなイＴ
−ＴＦ系のエツチング液の性質を利用すれば容易に行う
ことができる。次に、以上のようにして形成した構造を
ｐ Ｇａｎ、＜Ａｎｎｏ、Ａｓｙｆ９９ （Ｚｎドー
プ、ｐ＝３ｘ１０１７艶−’、１．０μｍ）、によって
埋込み、電極形成のためにｐ−ＧａＡｓ層１０ （Ｚｎ
ドープ、 ｐ ＝ ３ ｘ １０”ａｎ−’、Ｌ、０
μｍ）、を設け、ＡｕＧ ｅ Ｎｉ／ Ｃｒ ／ Ａ
ｕ″１極［１及びＣｒ ／ Ａ ｕ電極１２を蒸着する
。この後、第１図破線部分において壁かいし１反射面を
形成する。第２図の部分と第３図の部分を比較すると、
光吸収層に隣接するＧａＡｌＡｓ層の組成の違いのため
に第２図の部分のへうが第３図の部分よりストライプ内
外の実効屈折率差が大きくなる。第２図の部分の導波機
構が利得導波的となり、第２図の部分の導波機構が屈折
率導波的となるように各層の組成、厚みを設計すれば、
素子中央部分では利得導波的であるため、素子はマルチ
モード発振を行い戻り光雑音は生じず、端面付近では屈
折率導波的となっているため非点収差もなくなり、初期
の目的を達することかできる。
グラフ技術を用い、ＡＱＡｓの組成が小さなｐ −Ｇａ
１．．１．、、ＡＱｎ、７．、Ａｓクラッド層４（Ｇａ
、、、、Ａ Ｑ＋、、、、Ａｓ）をエツチングしなイＴ
−ＴＦ系のエツチング液の性質を利用すれば容易に行う
ことができる。次に、以上のようにして形成した構造を
ｐ Ｇａｎ、＜Ａｎｎｏ、Ａｓｙｆ９９ （Ｚｎドー
プ、ｐ＝３ｘ１０１７艶−’、１．０μｍ）、によって
埋込み、電極形成のためにｐ−ＧａＡｓ層１０ （Ｚｎ
ドープ、 ｐ ＝ ３ ｘ １０”ａｎ−’、Ｌ、０
μｍ）、を設け、ＡｕＧ ｅ Ｎｉ／ Ｃｒ ／ Ａ
ｕ″１極［１及びＣｒ ／ Ａ ｕ電極１２を蒸着する
。この後、第１図破線部分において壁かいし１反射面を
形成する。第２図の部分と第３図の部分を比較すると、
光吸収層に隣接するＧａＡｌＡｓ層の組成の違いのため
に第２図の部分のへうが第３図の部分よりストライプ内
外の実効屈折率差が大きくなる。第２図の部分の導波機
構が利得導波的となり、第２図の部分の導波機構が屈折
率導波的となるように各層の組成、厚みを設計すれば、
素子中央部分では利得導波的であるため、素子はマルチ
モード発振を行い戻り光雑音は生じず、端面付近では屈
折率導波的となっているため非点収差もなくなり、初期
の目的を達することかできる。
この構造において、ｎ Ｇ ａ ｎ 、 ＧＡ Ｑ
ｏ 、 Ａ Ａ ｓ層７のため電流はストライプ内部に
集中されるので、自己整合的電流挟挿が行われる。
ｏ 、 Ａ Ａ ｓ層７のため電流はストライプ内部に
集中されるので、自己整合的電流挟挿が行われる。
第２図の実施例として第１の実施例のｐ −ＧａＡｓ層
１０にかわり、ｎ−ＧａＡｓ層１３（Ｓｅドープ、ｎ
＝ ５ ｘ １０１Ｓｃｘ＋−３，０，５μｍ）、
を形成し、亜鉛選択拡散技術を用いてストライプ部分に
選択的に亜鉛を拡散した第４図のような構造を試作した
。この構造においては、第１の実施例における端面近傍
の漏れ電流がｎ−ＧａＡｓ層１３により防止されるので
、無効な電流を押えることができしきい値電流をいっそ
う低減することができる。他の構成は第１の実施例にお
けるそれと同様である。
）ぐ１この素子では、縦モード
はマルチモードで、戻り光量に関わらず相対雑音強度は
１ ｘ １０’Ｈｚ以下であった。また、非点収差は５
μｍ以下であった。
１０にかわり、ｎ−ＧａＡｓ層１３（Ｓｅドープ、ｎ
＝ ５ ｘ １０１Ｓｃｘ＋−３，０，５μｍ）、
を形成し、亜鉛選択拡散技術を用いてストライプ部分に
選択的に亜鉛を拡散した第４図のような構造を試作した
。この構造においては、第１の実施例における端面近傍
の漏れ電流がｎ−ＧａＡｓ層１３により防止されるので
、無効な電流を押えることができしきい値電流をいっそ
う低減することができる。他の構成は第１の実施例にお
けるそれと同様である。
）ぐ１この素子では、縦モード
はマルチモードで、戻り光量に関わらず相対雑音強度は
１ ｘ １０’Ｈｚ以下であった。また、非点収差は５
μｍ以下であった。
以上の素子は、雑音が小さく、非点収差補正用のレンズ
を必要としないので、ビデオディスクやコンパクトディ
スク用の光源として最適である。
を必要としないので、ビデオディスクやコンパクトディ
スク用の光源として最適である。
以上では、材料系をＧａＡＱＡｓ／ＧａＡｓ系として説
明したが、他の材料系、例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系、Ｉ ｎＧａＰ／ＧａＡｓ系でも同様の効果が期待で
きる。また、ｐ型とｎ型を全く反、転させても、活性層
をｐ型、或いはｎ型にしでも同様である。また、活性層
、または光吸収層に多重量子井戸構造を用いれば、素子
特性の向上が可能であるとともに、禁制帯幅と屈折率の
関係がＧａＡｌＡｓと異なる多重井戸構造の特徴のため
、素子パラメータの自由度を大きくすることができる。
明したが、他の材料系、例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
系、Ｉ ｎＧａＰ／ＧａＡｓ系でも同様の効果が期待で
きる。また、ｐ型とｎ型を全く反、転させても、活性層
をｐ型、或いはｎ型にしでも同様である。また、活性層
、または光吸収層に多重量子井戸構造を用いれば、素子
特性の向上が可能であるとともに、禁制帯幅と屈折率の
関係がＧａＡｌＡｓと異なる多重井戸構造の特徴のため
、素子パラメータの自由度を大きくすることができる。
第１図は埋込み前のウェハの構造を示す斜視図。
第２図は端面付近の素子断面図、第３図は素子内部の断
面図、第４図は第２の実施例の素子断面構造図である。 １−−・ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ− Ｇａｎ、ｃｓＡＱｎｌ、Ａｓクラッド層、３・・・アン
ドープＧ ａ６．ｇ４Ａ Ａｏ、１４Ａｓ活性層、４
・Ｐ −Ｇａ、、、、Ａ Ｑｎ、３．、Ａｓクラッド層
、５− ｐ −ＧａＡｓ光吸収層、６−”ｐ−Ｇａ、、
、ＡＱ、、４Ａｓ層、７−ｎ−Ｇａ０．、 Ａ Ｑ ｏ
、４Ａｓ層、８−ｎ−ＧａＡｓ層、９・・・ｐ Ｇａ
ｏ、Ａｎｏ、ＧＡｓ層、１０−ｐ−ＧａＡｓ層。 １１＝ＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ！！極、１２・・・Ｃ
ｒ／ Ａ ｕ電極、ｌ ３−ｎ−Ｇ；ＩＡｓ層、１４−
・・■ １ 図 第２ ロ 第３ 図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２３３１６６号発明ノ名称
半導体レーザおよびその製造方法補正の内容 明細τ１（：第４頁第１９行〜第２０行に記載のｒＨ。 ｌ５ｈｉｋａｖａ 〜（１９８１）Ｊを「イシカワ他、
アイイーイーイー・ジャーナル・オブ・クワンタム・エ
レクトロニクス、ＱＥ−１７巻、第７号、第１２２６頁
（１９８１） （Ｎ、 Ｉｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ
。 Ｉ ＥＥＥ 、Ｊ、 ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｏｃ
、 ＱＥ −１７（７）１２２６（１９８１））Ｊ と
訂正する。 以上
面図、第４図は第２の実施例の素子断面構造図である。 １−−・ｎ−ＧａＡｓ基板、２−ｎ− Ｇａｎ、ｃｓＡＱｎｌ、Ａｓクラッド層、３・・・アン
ドープＧ ａ６．ｇ４Ａ Ａｏ、１４Ａｓ活性層、４
・Ｐ −Ｇａ、、、、Ａ Ｑｎ、３．、Ａｓクラッド層
、５− ｐ −ＧａＡｓ光吸収層、６−”ｐ−Ｇａ、、
、ＡＱ、、４Ａｓ層、７−ｎ−Ｇａ０．、 Ａ Ｑ ｏ
、４Ａｓ層、８−ｎ−ＧａＡｓ層、９・・・ｐ Ｇａ
ｏ、Ａｎｏ、ＧＡｓ層、１０−ｐ−ＧａＡｓ層。 １１＝ＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ！！極、１２・・・Ｃ
ｒ／ Ａ ｕ電極、ｌ ３−ｎ−Ｇ；ＩＡｓ層、１４−
・・■ １ 図 第２ ロ 第３ 図 手 続 補 正 書 （方式）％式％ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第２３３１６６号発明ノ名称
半導体レーザおよびその製造方法補正の内容 明細τ１（：第４頁第１９行〜第２０行に記載のｒＨ。 ｌ５ｈｉｋａｖａ 〜（１９８１）Ｊを「イシカワ他、
アイイーイーイー・ジャーナル・オブ・クワンタム・エ
レクトロニクス、ＱＥ−１７巻、第７号、第１２２６頁
（１９８１） （Ｎ、 Ｉｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ
。 Ｉ ＥＥＥ 、Ｊ、 ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｏｃ
、 ＱＥ −１７（７）１２２６（１９８１））Ｊ と
訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の導電型を有する化合物半導体基板上に設けた
、基板と同一の導電型の化合物半導体よりなる第１のク
ラッド層と、基板の異なる第２の導電型の第２のクラッ
ド層と、該クラッド層に挟まれ、該クラッド層より狭い
禁制帯幅を有する活性層とよりなるダブルヘテロ構造と
、レーザストライプ外部において該ダブルヘテロ構造の
うえに活性層から０．１〜０．５μｍ離れた位置に設け
た厚さ０．１〜０．４μｍの活性層よりも狭い禁制帯幅
を有する光吸収層と、光吸収層の上に設けた活性層より
も禁制帯幅の大きな半導体層をよりなる第３のクラッド
層を少なくとも有する半導体レーザ装置において、少な
くとも一方の光出射端面近傍において、光吸収層のうえ
に設ける第３のクラッド層の禁制帯幅を、該半導体レー
ザの他の領域に比べ変化させたことを特徴とする半導体
レーザ。 ２、化合物半導体基板上に、あらかじめ第３のクラッド
層までの半導体積層体を形成したのち、ストライプ内部
では光吸収層までを取りのぞき、端面近傍において第３
のクラッド層を取りのぞき光吸収層を露出させ、第３の
クラッド層と異なる禁制帯幅の半導体により埋め込むか
、あるいは端面近傍以外の部分において第３のクラッド
層を取り除いて光吸収層を露出させ第３の半導体層と異
なる禁制帯幅の半導体層で埋め込む工程を有することを
特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23316684A JPS61112392A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23316684A JPS61112392A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112392A true JPS61112392A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16950754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23316684A Pending JPS61112392A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112392A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170985A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| EP0302732A2 (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| JPH01132191A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| JP2009054617A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール及び発光装置 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP23316684A patent/JPS61112392A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170985A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| EP0302732A2 (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| JPH01132191A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-24 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子 |
| US4926431A (en) * | 1987-08-04 | 1990-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device which is stable for a long period of time |
| JP2009054617A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光モジュール及び発光装置 |
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